JP2007201426A5 - - Google Patents
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- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims 4
Claims (26)
- 基板と、
前記基板上に設けられたソース領域、ドレイン領域、および前記ソース領域とドレイン領域の間に設けられたチャネル形成領域を有する半導体膜と、
前記半導体膜上に設けられた第1のゲート絶縁膜と、
前記第1のゲート絶縁膜を介して、前記チャネル形成領域と重なるように設けられたフローティングゲート電極と、
前記フローティングゲート電極を覆うように設けられた第2のゲート絶縁膜と、
前記第2のゲート絶縁膜を介して、前記フローティングゲート電極の上面および側面を覆い、かつ、前記半導体膜のソース領域およびドレイン領域方向に設けられたコントロールゲート電極と、
前記フローティングゲート電極によって生じた前記コントロールゲート電極の段差部分に設けられたサイドウォールと、
を有することを特徴とする半導体装置。 - 請求項1において、
前記半導体膜は、チャネル形成領域、ソース領域及びドレイン領域が設けられ、
前記コントロールゲート電極は、前記第1のゲート絶縁膜を介して、前記ソース領域及びドレイン領域と重なっており、
前記コントロールゲート電極と前記ソース領域及び前記ドレイン領域の一方との重なった領域のゲート長方向の長さと、前記コントロールゲート電極と前記ソース領域及び前記ドレイン領域の他方との重なった領域のゲート長方向の長さとは、同じ又は概略同じであることを特徴とする半導体装置。 - 請求項1において、
前記半導体膜は、チャネル形成領域、ソース領域及びドレイン領域が設けられ、
前記コントロールゲート電極は、前記第1のゲート絶縁膜を介して、前記ソース領域及びドレイン領域と重なっており、
前記コントロールゲート電極と前記ソース領域及び前記ドレイン領域の一方との重なった領域の面積と、前記コントロールゲート電極と前記ソース領域及び前記ドレイン領域の他方との重なった領域の面積とは、同じ又は概略同じであることを特徴とする半導体装置
。 - 請求項1において、
前記半導体膜は、チャネル形成領域、一対の第1の不純物領域、一対の第2の不純物領域が設けられ、
前記一対の第2の不純物領域は、それぞれ、前記一対の第1の不純物領域とチャネル形成領域との間に設けられ、
前記コントロールゲート電極は、前記第1のゲート絶縁膜を介して、前記一対の第2の不純物領域と重なっており、
前記コントロールゲート電極と一対の第2の不純物領域の一方との重なった領域のゲート長方向の長さと、前記コントロールゲート電極と一対の第2の不純物領域の他方との重なった領域のゲート長方向の長さとは、同じ又は概略同じであることを特徴とする半導体装置。 - 請求項1において、
前記半導体膜は、チャネル形成領域、一対の第1の不純物領域及び一対の第2の不純物領域が設けられ、
前記第2の不純物領域は、前記第1の不純物領域とチャネル形成領域との間に設けられ、
前記コントロールゲート電極は、前記第1のゲート絶縁膜を介して、前記一対の第2の不純物領域と重なっており、
前記コントロールゲート電極と一対の第2の不純物領域の一方との重なった領域の面積と、前記コントロールゲート電極と一対の第2の不純物領域の他方との重なった領域の面積とは、同じ又は、概略同じであることを特徴とする半導体装置。 - 基板と、
前記基板上に設けられたソース領域、ドレイン領域、および前記ソース領域とドレイン領域の間に設けられたチャネル形成領域を有する半導体膜と、
前記半導体膜上に設けられた第1のゲート絶縁膜と、
前記第1のゲート絶縁膜を介して、前記チャネル形成領域と重なるように設けられ、第1のフローティングゲート電極及び前記第1のフローティングゲート電極上の第2のフローティングゲート電極からなり、前記第1のフローティングゲート電極のゲート長が前記第2のフローティングゲート電極のゲート長よりも長い、フローティングゲート電極と、
前記フローティングゲート電極を覆うように設けられた第2のゲート絶縁膜と、
前記第2のゲート絶縁膜を介して、前記フローティングゲート電極の上面および側面を覆い、かつ、前記半導体膜のソース領域およびドレイン領域方向に設けられたコントロールゲート電極と、
前記フローティングゲート電極によって生じた前記コントロールゲート電極の段差部分に設けられたサイドウォールと、
を有することを特徴とする半導体装置。 - 請求項6において、
前記半導体膜は、チャネル形成領域、一対のLDD領域、ソース領域及びドレイン領域が設けられ、
前記コントロールゲート電極は、前記第1のゲート絶縁膜を介して前記LDD領域と重なっており、
前記コントロールゲート電極と前記一対のLDD領域の一方との重なった領域のゲート長方向の長さと、前記コントロールゲート電極と前記一対のLDD領域の他方との重なった領域のゲート長方向の長さとは、同じ又は概略同じであることを特徴とする半導体装置。 - 請求項6において、
前記半導体膜は、チャネル形成領域、一対のLDD領域、ソース領域及びドレイン領域が設けられ、
前記コントロールゲート電極は、前記第1のゲート絶縁膜を介して前記LDD領域と重なっており、
前記コントロールゲート電極と前記一対のLDD領域の一方との重なった領域の面積と、前記コントロールゲート電極と前記一対のLDD領域の他方との重なった領域の面積とは、同じ又は概略同じであることを特徴とする半導体装置。 - 請求項6において、
前記半導体膜は、チャネル形成領域、一対の第1の不純物領域、一対の第2の不純物領域、及び一対の第3の不純物領域が設けられ、
前記一対の第2の不純物領域は、それぞれ、前記一対の第3の不純物領域とチャネル形成領域との間に設けられ、
前記一対の第3の不純物領域は、それぞれ、前記一対の第1の不純物領域と前記一対の第2の不純物領域との間に設けられ、
前記コントロールゲート電極は、前記第1のゲート絶縁膜を介して前記一対の第3の不純物領域と重なっており、
前記コントロールゲート電極と一対の第3の不純物領域の一方との重なった領域のゲート長方向の長さと、前記コントロールゲート電極と一対の第3の不純物領域の他方との重なった領域のゲート長方向の長さとは、同じ又は概略同じであることを特徴とする半導体装置。 - 請求項6において、
前記半導体膜は、チャネル形成領域、一対の第1の不純物領域、一対の第2の不純物領域、及び一対の第3の不純物領域が設けられ、
前記第2の不純物領域は、前記第3の不純物領域とチャネル形成領域との間に設けられ、
前記第3の不純物領域は、前記第1の不純物領域と前記第2の不純物領域との間に設けられ、
前記コントロールゲート電極は、前記第1のゲート絶縁膜を介して前記一対の第3の不純物領域と重なっており、
前記コントロールゲート電極と一対の第3の不純物領域の一方との重なった領域の面積と、前記コントロールゲート電極と一対の第3の不純物領域の他方との重なった領域の面積とは、同じ又は概略同じであることを特徴とする半導体装置。 - ソース領域、ドレイン領域、およびチャネル形成領域からなる半導体膜を形成し、
前記半導体膜上に第1のゲート絶縁膜を形成し、
前記第1のゲート絶縁膜上に前記チャネル形成領域と重なるようにフローティングゲート電極を形成し、
前記フローティングゲート電極を覆うように第2のゲート絶縁膜を形成し、
前記第2のゲート絶縁膜上に導電膜を形成し、
前記導電膜上に膜を形成し、
前記膜を異方性エッチングすることにより、前記フローティングゲート電極によって前記導電膜に生じている段差部分にサイドウォールを形成し、
前記導電膜上であって、前記フローティングゲート電極によって前記導電膜に生じている段差の上段部分にマスクを形成し、
前記マスク及びサイドウォールを用いて前記導電膜をエッチングしてコントロールゲート電極を形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。 - 請求項11において、
前記マスクは、前記導電膜におけるフローティングゲートと重なる上面および前記サイドウォールを覆って形成されることを特徴とする半導体装置の作製方法。 - 請求項11又は12において、
前記フローティングゲート電極をマスクとしてn型又はp型の不純物を前記半導体膜に添加して前記半導体膜にチャネル形成領域、ソース領域及びドレイン領域を形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。 - 請求項13において、
前記コントロールゲート電極は、前記第1のゲート絶縁膜を介して、前記ソース領域及びドレイン領域と重なっており、
前記コントロールゲート電極と前記ソース領域及び前記ドレイン領域の一方との重なった領域のゲート長方向の長さと、前記コントロールゲート電極と前記ソース領域及び前記ドレイン領域の他方との重なった領域のゲート長方向の長さとは、同じ又は概略同じであることを特徴とする半導体装置の作製方法。 - 請求項13において、
前記コントロールゲート電極は、前記第1のゲート絶縁膜を介して、前記ソース領域及びドレイン領域と重なっており、
前記コントロールゲート電極と前記ソース領域及び前記ドレイン領域の一方との重なった領域の面積と、前記コントロールゲート電極と前記ソース領域及び前記ドレイン領域の他方との重なった領域の面積とは、同じ又は概略同じであることを特徴とする半導体装置の作製方法。 - 請求項11又は12において、
前記フローティングゲート電極をマスクとしてn型又はp型の不純物を前記半導体膜に添加し、
前記コントロールゲート電極をマスクとして、前記n型又はp型の不純物と同じ導電型の不純物を前記半導体膜に添加して前記半導体膜にチャネル形成領域、一対の第1の不純物領域、一対の第2の不純物領域を形成し、
前記一対の第2の不純物領域は、前記第1のゲート絶縁膜を介して前記コントロールゲート電極と重なった領域に形成されることを特徴とする半導体装置の作製方法。 - 請求項16において、
前記コントロールゲート電極と一対の第2の不純物領域の一方との重なった領域のゲート長方向の長さと、前記コントロールゲート電極と一対の第2の不純物領域の他方との重なった領域のゲート長方向の長さとは、同じ又は概略同じであることを特徴とする半導体装置の作製方法。 - 請求項16において、
前記コントロールゲート電極と一対の第2の不純物領域の一方との重なった領域の面積と、前記コントロールゲート電極と一対の第2の不純物領域の他方との重なった領域の面積とは、同じ又は概略同じであることを特徴とする半導体装置の作製方法。 - ソース領域、ドレイン領域、およびチャネル形成領域からなる半導体膜を形成し、
前記半導体膜上に第1のゲート絶縁膜を形成し、
前記第1のゲート絶縁膜上に前記チャネル形成領域と重なるように第1の導電膜を形成し、
前記第1の導電膜上に第2の導電膜を形成し、
前記第2の導電膜上にマスクを形成し、
前記マスクを用いて第1のエッチングを行い、第1の導電膜を第1のフローティングゲート電極にするとともに、前記第2の導電膜を第3の導電膜にし、
第2のエッチングを行い、第3の導電膜の側部をエッチングして、第1のフローティングゲート電極よりもゲート長が短い第2のフローティングゲート電極を形成することで、第1のフローティングゲート電極及び第2のフローティングゲート電極からなるフローティングゲート電極を形成し、
前記フローティングゲート電極を覆って第2のゲート絶縁膜を形成し、
前記第2のゲート絶縁膜上に導電膜を形成し、
前記導電膜上に膜を形成し、
前記膜を異方性エッチングすることにより、前記フローティングゲート電極によって前記導電膜に生じている段差部分にサイドウォールを形成し、
前記導電膜上であって、前記フローティングゲート電極によって前記導電膜に生じている段差の上段部分にマスクを形成し、
前記マスク及びサイドウォールを用いて前記導電膜をエッチングしてコントロールゲート電極を形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。 - 請求項19において、
前記マスクは、前記導電膜上のフローティングゲート電極と重なる部分の上部及び前記サイドウォールを覆って形成されることを特徴とする半導体装置の作製方法。 - 請求項19又は20において、
前記フローティングゲート電極をマスクとしてn型又はp型の不純物を前記半導体膜に添加して、前記半導体膜にチャネル形成領域、一対のLDD領域、ソース領域、及びドレイン領域を形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。 - 請求項21において、
前記コントロールゲート電極は、前記第1のゲート絶縁膜を介して前記LDD領域と重なっており、
前記コントロールゲート電極と前記一対のLDD領域の一方との重なった領域のゲート長方向の長さと、前記コントロールゲート電極と前記一対のLDD領域の他方との重なった領域のゲート長方向の長さとは、同じ又は概略同じであることを特徴とする半導体装置の作製方法。 - 請求項21において、
前記コントロールゲート電極は、前記第1のゲート絶縁膜を介して前記LDD領域と重なっており、
前記コントロールゲート電極と前記一対のLDD領域の一方との重なった領域の面積と、前記コントロールゲート電極と前記一対のLDD領域の他方との重なった領域の面積とは、同じ又は概略同じであることを特徴とする半導体装置の作製方法。 - 請求項19又は20において、
前記フローティングゲート電極をマスクとしてn型又はp型の不純物を前記半導体膜に添加し、
前記コントロールゲート電極をマスクとして、前記n型又はp型の不純物と同じ導電型の不純物を前記半導体膜に添加して前記半導体膜にチャネル形成領域、一対の第1の不純物領域、一対の第2の不純物領域、一対の第3の不純物領域を形成し、
前記第2の不純物領域は、前記第3の不純物領域とチャネル形成領域との間に形成され、
前記第3の不純物領域は、前記第1の不純物領域と前記第2の不純物領域との間に形成され、
前記一対の第3の不純物領域は、前記第1のゲート絶縁膜を介して前記コントロールゲート電極と重なった領域に形成されることを特徴とする半導体装置の作製方法。 - 請求項24において、
前記コントロールゲート電極と一対の第3の不純物領域の一方との重なった領域のゲート長方向の長さと、前記コントロールゲート電極と一対の第3の不純物領域の他方との重なった領域のゲート長方向の長さとは、同じ又は概略同じであることを特徴とする半導体装置の作製方法。 - 請求項24において、
前記コントロールゲート電極と一対の第3の不純物領域の一方との重なった領域の面積と、前記コントロールゲート電極と一対の第3の不純物領域の他方との重なった領域の面積とは、同じ又は概略同じであることを特徴とする半導体装置の作製方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2006332801A JP5063097B2 (ja) | 2005-12-26 | 2006-12-11 | 半導体装置およびその作製方法 |
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2005373010 | 2005-12-26 | ||
JP2005373010 | 2005-12-26 | ||
JP2006332801A JP5063097B2 (ja) | 2005-12-26 | 2006-12-11 | 半導体装置およびその作製方法 |
Publications (3)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2007201426A JP2007201426A (ja) | 2007-08-09 |
JP2007201426A5 true JP2007201426A5 (ja) | 2010-02-04 |
JP5063097B2 JP5063097B2 (ja) | 2012-10-31 |
Family
ID=38455644
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2006332801A Expired - Fee Related JP5063097B2 (ja) | 2005-12-26 | 2006-12-11 | 半導体装置およびその作製方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP5063097B2 (ja) |
Families Citing this family (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP5297610B2 (ja) * | 2007-08-10 | 2013-09-25 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置の作製方法 |
US8188535B2 (en) * | 2008-05-16 | 2012-05-29 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Nonvolatile semiconductor memory device and manufacturing method thereof |
KR101616368B1 (ko) * | 2009-09-10 | 2016-04-28 | 엘지디스플레이 주식회사 | 산화물 박막 트랜지스터의 제조방법 |
Family Cites Families (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
FR2616576B1 (fr) * | 1987-06-12 | 1992-09-18 | Commissariat Energie Atomique | Cellule de memoire eprom et son procede de fabrication |
-
2006
- 2006-12-11 JP JP2006332801A patent/JP5063097B2/ja not_active Expired - Fee Related
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