JP2007214548A - GaN系発光素子およびその製造方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】成長の途中で成長温度を第1の温度から第2の温度に下げることによって、ピットが形成されるようにn型層を成長させる工程と、n型層の上に活性層を成長させる工程と、活性層の上にp型層を成長させる工程と、を有する。n型層のうち、第1の温度で成長される層を高温n型層、第2の温度で成長される層を低温n型層としたとき、低温n型層を成長させる工程は、高温n型層に接する第1の領域を形成する工程と、第1の領域よりも高温n型層から離れた位置に第2の領域を形成する工程とを含む。第1の領域は、n型不純物濃度が第2の領域よりも低くなるように形成し、第2の領域は、n型不純物濃度が活性層よりも高くなるように形成する。活性層は、n型層に接して、かつ、その上面にピットが開口するように成長させる。
【選択図】図1
Description
(1)成長の途中で成長温度を第1の温度から第2の温度に下げることによって、ピットが形成されるようにn型層を成長させる工程と、該n型層の上に活性層を成長させる工程と、該活性層の上にp型層を成長させる工程と、を有し、前記n型層のうち、第1の温度で成長される層を高温n型層、第2の温度で成長される層を低温n型層としたとき、前記低温n型層を成長させる工程は、前記高温n型層に接する第1の領域を形成する工程と、該第1の領域よりも前記高温n型層から離れた位置に第2の領域を形成する工程とを含み、前記第1の領域は、n型不純物濃度が前記第2の領域よりも低くなるように形成し、前記第2の領域は、n型不純物濃度が前記活性層よりも高くなるように形成し、前記活性層は、前記n型層に接して、かつ、その上面にピットが開口するように成長させる、ことを特徴とするGaN系発光素子の製造方法。
(2)前記第1の領域が、アンドープで成長されるGaN系半導体を含む、前記(1)に記載の製造方法。
(3)前記第2の領域が、前記活性層におけるn型不純物濃度の最大値の5倍以上の濃度にn型不純物が添加されるGaN系半導体を含む、前記(1)または(2)に記載の製造方法。
(4)前記高温n型層が、n型不純物濃度2×1018cm−3以上の高キャリア濃度層を含み、前記第2の領域が、該高キャリア濃度層におけるn型不純物濃度の最大値の50%以上の濃度にn型不純物が添加されるGaN系半導体を含む、前記(1)〜(3)のいずれかに記載の製造方法。
(5)成長の途中で成長温度を第1の温度から第2の温度に下げることによって、ピットが形成されるようにn型層を成長させる工程と、該n型層の上に活性層を成長させる工程と、該活性層の上にp型層を成長させる工程と、を有し、前記n型層のうち、第1の温度で成長される層を高温n型層、第2の温度で成長される層を低温n型層としたとき、前記低温n型層を成長させる工程は、前記高温n型層に接する第1の層を形成する工程と、該第1の層よりも前記高温n型層から離れた位置に第2の層を形成する工程とを含み、前記第1の層は、n型不純物濃度が前記第2の層よりも低くなるように形成し、前記第2の層は、n型不純物濃度が前記活性層よりも高くなるように形成し、前記活性層は、前記n型層に接して、かつ、その上面にピットが開口するように成長させる、ことを特徴とするGaN系発光素子の製造方法。
(6)前記第1の層が、アンドープで成長されるGaN系半導体層である、前記(5)に記載の製造方法。
(7)前記第1の層と前記第2の層とを重ねて形成する、前記(5)または(6)に記載の製造方法。
(8)前記第2の層には、前記活性層におけるn型不純物濃度の最大値の5倍以上の濃度にn型不純物を添加する、前記(5)〜(7)のいずれかに記載の製造方法。
(9)前記高温n型層が、n型不純物濃度2×1018cm−3以上の高キャリア濃度層を含み、前記第2の層には、該高キャリア濃度層におけるn型不純物濃度の最大値の50%以上の濃度にn型不純物を添加する、前記(5)〜(8)のいずれかに記載の製造方法。
(10)前記低温n型層をGaNまたはAlGaNで形成する、前記(1)〜(9)のいずれかに記載の製造方法。
(11)前記高温n型層と前記低温n型層とを、同じ結晶組成のGaN系半導体で形成する、前記(1)〜(10)のいずれかに記載の製造方法。
(12)前記活性層を、その上面に、深さが当該活性層の膜厚よりも大きいピットが開口するように成長させる、前記(1)〜(11)のいずれかに記載の製造方法。
(13)前記(1)〜(12)のいずれかに記載の製造方法により製造される、GaN系発光素子。
図4に示す従来のGaN系発光素子100において、n型GaNクラッド層12Bにn型不純物をドープした場合に、通電による劣化が速くなったのは、該n型GaNクラッド層12Bの結晶性の低下が著しくなり、それによって、その上に成長される活性層13の品質が低下したためであると考えられる。そこで、本発明に係るGaN系発光素子では、例えば、図1に示すGaN系発光素子200のように、低温n型層であるn型GaNクラッド層22Bを、結晶性低下の原因となるn型不純物のドーピングを施さないアンドープ層22B−1と、n型不純物濃度をドープして導電性を付与したnドープ層22B−2と、から構成する。このn型GaNクラッド層22Bは、通常より低い成長温度で形成されるにもかかわらず、アンドープ層22B−1が最初に成長され、その上にnドープ層22B−2が積層されるために、結晶性の低下が抑制されたものとなり、それによって、n型GaNクラッド層22Bの上に形成される活性層23の品質も改善されたために、GaN系発光素子200では、通電による劣化の進行が遅くなったと考えられる。また、nドープ層22B−2は、n型不純物濃度が活性層よりも高く、活性層より高い導電性を有することから、素子に高電圧が印加されたときのn型GaNクラッド層22Bの内部の電界が、nドープ層22B−2を設けない場合に比べて広げられ、そのために、GaN系発光素子200は、静電破壊に対する耐性の改善されたものとなったと考えられる。
以下、本発明を具体的な実施例に基づいて説明する。
図1は、本発明を実施したGaN系発光素子200の断面図である。20はサファイア基板で、その上には、GaNバッファ層(図示せず)を介して、アンドープGaN層21が形成されている。アンドープGaN層21の上には、Si(ケイ素)が約5×1018cm−3の濃度でドープされた膜厚約4μmのn型GaNクラッド層22Aが形成されている。n型GaNクラッド層22Aの上には、表面にピットを有する、膜厚200nmのn型GaNクラッド層22Bが形成されている。このn型GaNクラッド層22Bは、アンドープ層22B−1と、Siが約5×1018cm−3の濃度でドープされたnドープ層22B−2とからなっており、アンドープ層22B−1の膜厚は180nm、nドープ層22B−2の膜厚は20nmである。n型GaNクラッド層22Bの上には、7層の障壁層と、6層の井戸層とを、最下層および最上層が障壁層となるように交互に積層してなる、多重量子井戸構造の活性層23が形成されている。活性層23において、障壁層は膜厚10nmのSiドープGaN層(Si濃度:約5×1017cm−3)であり、井戸層
は膜厚5nmのアンドープInGaN層(発光波長400nm)である。このように、活性層23のn型不純物濃度(約5×1017cm−3)よりも、nドープ層22B−2のn型不純物濃度(約5×1018cm−3)の方が、高濃度となっている。活性層23の上には、Mg(マグネシウム)がドープされたAl0.1Ga0.9Nからなる膜厚30nmのp型AlGaNクラッド層24が形成され、その上には、Mgがドープされた膜厚150nmのp型GaNコンタクト層25が積層されている。部分的に露出されたn型GaNクラッド層22Aの表面には、Ti(チタン)層の上にAl(アルミニウム)層を積層し、熱処理してなるn側電極P1が形成されている。p型GaNコンタクト層25の上面には、Ni(ニッケル)層の上にAu(金)層を積層し、熱処理してなるp側電極P2が、該上面を略全面的に覆うように形成されている。p側電極P2の上には、Ti層の上にAu層を積層してなるパッド電極P23が形成されている。
比較例1として、n型GaNクラッド層22Bの全体をアンドープとしたこと以外は、上記実施例と同様にしてチップ状のGaN系発光素子を作製し、上記実施例と同様にして、通電前の初期状態と、100mAの電流を順方向に50時間流して劣化させた後の、逆方向電流を測定したところ、初期状態においては0.05μA未満であり、劣化後においても0.1μA未満という低い値であった。しかし、通電前の初期状態の素子について、静電破壊に対する耐性を実施例と同様の方法で評価したところ、測定に用いたサンプル素子の全数が150V以下で破壊された。
比較例2として、n型GaNクラッド層22Bの全体に、Siを約5×1018cm−3の濃度でドープしたこと以外は、上記実施例と同様にしてチップ状のGaN系発光素子を作製し、上記実施例と同様にして、通電前の初期状態と、100mAの電流を順方向に流して劣化させた後の、逆方向電流を測定した。その結果、素子に流れる逆方向電流は、初期状態においては実施例の素子よりも低い値であったが、10時間の通電後には1μAを超える値となり、50時間の通電後には約5μAと、実施例の素子の10倍以上の値まで増加していた。一方、通電前の初期状態の素子について、静電破壊に対する耐性を実施例と同様の方法で評価したところ、実施例の素子と同等であった。
(1a)成長の途中で成長温度を第1の温度から第2の温度に下げることによって、ピットが形成されるように成長されたn型層を有し、該n型層の上に、活性層およびp型層が順次成長されてなるGaN系発光素子であって、前記n型層のうち、第1の温度で成長された層を高温n型層、第2の温度で成長された層を低温n型層としたとき、前記低温n型層は、前記高温n型層に接する部分に設けられた第1の領域と、該第1の領域よりも前記高温n型層から離れた位置に設けられた第2の領域と、を含んでおり、前記第1の領域は、n型不純物濃度が前記第2の領域よりも低くなるように設けられており、前記第2の領域は、n型不純物濃度が前記活性層よりも高くなるように設けられている、GaN系発光素子。
(2a)前記第1の領域が、アンドープで成長されたGaN系半導体を含む、前記(1a)に記載のGaN系発光素子。
(3a)成長の途中で成長温度を第1の温度から第2の温度に下げることによって、ピットが形成されるように成長されたn型層を有し、該n型層の上に、活性層およびp型層が順次成長されてなるGaN系発光素子であって、前記n型層のうち、第1の温度で成長された層を高温n型層、第2の温度で成長された層を低温n型層としたとき、前記低温n型層は、前記高温n型層に接する部分に設けられた第1の層と、該第1の層よりも前記高温n型層から離れた位置に設けられた第2の層と、を含んでおり、前記第1の層は、n型不純物濃度が前記第2の層よりも低くなるように設けられており、前記第2の層は、n型不純物濃度が前記活性層よりも高くなるように設けられている、GaN系発光素子。
(4a)前記第1の層が、アンドープで成長されたGaN系半導体層である、前記(3a)に記載のGaN系発光素子。
(5a)前記第1の層と前記第2の層とが重ねて形成されている、前記(3a)または(4a)に記載のGaN系発光素子。
(6a)前記低温n型層がGaNまたはAlGaNからなる、前記(1a)〜(5a)のいずれかに記載のGaN系発光素子。
(7a)前記高温n型層と前記低温n型層が、同じ結晶組成のGaN系半導体からなる、前記(1a)〜(6a)のいずれかに記載のGaN系発光素子。
10、20 サファイア基板
11、21 アンドープGaN層
12A、22A n型GaNクラッド層
12B、22B ピットが形成されたn型GaNクラッド層
22B−1 アンドープ層
22B−2 nドープ層
13、23 活性層
14、24 p型AlGaNクラッド層
15、25 p型GaNコンタクト層
P11、P21 n側電極
P12、P22 p側電極
P13、P23 パッド電極
Claims (13)
- 成長の途中で成長温度を第1の温度から第2の温度に下げることによって、ピットが形成されるようにn型層を成長させる工程と、該n型層の上に活性層を成長させる工程と、該活性層の上にp型層を成長させる工程と、を有し、
前記n型層のうち、第1の温度で成長される層を高温n型層、第2の温度で成長される層を低温n型層としたとき、
前記低温n型層を成長させる工程は、前記高温n型層に接する第1の領域を形成する工程と、該第1の領域よりも前記高温n型層から離れた位置に第2の領域を形成する工程とを含み、
前記第1の領域は、n型不純物濃度が前記第2の領域よりも低くなるように形成し、
前記第2の領域は、n型不純物濃度が前記活性層よりも高くなるように形成し、
前記活性層は、前記n型層に接して、かつ、その上面にピットが開口するように成長させる、
ことを特徴とするGaN系発光素子の製造方法。 - 前記第1の領域が、アンドープで成長されるGaN系半導体を含む、請求項1に記載の製造方法。
- 前記第2の領域が、前記活性層におけるn型不純物濃度の最大値の5倍以上の濃度にn型不純物が添加されるGaN系半導体を含む、請求項1または2に記載の製造方法。
- 前記高温n型層が、n型不純物濃度2×1018cm−3以上の高キャリア濃度層を含み、前記第2の領域が、該高キャリア濃度層におけるn型不純物濃度の最大値の50%以上の濃度にn型不純物が添加されるGaN系半導体を含む、請求項1〜3のいずれかに記載の製造方法。
- 成長の途中で成長温度を第1の温度から第2の温度に下げることによって、ピットが形成されるようにn型層を成長させる工程と、該n型層の上に活性層を成長させる工程と、該活性層の上にp型層を成長させる工程と、を有し、
前記n型層のうち、第1の温度で成長される層を高温n型層、第2の温度で成長される層を低温n型層としたとき、
前記低温n型層を成長させる工程は、前記高温n型層に接する第1の層を形成する工程と、該第1の層よりも前記高温n型層から離れた位置に第2の層を形成する工程とを含み、
前記第1の層は、n型不純物濃度が前記第2の層よりも低くなるように形成し、
前記第2の層は、n型不純物濃度が前記活性層よりも高くなるように形成し、
前記活性層は、前記n型層に接して、かつ、その上面にピットが開口するように成長させる、
ことを特徴とするGaN系発光素子の製造方法。 - 前記第1の層が、アンドープで成長されるGaN系半導体層である、請求項5に記載の製造方法。
- 前記第1の層と前記第2の層とを重ねて形成する、請求項5または6に記載の製造方法。
- 前記第2の層には、前記活性層におけるn型不純物濃度の最大値の5倍以上の濃度にn型不純物を添加する、請求項5〜7のいずれかに記載の製造方法。
- 前記高温n型層が、n型不純物濃度2×1018cm−3以上の高キャリア濃度層を含み、前記第2の層には、該高キャリア濃度層におけるn型不純物濃度の最大値の50%以上の濃度にn型不純物を添加する、請求項5〜8のいずれかに記載の製造方法。
- 前記低温n型層をGaNまたはAlGaNで形成する、請求項1〜9のいずれかに記載の製造方法。
- 前記高温n型層と前記低温n型層とを、同じ結晶組成のGaN系半導体で形成する、請求項1〜10のいずれかに記載の製造方法。
- 前記活性層を、その上面に、深さが当該活性層の膜厚よりも大きいピットが開口するように成長させる、請求項1〜11のいずれかに記載の製造方法。
- 請求項1〜12のいずれかに記載の製造方法により製造される、GaN系発光素子。
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