JP2007214377A - 半導体装置およびその製造方法 - Google Patents
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Abstract
【課題】キャパシタを有する半導体装置において、漏洩電流の発生を抑制しつつ、形状を均一化し、ショートを発生しにくくする。
【解決手段】円筒状の溝14内のキャパシタ30は、TiNからなる下部電極31と、HfO2からなる容量絶縁膜32と、PVD(physical vapor deposition)法により形成されたTiNからなるPVD−TiN膜33およびCVD法により形成されたTiN膜34からなる上部電極35とを備えている。
【選択図】図1
【解決手段】円筒状の溝14内のキャパシタ30は、TiNからなる下部電極31と、HfO2からなる容量絶縁膜32と、PVD(physical vapor deposition)法により形成されたTiNからなるPVD−TiN膜33およびCVD法により形成されたTiN膜34からなる上部電極35とを備えている。
【選択図】図1
Description
本発明は、半導体装置およびその製造方法に関し、特に、円筒状の溝内に形成されたキャパシタ(コンケーブキャパシタ)およびその製造方法に関するものである。
近年では、半導体記憶素子の集積度が増加することによって、記憶情報の基本単位である1ビットを記憶させるメモリセルの面積は小さくなっている。しかしながら、単位セルあたり一定以上の充電容量が必要であるため、メモリセルの縮小に比例してキャパシタの面積を減少させることはできない。制限されたセル面積内にメモリキャパシタの容量を適正値以上に維持するための方法として、容量絶縁膜の厚さを減少させる第1の方法、電極の表面積を増加させる第2の方法、誘電率が高い材料を使用する第3の方法が考慮されてきた。
このうち、第1の方法である容量絶縁膜の薄膜化で厚さを減少させる方法は、漏洩電流が増加するので限界がある。したがって、主に、第2の方法であるキャパシタの構造をコンケーブ構造のように3次元構造にして電極の表面積を増加させる方法と、第3の方法であるHfO2のように誘電率が高い材料を使用する方法とが利用される。
以下に、キャパシタの構造をコンケーブ構造にする方法について、図8(a)〜図9(e)を参照しながら説明する。図8(a)〜図9(e)は、従来において、コンケーブ型のキャパシタを有する半導体装置の製造工程を示す断面図である。
従来の製造方法では、まず図8(a)に示す工程で、半導体基板111の主面上にトレンチ素子分離119を形成し、トレンチ素子分離119に囲まれた活性領域にゲート絶縁膜121、ゲート電極122を形成する。次に、半導体基板111にゲート電極122をマスクとして低濃度拡散層124a、124bを形成し、半導体基板111上であってゲート電極122の側面にサイドウォール125を形成する。次に、サイドウォール125をマスクとしてソース・ドレインとなる高濃度拡散層123a、123bを形成する。これにより、MISFET120が形成される。次に、半導体基板111の上に、MISFET120を覆う第1の層間絶縁膜112を形成する。その後、第1の層間絶縁膜112を貫通して高濃度拡散層123aに到達するコンタクト126および高濃度拡散層123bに到達するコンタクト127を形成する。次に、図8(b)に示す工程で、第1の層間絶縁膜112の上に、第2の層間絶縁膜113を形成する。次に、図8(c)に示す工程で、コンタクト126の上部の第2の層間絶縁膜113を選択的にエッチングしてコンタクト126を含む第1の層間絶縁膜112を露出させる溝(コンケーブホール)114を形成する。次に、図8(d)に示す工程で、溝114の内部および第2の層間絶縁膜113の上に、TiNからなる下部電極用導電膜131aを形成する。次に、図8(e)に示す工程で、下部電極用導電膜131aをパターンニングして、溝114の底部および側壁部にTiNからなる下部電極131を形成する。
次に、図9(a)に示す工程で、下部電極131の上及び第2の層間絶縁膜113の上に、HfO2からなる容量絶縁膜132を形成する。次に、図9(b)に示す工程で、容量絶縁膜132の上に、CVD(Chemical vapor deposition)法により、TiNからなる上部電極133を形成する。次に、図9(c)に示す工程で、コンタクト127の上部に位置する上部電極133および容量絶縁膜132を除去し、開口116を形成する。次に、図9(d)に示す工程で、開口116の内部および上部電極133の上に第3の層間絶縁膜115を形成する。次に、図9(e)に示す工程で、開口116において第3の層間絶縁膜115および第2の層間絶縁膜113を貫通してコンタクト127に到達するコンタクト128を形成し、溝114以外の領域に第3の層間絶縁膜115を貫通して上部電極133に到達するコンタクト129とを形成する。次に、第3の層間絶縁膜115の上に配線117を形成する。
DRAMセルに貯蔵されるデータはキャパシタに貯蔵された電荷量で保存され、定期的なリフレッシュ動作を通じてデータを維持している。すなわち、DRAMが動作しようとすれば、リフレッシュ動作の間、貯蔵電荷量の損失があってはいけないので、漏洩電流が発生しないキャパシタが要求されている。
漏洩電流の発生を抑制する手段として、CVD法で形成された上部電極の上にPVD(physical vapor deposition)法で形成された上部電極を有するキャパシタが提案されている(特許文献1参照)。この方法では、基板にバイアス電力を印加せずに上部電極を速く形成することにより、漏洩電流特性が大きく改善されることが開示されている。
特開2004−64091号公報(段落番号0037〜段落番号0050等)
しかしながら、特許文献1に開示された方法では、次のような不具合が生じていた。特許文献1に開示されている方法では、基板にバイアスを供給せずにPVD法を行うことにより、上部電極のカバレッジは若干良くなる。しかし、HfO2からなる容量絶縁膜の側壁にある程度の膜厚の上部電極を形成するためには、平面部において50nmより厚い膜厚の上部電極を形成しないといけない。このように相当の厚さの上部電極を形成すると、上部電極の上に形成する層間絶縁膜の段差のバラツキが多くなり、配線の形状が不均一化する。
また、相当の厚さの上部電極を形成すると、上部電極と配線との間の距離が短くなり、上部電極と配線との間でショートしやすくなるという不具合も発生する。これについて図9(e)を用いて説明する。図9(e)に示す構造において、コンタクト128のアスペクト比が高くなるのを避けるためには、第3の層間絶縁膜115の膜厚を薄くする必要がある。しかしながら、第3の層間絶縁膜115の膜厚を薄くすると、上部電極133と配線117との間でショートが発生しやすくなる。
上記課題に鑑みて、本発明では、漏洩電流の発生を抑制しつつ、均一な形状でショートの発生しにくい配線を有する半導体装置およびその製造方法を提供することを目的とする。
本発明の第1態様の半導体装置は、半導体基板上に形成された絶縁膜と、前記絶縁膜に形成された溝内に配置するキャパシタとを有する半導体装置であって、前記キャパシタは前記溝の底面および側面を覆う下部電極と、前記下部電極の上に形成された容量絶縁膜と、前記容量絶縁膜の上に形成された上部電極とを備え、前記上部電極は、前記容量絶縁膜のうち前記溝の底面上に位置する部分と前記容量絶縁膜のうち前記下部電極の上端部の上に位置する部分との上を覆うTiNからなる第1の上部電極と、前記第1の上部電極の上と前記容量絶縁膜のうち前記溝の側面上に位置する部分の上とを覆い、前記第1の上部電極よりも密度が低いTiNからなる第2の上部電極とを有する。
本発明の第1態様の半導体装置では、第1の上部電極が形成されていることにより、TiNからなる第2の上部電極を形成したときに、容量絶縁膜中の酸素が解離するのを抑制することができる。つまり、従来では、TiNからなる上部電極を形成した後にTiNを安定化させるためにH2とN2とのプラズマを発生させると、H2プラズマが水平面上に形成された容量絶縁膜に悪影響を及ぼしていたが、本発明の第1態様の半導体装置では、第1の上部電極により、そのような不具合を回避することができる。これにより、上部電極の膜厚を均一にすることができる。
また、本発明の第1態様の半導体装置における第1の上部電極は、Tiターゲットと基板との両方にバイアスを供給することにより、水平な面上に選択的に形成することができる。この方法では、従来のように上部電極を厚く形成する必要がないため、上部電極の形状を均一にすることができる。
本発明における第2態様の半導体装置は、半導体基板上に形成された絶縁膜と、前記絶縁膜に形成された溝内に配置するキャパシタとを有する半導体装置であって、前記キャパシタは、前記溝の底面および側面を覆う下部電極と、下部電極の上に形成された容量絶縁膜と、容量絶縁膜の上に形成された上部電極とを備え、上部電極は、容量絶縁膜のうち溝の底面上に位置する部分と容量絶縁膜のうち下部電極の上端部の上に位置する部分との上を覆う、PVD(physical vapor deposition)法により形成された第1の上部電極と、第1の上部電極の上と容量絶縁膜のうち溝の側面上に位置する部分の上とを覆い、CVD(chemical vapor deposition)法により形成された第2の上部電極とを有する。
本発明の第2態様の半導体装置は、第1の上部電極が形成されていることにより、第2の上部電極を形成したときに、容量絶縁膜中の酸素が解離するのを抑制することができる。つまり、従来では、上部電極を形成した後に、上部電極を安定化させるためにH2とN2とのプラズマを発生させることにより、H2プラズマが水平面上に形成された容量絶縁膜に悪影響を及ぼしていたが、本発明の第2態様の半導体装置では、第1の上部電極により、そのような不具合を回避することができる。これにより、上部電極の膜厚を均一にすることができる。
また、本発明の第2態様の半導体装置における第1の上部電極は、ターゲットと基板との両方にバイアスを供給することにより、水平な面上に選択的に形成することができる。この方法では、従来のように上部電極を厚く形成する必要がないため、上部電極の形状を均一にすることができる。
本発明の第2態様の半導体装置において、第1の上部電極および第2の上部電極はTiNからなっていてもよい。
本発明の第1態様または第2態様の半導体装置において、容量絶縁膜は高誘電体膜からなっていてもよい。この場合には、容量絶縁膜中に含まれる酸素の解離が効果的に抑制される。
本発明の第1態様または第2態様の半導体装置において、容量絶縁膜は、Hf、Ta、AlおよびZnのうち少なくともいずれか1つを含んでいてもよい。
本発明の第1態様または第2態様の半導体装置において、容量絶縁膜は複数の膜からなっていてもよい。
本発明の第1態様または第2態様の半導体装置において、キャパシタの下にはMISFETが配置し、キャパシタとMISFETはDRAMのメモリセルを構成してもよい。
キャパシタとMISFETがDRAMを構成する場合に、絶縁膜は第1の層間絶縁膜であって、第1の層間絶縁膜の上に形成され、キャパシタの上を覆う第2の層間絶縁膜と、第2の層間絶縁膜を貫通して上部電極に到達する第1のコンタクトと、第1の層間絶縁膜および第2の層間絶縁膜を貫通してMISFETの活性領域に到達する第2のコンタクトと、第2の層間絶縁膜の上に形成され、第1のコンタクトおよび第2のコンタクトと接触する配線とをさらに備えていてもよい。この場合には、上部電極の膜厚を薄くすることにより、配線と上部電極との間の距離を長くすることができるため、配線と上部電極との間でショートが発生するのを防止することができる。
本発明の第1態様の半導体装置の製造方法は、半導体基板上の絶縁膜の溝内に形成されたキャパシタを有する半導体装置の製造方法であって、溝の底面および側面を覆う下部電極を形成する工程(a)と、下部電極の上に容量絶縁膜を形成する工程(b)と、PVD法を行うことにより、容量絶縁膜のうち溝の底面上に位置する部分と容量絶縁膜のうち下部電極の上端部の上に位置する部分との上に、第1の上部電極を形成する工程(c)と、工程(c)の後に、CVD法を行うことにより、第1の上部電極の上と、容量絶縁膜のうち溝の側面上に位置する部分の上とを覆う第2の上部電極を形成する工程(d)とを備える。
本発明の第1態様の製造方法では、第1の上部電極が形成されていることにより、第2の上部電極を形成したときに、容量絶縁膜中の酸素が解離するのを抑制することができる。つまり、従来では、上部電極を形成した後に上部電極を安定化させるためにH2とN2とのプラズマを発生させると、H2プラズマが水平面上に形成された容量絶縁膜に悪影響を及ぼしていたが、本発明の第1態様の製造方法では、第1の上部電極により、そのような不具合を回避することができる。これにより、第1の上部電極および第2の上部電極の合計膜厚を均一にすることができる。
本発明の第1態様の製造方法において、工程(c)では、ターゲットと基板との両方にバイアス電力を供給しPVD法を行っていてもよい。これにより、第1の上部電極を、水平な面上に選択的に形成することができる。この方法では、従来のように上部電極を厚く形成する必要がないため、上部電極の形状を均一にすることができる。
本発明の第1態様の製造方法において、工程(b)の後で工程(c)の前に、O2プラズマで暴露する工程をさらに備えていてもよい。この場合には、容量絶縁膜中のOの濃度をより高くすることができる。
本発明の第1態様の製造方法において、工程(d)では、原料ソースとしてTDMAT(tetrakisdimethylaminotitanium)またはTDEAT(tetrakisdiethylaminotitanium)を供給し、H2とN2とのプラズマで暴露してもよい。
本発明の第1態様の製造方法において、工程(a)の前に、前記半導体基板にDRAMを構成するMISFETを形成する工程と、MISFETを覆う第1の層間絶縁膜を形成する工程と、第1の層間絶縁膜の上に、絶縁膜として第2の層間絶縁膜を形成する工程と、第2の層間絶縁膜に溝を形成する工程とをさらに備えていてもよい。
本発明の第1態様の製造方法において、工程(d)の後に、第2の層間絶縁膜の上に、キャパシタを覆う第3の層間絶縁膜を形成する工程と、第3の層間絶縁膜を貫通して上部電極に到達する第1のコンタクトを形成する工程と、第3の層間絶縁膜、第2の層間絶縁膜および第1の層間絶縁膜を貫通してMISFETの活性領域に到達する第2のコンタクトを形成する工程と、第3の層間絶縁膜の上に、第1のコンタクトおよび第2のコンタクトに接触する配線を形成する工程とをさらに備えていてもよい。この場合には、上部電極の膜厚を薄くすることにより、配線と上部電極との間の距離を長くすることができるため、配線と上部電極との間でショートが発生するのを防止することができる。
本発明では、漏洩電流の発生を抑制しつつ、均一な形状でショートの発生しにくい半導体装置を得ることができる。
(考察)
図8(a)〜図9(e)に示す工程において製造した半導体装置において、漏洩電流が増加する理由について以下に考察する。
図8(a)〜図9(e)に示す工程において製造した半導体装置において、漏洩電流が増加する理由について以下に考察する。
従来の製法では、図9(a)に示す工程で、下部電極131の上にHfO2からなる容量絶縁膜132を形成した後、図9(b)に示す工程で、上部電極133としてカバレッジのよいCVD−TiN膜を形成する。CVD−TiN膜は、原料ソースとしてTDMAT(tetrakisdimethylaminotitanium)またはTDEAT(tetrakisdiethylaminotitaniumを用い、これらを熱分解することにより形成する。しかしながら、熱分解により形成したCVD−TiN膜は、Cを多く含み、多量の水分および酸素を吸収して性質が変化するという不安定な膜である。そのため、CVD−TiN膜をそのままの状態で加工すると、加工バラツキが生じてしまう。それを防止するため、CVD−TiN膜を熱分解により形成した後に、H2とN2とのプラズマ中に暴露することにより、Cを発散させ、膜質を緻密化かつ安定化させる。
しかしながら、H2プラズマを供給すると、HfO2からなる容量絶縁膜132中のOが離脱して、HfとOそれぞれのダングリングボンドが増加してしまう。これにより、漏洩電流が増加すると考えられる。
また、H2プラズマは、容量絶縁膜HfO2のうち溝の側壁上に位置する部分よりも溝の底面や溝の外部における層間絶縁膜の上に位置する部分の方に悪影響を与えやすいことがわかった。
(第1の実施形態)
図1は、本発明の第1の実施形態に係る半導体装置の構造を示す断面図である。図1に示すように、本実施形態の半導体装置では、半導体基板11の上のトレンチ素子分離19に囲まれた活性領域にMISFET20が形成されている。MISFET20は、半導体基板11の上に形成されたシリコン酸化膜からなるゲート絶縁膜21と、ゲート絶縁膜21の上に形成されたゲート電極22と、半導体基板11のうちゲート電極22の外側に位置する領域に形成された低濃度拡散層(LDD拡散層またはSDエクステンション拡散層)24a、24bと、半導体基板11上であってゲート電極22の側面に形成されたサイドウォール25と、高濃度拡散層(ソース・ドレイン)23a、23bとを有している。
図1は、本発明の第1の実施形態に係る半導体装置の構造を示す断面図である。図1に示すように、本実施形態の半導体装置では、半導体基板11の上のトレンチ素子分離19に囲まれた活性領域にMISFET20が形成されている。MISFET20は、半導体基板11の上に形成されたシリコン酸化膜からなるゲート絶縁膜21と、ゲート絶縁膜21の上に形成されたゲート電極22と、半導体基板11のうちゲート電極22の外側に位置する領域に形成された低濃度拡散層(LDD拡散層またはSDエクステンション拡散層)24a、24bと、半導体基板11上であってゲート電極22の側面に形成されたサイドウォール25と、高濃度拡散層(ソース・ドレイン)23a、23bとを有している。
MISFET20の上は第1の層間絶縁膜12によって覆われ、第1の層間絶縁膜12の上には、第2の層間絶縁膜13が形成されている。第2の層間絶縁膜13にはコンタクト26及び第2の層間絶縁膜13を露出させる円筒状の溝(コンケーブホール)14が形成され、円筒状の溝14内にはキャパシタ30が形成されている。
キャパシタ30は、CVD法により形成されたTiN膜からなる下部電極31と、ALD(atomic layer depositon)により形成されたHfO2からなる容量絶縁膜32と、PVD(physical vapor deposition)法により形成されたTiNからなるPVD−TiN膜33およびCVD法により形成されたCVD−TiN膜34からなる上部電極35とを備えている。
下部電極31は、円筒状の溝14の底面および側面上を覆い、容量絶縁膜32は、円筒状の溝14の内部において下部電極31の上および下部電極31の上端部を覆い、円筒状の溝の外部において第2の層間絶縁膜13の上を覆っている。PVD−TiN膜33は、容量絶縁膜32のうち水平面上に配置する部分、つまり、円筒状の溝14の底面上、下部電極31の上端部の上および円筒状の溝14の外部を覆っている。そして、PVD−TiN膜33の上と、円筒状の溝14の側面上に位置する容量絶縁膜32の上とには、CVD−TiN膜34が形成されている。円筒状の溝14の下には、第1の層間絶縁膜12を貫通して高濃度拡散層23aに到達するコンタクト26が形成され、コンタクト26により高濃度拡散層23aと下部電極31とが電気的に接続されている。なお、PVD−TiN膜33の密度は例えば4.7g/cm3であり、CVD−TiN膜34の密度は例えば3.5g/cm3である。このように、PVD−TiN膜33の密度はCVD−TiN膜34よりも高い。そのため、2つの膜の密度を測定することにより、TiN膜をPVD法により形成したのかCVD法により形成したのかを判別することができる。
一般に、円筒状の溝14は1つの基板上に複数形成されている。そして、下部電極31は円筒状の溝14ごとに分離して形成されているのに対し、容量絶縁膜32および上部電極35は複数の円筒状の溝14内に亘って設けられている。
円筒状の溝14の外部に位置する部分には、第2の層間絶縁膜13を露出させる開口16が形成されている。CVD−TiN膜34および開口16に露出した第2の層間絶縁膜13の上には、第3の層間絶縁膜15が形成されている。開口16を突き抜けるように、第3の層間絶縁膜15および第2の層間絶縁膜13を貫通し、コンタクト27に到達するコンタクト28と、第1の層間絶縁膜12を貫通し高濃度拡散層23bに到達するコンタクト27とが形成されている。また、上部電極35の上には、第3の層間絶縁膜15を貫通するコンタクト29が形成されている。第3の層間絶縁膜15の上には、配線17が形成されている。コンタクト27と28とにより高濃度拡散層23bと配線17とが電気的に接続され、コンタクト29により、上部電極35と配線17とが電気的に接続されている。
次に、本実施形態における半導体装置の製造方法について、図2(a)〜図3(e)を参照しながら説明する。図2(a)〜図3(e)は、本発明の第1の実施形態に係る半導体装置の製造工程を示す断面図である。
本実施形態の半導体装置の製造方法では、まず図2(a)に示す工程で、半導体基板11にトレンチ素子分離19を形成した後、トレンチ素子分離19に囲まれた活性領域にゲート絶縁膜21、ゲート電極22を形成する。次に、半導体基板11にゲート電極22をマスクとして低濃度拡散層24a、24bを形成し、半導体基板11上であってゲート電極22の側面にサイドウォール25を形成する。次に、サイドウォール25をマスクとして高濃度拡散層23a、23bを形成する。これにより、MISFET20が形成される。次に、MISFET20の上に、厚さ300〜400nmのSiO2からなる第1の層間絶縁膜12を形成する。その後、第1の層間絶縁膜12を貫通して高濃度拡散層23aに到達するコンタクト26および高濃度拡散層23bに到達するコンタクト27を形成する。
次に、図2(b)に示す工程で、第1の層間絶縁膜12の上に、厚さ300〜400nmのSiO2からなる第2の層間絶縁膜13を形成する。
次に、図2(c)に示す工程で、コンタクト26の上部の第2の層間絶縁膜13を選択的にエッチングしてコンタクト26を含む第1の層間絶縁膜12を露出させる円筒状の溝14を形成する。円筒状の溝14は、その底面にコンタクト26が露出する位置に形成する。
次に、図2(d)に示す工程で、400度の温度でTDMAT(tetrakisdimethylaminotitanium)およびH2とN2との混合ガスを供給してプラズマCVD法を行うことにより、円筒状の溝14の内部から円筒状の溝14の外部における第2の層間絶縁膜13の上に亘って、厚さ10〜30nmのCVD−TiN膜31aを形成する。
次に、図2(e)に示す工程で、円筒状の溝14内にレジスト(図示せず)を形成した状態でエッチングを行うことにより、円筒状の溝14内に下部電極31を形成する。なお、本工程では、下部電極31の上端部を円筒状の溝14の上縁部よりも低くし、円筒状の溝14の上縁部において第2の層間絶縁膜13を露出させる。その後、レジストを除去する。
次に、図2(f)に示す工程で、250度の温度でTEMAH(tetrakisethylmethylaminohafnium)とO3とを繰り返し供給してALD法を行うことにより、3〜10nmのALD−HfO2からなる容量絶縁膜32を形成する。
次に、図3(a)に示す工程で、Tiターゲットと基板との両方にバイアスを供給し、N2を供給しながらPVD法を行うことにより、厚さ5〜20nmのPVD−TiN膜33を形成する。PVD−TiN膜33は鉛直方向に堆積され、円筒状の溝14の底面上、下部電極31の上端部の上および円筒状の溝14の外部に形成される。
次に、図3(b)に示す工程で、400度の温度でTDMATおよびH2とN2との混合ガスを供給してプラズマCVD法を行うことにより、厚さ10〜30nmのCVD−TiN膜34を形成する。CVD−TiN膜34は、円筒状の溝14の底面上ではPVD−TiN膜33の上を覆い、円筒状の溝14の側面上では容量絶縁膜32の上を覆い、円筒状の溝14の外部では、容量絶縁膜32の上を覆っている。ここで、PVD−TiN膜33およびCVD−TiN膜34は上部電極35を構成する。なお、本工程においては、TDMATのかわりにTDEATを用いてもよい。
次に、図3(c)に示す工程で、上部電極35の上にマスク(図示せず)を形成してエッチングを行うことにより、コンタクト27の上部に位置する上部電極35および容量絶縁膜32を除去して、開口16を形成する。その後、マスクを除去する。
次に、図3(d)に示す工程で、上部電極35の上を覆い開口16の内部を埋める、厚さ500〜600nmのSiO2からなる第3の層間絶縁膜15を形成し、CMP(化学的機械研磨)法により第3の層間絶縁膜15に対し平坦化を行う。
次に、図3(e)に示す工程で、開口16において第3の層間絶縁膜15と第2の層間絶縁膜13とを貫通してコンタクト27に到達するコンタクト28を形成し、溝14以外の領域に第3の層間絶縁膜15を貫通して上部電極35に到達するコンタクト29を形成する。その後、第3の層間絶縁膜15の上に、コンタクト28、29に接触する、銅からなる配線17を形成する。以上の工程により、本実施形態の半導体装置を形成することができる。
図4は、容量絶縁膜中に含まれる酸素およびハフニウムの量を示すグラフ図である。図4において実線で示すプロファイルは第1の実施形態の方法により形成した容量絶縁膜であり、破線で示すプロファイルは従来の方法により形成したプロファイルである。従来の方法としては、図8(a)〜図9(e)に示すように、上部電極としてCVD−TiN膜のみを形成する方法を用いた。容量絶縁膜中の酸素濃度は、スパッタリングしながらオージェ分析する手法を用いて測定した。また、酸素濃度は、容量絶縁膜のうち溝の底面上に配置する部分において測定した。図7において、縦軸(intensity)は酸素およびハフニウムの濃度を示し、横軸(sputter time)は表面からの深さを示している。
図7に示すように、本実施形態の方法により形成した容量絶縁膜の表面部分(特に、sputter timeが0〜5minの範囲)では、従来よりも酸素の濃度が増加していることがわかる。
本実施形態では、PVD−TiN膜33が形成されていることにより、TiNからなるCVD−TiN膜34を形成したときに、容量絶縁膜32中の酸素が解離するのを抑制することができる。つまり、従来では、CVD−TiN膜34を形成した後に、TiNを安定化させるためにH2とN2とのプラズマを発生させることにより、H2プラズマが水平面上に形成された容量絶縁膜32に悪影響を及ぼしていたが、本実施形態ではPVD−TiN膜33によりそのような不具合を回避することができる。これにより、上部電極35の膜厚を均一にすることができる。
また、本実施形態におけるPVD−TiN膜33は、Tiターゲットと基板との両方にバイアスを供給することにより、水平面上に選択的に形成することができる。この方法では、従来のように上部電極を厚く形成する必要がないため、上部電極35の形状を均一にすることができる。
(第2の実施形態)
図5は、本発明の第2の実施形態に係る半導体装置の構造を示す断面図である。図5に示すように、本実施形態の半導体装置は、第1の実施形態における容量絶縁膜32と比較して容量絶縁膜82内に含まれる酸素の量が多い点を除いて、第1の実施形態と同様の構造を有する。そのため、本実施形態の半導体装置の構造についての詳細な説明は省略する。
図5は、本発明の第2の実施形態に係る半導体装置の構造を示す断面図である。図5に示すように、本実施形態の半導体装置は、第1の実施形態における容量絶縁膜32と比較して容量絶縁膜82内に含まれる酸素の量が多い点を除いて、第1の実施形態と同様の構造を有する。そのため、本実施形態の半導体装置の構造についての詳細な説明は省略する。
次に、本実施形態における半導体装置の製造方法について、図6(a)〜図7(f)を参照しながら説明する。図6(a)〜図7(f)は、本発明の第2の実施形態に係る半導体装置の製造工程を示す断面図である。
本実施形態の半導体装置の製造方法では、まず図6(a)に示す工程で、半導体基板61にトレンチ素子分離69を形成した後、ゲート絶縁膜71、ゲート電極72、サイドウォール75、低濃度拡散層74a、74bおよび高濃度拡散層73a、73bを有するMISFET70を形成する。次に、MISFET70の上に、厚さ300〜400nmのSiO2からなる第1の層間絶縁膜62を形成する。その後、第1の層間絶縁膜62を貫通して高濃度拡散層73aに到達するコンタクト76および高濃度拡散層73bに到達するコンタクト77を形成する。
次に、図6(b)に示す工程で、第1の層間絶縁膜62の上に、300〜400nmのSiO2からなる第2の層間絶縁膜63を形成する。
次に、図6(c)に示す工程で、コンタクト76の上部の第2の層間絶縁膜を選択的にエッチングして、コンタクト76を含む第2の層間絶縁膜63を露出させる円筒状の溝64を形成する。円筒状の溝64は、底面にコンタクト76が露出する位置に形成する。
次に、図6(d)に示す工程で、400度の温度でTDMAT(tetrakisdimethylaminotitanium)およびH2とN2との混合ガスを供給してプラズマCVD法を行うことにより、円筒状の溝64の内部から円筒状の溝64の外部における第2の層間絶縁膜63の上に亘って、厚さ10〜30nmのCVD−TiN膜81aを形成する。
次に、図6(e)に示す工程で、円筒状の溝64内にレジスト(図示せず)を形成した状態でエッチングを行うことにより、円筒状の溝64内に、下部電極81を形成する。なお、本工程では、下部電極81の上端を円筒状の溝64の上縁部よりも低くし、円筒状の溝64の上縁部において第2の層間絶縁膜63を露出させる。その後、レジストを除去する。
次に、図6(f)に示す工程で、250度の温度でTEMAH(tetrakisethylmethylaminohafnium)とO3とを繰り返し供給してALD法を行うことにより、3〜10nmのALD−HfO2からなる容量絶縁膜82を形成する。
次に、図7(a)に示す工程で、基板に対してO2プラズマ40の暴露を行う。これにより、容量絶縁膜82の表面上に酸素が補充される。
次に、図7(b)に示す工程で、Tiターゲットと基板との両方にバイアスを供給し、N2を供給しながらPVD法を行うことにより、厚さ5〜20nmのPVD−TiN膜83を形成する。PVD−TiN膜83は鉛直方向に堆積され、円筒状の溝64の底面上と、下部電極81の上端部の上および円筒状の溝64の外部に形成される。
次に、図7(c)に示す工程で、400度の温度でTDMATおよびH2とN2との混合ガスを供給してプラズマCVD法を行うことにより、厚さ10〜30nmのCVD−TiN膜84を形成する。CVD−TiN膜84は、円筒状の溝64の底面上ではPVD−TiN膜83の上を覆い、円筒状の溝64の側面上では容量絶縁膜82の上を覆い、円筒状の溝64の外部では、容量絶縁膜82の上を覆っている。ここで、PVD−TiN膜83およびCVD−TiN膜84は、上部電極85を構成する。
次に、図7(d)に示す工程で、上部電極85の上にマスク(図示せず)を形成してエッチングを行うことにより、上部電極85および容量絶縁膜82を除去して、開口66を形成する。その後、マスクを除去する。
次に、図7(e)に示す工程で、上部電極85の上を覆い開口66内を埋める、厚さ500〜600nmのSiO2からなる第3の層間絶縁膜65を形成し、CMP(化学的機械研磨)で平坦化をする。
次に、図7(f)に示す工程で、開口66において第3の層間絶縁膜65と第2の層間絶縁膜63とを貫通してコンタクト77に到達するコンタクト78を形成し、コンケーブルホール64以外の領域に第3の層間絶縁膜65を貫通して上部電極84に到達するコンタクト79を形成する。その後、第3の層間絶縁膜65の上に、コンタクト78、79に接触する、銅からなる配線67を形成する。
本実施形態では、第1の実施形態と同様の効果を得ることができる。さらに、図7(a)に示す工程で酸素を供給することにより、容量絶縁膜中の酸素の濃度をさらに高めることができるため、漏洩電流の発生をさらに抑制することができる。
(その他の実施形態)
なお、上記実施形態では、円筒状の溝内にキャパシタを形成する場合について説明した。しかしながら、溝の形状は円筒状でなくてもよく、多角形の平面形状を有していてもよいし、その他の平面形状を有していてもよい。
なお、上記実施形態では、円筒状の溝内にキャパシタを形成する場合について説明した。しかしながら、溝の形状は円筒状でなくてもよく、多角形の平面形状を有していてもよいし、その他の平面形状を有していてもよい。
また、上記実施形態では、容量絶縁膜としてHfO2を用いる場合について説明した。容量絶縁膜としては、Hf、Ta、AlまたはZnを含む膜を用いてもよい。また、容量絶縁膜として高誘電体膜を用いてもよいし、高誘電体膜以外の膜を用いてもよい。なお、高誘電体膜とは、誘電率が8以上の膜のことをいう。
また、上記実施形態では、容量絶縁膜として単層の膜を形成する場合について説明した。しかしながら、容量絶縁膜として複数の膜を形成してもよい。例えば、容量絶縁膜として、AlO−HfO−AlOのサンドイッチ型の積層膜を形成してもよい。
本発明は、漏洩電流を抑制しつつ、均一な形状でショートの発生しにくい半導体装置を形成することができる点で、産業上の利用可能性は高い。
11 半導体基板
12 第1の層間絶縁膜
13 第2の層間絶縁膜
14 溝
15 第3の層間絶縁膜
16 開口
17 配線
19 トレンチ素子分離
20 MISFET
21 ゲート絶縁膜
22 ゲート電極
23a、23b 高濃度拡散層
24a、24b 低濃度拡散層
25 サイドウォール
26、27、28、29 コンタクト
30 キャパシタ
31 下部電極
31a CVD−TiN膜
32 容量絶縁膜
33 PVD−TiN膜
34 CVD−TiN膜
35 上部電極
40 プラズマ
61 半導体基板
62 第1の層間絶縁膜
63 第2の層間絶縁膜
64 溝
65 第3の層間絶縁膜
66 開口
67 配線
69 トレンチ素子分離
70 MISFET
71 ゲート絶縁膜
72 ゲート電極
73a、73b 高濃度拡散層
74a、74b 低濃度拡散層
76 コンタクト
76、77、78、79 コンタクト
81 下部電極
81a CVD−TiN膜
82 容量絶縁膜
83 PVD−TiN膜
84 CVD−TiN膜
85 上部電極
12 第1の層間絶縁膜
13 第2の層間絶縁膜
14 溝
15 第3の層間絶縁膜
16 開口
17 配線
19 トレンチ素子分離
20 MISFET
21 ゲート絶縁膜
22 ゲート電極
23a、23b 高濃度拡散層
24a、24b 低濃度拡散層
25 サイドウォール
26、27、28、29 コンタクト
30 キャパシタ
31 下部電極
31a CVD−TiN膜
32 容量絶縁膜
33 PVD−TiN膜
34 CVD−TiN膜
35 上部電極
40 プラズマ
61 半導体基板
62 第1の層間絶縁膜
63 第2の層間絶縁膜
64 溝
65 第3の層間絶縁膜
66 開口
67 配線
69 トレンチ素子分離
70 MISFET
71 ゲート絶縁膜
72 ゲート電極
73a、73b 高濃度拡散層
74a、74b 低濃度拡散層
76 コンタクト
76、77、78、79 コンタクト
81 下部電極
81a CVD−TiN膜
82 容量絶縁膜
83 PVD−TiN膜
84 CVD−TiN膜
85 上部電極
Claims (14)
- 半導体基板上に形成された絶縁膜と、
前記絶縁膜に形成された溝内に配置するキャパシタとを有する半導体装置であって、
前記キャパシタは、前記溝の底面および側面を覆う下部電極と、
前記下部電極の上に形成された容量絶縁膜と、
前記容量絶縁膜の上に形成された上部電極とを備え、
前記上部電極は、前記容量絶縁膜のうち前記溝の底面上に位置する部分と前記容量絶縁膜のうち前記下部電極の上端部の上に位置する部分との上を覆うTiNからなる第1の上部電極と、前記第1の上部電極の上と前記容量絶縁膜のうち前記溝の側面上に位置する部分の上とを覆い、前記第1の上部電極よりも密度が低いTiNからなる第2の上部電極とを有する、半導体装置。 - 半導体基板上に形成された絶縁膜と、
前記絶縁膜に形成された溝内に配置するキャパシタとを有する半導体装置であって、
前記キャパシタは、前記溝の底面および側面を覆う下部電極と、
前記下部電極の上に形成された容量絶縁膜と、
前記容量絶縁膜の上に形成された上部電極とを備え、
前記上部電極は、前記容量絶縁膜のうち前記溝の底面上に位置する部分と前記容量絶縁膜のうち前記下部電極の上端部の上に位置する部分との上を覆う、PVD(physical vapor deposition)法により形成された第1の上部電極と、前記第1の上部電極の上と前記容量絶縁膜のうち前記溝の側面上に位置する部分の上とを覆い、CVD(chemical vapor deposition)法により形成された第2の上部電極とを有する、半導体装置。 - 請求項2に記載の半導体装置であって、
前記第1の上部電極および前記第2の上部電極はTiNからなる、半導体装置。 - 請求項1または2に記載の半導体装置であって、
前記容量絶縁膜は高誘電体膜からなる、半導体装置。 - 請求項1または2に記載の半導体装置であって、
前記容量絶縁膜は、Hf、Ta、AlおよびZnのうち少なくともいずれか1つを含む、半導体装置。 - 請求項1または2に記載の半導体装置であって、
前記容量絶縁膜は複数の膜からなる、半導体装置。 - 請求項1または2に記載の半導体装置であって、
前記キャパシタの下にはMISFETが配置し、
前記キャパシタと前記MISFETはDRAMのメモリセルを構成する、半導体装置。 - 請求項7に記載の半導体装置であって、
前記絶縁膜は第1の層間絶縁膜であって、
前記第1の層間絶縁膜の上に形成され、前記キャパシタの上を覆う第2の層間絶縁膜と、
前記第2の層間絶縁膜を貫通して前記上部電極に到達する第1のコンタクトと、
前記第1の層間絶縁膜および前記第2の層間絶縁膜を貫通して前記MISFETの活性領域に到達する第2のコンタクトと、
前記第2の層間絶縁膜の上に形成され、前記第1のコンタクトおよび前記第2のコンタクトと接触する配線とをさらに備える、半導体装置。 - 半導体基板上の絶縁膜の溝内に形成されたキャパシタを有する半導体装置の製造方法であって、
前記溝の底面および側面を覆う下部電極を形成する工程(a)と、
前記下部電極の上に容量絶縁膜を形成する工程(b)と、
PVD法を行うことにより、前記容量絶縁膜のうち前記溝の底面上に位置する部分と前記容量絶縁膜のうち前記下部電極の上端部の上に位置する部分との上に、第1の上部電極を形成する工程(c)と、
前記工程(c)の後に、CVD法を行うことにより、前記第1の上部電極の上と、前記容量絶縁膜のうち前記溝の側面上に位置する部分の上とを覆う第2の上部電極を形成する工程(d)と
を備える、半導体装置の製造方法。 - 請求項9に記載の半導体装置の製造方法であって、
前記工程(c)では、ターゲットと基板との両方にバイアス電力を供給し前記PVD法を行う、半導体装置の製造方法。 - 請求項9または10に記載の半導体装置の製造方法であって、
前記工程(b)の後で前記工程(c)の前に、O2プラズマで暴露する工程をさらに備える、半導体装置の製造方法。 - 請求項9〜11のうちいずれか1項に記載の半導体装置の製造方法であって、
前記工程(d)では、原料ソースとしてTDMAT(tetrakisdimethylaminotitanium)またはTDEAT(tetrakisdiethylaminotitanium)を供給し、H2とN2とのプラズマで暴露する、半導体装置の製造方法。 - 請求項9〜12のうちいずれか1項に記載の半導体装置の製造方法であって、
前記工程(a)の前に、前記半導体基板にMISFETを形成する工程と、
前記MISFETを覆う第1の層間絶縁膜を形成する工程と、
前記第1の層間絶縁膜の上に、前記絶縁膜として第2の層間絶縁膜を形成する工程と、
前記第2の層間絶縁膜に前記溝を形成する工程とをさらに備える、半導体装置の製造方法。 - 請求項13に記載の半導体装置の製造方法であって、
前記工程(d)の後に、前記第2の層間絶縁膜の上に、前記キャパシタを覆う第3の層間絶縁膜を形成する工程と、
前記第3の層間絶縁膜を貫通して前記上部電極に到達する第1のコンタクトを形成する工程と、
前記第3の層間絶縁膜、前記第2の層間絶縁膜および前記第1の層間絶縁膜を貫通して前記MISFETの活性領域に到達する第2のコンタクトを形成する工程と、
前記第3の層間絶縁膜の上に、前記第1のコンタクトおよび前記第2のコンタクトに接触する配線を形成する工程とをさらに備える、半導体装置の製造方法。
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US9391274B2 (en) | 2010-12-01 | 2016-07-12 | Canon Anelva Corporation | Nonvolatile memory element and method of manufacturing the same |
-
2006
- 2006-02-09 JP JP2006032906A patent/JP2007214377A/ja active Pending
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---|---|---|---|---|
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