JP2007207404A - オーバードライブ書き込み方法、ライトアンプ電源生成回路及びこれらを備えた半導体記憶装置 - Google Patents
オーバードライブ書き込み方法、ライトアンプ電源生成回路及びこれらを備えた半導体記憶装置 Download PDFInfo
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Abstract
【課題】 同一ワード線に対して連続書き込みを繰り返すと、増幅され十分な電圧差をもったビット線の過昇圧を引き起こすという問題がある。このビット線電圧の過昇圧が発生すると、相補ビット線を短絡するプリチャージにおいて正しいリファレンスレベルが得られない。そのためセンスアンプが誤動作するという問題がある。
【解決手段】 ライトアンプ電源生成回路に出力電圧を切り替える制御手段を備え、ビット線対が増幅途中にある状態における書き込みサイクルではライトアンプからのハイレベルを第1の電圧(例えば電源電圧VEXT)とするオーバードライブ書き込みとし、ビット線対が増幅された状態における書き込みサイクルではライトアンプからのハイレベルを第2の電圧(例えば内部電圧VDL)とする書き込みとする。これらの構成とすることでビット線の過昇圧防止、プリチャージにおいて正しいリファレンスレベルが得られる。
【選択図】 図10
【解決手段】 ライトアンプ電源生成回路に出力電圧を切り替える制御手段を備え、ビット線対が増幅途中にある状態における書き込みサイクルではライトアンプからのハイレベルを第1の電圧(例えば電源電圧VEXT)とするオーバードライブ書き込みとし、ビット線対が増幅された状態における書き込みサイクルではライトアンプからのハイレベルを第2の電圧(例えば内部電圧VDL)とする書き込みとする。これらの構成とすることでビット線の過昇圧防止、プリチャージにおいて正しいリファレンスレベルが得られる。
【選択図】 図10
Description
本発明は半導体記憶装置に関し、特に書き込み動作をオーバードライブ方式で行うオーバードライブ書き込み方法、ライトアンプ電源生成回路及びこれらを備えた半導体記憶装置に関する。
最近の半導体記憶装置は高速化、低消費電力化が図られている。これらの手段の1つとして、BSG(Boosted Sense Ground)方式がある。このBSG方式においては、ビット線読み出し信号のハイレベル及びロウレベルとして、外部からの供給される電源電圧VEXTより所定値だけ低い電圧である内部電圧VDL及び接地電圧GNDより所定値だけ高い電圧VSLが使用される。BSG方式における内部回路の電源電圧として、電源電圧VEXT/接地電圧GNDよりも小さな内部電圧VDL/VSLが供給される。そのためCMOSで構成された内部回路の信号振幅も内部電圧VDL/VSLとなる。このように内部回路を低電圧で動作させることで低消費電力化を図り、さらに小信号振幅によりノイズの発生を抑えることでデータの高速転送を可能としている。
しかしBSG方式においては、小信号振幅でデータ転送は高速化されるが、セルのリストア動作が遅いという問題がある。そのためにセルのリストア動作の初期にはセンスアンプに印加させる電源電圧を大きくするオーバードライブのセンス方式が採用されている。また書き込み時にも入力される信号振幅が小さいとビット線対を反転させる能力が不足し、書き込み時間が長くなる。そのために書き込み時にも電源電圧VEXT及び接地電圧GNDを供給するオーバードライブ方式の書き込みが採用される。
これらのオーバードライブ方式に関して下記特許文献1(W097/24729)及び特許文献2(特開平10−255470)がある。これらの特許文献1及び特許文献2に示された一般的なオーバードライブ方式を説明する。特許文献1には、センス初期のセンスアンプの動作電源として電源電圧VEXT及び接地電圧GNDを供給する。高速にセンス増幅させた後には内部電圧VDL及びVSLを供給している。特許文献2では、ライトアンプの動作電源として所定期間のみ電源電圧VEXT及び接地電圧GNDを供給している。高速にセンスアンプを反転させた後、ライトアンプの電源電圧を内部電圧VDL及びVSLとしている。
特許文献2のオーバードライブ方式の書き込みにおいては、ライトアンプWAMPからの書き込み信号のハイレベル及びロウレベルを、ビット線対の電圧が交差するまでの所定期間だけ電源電圧VEXT及び接地電圧GNDとする。その後内部電圧VDL及びVSLとすることで、メモリセルへの書き込みレベルと相補ビット線対BITT/Nにおける信号レベルを内部電圧VDL及びVSLとしている。このように、相補ビット線対BITT/Nにおける書き込み信号の実質的な到達振幅を相補ビット線対BITT/Nにおける読み出し信号の増幅後の到達振幅よりも大きくして、オーバードライブ書き込みを行っている。
しかしながら、本願発明者はこれらのオーバードライブ書き込み方式において、連続書き込みの場合に問題点があることを見出した。問題点は、同一ワード線に対して連続書き込みを繰り返すとビット線電圧の過昇圧を引き起こす場合があることである。メモリセルの記憶データに従って増幅され十分な電圧差をもったビット線に対して、内部電圧VDLより高い電源電圧VEXT(VDD)でオーバードライブすることになる。このようにオーバードライブを繰り返すことで、ビット線電圧の過昇圧を引き起こすことになる。ライトアンプからの内部電圧VDLより高い電圧である電源電圧が、IOデータ線、カラム選択スイッチを経由してビット線に供給されることに起因する。
例えば、一般的にIOデータ線とビット線の接続は、Nchトランジスタのカラム選択スイッチYSWにより接続されている。カラム選択スイッチYSWのゲート電圧は電源電圧VEXT、IOデータ線のハイレベルも電源電圧VEXTの場合にはビット線にVEXT−Vtnが書き込まれる。連続書き込みが行われた場合には、相補ビット線の片側が内部電圧VDL以上の過昇圧状態になる。ビット線電圧が過昇圧されると相補ビット線をリファレンスレベル(VDL/2)に充電するプリチャージにおいて、プリチャージした後、正しいリファレンスレベルが得られないという問題がある。
従ってオーバードライブ書き込み方式において正しいリファレンスレベルを得るためには、過昇圧防止にビット線の電圧レベルをVDL電源レベルまで引きぬくことが必要になる。またはオーバードライブ書き込み方式を行わないでライトアンプの出力レベルを内部電源VDLとすることである。しかし内部電源VDLを使用した書き込み動作においては、高速化が不利になる。センスアンプが動作開始するセンス初期においては、センスアンプには高電圧(VEXT)が供給される。この高電圧(VEXT)で動作しているセンスアンプを、それより低い内部電源VDLで書き込み反転させるには時間がかかることになる。もし内部電源VDLによる書き込みを高速に行う場合には、電荷供給能力の大きな書き込み回路用電源が必要となる。そのため書き込み回路用電源には莫大な補償容量が必要となり、チップサイズの縮小に不利であり、電力効率的にも特性的にも不利となる。
以下、図1〜図6を参照して詳細に説明する。図1、2には半導体記憶装置の第1、第2の概略ブロック図を示す。図3にはライトアンプ(WAMP)の回路図、図4にはセンスアンプ(SA)とカラム選択スイッチ(YSW)の回路図を示す。図5には書き込み動作を説明するための回路ブロック図、図6には従来のオーバードライブ書き込み方式による書き込み動作タイミング図を示す。
図1の半導体記憶装置は ワードドライバー列(WD)2と、センスアンプ列(SA)3に囲まれたメモリセルアレイ1にはマトリクス状にメモリセルが配置されている。センスアンプ列は複数のセンスアンプを備え、それぞれのセンスアンプはカラム選択信号YSWにより選択される。選択されたセンスアンプは相補IOデータ線対IOT/Nを介してライトアンプ(WAMP)及びデータアンプ(DAMP)6(以後、単にライトアンプWAMP6と称する)に接続される。また以降においてはワードドライバー列とワードドライバー、センスアンプ列とセンスアンプとは区別せず、単にワードドライバー(WD)2、センスアンプ(SA)3と称する。
図2の第2の概略ブロック図は複数のメモリセルアレイを有した半導体記憶装置の場合である。メモリセルアレイが複数ブロックある場合には、データ線を階層化してライトアンプWAMP6に接続する。階層化としてメモリセルアレイのビット線対BITT/Nをカラム選択スイッチYSWで選択し、相補IOデータ線対IOT/Nに接続する。さらに相補IOデータ線対IOT/NをIO選択スイッチ5により選択し、ライトアンプWAMP6に接続する。現在の半導体記憶装置は複数のメモリセルアレイを有し、データ線は階層化されている。しかし本願発明の本質はデータの階層化とは関係がないことから、以下の説明においては、図1の概略ブロックを用いて説明する。
図3のライトアンプ(WAMP)6は、ライトイネーブル信号WAEがハイレベルのとき、読み出しライトバスRWBSのデータを相補のIOデータ線対(IOT/ION)に出力する。書き込み回路の出力ドライバーの電源電圧はVRWであり、データのハイレベル、ロウレベルはVRW、GNDである。一般的なオーバードライブ書き込み方式においては、VRWは外部から供給される外部電源電圧VEXTである。また読み出しライトバスRWBSのデータが相補データであるかどうかは問わない。
図4に示すようにライトアンプWAMP6からのライトデータは、相補IOデータ線対IOT/Nに伝達される。さらにカラム選択スイッチYSW4、を介してビット線対BITT/Nに伝達され、センスアンプ3と選択されたメモリセルに書き込まれる。センスアンプ3は2つのインバータ回路から構成されたフリップフロップ回路であり、ビット線対BITT/Nに接続されている。センスアンプSA3には、高電源電圧(SAP)/低電源電圧(SAN)が供給される。センスアンプの電源として、センス初期のオーバードライブ期間には外部電源電圧VEXT/接地電圧GNDが、残りの定常動作期間には内部電圧VDL/VSLが供給される。非活性時には電源電圧は供給されない。
カラム選択スイッチYSW4は、Nchトランジスタで構成され、選択信号YSWにより選択され導通する。カラム選択スイッチYSWが導通することで、相補IOデータ線対IOT/Nのデータは、それぞれのビット線対BITT/Nに伝達される。このときの相補IOデータ線対IOT/Nからのデータレベルは、ライトアンプの出力段の信号レベルであるハイレベルVRW,ロウレベルGNDである。
図5、図6を参照して連続書き込みにおける問題点を説明する。ライトアンプ回路6からは書き込みデータがIOデータ線IOT/Nに出力される。オーバードライブ書き込み方式の場合には、ライトアンプ回路6の電源VRWとして電源電圧VEXTが供給されている。センスアンプ電源回路7は、センスアンプの電源電圧SAP/SANを発生させる。ここで電源電圧VEXTは外部から供給される電源電圧であり、内部電圧VDLはアレイ電圧であり電源電圧VEXTよりも低い電圧である。センスアンプ電源回路7はセンスアンプ活性化信号SEにより、センスアンプ(SA)3のコモンソース電源SAP/SANへ電源電圧を供給する。
センス初期のオーバードライブ期間には、センスオーバードライブ信号(ODV,あるいはODV2)により高電圧のコモンソース電源SAPには外部電源電圧VEXTを供給するパスを持つ。センス初期において、メモリセルからの電荷による微小差電圧をセンスする。この場合、センスアンプのPchトランジスタをオンするには、内部電圧VDLの1/2のリファレンスレベルから、Pchトランジスタの閾値電圧Vt分を超える高い電圧が高電圧電源SAPとして必要となる。これを高速に行うため高電圧電源SAPをオーバードライブし外部電源電圧VEXTとする。センス初期から十分な時間となるtRCDロングにおいては、センスアンプによるビット線BITT/Nの増幅がほぼ終了し、高電圧電源VSPも所定の電圧であるVDLレベルに戻る。
これらの高電圧電源VSPをより高い電圧にするオーバードライブ方式にはさまざまな方式がある。例えば図5のセンスアンプ電源回路7において破線で示すようにセンスオーバードライブ信号(ODV2)により外部電源電圧VEXTを接続する方法がある。また、センスオーバードライブ信号(ODV)によりVDL電源回路の節点VDLをオーバーチャージし、その電圧をセンスイネーブル信号SEにより高電圧電源SAPとして供給する方法もある。本発明においてはオーバーチャージによるオーバードライブ方法を用いて説明する。ライトアンプWAMP6は図4に示した回路構成と同じであり、出力ドライバーの電源電圧VRWは外部からの電源電圧VEXTである。従って書き込みデータのハイレベル、ロウレベルは外部電源電圧VEXT、GNDとなる。
図6にはtRCDロング時の連続書き込み時の動作波形を示す。ワード線WL、センスオ-バードライブ信号ODV、センスイネーブル信号SE、ライトイネーブル信号WAE、カラム選択スイッチYSW、節点VDL及びビット線対BITT/Nの波形を示す。節点VDLはセンスアンプの高電圧コモンソースSAPに供給する電圧を発生するセンスアンプ電源回路の節点である。選択されたワード線が活性化され、リファレンスレベルVDL/2にプリチャージされたビット線対にメモリセルの微小電圧差が検出される。節点VDLはオーバーチャージ信号ODVによりオーバーチャージされる。
センスイネ−ブル信号SEによりセンスアンプ3のコモンソースに電源が印加される。センス初期にはオーバードライブされ、高電圧電源SAPには内部電圧VDLよりも高い外部電源電圧VEXTが印加されることで、高速にセンスされる。ビット線対BITT/Nとして、センスアンプSAの近傍(実線)、遠端(破線)を示す。近傍のビット線対BITT/Nの増幅がほぼ終了し、節点VDL及び高電圧電源SAPの電圧は内部電圧VDLの電圧に戻る。遠端のビット線対BITT/Nの増幅も完了する。
ライトイネーブル信号WAEが活性化され、連続書き込みをオーバードライブ書き込み方式で行う。ライトアンプWAMP6からの書き込みデータは、ハイレベルとして内部電圧VDLよりも高いVRW(ここではVEXT)、ロウレベルとして接地電圧GNDが出力される。カラム選択信号により選択されたカラム選択スイッチYSW5が導通し、センスアンプSA3、ビット線対BITT/N及びメモリセルに書き込まれる。このときカラム選択信号のハイレベルも外部電源電圧VEXTであることから、VEXT−Vtnの電圧がビット線に書き込まれることになる。ビット線の電圧は内部電圧VDLからVEXT−Vtnに過昇圧される。
この昇圧されたビット線の電圧は、電荷の引き抜きパスがないことから、連続書き込み回数が多くなるほど過昇圧される。さらにセンスアンプの高電圧電源SAPをも昇圧させる。このようにビット線及びセンスアンプの高電圧電源SAPは、内部電圧VDLからVEXT−Vtnの電圧まで昇圧されることになる。図6においてカラム選択スイッチYSWが順次選択され、連続書き込み回数がm回、あるいはn回と増えるたびに昇圧される。書き込み回数n回では(VEXT−Vtn)まで昇圧されていくことになる。このようにビット線電圧が過昇圧され、相補ビット線の片側が(VEXT−Vtn)まで昇圧される。
相補ビット線の片側が(VEXT−Vtn)まで昇圧された状態で書き込み動作が終了し、プリチャージが行われる。しかし、プリチャージ回路には電荷の引き抜きパスがない。そのため、過昇圧され内部電圧VDL以上の過昇圧状態になると相補ビット線を短絡するプリチャージにおいて、リファレンスレベルがVDL/2以上の電圧となり、正しいリファレンスレベル(VDL/2)が得られなくなる。プリチャージレベルが正しいレベルに行われないとセンスアンプの不安定動作を引き起こし、誤動作読み出しにつながることになるという問題が発生する。プリチャージレベルが正しいレベルを得るためにはビット線の過昇圧防止対策として、昇圧されたビット線の電圧をVDL電源レベルへの引き抜くことが必要になる。
図6においては、tRCDロングにおける書き込み時の動作波形について説明した。しかし書き込み動作には、tRCD十分な時つまり、tRCDロングにおける書き込み動作と、tRCDミニマムでの書き込みとに大別できる。
(1)tRCDミニマムでの書き込み動作は、センスアンプ自体は十分に開いた状態であるが、遠端のビット線はまだ増幅過程における書き込み動作である。
(2)tRCDロングでの書き込み動作は、センスアンプが活性された後に十分な期間があることからセンスアンプの増幅及び遠端を含めたビット線の開きも十分な状態における書き込み動作である。
(1)tRCDミニマムの場合にも、tRCD高速化手段としてセンスアンプのオーバードライブが実施される。センスアンプに内部電圧VDL以上の電圧が印加されていることから、ライトアンプがひっくり返さなくてはならないレベルは内部電圧VDLより高くなる。このため内部電圧VDLによる書き込み動作では、オーバードライブ動作中のセンスアンプにより増幅されたビット線対をライトアンプで、十分にひっくり返す逆データ書き込みができなくなる場合がある。この場合にはカラム選択スイッチYSWが閉じた後、センスアンプでのビット線の開きが十分でなく、その後のセンスアンプライト(リストア)での遅れを生じ、ビット線の増幅がおくれることになる。従って、ライトアンプのオーバードライブによる書き込み動作が必要になる。そのため同様に外部電源電圧VEXTによるオーバードライブ書き込みでは、ビット線電圧の過昇圧を招くという問題がある。
また、(2)tRCDロングの場合は前記したとおりである。tRCD十分でセンスアンプが十分に増幅したビット線をより高速にひっくり返し書き込みするためにライトアンプのオーバードライブが行われている。このように高速化のためにtRCDロング、tRCDミニマムの書き込み動作とも、ライトアンプのオーバードライブが行われることになる。しかし外部電源電圧VEXTによるオーバードライブ書き込みでは、ビット線電圧の過昇圧を招くという問題がある。
このように外部電源電圧VEXTによるオーバードライブ書き込みにおいては、連続書き込みによりビット線電圧の過昇圧を招くという問題がある。さらにビット線電圧が過昇圧されることで、プリチャージにおいて正しいリファレンスレベルが得られなくセンスアンプが誤動作するという問題がある。上記した先行特許文献には、本願発明者が見出したビット線電圧の過昇圧の問題については記載されていず、その問題認識もない。したがって問題が認識されていないことから、解決する技術の示唆もない。
上記したように、同一ワード線に対して連続書き込みを繰り返すと、増幅され十分な電圧差をもったビット線に対してオーバードライブを繰り返すことになり、ビット線電圧の過昇圧を引き起こすという問題がある。このビット線電圧の過昇圧が発生したときには、相補ビット線の片側が内部電圧VDL以上の過昇圧状態になり、相補ビット線を短絡するプリチャージにおいて、プリチャージした後、正しいリファレンスレベルが得られない。そのためセンスアンプが誤動作するという問題がある。
本発明の課題は,上記した問題に鑑み、ビット線に過昇圧が発生させない手法を確立することである。本発明においてはオーバードライブ書き込み方式によりデータを書き込む際に、ビット線の最終電圧が内部電圧VDLより高いレベルにならないよう制御することで、ビット線に過昇圧が発生しないオーバードライブ書き込み方式、ライトアンプ電源生成回路及びこれらを備えた半導体記憶装置を提供することにある。
本発明は上記した課題を解決するため、基本的に下記に記載される技術を採用するものである。またその技術趣旨を逸脱しない範囲で種々変更できる応用技術も、本願に含まれることは言うまでもない。
本発明の半導体記憶装置はライトアンプの電源電圧として、ライトオーバードライブ信号が活性化された状態の書き込みサイクルにおいては第1の電圧を供給し、前記ライトオーバードライブ信号が非活性化された状態の書き込みサイクルにおいては第2の電圧を供給するライトアンプ電源生成回路を備えたことを特徴とする。
本発明の半導体記憶装置においては、前記第2の電圧はメモリセルに書き込まれるハイレベル電圧であり、前記第1の電圧は前記第2の電圧より高いことを特徴とする。
本発明の半導体記憶装置においては、前記ライトオーバードライブ信号は、ライトイネーブル信号の活性化により活性化され、メモリセルに記憶されたデータに従って増幅されるビット線対が増幅終了するまでの期間内に非活性化されることを特徴とする。
本発明の半導体記憶装置においては、前記ライトオーバードライブ信号は、センスオーバーライト信号及びライトイネーブル信号の活性化により活性化され、センスオーバードライブ信号の非活性化により非活性化されることを特徴とする。
本発明の半導体記憶装置においては、前記ライトオーバードライブ信号は、ラスタイムアウト信号及びライトイネーブル信号の活性化により活性化され、ラスタイムアウト信号の非活性化により非活性化されることを特徴とする。
本発明の半導体記憶装置においては、前記ライトアンプ電源生成回路は、カレントミラートランジスタと、それぞれ参照電圧と出力電圧とが入力される差動入力トランジスタと、ドライバートランジスタとを備え、前記カレントミラートランジスタ及びドライバートランジスタのゲート電圧を制御することを特徴とする。
本発明の半導体記憶装置においては、前記参照電圧が入力される差動入力トランジスタに、さらに並列にレギューレータトランジスタを備え、前記レギューレータトランジスタのゲートには第2の参照電圧が入力されることを特徴とする。
本発明の半導体記憶装置においては、前記レギューレータトランジスタに、さらに直列に接続制御トランジスタを備え、前記接続制御トランジスタのゲートには接続制御信号が入力されることを特徴とする。
本発明のオーバードライブ書き込み方法は、それぞれの書き込みサイクルにおけるライトアンプからの書き込みハイレベルをメモリセルに記憶されたデータに従って増幅されるビット線対の増幅状態に応じて異ならせることを特徴とする。
本発明のオーバードライブ書き込み方法においては、前記書き込みハイレベルは、ビット線対が増幅途中の書き込みサイクルにおいては第1の電圧とし、前記ビット線対が増幅終了後の書き込みサイクルにおいては第2の電圧とすることを特徴とする。
本発明のオーバードライブ書き込み方法においては、前記第2の電圧はメモリセルに書き込まれるハイレベル電圧であり、前記第1の電圧は前記第2の電圧より高いことを特徴とする。
本発明のオーバードライブ書き込み方法においては、書き込みハイレベルを前記第1の電圧とする書き込から前記第2の電圧とする書き込への切り替えは、センスオーバードライブ信号の非活性化に同期して行うことを特徴とする。
本発明のオーバードライブ書き込み方法においては、書き込みハイレベルを前記第1の電圧とするオーバードライブ書き込から前記第2の電圧とする書き込への切り替えは、ラスタイムアウト信号により行うことを特徴とする。
本発明の半導体記憶装置は、上記記載のいずれかのオーバードライブ書き込み方法で書き込み動作することを特徴とする。
本発明においては、連続書き込みを行う場合にメモリセルの記憶データにしたがってビット線対が増幅途中にある状態における書き込み方法はライトアンプからのハイレベルを第1の電圧(例えば外部電源電圧)とするオーバードライブ書き込みとし、ビット線対が増幅された状態における書き込み方法はライトアンプからのハイレベルを第2の電圧(例えば内部電圧VDL)とする書き込みとする。これらの構成とすることでビット線の過昇圧を防止できる効果が得られる。
本発明の実施形態について、図7〜図14を参照して説明する。図7に本発明のtRCDロングにおける書き込み動作波形図、図8にtRCDミニマムにおける書き込み動作波形図を示す。図9にライトアンプ電源生成回路図、図10には図9のライトアンプ電源生成回路を使用した書き込み動作波形図を示す。図11に第2のライトアンプ電源生成回路図、図12に第3のライトアンプ電源生成回路図、図13に第1の参照電圧生成回路図、図14に第2の参照電圧生成回路図を示す。
本発明の半導体記憶装置はライトアンプ電源生成回路を備え、ライトアンプWAMPの電源電圧を制御する。ライトデータのハイレベルを制御することで、ビット線の過昇圧を防止するものである。本発明の半導体記憶装置の概略ブロック構成、センスアンプSA,カラム選択スイッチ、ライトアンプは従来(図1から5)と同じ構成であり、その説明は省略する。本発明はライトアンプの電源電圧VRWとして、最適の電源電圧を供給するライトアンプ電源生成回路を備えたことを特徴とする。
図7にはtRCDロング、図8にはtRCDミニマムにおける書き込み動作波形を示す。図7,図8の書き込み動作波形としては、ワード線WL、センスオーバードライブ信号ODV、センスイネーブル信号SE、ライトイネーブル信号WAE、ライトオーバードライブ信号VRWODV、カラム選択スイッチYSW、センスアンプ電源回路の節点VDL及びビット線対BITT/Nを示す。ビット線対BITT/Nの実線はセンスアンプ近傍のビット線、破線は遠端のビット線を示す。図7のtRCDロング時にはオーバードライブ書き込みは実施されない。一方図8のtRCDミニマム時にはオーバードライブ書き込みが実施される。
図7に示すtRCDロング時のtRCDロングの場合にはセンスアンプ回路へのオーバードライブ期間は終了し、センスアンプ、ビット線(近傍、遠端)も十分に増幅され内部電圧VDLとして安定状態にある。そのためtRCDロングにおける書き込み動作では、ライトオーバードライブ信号VRWODVが活性化されないため、ライトアンプからのオーバードライブは実施されない。ライトオーバードライブ信号VRWODVはセンスオーバードライブ信号ODVとライトイネーブル信号WAEがともに活性化された状態ではじめて活性化される。
選択されたワード線WLが活性化し、ビット線対BITT/Nに小さな差電圧が生じる。またセンスオーバードライブ信号ODVによりセンスアンプ電源回路の節点VDLは外部電源電圧VEXTに充電される。センスアンプイネーブル信号SEが活性化し、センスアンプが増幅開始することでビット線対が急激に増幅される。センスアンプ近傍のビット線対(実線)が十分増幅された時点でセンスオーバードライブ信号ODVが非活性化される。センスアンプ電源回路からはセンスアンプの高電圧電源SAPとしては内部電圧VDLが供給されることになる。内部電圧VDLは外部からの電源電圧VEXTを降圧した内部回路用の電源電圧であり、メモリセルへの書き込み電圧としても使用される電圧である。
tRCDロングにおいては、センスアンプから離れた遠端のビット線(点線)も、その電圧の開きも十分な状態になる。この状態でライトイネーブル信号WAE,カラム選択スイッチYSWが活性化され、ライトアンプからの書き込み電圧VRWが入力される。ライトオーバードライブ信号VRWODVはライトイネーブル信号WAEにより活性化されるはずであるが、センスオーバードライブ信号ODVが非活性化されていることから活性化されない。従ってここでの書き込み電圧VRWは、内部電圧VDLに設定される。
このようにtRCDロングの場合には、センス初期のオーバードライブの期間が終了し、ビット線対及びセンスアンプの高電圧電源SAPは内部電圧VDLに落ち着いていることから書き込み電圧VDLによる書き込みを行う。カラム選択スイッチYSWが次々に選択され、連続書き込みが行われ、センスアンプ、ビット線、メモリセルには内部電圧VDLが書き込まれる。しかし、連続書き込み動作であっても、書き込み電圧が内部電圧VDLであることからビット線の過昇圧は発生しない。
図8にtRCDミニマムの書き込み動作波形として、ワード線WL、センスオーバードライブ信号ODV、センスイネーブル信号SE、ライトイネーブル信号WAE、ライトオーバードライブ信号VRWODV、カラム選択スイッチYSW、センスアンプ電源回路の高電圧節点VDL及びビット線対BITT/Nを示す。tRCDミニマムの場合にはセンスアンプ回路へのオーバードライブ期間に書き込み動作が開始される。そのためtRCDミニマムにおける書き込み動作では、ライトオーバードライブ信号VRWODVが活性化され、ライトアンプからのオーバードライブが実施され、ライトオーバードライブ信号VRWODVが非活性化された時点から内部電圧VDLによる書き込みが実施される。
選択されたワード線WLが活性化し、ビット線対BITT/Nに小さな差電圧が生じる。またセンスオーバードライブ信号ODVによりセンスアンプ電源回路の節点VDLは外部電源電圧VEXTに充電される。センスアンプイネーブル信号SEが活性化し、センスアンプが増幅開始することでビット線対は急激に増幅される。tRCDミニマムの場合には、この時点でライトイネーブル信号WAE,カラム選択スイッチYSWが活性化され書き込み動作が開始される。ライトアンプからの書き込み電圧VRWが入力される。ライトオーバードライブ信号VRWODVもライトイネーブル信号WAEにより活性化される。そのため書き込み電圧VRWは、ライトオーバードライブ電圧VEXTに設定される。ライトアンプからのハイレベルの書き込み電圧VEXTとなり、ビット線対、センスアンプには書き込み電圧VEXT−Vtnが入力される。
センスアンプ近傍のビット線対(実線)が十分増幅された時点でセンスオ-バードライブ信号ODVが非活性化される。センスアンプ電源回路からはセンスアンプの高電圧電源SAPとしては電圧VDLが供給されることになる。さらにライトオーバードライブ信号VRWODVが非活性化され、書き込み電圧VRWは、内部電圧VDLとなる。このようにtRCDミニマムの場合には、センス初期のオーバードライブに対応する期間の書き込みサイクルにおいてはオーバードライブ電圧による書き込み動作とし、センスオーバードライブが終了した後の書き込みサイクルにおいては内部電圧VDLによる書き込み動作とする。
カラム選択スイッチYSWが次々に選択され、連続書き込みが行われる。センスオーバードライブ期間にはセンスアンプに内部電圧VDLよりも高いオーバードライブ電圧が供給されることからオーバードライブ電圧による書き込み動作とする。センスアンプ、ライトアンプからオーバードライブ電圧が供給されるが、この時点では遠端のビット線対は増幅途中であり、遠端のビット線対の増幅のために電荷が消費されることからビット線の過昇圧は発生しない。センスオーバードライブが終了した後においては内部電圧VDLによる書き込み動作とする。そのため連続書き込み動作であっても、書き込み電圧が内部電圧VDLであることからビット線の過昇圧は発生しない。このように書き込みサイクルによって書き込みデータのハイレベル電圧を異ならせている。
図9に、本発明におけるライトアンプ電源生成回路の第1の実施例を示す。ライトアンプ電源生成回路8はカレントミラー差動増幅器を基本構成とし、カレントミラー回路部と、ドライバートランジスタP5と、ライトオーバードライブトランジスタP6と、付加された論理回路から構成される。ミラートランジスタP1のソースはインバータ回路INV1の出力に、ゲートはトランジスタP1のドレイン及びトランジスタP2のゲートに接続される。ミラートランジスタP2のソースはインバータ回路INV1の出力に、ゲートはトランジスタP1のゲートに、ドレインは制御節点VRWDGに接続される。差動トランジスタP3のソースはトランジスタP1のドレインに、ゲートは参照電圧VRWRに、ドレインは電流源i1に接続される。
対となるフィードバック側の差動トランジスタP4のソースは制御節点VRWDGに、ゲートは出力節点VRWに、ドレインは電流源i1に接続される。ドライバートランジスタP5のソースは外部電源VEXTに、ゲートは制御節点VRWDGに、ドレインは出力節点VRWに接続される。オーバードライブトランジスタP6のソースは外部電源VEXTに、ゲートはライトオーバードライブ信号VRWODVに、ドレインは出力節点VRWに接続される。電流源i1の一端はトランジスタP3,P4のドレインに、他端はGNDに接続される。出力節点VRWからライトアンプ用の電源電圧を出力する。
トランジスタP7のソースはインバータ回路INV1の出力に、ゲートは制御信号VRW06に、ドレインはミラートランジスタP1,P2のゲートに接続される。トランジスタP8のソースは外部電源VEXTに、ゲートは制御信号VRW06に、ドレインはトランジスタN1のドレイン及び制御節点VRWDGに接続される。トランジスタN1のドレインはトランジスタP8のドレイン及び制御節点VRWDGに、ゲートは制御信号VRW07に、ソースは接地電圧GNDに接続される。インバータ回路INV1は、制御信号VRW07を入力され、その出力をトランジスタP1、P2、P7のソースに出力する。ここでインバータ回路INV1の電源電圧は外部電源VEXTであり、インバータ回路の出力がカレントミラー回路の電源となる。
このライトアンプ電源生成回路の動作を説明する。ライトアンプ電源生成回路はオーバードライブトランジスタP6による出力と、カレントミラー差動増幅回路部のドライバートランジスタP5からの出力との2つの出力を備えている。オーバードライブトランジスタP6はライトオーバードライブ信号VRWODVにより制御され、ライトオーバードライブ電圧VEXTを出力節点VRWに出力する。このようにオーバードライブトランジスタP6は単独で制御されるものである。以下はカレントミラー差動増幅回路部のドライバートランジスタP5からの出力制御について説明する。
ここで参照電圧VRWRとしては常に電圧VRWが入力されているとする。制御信号VRW06、07ともロウレベルである場合は、制御信号VRW06がロウレベルであることから、トランジスタP7、P8はオン状態で、トランジスタP1、P2,P5はオフ状態である。インバータ回路INV1の出力はハイレベルでありカレントミラー回路には電源電圧VEXTが印加させる。しかしトランジスタP1,P2がともにオフであり、カレントミラー回路としては動作していない。ドライバートランジスタP5がオフ状態であり、出力節点VRWの電圧VRWは前のサイクルにおける電圧VRWを保持している。
制御信号VRW06、07ともハイレベルの場合は、トランジスタP7,P8がオフ、インバータINV1がロウ出力することでカレントミラー回路の電源電圧が接地電圧となる。従ってカレントミラー回路としては動作していない。トランジスタN1がオンすることで制御節点VRWDGは接地電圧となりドライバートランジスタP5がオンし、出力節点VRWからライトオーバードライブ電圧VEXTを出力する。制御信号VRW06がハイレベル、制御信号VRW07がロウレベルの場合は、トランジスタP7,P8、N1がオフ、インバータINV1がハイ出力することでカレントミラー回路には電源電圧VEXTが供給される。この状態は通常のカレントミラー差動型の定電圧電源回路であり、参照電圧VRWRと同じ電圧を出力節点VRWから出力する。
カレントミラー差動増幅回路部としては、下記電圧を出力することになる。制御信号VRW06、07ともロウレベルである場合には、出力節点はフローティング状態であり前の状態を保持する。制御信号VRW06、07ともハイレベルである場合には、ドライバートランジスタP5によりライトオーバードライブ電圧VEXTを出力する。制御信号VRW06がハイレベル、制御信号VRW07がロウレベルの場合は、通常のカレントミラー差動型の定電圧電源回路として動作し、参照電圧VRWRと同じ電圧を出力する。ライトアンプ電源生成回路としては、さらに単独にライトオーバードライブ信号VRWODVに制御されたオーバードライブトランジスタP6からライトオーバードライブ電圧VEXTを出力節点VRWに出力することもできる。
このライトアンプ電源生成回路を使用した場合のtRCDミニマムにおける書き込み動作を、図10を参照して説明する。ここでは例えば図9のライトアンプ電源生成回路からの出力電圧VRWを図5のライトアンプ6の電源VRWに供給するものとする。初期状態としては、制御信号VRW06、07ともロウレベル、ライトオーバードライブ信号VRWODVはハイレベル、出力節点はフローティング状態であり、前のサイクルの電圧を保持している。
書き込み動作波形としては、ワード線WL、センスオーバードライブ信号ODV、センスイネーブル信号SE、ラスタイムアウト信号RTO、ライトイネーブル信号WAE、ライトオーバードライブ信号VRWODV、制御信号VRW06、制御信号VRW07、制御節点VRWDG、ライトアンプ電源回路の出力VRW、カラム選択スイッチYSW、センスアンプ電源回路の節点VDL及びビット線対BITT/Nを示す。ビット線対BITT/Nの実線はセンスアンプ近傍のビット線、破線は遠端のビット線を示す。
選択されたワード線WLが活性化され、ビット線対BitT/Nにメモリセルに記憶されたデータのハイ、ロウにより小さな電圧差が生じる。ここではメモリセルデータはロウとし、ビット線対BitT/Nの波形を示す。センスオ-バードライブ信号ODV、センスイネーブル信号SEによりセンスアンプの高電源電圧(SAP)/低電源電圧(SAN)に電源が供給される。高電源電圧(SAP)としてはセンスオ-バードライブ信号ODVにより外部電源電圧VEXTが供給される。低電源電圧(SAN)にはGNDが供給される。センスアンプに供給された高電源電圧(SAP)/低電源電圧(SAN)によりセンスアンプはビット線対BitT/Nを急激に増幅する。
ライトイネーブル信号WAEが活性化され、ライトオーバードライブ信号VRWODVが活性化される。ライトアンプ電源生成回路からオーバードライブ電圧VEXTがライトアンプ6に供給される。カラム選択スイッチYSWが選択され、ビット線対BITT/N及びセンスアンプにライトデータが書き込まれる。このときのライトデータのハイレベルはVEXTであり、カラム選択スイッチYSWのゲート電圧もVEXTであることからVEXT−Vtnがビット線に書き込まれる。このようにセンスアンプがオーバードライブされている状態ではライトアンプの電源もオーバードライブされる。さらにライトイネーブル信号WAEにより制御信号06、07がハイレベルになる。制御信号07によりトランジスタN1がオンし、制御節点VRWDGがロウレベルでドライバートランジスタP5からもオーバードライブ電圧VEXTが供給される。
センスアンプ近傍のビット線対BitT/Nの増幅がほぼ完了した時点で、センスオーバードライブODVが非活性化される。ライトオーバードライブVRWODV、制御信号07も非活性化される(この非活性化タイミングは、後述する信号RTOで非活性化されてもよい)。センスアンプの高電圧電源SAPは内部電圧VDLに変化する。ライトアンプへの電源はオーバードライブトランジスタP6がオフし、カレントミラー差動増幅回路部のトランジスタP1,P2がオンされ、通常のカレントミラー差動型の定電圧電源回路として機能することで、出力として電圧VRWを出力する。
これ以降のライトデータのハイレベルはライトアンプ電源生成回路の出力電圧VRWとなる。ここでライトアンプ電源生成回路の参照電圧VRWRを内部電圧VDLとし、出力電圧VRW=内部電圧VDLと設定することで、センスアンプの高電圧電源SAPと書き込みレベルを同じにできる。この状態のカラム選択スイッチYSWが切り替りことで連続書き込み動作が行われる。しかし連続書き込み動作が行われても書き込みレベルが内部電圧VDLであり、ビット線の過昇圧は発生しない。
このようにセンス初期のオーバードライブに対応する期間の書き込みサイクルにおいてはオーバードライブ電圧による書き込み動作とし、センスオーバードライブが終了した後の書き込みサイクルにおいては内部電圧VDLによる書き込み動作とする。センスオーバードライブ期間にはセンスアンプに内部電圧VDLよりも高いオーバードライブ電圧が供給されることからオーバードライブ電圧による書き込み動作とする。センスアンプ、ライトアンプからオーバードライブ電圧が供給されるが、この時点では遠端のビット線対は増幅途中であり、遠端のビット線対の増幅のために電荷が消費されることからビット線の過昇圧は発生しない。センスオーバードライブが終了した後においては内部電圧VDLによる書き込み動作とする。そのため連続書き込み動作であっても、書き込み電圧が内部電圧VDLであることからビット線の過昇圧は発生しない。このように書き込みサイクルによって書き込みデータのハイレベル電圧を異ならせている。
また、このライトオーバードライブ信号VRWODV及び制御信号07は、センスオーバードライブ信号OVDではなく、図10において破線で示す信号RTOにより活性/非活性化されてもよい。ライトオーバードライブ信号VRWODVはライトイネーブル信号WAEとセンスオーバードライブ信号ODV、又はライトイネーブル信号WAEとラスタイムアウト信号RTOにより活性/非活性化されてもよい。さらにビット線の電位が、メモリセルからのデータを増幅しているかどうかをモニターした信号とライトイネーブル信号WAEにより活性/非活性化されてもよい。
信号RTOはRas-Time-Outと呼ばれている信号である。メモリセルのデータがリストアされ、リフレッシュが完了したのでRAS信号を非活性にしてもよいという信号である。つまりこの信号はセンスアンプからもっとも遠くのビット線においても十分な増幅が行われた時点で発生される信号である。従って信号RTOが発生される以前は遠端のビット線がまだ十分増幅されていないことになる。従ってオーバードライブ書き込み動作を行ってもオーバードライブの電荷はビット線の増幅に使用され、ビット線の過昇圧は発生しない。一方信号RTOが発生された以降は、遠端のビット線が十分増幅され内部電圧VDLに昇圧されていることになる。従ってオーバードライブ書き込み動作を行うと、オーバードライブの電荷はビット線を過昇圧することになる。このようにライトオーバードライブVRWODVは、信号RTOで非活性化しても、ビット線の過昇圧は発生しない。
さらに、ここでのライトオーバードライブ信号VRWODV及び制御信号07は、極性は反転しているが、ともに書き込み用のオーバードライブ電圧を発生させる信号である。そのために制御信号07も1つのライトオーバードライブ信号である。従って制御信号07をセンスオーバードライブ信号OVDで非活性化し、カレントミラー差動型の定電圧電源回路としてスタンバイさせた後に、ライトオーバードライブVRWODVを非活性化することも出来る。このように2つの書き込み用のオーバードライブ機構を備えることでライトオーバードライブの強弱を自由に設定できる利点がある。勿論ライトオーバードライブ信号VRWODVとライトオーバードライブトランジスタP6を省略しドライバートランジスタP5のみとすることもできる。またライトオーバードライブを停止するタイミングはセンスオーバードライブ信号OVDが非活性化以降で、RTOが発生タイミングまでの間であれば自由に設定できる。
図11にライトアンプ電源生成回路の第2の実施例を示す。第2のライトアンプ電源生成回路は、図9に示した第1のライトアンプ電源生成回路の差動トランジスタ部にレギューレータトランジスタP9を付加した電源回路である。レギューレータトランジスタP9はそのソースを差動トランジスタP3のソースに、ゲートを第2の参照電圧VRWR2に、ドレインを差動トランジスタP3のドレインに接続される。レギューレータトランジスタP9は、差動トランジスタP3と並列に接続され、2つのトランジスタにより基準電圧側を構成する。レギューレータトランジスタP9以外の構成素子は図9と同様であり、同じ符号を付しその説明を省略する。また動作としては付加されたレギューレータトランジスタP9とトランジスタP3のゲートに入力される参照電圧により、任意の出力電圧VRWが生成できることは容易に理解できることから、その説明は省略する。
図12にライトアンプ電源生成回路の第3の実施例を示す。第3のライトアンプ電源生成回路は、図11に示した第2のライトアンプ電源生成回路のレギューレータトランジスタP9に、その接続/非接続を制御するトランジスタP10を直列接続した電源回路である。接続制御トランジスタP10はそのソースを差動トランジスタP3のソースに、ゲートを接続信号VRWONに、ドレインをレギューレータトランジスタP9のソースに接続される。接続制御ランジスタP10は、レギューレータトランジスタP9を接続するかどうかを制御する。接続制御トランジスタP10以外の構成素子は図11と同様であり、同じ符号を付しその説明を省略する。また動作も容易に理解できることから、その説明は省略する。
次にライトアンプ電源生成回路に使用される参照電圧を生成する参照電圧生成回路の実施例を示す。参照電圧生成回路は差動増幅回路を基本とし、内部電圧VDLから定電圧VRW2を生成する。図13には、定電圧(VDL+Vtn)を生成する第1の参照電圧生成回路、図14には、定電圧(VDL+2Vtn)を生成する第2の参照電圧生成回路を示す。
図13の第1の参照電圧生成回路は、差動アンプAMPと、トランジスタP11、N2と、電流源i2から構成される。差動アンプAMPは基準入力を内部電圧VDLとし、比較判定される入力をトランジスタN2と電流源i2との節点とし、トランジスタP11のゲートに出力する。トランジスタP11のソースは電源VEXTに、ゲートは差動増幅回路AMPの出力に、ドレインは出力VRWRに接続される。トランジスタN2のドレインとゲートは出力VRWRに、ソースは差動増幅回路AMPの1つの入力及び電流源i1に接続される。電流源i1の一端はトランジスタN2のソース及び差動増幅回路AMPの1つの入力に、他端は接地電圧に接続される。第1の参照電圧生成回路は、内部電圧VDLとトランジスタN2と電流源i2との節点電圧を比較し、出力VRWR=VDL+Vtnを出力する。ここでVtnはトランジスタN2の閾値電圧である。
図14の第2の参照電圧生成回路は、図13における第1の参照電圧生成回路のトランジスタを多段積にし、トランジスタN2,N3で構成したものである。トランジスタN3のドレインとゲートはトランジスタN2のソースに、ソースは差動増幅回路AMPの1つの入力及び電流源i1に接続される。他の構成素子の接続は第1の参照電圧生成回路と同様である。第2の参照電圧生成回路は、内部電圧VDLとトランジスタN2と電流源i2との節点電圧を比較し、出力VRWR=VDL+2Vtnを出力する。トランジスタN2、N3は同一の閾値電圧Vtnを備えたトランジスタである。
本発明における連続書き込みは、センスアンプがオーバードライブされている期間、又はビット線対のレベルが十分増幅されまでの期間はオーバードライブ方式の書き込み動作とする。ライトオーバードライブ信号をセンスオーバードライブ信号又は信号RTOにより非活性化させることを特徴とする。さらにこれらを構成するためのライトアンプ電源生成回路及び定電圧生成回路を提供する。本願の構成とすることで連続書き込みによるビット線の過昇圧、センス動作の誤動作が防止できる。ビット線を過昇圧させないオーバードライブ書き込み方法、ライトアンプ電源生成回路及びこれらを備えた半導体記憶装置が得られる。
本発明における連続書き込みは、センスアンプがオーバードライブされている期間、又はビット線対のレベルが十分増幅されまでの期間はオーバードライブ方式の書き込み動作とする。ライトオーバードライブ信号をセンスオーバードライブ信号又は信号RTOにより非活性化させることを特徴とする。さらにこれらを構成するためのライトアンプ電源生成回路及び定電圧生成回路を提供する。本願の構成とすることで連続書き込みによるビット線の過昇圧、センス動作の誤動作が防止できる。ビット線を過昇圧させないオーバードライブ書き込み方法、ライトアンプ電源生成回路及びこれらを備えた半導体記憶装置が得られる。
以上、実施例につき詳述したが、本願は前記実施例に限定されるものではなく、種々変更して実施することが可能である。これらの組み合わせは限定されることなく、任意に組み合わせて適用することが可能である。本発明の概念を超えない範囲で、種々変更して実施することが可能であり、これらが本願に含まれることはいうまでもない。
1 メモリセルアレイ
2 ワードドライバー(列)(WD)
3 センスアンプ(列)(SA)
4 カラム選択スイッチ(YSW)
5 IO選択スイッチ
6 ライトアンプ(WAMP、DAMP)
7 センスアンプ電源回路
P1、P2、P3、P4、P5、P6、P7、P8、P9、P10、P11、N1、N2、N3 トランジスタ
INV1 インバータ回路
i1、i2 電流源
AMP 差動増幅回路
2 ワードドライバー(列)(WD)
3 センスアンプ(列)(SA)
4 カラム選択スイッチ(YSW)
5 IO選択スイッチ
6 ライトアンプ(WAMP、DAMP)
7 センスアンプ電源回路
P1、P2、P3、P4、P5、P6、P7、P8、P9、P10、P11、N1、N2、N3 トランジスタ
INV1 インバータ回路
i1、i2 電流源
AMP 差動増幅回路
Claims (14)
- 半導体記憶装置において、ライトアンプの電源電圧として、ライトオーバードライブ信号が活性化された状態の書き込みサイクルにおいては第1の電圧を供給し、前記ライトオーバードライブ信号が非活性化された状態の書き込みサイクルにおいては第2の電圧を供給するライトアンプ電源生成回路を備えたことを特徴とする半導体記憶装置。
- 前記第2の電圧はメモリセルに書き込まれるハイレベル電圧であり、前記第1の電圧は前記第2の電圧より高いことを特徴とする請求項1に記載の半導体記憶装置。
- 前記ライトオーバードライブ信号は、ライトイネーブル信号の活性化により活性化され、メモリセルに記憶されたデータに従って増幅されるビット線対が増幅終了するまでの期間内に非活性化されることを特徴とする請求項2に記載の半導体記憶装置。
- 前記ライトオーバードライブ信号は、センスオーバーライト信号及びライトイネーブル信号の活性化により活性化され、センスオーバードライブ信号の非活性化により非活性化されることを特徴とする請求項2に記載の半導体記憶装置。
- 前記ライトオーバードライブ信号は、ラスタイムアウト信号及びライトイネーブル信号の活性化により活性化され、ラスタイムアウト信号の非活性化により非活性化されることを特徴とする請求項2に記載の半導体記憶装置。
- 前記ライトアンプ電源生成回路は、カレントミラートランジスタと、それぞれ参照電圧と出力電圧とが入力される差動入力トランジスタと、ドライバートランジスタとを備え、前記カレントミラートランジスタ及びドライバートランジスタのゲート電圧を制御することを特徴とする請求項2に記載の半導体記憶装置。
- 前記参照電圧が入力される差動入力トランジスタに、さらに並列にレギューレータトランジスタを備え、前記レギューレータトランジスタのゲートには第2の参照電圧が入力されることを特徴とする請求項6に記載の半導体記憶装置。
- 前記レギューレータトランジスタに、さらに直列に接続制御トランジスタを備え、前記接続制御トランジスタのゲートには接続制御信号が入力されることを特徴とする請求項7に記載の半導体記憶装置。
- オーバードライブ書き込み方法において、それぞれの書き込みサイクルにおけるライトアンプからの書き込みハイレベルをメモリセルに記憶されたデータに従って増幅されるビット線対の増幅状態に応じて異ならせることを特徴とするオーバードライブ書き込み方法。
- 前記書き込みハイレベルは、ビット線対が増幅途中の書き込みサイクルにおいては第1の電圧とし、前記ビット線対が増幅終了後の書き込みサイクルにおいては第2の電圧とすることを特徴とする請求項9に記載のオーバードライブ書き込み方法。
- 前記第2の電圧はメモリセルに書き込まれるハイレベル電圧であり、前記第1の電圧は前記第2の電圧より高いことを特徴とする請求項10に記載のオーバードライブ書き込み方法。
- 書き込みハイレベルを前記第1の電圧とする書き込から前記第2の電圧とする書き込への切り替えは、センスオーバードライブ信号の非活性化に同期して行うことを特徴とする請求項11に記載のオーバードライブ書き込み方法。
- 書き込みハイレベルを前記第1の電圧とするオーバードライブ書き込から前記第2の電圧とする書き込への切り替えは、ラスタイムアウト信号により行うことを特徴とする請求項11に記載のオーバードライブ書き込み方法。
- 請求項9乃至13に記載のいずれかのオーバードライブ書き込み方法で書き込み動作することを特徴とする半導体記憶装置。
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