JP2007214182A - 半導体装置の製造方法およびエッチング液 - Google Patents
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- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 12
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims abstract description 12
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims abstract description 88
- CBENFWSGALASAD-UHFFFAOYSA-N Ozone Chemical compound [O-][O+]=O CBENFWSGALASAD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 39
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 34
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 claims abstract description 5
- 239000007788 liquid Substances 0.000 claims description 20
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 claims description 18
- 239000002253 acid Substances 0.000 claims description 3
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 abstract description 2
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 abstract description 2
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 44
- QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N Sulfuric acid Chemical compound OS(O)(=O)=O QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 42
- KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N Fluorane Chemical compound F KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 29
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 23
- 238000001020 plasma etching Methods 0.000 description 14
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 9
- 229910021332 silicide Inorganic materials 0.000 description 9
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 8
- FVBUAEGBCNSCDD-UHFFFAOYSA-N silicide(4-) Chemical compound [Si-4] FVBUAEGBCNSCDD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 6
- QPJSUIGXIBEQAC-UHFFFAOYSA-N n-(2,4-dichloro-5-propan-2-yloxyphenyl)acetamide Chemical compound CC(C)OC1=CC(NC(C)=O)=C(Cl)C=C1Cl QPJSUIGXIBEQAC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000000463 material Substances 0.000 description 4
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 4
- 238000004380 ashing Methods 0.000 description 3
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 3
- 229920005591 polysilicon Polymers 0.000 description 3
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 3
- KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N Palladium Chemical compound [Pd] KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 238000002955 isolation Methods 0.000 description 2
- 238000004518 low pressure chemical vapour deposition Methods 0.000 description 2
- 239000012528 membrane Substances 0.000 description 2
- 208000037466 short stature, oligodontia, dysmorphic facies, and motor delay Diseases 0.000 description 2
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 2
- ZXEYZECDXFPJRJ-UHFFFAOYSA-N $l^{3}-silane;platinum Chemical compound [SiH3].[Pt] ZXEYZECDXFPJRJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N Boron Chemical compound [B] ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- MHAJPDPJQMAIIY-UHFFFAOYSA-N Hydrogen peroxide Chemical compound OO MHAJPDPJQMAIIY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- UGACIEPFGXRWCH-UHFFFAOYSA-N [Si].[Ti] Chemical compound [Si].[Ti] UGACIEPFGXRWCH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 1
- 239000003513 alkali Substances 0.000 description 1
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 229910052796 boron Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910017052 cobalt Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010941 cobalt Substances 0.000 description 1
- GUTLYIVDDKVIGB-UHFFFAOYSA-N cobalt atom Chemical compound [Co] GUTLYIVDDKVIGB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- -1 for example Chemical compound 0.000 description 1
- 229910052736 halogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000002367 halogens Chemical class 0.000 description 1
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 239000011259 mixed solution Substances 0.000 description 1
- PEUPIGGLJVUNEU-UHFFFAOYSA-N nickel silicon Chemical compound [Si].[Ni] PEUPIGGLJVUNEU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000001590 oxidative effect Effects 0.000 description 1
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 1
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052763 palladium Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 1
- 239000000047 product Substances 0.000 description 1
- 239000013589 supplement Substances 0.000 description 1
- 229910052715 tantalum Inorganic materials 0.000 description 1
- GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N tantalum atom Chemical compound [Ta] GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000012808 vapor phase Substances 0.000 description 1
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-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/02041—Cleaning
- H01L21/02057—Cleaning during device manufacture
- H01L21/02068—Cleaning during device manufacture during, before or after processing of conductive layers, e.g. polysilicon or amorphous silicon layers
- H01L21/02071—Cleaning during device manufacture during, before or after processing of conductive layers, e.g. polysilicon or amorphous silicon layers the processing being a delineation, e.g. RIE, of conductive layers
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- C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- C09K—MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
- C09K13/00—Etching, surface-brightening or pickling compositions
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- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/02041—Cleaning
- H01L21/02057—Cleaning during device manufacture
- H01L21/0206—Cleaning during device manufacture during, before or after processing of insulating layers
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- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
- H01L21/31—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to form insulating layers thereon, e.g. for masking or by using photolithographic techniques; After treatment of these layers; Selection of materials for these layers
- H01L21/3105—After-treatment
- H01L21/311—Etching the insulating layers by chemical or physical means
- H01L21/31105—Etching inorganic layers
- H01L21/31111—Etching inorganic layers by chemical means
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- Engineering & Computer Science (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
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- Computer Hardware Design (AREA)
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- Inorganic Chemistry (AREA)
- General Chemical & Material Sciences (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Weting (AREA)
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Abstract
【課題】熱酸化膜のエッチングを抑制しつつ、ＳｉＯ２系堆積物およびＣＦ系堆積物を同一工程で選択的に除去することができるエッチング液およびそのようなエッチング液を用いた半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】半導体装置の製造方法は、８６ｗｔ％〜９７．９ｗｔ％のＨ２ＳＯ４と、０．１ｗｔ％〜１０ｗｔ％のＨＦと、２ｗｔ％〜４ｗｔ％のＨ２Ｏとを含む液体に１０ｐｐｍ以上のオゾンを溶解させたエッチング液５を用いたエッチング工程を具備する。
【選択図】図１
【解決手段】半導体装置の製造方法は、８６ｗｔ％〜９７．９ｗｔ％のＨ２ＳＯ４と、０．１ｗｔ％〜１０ｗｔ％のＨＦと、２ｗｔ％〜４ｗｔ％のＨ２Ｏとを含む液体に１０ｐｐｍ以上のオゾンを溶解させたエッチング液５を用いたエッチング工程を具備する。
【選択図】図１
Description
本発明は、半導体装置の製造方法およびエッチング液に関する。
ＲＩＥ（Reactive Ion Etching）工程にてシリコンまたはポリシリコンをエッチングする場合には、ハロゲン系ガス（例えば、Ｂｒ系ガス、Ｃｌ系ガス）と酸素との混合ガスがエッチング種として用いられる。この場合、ＳｉＯ２系堆積物が形成される。
ＲＩＥ工程にて、シリコン酸化膜またはシリコン窒化膜をエッチングする場合には、ＣＦ系ガスがエッチング種として用いられる。この場合、ＣＦ系堆積物が形成される。
従って、ポリシリコン膜やシリコン窒化膜等の積層膜を連続的にＲＩＥでエッチングした場合、ＳｉＯ２系堆積物およびＣＦ系堆積物の両方がエッチング残渣として付着する。このようなＲＩＥの後には、ＳｉＯ２系堆積物の除去処理およびＣＦ系堆積物の除去処理を繰り返し実行する必要がある。例えば、ドライアッシングによるＣＦ系堆積物の酸化処理、ＳＰＭ（硫酸および過酸化水素水の混合液）処理、アルカリ処理、ＤＨＦ（希フッ酸）処理、ＶＰＣ（気相ＨＦ）処理等を組み合わせたプロセスが必要になる。これらの処理を組み合わせることは、ＲＩＥ後の処理の工程数を増加させる。さらに、ＤＨＦ処理は、ゲート絶縁膜およびＳＴＩ（Shallow Trench Isolation）等のシリコン酸化膜をエッチングするため、ＳＴＩおよびゲート絶縁膜等の形成後にＤＨＦ処理を用いることは好ましくない。
特開２００２−２４６３７８号公報
熱酸化膜のエッチングを抑制しつつ、ＳｉＯ２系堆積物およびＣＦ系堆積物を同一工程で選択的に除去することができるエッチング液およびそのようなエッチング液を用いた半導体装置の製造方法を提供することである。
本発明に係る実施形態に従った半導体装置の製造方法は、８６ｗｔ％〜９７．９ｗｔ％のＨ２ＳＯ４と、０．１ｗｔ％〜１０ｗｔ％のＨＦと、２ｗｔ％〜４ｗｔ％のＨ２Ｏとを含む液体に１０ｐｐｍ以上のオゾンを溶解させたエッチング液を用いたエッチング工程を具備する。
本発明に係る実施形態に従ったエッチング液は、半導体装置の製造工程に用いられるエッチング液であって、８６ｗｔ％から９７．９ｗｔ％のＨ２ＳＯ４と、０．１ｗｔ％から１０ｗｔ％のＨＦと、２ｗｔ％から４ｗｔ％のＨ２Ｏとを含む液体に１０ｐｐｍ以上のオゾンを溶解させたことを特徴とする。
本発明によるエッチング液は、熱酸化膜のエッチングを抑制しつつ、ＳｉＯ２系堆積物およびＣＦ系堆積物を同一工程で選択的に除去することができる。また、本発明による半導体装置の製造方法は、熱酸化膜のエッチングを抑制しつつ、ＳｉＯ２系堆積物およびＣＦ系堆積物を同一工程で除去することができるエッチング工程を具備する。
以下、図面を参照して本発明に係る実施形態を説明する。本実施形態は、本発明を限定するものではない。
図１は、本発明に係る実施形態に従ったエッチング工程に用いられるエッチング液５を示す概念図である。エッチング液５は、８６ｗｔ％〜９７．９ｗｔ％の硫酸（Ｈ２ＳＯ４）と、０．１ｗｔ％〜１０ｗｔ％のフッ酸（ＨＦ）と、２ｗｔ％〜４ｗｔ％の水（Ｈ２Ｏ）とを含む液体に１０ｐｐｍ以上のオゾン（Ｏ３）を溶解させた液体である。以下、この液体をＳＦＯＭともいう。尚、ｗｔ％は重量％を意味する。
硫酸およびフッ酸を主成分とし、２ｗｔ％〜４ｗｔ％の水を含有するエッチング液（ＳＦＭ）は、熱酸化膜に対して高い選択比（１００〜３００以上）でＳｉＯ２系堆積物をエッチングすることができる。ＳｉＯ２系堆積物は、例えば、ＳｉＯｘ、ＳｉＯｘＢｒｙ、ＳｉＯｘＦｙ、ＳｉＯｘＣｙ、ＳｉＯｘＢｒｙＣｚ、ＳｉＯｘＢｒｙＣｚＦαなどである（ｘ、ｙ、ｚ、αは正数である）。一方、水の含有率が比較的高いエッチング液を用いると、熱酸化膜に対するＳｉＯ２系堆積物の選択比は、１００以下となる。即ち、水の含有率を２ｗｔ％〜４ｗｔ％と低く抑えることによって、本実施形態によるエッチング液は、堆積されたＳｉＯ２系堆積物を高い選択比で選択的に除去することができる。
一般に、市販の硫酸は、９６ｗｔ％〜９８ｗｔ％のＨ２ＳＯ４および２ｗｔ％〜４ｗｔ％のＨ２Ｏから成る。従って、市販の硫酸に市販の無水フッ酸を混合することによって、このようなエッチング液は、簡単に作ることができる。
本実施形態では、さらに、このエッチング液にオゾンを１０ｐｐｍ以上溶解させる。これにより、エッチング液５が生成される。オゾンは酸化力が強いため、ＣＦ系堆積物を酸化することができ、フッ酸が酸化されたＣＦ系堆積物をエッチングする。ＣＦ系堆積物は、例えば、ＣｘＦｙ、ＣｘＦｙＯｚである（ｘ、ｙは正数である）。ＣＦ系堆積物を効果的に酸化するためには、オゾンがエッチング液に１０ｐｐｍ以上溶解していることが好ましい。硫酸中のオゾン濃度は純水中のオゾン濃度とは異なり、飽和溶解度が高い。従って、１５０℃の高温状態でも１０ｐｐｍ程度溶解することが出来る。それ以下の温度では溶解度が増す為、溶解オゾン濃度は必然的に高くなる。
図２は、ＢＳＧ膜８０をハードマスクとして用いて、ＢＳＧ膜８０の下の積層膜をＲＩＥでエッチングした後のゲート構造を示す断面図である。図２に示す構造は、次のように形成される。まず、シリコン基板１０上にトンネルゲート絶縁膜２０を形成する。トンネルゲート絶縁膜２０は、例えば、シリコン酸化膜である。トンネルゲート絶縁膜２０上にフローティングゲート３０の材料を堆積する。フローティングゲート３０は、例えば、ポリシリコンからなる。フローティングゲート３０の材料上にＯＮＯ膜４０を堆積する。ＯＮＯ膜４０は、シリコン酸化膜、シリコン窒化膜およびシリコン酸化膜の積層膜であるか、あるいは、シリコン酸窒化膜（ＳｉＯＮ）である。ＯＮＯ膜４０上にコントロールゲート５０の材料を堆積する。コントロールゲート５０の材料上にシリサイド膜６０を形成する。シリサイド膜６０は、チタンシリサイド（ＴｉＳｉ）、ニッケルシリサイド（ＮｉＳｉ）、コバルトシリサイド（ＣｏＳｉ）、タンタルシリサイド（ＴａＳｉ）、パラジウムシリサイド（ＰｄＳｉ）またはプラチナシリサイド（ＰｔＳｉ）等の金属シリサイドのいずれでもよい。シリサイド膜６０上にシリコン窒化膜７０を堆積する。さらに、シリコン窒化膜７０上にＢＳＧ膜８０が堆積される。ＢＳＧ膜８０は、フォトリソグラフィ技術を用いてゲート電極パターンにパターニングされる。
このパターニングされたＢＳＧ膜８０をハードマスクとして用いて、シリコン窒化膜７０、シリサイド膜６０、コントロールゲート５０、ＯＮＯ膜４０、フローティングゲート３０をＲＩＥで順次エッチングする。このエッチング工程において、ＣＦ系ガスを用いてＲＩＥでシリコン窒化膜７０をエッチングすると、ＣＦ系堆積物が発生する。Ｂｒ系ガスを用いてＲＩＥでコントロールゲート５０をエッチングすると、ＳｉＯ２系堆積物が発生する。ＣＦ系ガスを用いてＲＩＥでＯＮＯ膜４０をエッチングすると、ＣＦ系堆積物が発生する。さらに、Ｂｒ系ガスを用いてＲＩＥでフローティングゲート３０をエッチングすると、ＳｉＯ２系堆積物が発生する。これにより、図２に示すように、ゲート構造の側壁に積層されたエッチング残渣９０が形成されてしまう。
この積層膜からなるエッチング残渣９０を除去するために、図２に示すゲート構造を図１に示すエッチング液に浸漬する。本実施形態によるエッチング液５は、フッ酸を含有するので、ＳｉＯ２系堆積物をエッチングする。ただし、エッチング液５は、硫酸を主成分としており、水を２ｗｔ％〜４ｗｔ％しか含有しない。このため、エッチング液５は、熱酸化膜からなるトンネルゲート絶縁膜２０または熱酸化膜を含むＯＮＯ膜４０のエッチングを抑制しつつ、ＳｉＯ２系堆積物をエッチングする。また、エッチング液５は、硫酸およびオゾンを含有するので、ＣＦ系堆積物を酸化し、これをエッチングすることができる。このように、エッチング液５は、熱酸化膜のエッチングを抑制しつつ、ＳｉＯ２系堆積物およびＣＦ系堆積物を同一工程で選択的に除去することができる。
さらに、ハードマスクとして用いられたＢＳＧ膜８０もＳｉＯ２系堆積物であるので、エッチング液５は、ＢＳＧ膜８０をも同じ工程で除去することができる。これにより、図３に示すように、エッチング残渣９０およびＢＳＧ膜８０の無いゲート構造が得られる。
本実施形態のエッチング液５は、主成分として硫酸（Ｈ２ＳＯ４）を有する。しかし、オゾンを溶解させることによって、ペルオキソ硫酸が生成していると考えられる。通常の硫酸の一部が、ペルオキソ硫酸であっても本実施形態の効果は失われない。
図４は、本実施形態によるエッチング液５のオゾン含有量と液温との関係を示すグラフである。比較のためにオゾン水のオゾン含有量と液温との関係も示している。ラインＬ０が従来のオゾン水のオゾン含有量を示し、ラインＬ１がエッチング液５のオゾン含有量を示す。いずれのグラフも常圧のもとでの飽和溶解度を示している。尚、オゾン水は、純水にオゾンを溶解させた液体である。
ラインＬ０を参照すると、純水に多量のオゾンを溶解させるためには、純水の温度を低温に維持しなければならないことがわかる。例えば、液温が約５５℃では、純水に対するオゾン含有率は、ほんの０．５ｐｐｍだけである。このような少量のオゾンしか含まないエッチング液では、ＣＦ系堆積物を効果的に酸化することができない。従って、水を主成分とするエッチング液、あるいは、水を多く含むエッチング液にオゾンを大量に溶解させるためには、そのエッチング液を低温にする必要がある。例えば、オゾン含有率を１０ｐｐｍ以上に維持するためには、液温を約３０℃以下にしなければならない。しかし、エッチング液を低温にすることは、エッチングレートの低下を招く。
一方、ラインＬ１を参照すると、本実施形態によるエッチング液５（ＳＯＦＭ）は、広範な液温範囲（０〜１５０℃）において高いオゾン含有量（１０ｐｐｍ以上）を維持することができることがわかる。特に、エッチング液５が室温（約２０℃）〜１５０℃である場合において、エッチング液５は、水を多く含有するエッチング液に比較してより多くのオゾンを溶解することができる。例えば、液温が７３℃のときにはオゾン含有量は４０ｐｐｍであり、液温が１１０℃のときにはオゾン含有量は２５ｐｐｍであり、さらに液温が１３５℃のときであってもオゾン含有量は１０ｐｐｍ以上であった。よって、エッチング液５は、エッチング残渣９０のエッチングレートを高めつつ、ＣＦ系堆積物の酸化を充分に効率的に行うことができる。
例えば、エッチング液５（ＳＯＦＭ）は、５５℃において約３０ｐｐｍのオゾンを溶解することができる。このエッチング液５は、熱酸化膜（ＳｉＯ２）を約１オングストローム／分のエッチングレートでエッチングする。また、このエッチング液５は、ＬＰ‐ＣＶＤ（Low Pressure-Chemical Vapor Deposition）によって形成されたＢＳＧ（ボロン濃度＝２Ｅ２０ａｔｏｍｓ／ｃｍ３）を約３０００オングストローム／分のエッチングレートでエッチングする。即ち、熱酸化膜に対するＢＳＧの選択比は約３０００である。よって、エッチング液５は、熱酸化膜に対してＢＳＧ膜等を選択的にエッチングすることができることがわかる。
図５は、本実施形態におけるエッチング工程での硫酸、フッ酸および水の含有率と時間との関係を示すグラフである。エッチング液の温度は５０℃である。このとき、オゾン濃度は、液温および飽和溶解度で決まり、約４５ｐｐｍである。実際のエッチング工程では、濃度モニタにて硫酸、フッ酸、水およびオゾンの各成分の濃度を測定し、これらの濃度を一定に保つために、自動的に所定の薬液を補充する。
本実施形態によるエッチング液５は、硫酸を主成分とするので吸水性が高い。従って、水の含有率の上昇を抑制するために、硫酸およびフッ酸の補充が必要となる。硫酸を補充するための薬液としては、例えば、９８％の硫酸および２％の水を含む市販の硫酸を用いればよい。フッ酸を補充するための薬液としては、例えば、ダイキン工業社製の硫酸/フッ酸（ＨＦ／Ｈ２ＳＯ４／Ｈ２Ｏ＝１０:８８:２）を用いればよい。これにより、図５に示すように、硫酸、フッ酸および水の含有率を一定に制御することができる。尚、オゾンの含有量は、上述のように液温および飽和溶解度で決定される。従って、図１に示すように、エッチング液５の液温を一定に維持し、かつ、エッチング液５の液面を常圧のオゾン雰囲気中に晒すことによって、オゾンの含有量は自ずと一定に維持される。
本実施形態において、エッチング液５を用いたエッチング工程は、バッチ形式で実行されてもよく、あるいは、枚葉形式で実行されてもよい。
本実施形態のエッチング工程は、例えば、ＮＡＮＤ型フラッシュメモリのゲート構造の形成に適用することができる。これにより、ＮＡＮＤ型フラッシュメモリのトンネルゲート酸化膜および素子分離酸化膜（ＳＴＩ）にダメージを与えることなく、ＲＩＥによるエッチング生成物（堆積物）を除去することができる。また、本実施形態のエッチング工程は、その前にＤｒｙアッシング工程などのレジスト灰化処理を行なった後に行なうこともできる。
５ エッチング液
１０ シリコン基板
２０ トンネルゲート絶縁膜
３０ フローティングゲート
４０ ＯＮＯ膜
５０ コントロールゲート
６０ シリサイド膜
７０ シリコン窒化膜
８０ ＢＳＧ膜
９０ エッチング残渣
１０ シリコン基板
２０ トンネルゲート絶縁膜
３０ フローティングゲート
４０ ＯＮＯ膜
５０ コントロールゲート
６０ シリサイド膜
７０ シリコン窒化膜
８０ ＢＳＧ膜
９０ エッチング残渣
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- ８６ｗｔ％〜９７．９ｗｔ％のＨ２ＳＯ４と、０．１ｗｔ％〜１０ｗｔ％のＨＦと、２ｗｔ％〜４ｗｔ％のＨ２Ｏとを含む液体に１０ｐｐｍ以上のオゾンを溶解させたエッチング液を用いたエッチング工程を具備した半導体装置の製造方法。
- 前記エッチング液は、熱酸化膜に対してＣＦ系堆積物およびＳｉＯ２系堆積物を選択的にエッチングするために用いられることを特徴とする請求項１に記載の半導体装置の製造方法。
- 前記エッチング工程は、２０℃〜１５０℃の前記エッチング液を用いて実行されることを特徴とする請求項１または請求項２に記載の半導体装置の製造方法。
- 半導体装置の製造工程に用いられるエッチング液であって、
８６ｗｔ％から９７．９ｗｔ％のＨ２ＳＯ４と、０．１ｗｔ％から１０ｗｔ％のＨＦと、２ｗｔ％から４ｗｔ％のＨ２Ｏとを含む液体に１０ｐｐｍ以上のオゾンを溶解させたことを特徴とするエッチング液。 - 前記エッチング液は、Ｈ２ＳＯ４の一部にペルオキソ硫酸を含むことを特徴とする請求項４に記載のエッチング液。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2006029639A JP4728826B2 (ja) | 2006-02-07 | 2006-02-07 | 半導体装置の製造方法およびエッチング液 |
| US11/702,575 US7727871B2 (en) | 2006-02-07 | 2007-02-06 | Manufacturing method of semiconductor device using etching solution |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2006029639A JP4728826B2 (ja) | 2006-02-07 | 2006-02-07 | 半導体装置の製造方法およびエッチング液 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2007214182A true JP2007214182A (ja) | 2007-08-23 |
| JP4728826B2 JP4728826B2 (ja) | 2011-07-20 |
Family
ID=38492376
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2006029639A Expired - Fee Related JP4728826B2 (ja) | 2006-02-07 | 2006-02-07 | 半導体装置の製造方法およびエッチング液 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US7727871B2 (ja) |
| JP (1) | JP4728826B2 (ja) |
Families Citing this family (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP4644170B2 (ja) * | 2006-09-06 | 2011-03-02 | 栗田工業株式会社 | 基板処理装置および基板処理方法 |
| US8709165B2 (en) * | 2010-12-03 | 2014-04-29 | Lam Research Ag | Method and apparatus for surface treatment using inorganic acid and ozone |
| JP6168271B2 (ja) * | 2012-08-08 | 2017-07-26 | 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス | 基板処理装置および基板処理方法 |
| US9353923B2 (en) | 2014-10-08 | 2016-05-31 | Orion Energy Systems, Inc. | Combination retrofit and new construction troffer light fixture systems and methods |
Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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| JPH11174692A (ja) * | 1997-08-27 | 1999-07-02 | Motorola Inc | 半導体基板上のフォトレジストを除去する装置および方法 |
| JPH11243085A (ja) * | 1997-11-21 | 1999-09-07 | Internatl Business Mach Corp <Ibm> | エッチング剤組成 |
| JP2002246378A (ja) * | 2000-12-15 | 2002-08-30 | Toshiba Corp | 半導体装置の製造方法 |
| JP2004327826A (ja) * | 2003-04-25 | 2004-11-18 | Toshiba Corp | 基板処理装置 |
Family Cites Families (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP4393260B2 (ja) * | 2004-04-20 | 2010-01-06 | 株式会社東芝 | エッチング液管理方法 |
| KR100606187B1 (ko) * | 2004-07-14 | 2006-08-01 | 테크노세미켐 주식회사 | 반도체 기판 세정용 조성물, 이를 이용한 반도체 기판세정방법 및 반도체 장치 제조 방법 |
-
2006
- 2006-02-07 JP JP2006029639A patent/JP4728826B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
2007
- 2007-02-06 US US11/702,575 patent/US7727871B2/en not_active Expired - Fee Related
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
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| JP2002246378A (ja) * | 2000-12-15 | 2002-08-30 | Toshiba Corp | 半導体装置の製造方法 |
| JP2004327826A (ja) * | 2003-04-25 | 2004-11-18 | Toshiba Corp | 基板処理装置 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US7727871B2 (en) | 2010-06-01 |
| JP4728826B2 (ja) | 2011-07-20 |
| US20070224792A1 (en) | 2007-09-27 |
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|
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