JP2009182571A - 半導体集積回路装置 - Google Patents

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Abstract

【課題】デルタシグマ型A/D変換器おいて、アンプのゲインが低下した場合でも回路規模を増加させることなく、不感帯を抑制する。
【解決手段】デジタルフィルタが1次フィルタの場合、切り替え回路19からは、任意の分周回路の分周信号を選択して出力し、ディザ信号生成部16,17が、それら分周信号から第1、第2ディザ信号を生成する。デジタルフィルタが2次フィルタの場合、切り替え回路19から、ディザ信号生成部16に対して一定期間毎に周期の異なる分周信号が出力され、該ディザ信号生成部16は、周波数が変更された第1ディザ信号を生成する。
【選択図】図3

Description

本発明は、A/D(Analog/Digital)変換器の高性能化技術に関し、特に、デルタシグマ型A/D変換器における不感帯を除くディザ信号の重畳に有効な技術に関する。
半導体集積回路装置には、アナログ信号の入力信号をデジタル信号に変換するA/D変換器が備えられているものがある。このA/D変換器の1つとして、たとえば、デルタシグマ型A/D変換器が知られている。
デルタシグマ型A/D変換器では、DC(直流)、および低周波入力時において特性乱れや不感帯など線形性が劣化する範囲があり、積分非直線性(INL)が劣化してしまうという問題がある。
ここで、上記した不感帯とは、0V入力付近の入力信号の変化に対してアンプのゲインが有限であることの影響により出力信号が変動しなくなる現象である。
この現象は、デルタシグマ型A/D変換器内に用いられる積分器のアンプゲインが有限であることが原因であり、不感帯を抑制する技術として、アンプのゲインを十分高く設計し、積分器の入力、または量子化器の前段にランダムなディザ(ノイズ)信号を入力する手法が用いられている。
しかし、近年のプロセス微細化、電源電圧の低電圧化、低消費電流化で積分器のアンプゲインが高く設計しにくい状況となっているにもかかわらず、デルタシグマ型A/D変換器の高精度化が求められており、より高精度な不感帯を抑制することが求められる。
この種のデルタシグマ型A/D変換器における特性乱れや不感帯を抑制する技術としては、たとえば、ディザ信号として擬似ランダム系列から生成したランダムディザ信号を入力信号に加算し、0V付近に発生する不感帯をシフトさせて平均化して不感帯を抑制するもの(特許文献1参照)や、方形波の振幅、周波数を制御回路により調整したディザ信号を積分器入力に加算して0V付近の不感帯をシフトさせて不感帯を抑制するもの(特許文献2参照)などが知られている。
特開平05−160736号公報 特開平05−335964号公報
ところが、上記に示す公知のデルタシグマ型A/D変換器における不感帯の抑制技術では、次のような問題点があることが本発明者により見い出された。
それは上記したアンプのゲインが低下した場合に積分器の入力、または量子化器の前段にランダムなディザ信号を入力するディザ信号を入力する技術では、不感帯対策として不十分であり、結果としてデルタシグマ型A/D変換器のフィルタの次数を上げることが必要となり、アナログ部の面積や消費電力が増加してしまうことである。
また、特許文献1の技術では、ランダム信号を積分器入力に加算すると任意の積算時間内では積算した値が0にならない場合が考えられ、ディザ信号の積算値が入力信号の積算値誤差となるため、積算値に誤差を生じさせる要因となってしまう恐れがある。
さらには、擬似ランダム信号を発生させる回路規模が増加してしまい、半導体チップのレイアウト面積が増加してしまうという問題がある。
特許文献2の技術においても、ディザ信号の振幅を調整する減衰回路が必要となるために回路規模が増加してしまい、半導体チップのレイアウト面積が増加してしまうという問題がある。
本発明の目的は、アンプのゲインが低下した場合でも回路規模を増加させることなく、不感帯を抑制することのできる技術を提供することにある。
本発明の前記ならびにそのほかの目的と新規な特徴については、本明細書の記述および添付図面から明らかになるであろう。
本願において開示される発明のうち、代表的なものの概要を簡単に説明すれば、次のとおりである。
本発明は、アナログ信号をデジタル信号に変換するA/D変換器を備えた半導体集積回路装置であって、該A/D変換器は、第1、および第2ディザ信号を発生して出力するディザ信号発生回路と、アナログ信号と、該ディザ信号発生回路が発生した第2ディザ信号とを加算し、フィードバック信号を減算する第1の加算器と、該第1の加算器から出力された信号を積分する積分器と、該積分器の積分結果に、ディザ信号発生回路が発生した第1ディザ信号を加算して出力する第2の加算器と、該第2の加算器から出力された信号をデジタル信号に変換して量子化する量子化器と、該量子化器から出力されたデジタル信号をアナログ信号に変換してフィードバック信号として第1の加算器に出力するD/A変換器と、量子化器から出力されたデジタル信号をフィルタリングするデジタルフィルタとを備え、ディザ信号発生回路は、デジタルフィルタが1次フィルタの場合、2以上の電圧レベルを有した周期信号からなる第1ディザ信号を発生し、デジタルフィルタが2次フィルタの場合、2以上の電圧レベルを有した周期信号の周期を一定期間毎に任意に可変した周期信号からなる第1ディザ信号を発生するものである。
また、本願のその他の発明の概要を簡単に示す。
本発明は、前記ディザ信号発生回路が、矩形波を生成する矩形波発生器と、矩形波発生器が生成した矩形波を分周し、複数の異なる周期の分周信号を生成する分周信号生成部と、該分周信号生成部から出力された複数の分周信号うち、任意の分周信号を選択して出力する制御回路と、該制御回路が選択した任意の分周信号から、第1ディザ信号を生成する第1のディザ信号生成部と、制御回路が選択した任意の分周信号から、第2ディザ信号を生成する第2のディザ信号生成部とを備えたものである。
また、本発明は、前記制御回路が、分周信号生成部から出力された複数の分周信号うち、任意の2つの分周信号を選択して第1のディザ信号生成部に出力し、該第1のディザ信号生成部は、制御回路が選択した2つの分周信号を静電容量比で加算して第1ディザ信号を生成するものである。
さらに、本発明は、前記制御回路が、デジタルフィルタが1次フィルタの場合、任意の2つの固定周期からなる分周信号を選択して出力し、デジタルフィルタが2次フィルタの場合、一定期間毎に周期が変更された任意の2つの分周信号を選択して出力するものである。
また、本発明は、前記ディザ信号発生回路が、任意の周期の3つの信号パターンを生成する第1の信号発生部と、該第1の信号発生部が生成した任意の2つの分周信号から、第1ディザ信号を生成する第1のディザ信号生成部と、該第1の信号発生部が生成した残り1つの分周信号から、第2ディザ信号を生成する第2のディザ信号生成部とを備えたものである。
さらに、本発明は、前記第1のディザ信号生成部が、第1の信号発生部から出力された2つの分周信号を静電容量比で加算して第1ディザ信号を生成するものである。
また、本発明は、前記第1のディザ信号生成部が、デジタルフィルタが1次フィルタの場合、2つの固定周期からなる信号パターンを出力し、デジタルフィルタが2次フィルタの場合、一定期間毎に周期が変更された2つの信号パターンを出力するものである。
さらに、本発明は、前記ディザ信号発生回路が、第1、および第2ディザ信号の信号パターンがそれぞれ格納されたメモリ部と、該メモリ部の情報を読み出す制御部と、メモリ部から出力された信号パターンをD/A変換する第1のD/A変換器と、メモリ部から出力された信号パターンをD/A変換する第2のD/A変換器と、該第1のD/A変換器から出力された信号を単一の静電容量でサンプリングして第1ディザ信号を生成する第1のディザ信号生成部と、該第2のD/A変換器から出力された信号を単一の静電容量でサンプリングして第2ディザ信号を生成する第2のディザ信号生成部とを備えたものである。
また、本発明は、前記ディザ信号発生回路が、任意の周期の3つの信号パターンを生成する第2の信号発生部と、該第2の信号発生部が生成した任意の2つの信号パターンをD/A変換する第3のD/A変換器と、第2の信号発生部が生成した残り1つの信号パターンをD/A変換する第4のD/A変換器と、該第3のD/A変換器から出力された信号を単一の静電容量でサンプリングして第1ディザ信号を生成する第1のディザ信号生成部と、該第4のD/A変換器から出力された信号を単一の静電容量でサンプリングして第2ディザ信号を生成する第2のディザ信号生成部とを備えたものである。
さらに、本発明は、前記A/D変換器が、デルタシグマ変調回路よりなるものである。
本願において開示される発明のうち、代表的なものによって得られる効果を簡単に説明すれば以下のとおりである。
(1)A/D変換器における不感帯を抑制し、該不感帯による積分非直線性劣化を改善することができる。
(2)また、上記(1)により、高精度なA/D変換器を実現することができる。
(3)さらに、ディザ信号の振幅を調整する減衰回路などを不要とすることができるので、A/D変換器の回路規模の増加を防止することができる。
以下、本発明の実施の形態を図面に基づいて詳細に説明する。なお、実施の形態を説明するための全図において、同一の部材には原則として同一の符号を付し、その繰り返しの説明は省略する。
(実施の形態1)
図1は、本発明の実施の形態1によるA/D変換器の使用例を示すブロック図、図2は、本発明の実施の形態1によるA/D変換器のブロック図、図3は、図2のA/D変換器に設けられたディザ信号発生回路の構成の一例を示す説明図、図4は、図2のA/D変換器に1次デジタルフィルタが用いられている際のディザ信号発生回路における信号タイミングチャート、図5は、1次デジタルフィルタにおける重み付けを示す説明図、図6は、図3のディザ信号発生回路による第2ディザ信号の生成の際の信号タイミングチャート、図7は、図2のA/D変換器に2次デジタルフィルタが用いられている際のディザ信号発生回路における信号タイミングチャート、図8は、2次デジタルフィルタにおける重み付けを示す説明図、図9は、図2のA/D変換器における回路構成を示す説明図である。
本実施の形態1において、A/D変換器1は、デルタシグマ型のA/D変換器からなり、図1に示すように、たとえば、携帯電話やデジタルカメラなどの電子機器に設けられるリチウムイオン電池などの二次電池Bにおける充放電制御用の半導体集積回路装置に備えられている。
A/D変換器1は、二次電池Bの電流や電圧などのアナログ信号の測定値をデジタル信号に変換して、マイクロプロセッサMPUなどに出力する。マイクロプロセッサMPUは、A/D変換器1から出力されたデータに基づいて、過充電や過放電などの危険を回避しながら二次電池に最適な充電が行われるように充電制御を実行する。
A/D変換器1は、図2に示すように、加算器2,3、積分器4、量子化器5、D/A(Digital/Analog)変換器6、デジタルフィルタ7、およびディザ信号発生回路8から構成されている。
第1の加算器である加算器2の第1の入力部には、アナログ信号が入力されるように接続されており、該加算器2の第2の入力部には、ディザ信号発生回路8から出力される第2ディザ信号が入力されるように接続されている。
また、加算器2の第3の入力部には、D/A変換器6から出力されるアナログ信号が入力されるように接続されている。加算器2の出力部には、積分器4の入力部が接続されており、該積分器4の出力部には、第2の加算器である加算器3の一方の入力部が接続されている。加算器3の他方の入力部には、ディザ信号発生回路8から出力される第1ディザ信号が入力されるように接続されている。
加算器3の出力部には、量子化器5の入力部が接続されており、該量子化器5の出力部には、D/A変換器6の入力部、ならびにデジタルフィルタ7の入力部がそれぞれ接続されている。そして、デジタルフィルタ7の出力部がA/D変換器1の出力部となり、変換されたデジタル信号が出力される。
加算器2は、第1の入力部から入力されるアナログ信号と、第2の入力部から入力されるディザ信号発生回路8の第2ディザ信号とを加算し、第3の入力部から入力されるD/A変換器6の出力分だけ減算して出力する。
積分器4は、加算器2の演算結果を積分する。加算器3は、積分器4の積分結果にディザ信号発生回路8から出力される第1ディザ信号を加算して出力する。量子化器5は、加算器3から出力された信号をデジタル信号に変換して量子化する。
D/A変換器6は、量子化器5から出力されたデジタル信号をアナログ信号に変換する。デジタルフィルタ7は、量子化器5から出力されたデジタル信号の任意の周波数帯の信号を取り出して出力する。
ディザ信号発生回路8は、加算器2に出力する第2ディザ信号、および加算器3に出力する第1ディザ信号をそれぞれ発生する。これら第1、第2ディザ信号は、A/D変換時間内で平均値が0となる周期信号で構成されており、特に、第1ディザ信号は、周期をデジタルフィルタ7に対応させた周期信号とする。
図3は、ディザ信号発生回路8の構成の一例を示す説明図である。
ディザ信号発生回路8は、矩形波発生器9、分周信号生成部を構成する分周回路10〜14、制御回路15、およびディザ信号生成部16,17から構成されている。また、制御回路15は、論理回路18と切り替え回路19とから構成されている。
矩形波発生器9は、分周回路10、ならびに制御回路15に対して、A/D変換器1の動作クロック信号(φ1)に同期して矩形波をそれぞれ出力する。制御回路15は、矩形波発生器9から出力される矩形波に基づいて、動作を行う。分周回路10〜14は、入力された信号を1/nに分周して出力する。
分周回路10は、矩形波発生器9が生成した矩形波を分周し、分周回路11と切り替え回路19とにそれぞれ出力する。分周回路11は、分周回路10から出力された分周信号を分周し、分周回路12と切り替え回路19とにそれぞれ出力する。
分周回路12は、分周回路11から出力された分周信号を分周し、分周回路13と切り替え回路19とにそれぞれ出力し、分周回路13は、分周回路12から出力された分周信号を分周し、分周回路14と切り替え回路19とにそれぞれ出力する。分周回路14は、分周回路13から出力された分周信号を分周し、切り替え回路19に出力する。
論理回路18は、切り替え回路19を制御する制御信号を出力する。切り替え回路19は、論理回路18から出力された制御信号に基づいて、該切り替え回路19に入力された任意の矩形波を選択してディザ信号生成部16,17にそれぞれ出力する。
第1ディザ信号生成部であるディザ信号生成部16は、切り替え回路19から出力された分周信号に基づいて第1ディザ信号を生成し、第2ディザ信号生成部となるディザ信号生成部17は、切り替え回路19から出力された分周信号に基づいて第2ディザ信号を生成する。
ディザ信号生成部16は、スイッチ20〜23、および静電容量素子24,25から構成されている。スイッチ20の一方の接続部には、切り替え回路19の第1の出力部が接続されており、スイッチ22の一方の接続部には、切り替え回路19の第2の出力部が接続されている。
スイッチ20の他方の接続には、スイッチ21の一方の接続部、ならびに静電容量素子24の一方の接続部がそれぞれ接続されており、該スイッチ21の他方の接続部には、基準電位(VSS)が接続されている。
スイッチ22の他方の接続には、スイッチ23の一方の接続部、ならびに静電容量素子25の一方の接続部がそれぞれ接続されており、該スイッチ23の他方の接続部には、基準電位(VSS)が接続されている。
静電容量素子24の他方の接続部には、静電容量素子25の他方の接続部が接続されており、この接続部がディザ信号生成部16の出力部となり、第1ディザ信号が出力される。
また、スイッチ21,23は、A/D変換器1の動作クロック信号であるクロック信号φ1によってON/OFFが制御され、スイッチ20,22は、クロック信号φ1の反転信号であるクロック信号φ2によってON/OFFが制御される。
また、ディザ信号生成部17は、スイッチ26,27、および静電容量素子28から構成されている。スイッチ26の一方の接続部には、切り替え回路19の第3の出力部が接続されており、該スイッチ26他方の接続部には、スイッチ27の一方の接続部、ならびに静電容量素子28の一方の接続部がそれぞれ接続されている。
スイッチ27の他方の接続部には、基準電位(VSS)が接続されている。また、静電容量素子28の他方の接続部は、ディザ信号生成部17の出力部となり、第1ディザ信号が出力される。
スイッチ27は、スイッチ21,23と同様に、A/D変換器1の動作クロック信号であるクロック信号φ1によってON/OFFが制御され、スイッチ26は、クロック信号φ1の反転信号であるクロック信号φ2によってON/OFFが制御される。
次に、本実施の形態におけるA/D変換器1に設けられたディザ信号発生回路8の動作について説明する。
まず、デジタルフィルタ7が1次デジタルフィルタの場合、論理回路18からは、分周回路10〜14から出力される任意の分周信号を選択して出力する制御信号が出力される。
切り替え回路19は、制御信号を受けて、任意の分周回路10〜14から出力される分周信号のうち、選択された任意の3つの分周信号を、第1〜第3の出力部からそれぞれ出力する。切り替え回路19から出力される3つの分周信号は、固定周期の信号である。
ディザ信号生成部16は、切り替え回路19の第1、第2の出力部から出力される分周信号を静電容量比で加算して第1ディザ信号を生成して出力する。
図4は、デジタルフィルタ7が1次デジタルフィルタの際に第1ディザ信号を生成するディザ信号発生回路8における信号タイミングチャートである。
図4において、上方から下方にかけては、ディザ信号発生回路8から出力される第1ディザ信号、切り替え回路19の第1の出力部から出力される分周信号、切り替え回路19の第2の出力部から出力される分周信号、クロック信号φ1、およびクロック信号φ2の信号タイミングについてそれぞれ示している。
図示するように、デジタルフィルタ7が1次デジタルフィルタの場合には、第1ディザ信号が一定周期のディザ信号として生成される。これは、図5に示すように、1次のデジタルフィルタ7の重み付けが常に一定であるので、どのサンプルであっても均一に計算されるからである。
また、ディザ信号生成部17は、切り替え回路19の第3の出力部から出力される分周信号をサンプリングして第2ディザ信号を生成して出力する。
図6は、第2ディザ信号を生成するディザ信号発生回路8における信号タイミングチャートである。
図6において、上方から下方にかけては、ディザ信号発生回路8から出力される第2ディザ信号、切り替え回路19の第3の出力部から出力される分周信号、クロック信号φ1、およびクロック信号φ2の信号タイミングについてそれぞれ示している。
ディザ信号生成部17は、図示するように、定期的な周期で一定パターンを繰り返す矩形波を第2ディザ信号として生成する。
続いて、デジタルフィルタ7が2次デジタルフィルタの場合について説明する。
デジタルフィルタ7が2次のデジタルフィルタの場合、論理回路18は、任意の期間毎に制御信号を出力して、切り替え回路19の第1、および第2の出力部から、任意の期間毎に異なる周期の分周信号が出力されるように制御を行う。
また、切り替え回路19の第3の出力部から出力される分周信号は、1次フィルタの場合と同様に固定周期の信号である。
図7は、デジタルフィルタ7が2次デジタルフィルタの際に第1ディザ信号を生成するディザ信号発生回路8における信号タイミングチャートである。
図7において、上方から下方にかけては、ディザ信号発生回路8から出力される第1ディザ信号、切り替え回路19の第1の出力部から出力される分周信号、切り替え回路19の第2の出力部から出力される分周信号、クロック信号φ1、およびクロック信号φ2の信号タイミングについてそれぞれ示している。
図示するように、2次のデジタルフィルタ7の場合、切り替え回路19は、制御信号に基づいて、任意の期間毎に出力経路を切り替えて、該切り替え回路19の第1、および第2の出力部からそれぞれ出力される分周信号が任意の期間毎に異なった分周信号となるように出力される。
これ伴い、クロック信号φ1と同期を保ちながら周波数が変更された第1ディザ信号が生成されて出力されることになる。2次のデジタルフィルタの場合、デジタルフィルタ7の重み付けが、図8に示すように、線形変化するためにサンプルが均一に計算されない。
これにより、特定の入力状態で特性の乱れが増加する故に、デジタルフィルタの重み付けに合わせてディザ信号の周期を変更し、特性の乱れを減少させることができる。
次に、図9を用いてA/D変換器1の動作について説明する。
図9の上方は、加算器2,3、積分器4、量子化器5、およびD/A変換器6の構成を示した説明図であり、下方は、クロック信号φ1,φ2の信号タイミングを示したタイミングチャートである。本図ではシングルエンドで示しているが差動形式であっても本質的には同様である。
図示するように、加算器2は、スイッチSW1〜SW4、および静電容量素子Cinから構成されている。加算器3は、スイッチSW5〜SW7、ならびに静電容量素子Ccmpから構成されている。
積分器4は、オペアンプOP、および静電容量素子Cintからなり、D/A変換器6は、スイッチSW12,SW13と静電容量素子Cdacからなる。
加算器2には、第2ディザ信号が入力され、加算器3には、第1ディザ信号が入力される。D/A変換器6は、量子化器5の出力信号により基準電圧+Vref、または基準電圧−Vrefのいずれかに接続し、積分器4が、アナログ入力信号、第2ディザ信号、基準電圧(+Vref/−Vref)の信号をそれぞれの静電容量素子(Cin,28,Cdac)容量値に応じて重み付けされた電荷を静電容量素子Cintに転送して蓄える。
これにより、入力端子で第2ディザ信号が加算される。積分器4からの出力は、量子化器5で、’0’もしくは’1’のデジタル信号に変換されて出力される。出力信号が’1’であれば帰還信号は基準電圧−Vrefに接続され、また、’0’であれば基準電圧+Vrefに接続することでΔΣ変調器の負帰還をかけている。
スイッチSW1〜SW7,SW12,SW13は、クロック信号φ1,φ2φでそれぞれ駆動され、クロック信号φ1がHiレベルの際に入力信号を静電容量素子Cinにサンプリングし、クロック信号φ2がHiレベルの際に電荷を静電容量素子Cintに転送するように動作する。
その後、静電容量素子Cintに転送された電荷が、クロック信号φ2で静電容量素子Ccmpに印加され、その電荷に対して第1ディザ信号を静電容量素子24,25に応じて重み付けされた電荷を印加することで量子化器5の前段での第1ディザ信号が加算される。
これら第1、および第2ディザ信号は、前にも示したようにそれぞれが矩形波発生回路からの信号を複数の分周器で分周を行い、その分周した信号を切り替え回路19で選択することで任意のレベル数、周期をもつ周期信号を構成する。
量子化器5の後段のデジタルフィルタ7が1次のフィルタでは、インパルス応答が一定であるので、一定パターンを繰り返す第1ディザ信号(図4)を用いる。
また、デジタルフィルタ7が2次の際には、該デジタルフィルタ7のインパルス応答に対応して変換時間内で周期パターンが変化する第1ディザ信号(図7)のパターンを用いる。
単一周期の周期信号ではなく、周期パターンが変化する第1ディザ信号を用いることにより、特性乱れを拡散することが可能となり、A/D変換器1の特性乱れを大幅に改善することができる。
(実施の形態2)
図10は、本発明の実施の形態2によるディザ信号発生回路の構成の一例を示す説明図である。
本実施の形態2において、A/D変換器1は、前記実施の形態1と同様に、加算器2,3、積分器4、量子化器5、D/A変換器6、デジタルフィルタ7、およびディザ信号発生回路8から構成されており、前記実施の形態1と異なる点は、ディザ信号発生回路8の構成である。
ディザ信号発生回路8は、図10に示すように、制御部29、メモリ部30、D/A変換器31,32、およびディザ信号生成部16,17から構成されている。制御部29は、メモリ部30のデータ読み出し制御を行う。メモリ部30は、たとえば、ROM(Read Only Memory)などの不揮発性半導体メモリからなる。
メモリ部30には、第1、第2ディザ信号のパターンが格納されている。このメモリ部30からは、制御部29の制御信号に基づいて、第1、第2ディザ信号の信号パターンが読み出され、第1のD/A変換器となるD/A変換器31、および第2のD/A変換器となるD/A変換器32にそれぞれ出力される。
D/A変換器31,32は、入力された信号をアナログ信号に変換し、その結果をディザ信号生成部16,17にそれぞれ出力する。ディザ信号生成部16は、スイッチ20,21、および静電容量素子24から構成されている。
これは、図3のディザ信号生成部16のスイッチ22,23、および静電容量素子25を取り除いたものと同様の接続構成となっており、単一容量に加算を行い、第1ディザ信号を生成する。また、ディザ信号生成部17は、図3のディザ信号生成部17と同様の接続構成からなる。
この場合、制御部29は、デジタルフィルタ7が1次フィルタであると、固定された任意の分周信号を出力するようにメモリ部30の制御を行い、2次のデジタルフィルタ7の場合には、出力する分周信号の周期パターンを任意の期間毎に切り替えて出力するようにメモリ部30の制御を行う。
(実施の形態3)
図11は、本発明の実施の形態3によるディザ信号発生回路の構成の一例を示す説明図である。
本実施の形態3においても、A/D変換器1は、前記実施の形態1と同様に、加算器2,3、積分器4、量子化器5、D/A変換器6、デジタルフィルタ7、およびディザ信号発生回路8からなり、前記実施の形態1と異なる点は、ディザ信号発生回路8の構成である。
ディザ信号発生回路8は、図11に示すように、論理回路33、D/A変換器31a,32a、およびディザ信号生成部16,17から構成されている。第2の信号発生部となる論理回路33は、複数の分周信号を生成し、第3のD/A変換器となるD/A変換器31a、ならびに第4のD/A変換器となるD/A変換器32aに出力する。また、その他の接続構成に関しては、前記実施の形態2と同様である。
論理回路33は、デジタルフィルタ7が1次フィルタの場合、固定された任意の2つの分周信号をD/A変換器31aに、固定された任意の1つの分周信号をD/A変換器32aに出力する。
また、デジタルフィルタ7が2次フィルタの場合、論理回路33は、D/A変換器31aに出力する任意の2つの分周信号の周期パターンを任意の期間毎に切り替えて、該D/A変換器31aに出力する。
(実施の形態4)
図12は、本発明の実施の形態4によるディザ信号発生回路の構成の一例を示す説明図である。
本実施の形態4においても、A/D変換器1は、前記実施の形態1と同様に、加算器2,3、積分器4、量子化器5、D/A変換器6、デジタルフィルタ7、およびディザ信号発生回路8からなり、前記実施の形態1と異なる点は、ディザ信号発生回路8の構成である。
ディザ信号発生回路8は、図12に示すように、論理回路34、およびディザ信号生成部16,17から構成されている。第1の信号発生部である論理回路34は、複数の分周信号を生成してディザ信号生成部16,17にそれぞれ出力する。
ディザ信号生成部16,17の構成は、図3と同様であり、ディザ信号生成部16には、論理回路34の第1、および第2の出力部から出力される分周信号が入力されるように接続されおり、ディザ信号生成部17には、論理回路34の第3の出力部から出力される分周信号が入力されるように接続されている。
論理回路34は、1次のデジタルフィルタ7の場合、固定された任意の分周信号を第1〜第3の出力部を介してディザ信号生成部16,17にそれぞれ出力する。2次のデジタルフィルタ7の場合には、第1、および第2の出力部から出力する分周信号の周期パターンを任意の期間毎に切り替えてディザ信号生成部16に出力する。
以上、本発明者によってなされた発明を実施の形態に基づき具体的に説明したが、本発明は前記実施の形態に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で種々変更可能であることはいうまでもない。
たとえば、前記実施の形態1の図9では、第1ディザ信号をφ2で加算する構成としたが、図13に示すように、第1ディザ信号をφ2で加算する構成としてもよい。図13では、加算器3のスイッチSW7がクロック信号φ2によってON/OFFが制御される点が図9と異なっている。
本発明は、半導体集積回路装置などに設けられるA/D変換器に適している。
本発明の実施の形態1によるA/D変換器の使用例を示すブロック図である。 本発明の実施の形態1によるA/D変換器のブロック図である。 図2のA/D変換器に設けられたディザ信号発生回路の構成の一例を示す説明図である。 図2のA/D変換器に1次デジタルフィルタが用いられている際のディザ信号発生回路における信号タイミングチャートである。 1次デジタルフィルタにおける重み付けを示す説明図である。 図3のディザ信号発生回路による第2ディザ信号の生成の際の信号タイミングチャートである。 図2のA/D変換器に2次デジタルフィルタが用いられている際のディザ信号発生回路における信号タイミングチャートである。 2次デジタルフィルタにおける重み付けを示す説明図である。 図2のA/D変換器の回路構成を示す説明図である。 本発明の実施の形態2によるディザ信号発生回路の構成の一例を示す説明図である。 本発明の実施の形態3によるディザ信号発生回路の構成の一例を示す説明図である。 本発明の実施の形態4によるディザ信号発生回路の構成の一例を示す説明図である。 本発明の他の実施の形態によるA/D変換器における回路の構成例を示す説明図である。
符号の説明
1 A/D変換器
2,3 加算器
4 積分器
5 量子化器
6 D/A変換器
7 デジタルフィルタ
8 ディザ信号発生回路
9 矩形波発生器
10〜14 分周回路
15 制御回路
16,17 ディザ信号生成部
18 論理回路
19 切り替え回路
20〜23 スイッチ
24,25 静電容量素子
26,27 スイッチ
28 静電容量素子
29 制御部
30 メモリ部
31 D/A変換器
31a D/A変換器
32 D/A変換器
32b D/A変換器
33 論理回路
34 論理回路
B 二次電池
MPU マイクロプロセッサ
SW1〜SW7 スイッチ
SW12,SW13 スイッチ
Cin 静電容量素子
Ccmp 静電容量素子
Cint 静電容量素子
Cdac 静電容量素子
Cd21 静電容量素子
OP オペアンプ

Claims (10)

  1. アナログ信号をデジタル信号に変換するA/D変換器を備えた半導体集積回路装置であって、
    前記A/D変換器は、
    第1、および第2ディザ信号を発生して出力するディザ信号発生回路と、
    アナログ信号と、前記ディザ信号発生回路が発生した第2ディザ信号とを加算し、フィードバック信号を減算する第1の加算器と、
    前記第1の加算器から出力された信号を積分する積分器と、
    前記積分器の積分結果に、前記ディザ信号発生回路が発生した第1ディザ信号を加算して出力する第2の加算器と、
    前記第2の加算器から出力された信号をデジタル信号に変換して量子化する量子化器と、
    前記量子化器から出力されたデジタル信号をアナログ信号に変換してフィードバック信号として前記第1の加算器に出力するD/A変換器と、
    前記量子化器から出力されたデジタル信号をフィルタリングするデジタルフィルタとを備え、
    前記ディザ信号発生回路は、
    前記デジタルフィルタが1次フィルタの場合、2以上の電圧レベルを有した周期信号からなる第1ディザ信号を発生し、前記デジタルフィルタが2次フィルタの場合、2以上の電圧レベルを有した周期信号の周期を一定期間毎に任意に可変した周期信号からなる第1ディザ信号を発生することを特徴とする半導体集積回路装置。
  2. 請求項1記載の半導体集積回路装置において、
    前記ディザ信号発生回路は、
    矩形波を生成する矩形波発生器と、
    前記矩形波発生器が生成した矩形波を分周し、複数の異なる周期の分周信号を生成する分周信号生成部と、
    前記分周信号生成部から出力された複数の分周信号うち、任意の分周信号を選択して出力する制御回路と、
    前記制御回路が選択した任意の分周信号から、第1ディザ信号を生成する第1のディザ信号生成部と、
    前記制御回路が選択した任意の分周信号から、第2ディザ信号を生成する第2のディザ信号生成部とを備えたことを特徴とする半導体集積回路装置。
  3. 請求項2記載の半導体集積回路装置において、
    前記制御回路は、
    前記分周信号生成部から出力された複数の分周信号うち、任意の2つの分周信号を選択して前記第1のディザ信号生成部に出力し、
    前記第1のディザ信号生成部は、
    前記制御回路が選択した2つの分周信号を静電容量比で加算して第1ディザ信号を生成することを特徴とする半導体集積回路装置。
  4. 請求項3記載の半導体集積回路装置において、
    前記制御回路は、
    前記デジタルフィルタが1次フィルタの場合、任意の2つの固定周期からなる分周信号を選択して出力し、
    前記デジタルフィルタが2次フィルタの場合、一定期間毎に周期が変更された任意の2つの分周信号を選択して出力することを特徴とする半導体集積回路装置。
  5. 請求項1記載の半導体集積回路装置において、
    前記ディザ信号発生回路は、
    任意の周期の3つの信号パターンを生成する第1の信号発生部と、
    前記第1の信号発生部が生成した任意の2つの分周信号から、第1ディザ信号を生成する第1のディザ信号生成部と、
    前記第1の信号発生部が生成した残り1つの分周信号から、第2ディザ信号を生成する第2のディザ信号生成部とを備えたことを特徴とする半導体集積回路装置。
  6. 請求項5記載の半導体集積回路装置において、
    前記第1のディザ信号生成部は、
    前記第1の信号発生部から出力された2つの分周信号を静電容量比で加算して第1ディザ信号を生成することを特徴とする半導体集積回路装置。
  7. 請求項6記載の半導体集積回路装置において、
    前記第1のディザ信号生成部は、
    前記デジタルフィルタが1次フィルタの場合、2つの固定周期からなる信号パターンを出力し、
    前記デジタルフィルタが2次フィルタの場合、一定期間毎に周期が変更された2つの信号パターンを出力することを特徴とする半導体集積回路装置。
  8. 請求項1記載の半導体集積回路装置において、
    前記ディザ信号発生回路は、
    第1、および第2ディザ信号の信号パターンがそれぞれ格納されたメモリ部と、
    前記メモリ部の情報を読み出す制御部と、
    前記メモリ部から出力された信号パターンをD/A変換する第1のD/A変換器と、
    前記メモリ部から出力された信号パターンをD/A変換する第2のD/A変換器と、
    前記第1のD/A変換器から出力された信号を単一の静電容量でサンプリングして第1ディザ信号を生成する第1のディザ信号生成部と、
    前記第2のD/A変換器から出力された信号を単一の静電容量でサンプリングして第2ディザ信号を生成する第2のディザ信号生成部とを備えたことを特徴とする半導体集積回路装置。
  9. 請求項1記載の半導体集積回路装置において、
    前記ディザ信号発生回路は、
    任意の周期の3つの信号パターンを生成する第2の信号発生部と、
    前記第2の信号発生部が生成した任意の2つの信号パターンをD/A変換する第3のD/A変換器と、
    前記第2の信号発生部が生成した残り1つの信号パターンをD/A変換する第4のD/A変換器と、
    前記第3のD/A変換器から出力された信号を単一の静電容量でサンプリングして第1ディザ信号を生成する第1のディザ信号生成部と、
    前記第4のD/A変換器から出力された信号を単一の静電容量でサンプリングして第2ディザ信号を生成する第2のディザ信号生成部とを備えたことを特徴とする半導体集積回路装置。
  10. 請求項1〜9のいずれか1項に記載の半導体集積回路装置において、
    前記A/D変換器は、
    デルタシグマ変調回路であることを特徴とする半導体集積回路装置。
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