JP2007242649A - 半導体装置とその製造方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】複数の両面電極型の半導体素子3を金属板4上に相互に離間して搭載し、両面電極型の半導体素子3および金属板4を封止用樹脂5により被覆してなり、両面電極型の半導体素子3は第一主面が接合用電極をなして金属板4に接続し、第一主面と相反する第二主面の金属層2が外部電極として封止用樹脂5の外部に露出する。
【選択図】図1
Description
本発明の半導体装置の製造方法は、複数の半導体素子を形成した半導体ウェハの第一主面に、各半導体素子に対応させて突起電極を形成し、前記第一主面と相反する第二主面に金属層を形成する電極形成工程と、前記半導体ウェハをダイシングして個々の半導体素子ごとに個片化するダイシング工程と、リードフレームのダイパッドをなす金属板の所定の位置に個片化した前記半導体素子の複数個を突起電極で接合するボンディング工程と、前記金属層を外部に露出させて前記金属板および前記半導体素子を封止用樹脂でモールドするモールド工程と、前記リードフレームをカットして個々の半導体装置に個片化するカット工程とを含むことを特徴とする。
また、本実施形態においては、一対の半導体素子3を内包する構成として説明したが、これに限定するものではなく、2以上の複数の半導体素子3を含む構成とすることが可能である。
2 金属層
3 半導体素子
4 金属板(ダイパッド)
5 封止用樹脂
6 双方向型半導体装置
7 半導体ウェハ
7a 第一主面
7b 第二主面
8 リードフレーム
101 半導体素子
102 ハンダ層
103 リードフレーム
104 樹脂モールド部
Claims (5)
- 双方向型の面実装型半導体装置であって、複数の両面電極型の半導体素子を内包し、各半導体素子の一方の主面が外部電極として外部に露出することを特徴とする半導体装置。
- 双方向型の面実装型半導体装置であって、複数の両面電極型の半導体素子を金属板上に相互に離間して搭載し、前記両面電極型の半導体素子および前記金属板を封止用樹脂により被覆してなり、前記両面電極型の半導体素子は第一主面が接合用電極をなして前記金属板に接続し、前記第一主面と相反する第二主面が外部電極として封止用樹脂の外部に露出することを特徴とする半導体装置。
- 前記第一主面が接合用電極としての突起電極をなし、前記第二主面が外部電極としての金属層をなすことを特徴とする請求項2に記載の半導体装置。
- 複数の半導体素子を形成した半導体ウェハの第一主面に、各半導体素子に対応させて突起電極を形成し、前記第一主面と相反する第二主面に金属層を形成する電極形成工程と、前記半導体ウェハをダイシングして個々の半導体素子ごとに個片化するダイシング工程と、リードフレームのダイパッドをなす金属板の所定の位置に個片化した前記半導体素子の複数個を突起電極で接合するボンディング工程と、前記金属層を外部に露出させて前記金属板および前記半導体素子を封止用樹脂でモールドするモールド工程と、前記リードフレームをカットして個々の半導体装置に個片化するカット工程とを含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。
- 前記モールド工程において、前記リードフレームに接合した前記半導体素子の前記金属層の面に粘着シートを接着固定して後に、前記リードフレーム全体を一括して前記封止用樹脂でモールドし、前記カット工程において、前記半導体装置の外形寸法に合わせて前記封止用樹脂および前記リードフレームをダイシングして個々の半導体装置に個片化することを特徴とする請求項4に記載の半導体装置の製造方法。
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