JP2007194392A - 半導体記憶装置及びその動作方法 - Google Patents

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信三 香山
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Abstract

【課題】浮遊電極を用いることで、従来例に比べて1端子削減された3端子で情報の書き込み及び読み出し動作を行うことができる半導体記憶装置を提供する。
【解決手段】半導体記憶装置は、強誘電体膜(107)と絶縁膜(106)との積層構造を有し、強誘電体膜(107)と絶縁膜(106)との界面に接するように互いに間隔を置いて形成され、界面に流れる電流を検知する第1の電極(103)及び第2の電極(104)と、第1の電極(103)と第2の電極(104)との間に位置している強誘電体膜と絶縁膜とを挟むように形成された第3の電極(105)及び第4の電極(108)とを備える。第3の電極(105)及び第4の電極(108)のうちのいずれか一方は浮遊電極である。
【選択図】図1

Description

本発明は、強誘電体膜を用いた半導体記憶装置に関し、特に、絶縁膜と強誘電体膜との界面における抵抗変化を利用した不揮発性メモリ素子に関する。
従来、絶縁膜と強誘電体膜との界面における抵抗変化を利用した不揮発性メモリ素子では、一般に、強誘電体膜の分極の向きによって変化する絶縁膜と強誘電体膜との界面に流れる電流を利用して、情報の書き込み及び読み出しが行われている。このように、従来の不揮発性メモリ素子では、分極の反転を伴うことなく情報の読み出しが行われ、非破壊で情報の読み出しが可能である(以上、例えば特許文献1における図1参照)
特開2003―332538号公報
ところで、従来の不揮発性メモリ素子において、情報の読み出し及び書き込みを行うためには、ソース電極、ドレイン電極、ゲート電極、及び書き込み電極の4端子が必要であった。
そこで、前記に鑑み、本発明の目的は、情報の読み出し及び書き込みを3端子で実現できる、絶縁膜と強誘電体膜との界面に流れる電流を利用した半導体記憶装置を提供することである。
前記の目的を達成するために、本発明の一側面に係る半導体記憶装置は、強誘電体膜と絶縁膜との積層構造を有し、強誘電体膜と絶縁膜との界面に接するように互いに間隔を置いて形成され、界面に流れる電流を検知する第1の電極及び第2の電極と、第1の電極と第2の電極との間に位置する強誘電体膜及び絶縁膜を挟むように形成された第3の電極及び第4の電極とを備え、第3の電極及び第4の電極のうちのいずれか一方は浮遊電極である。
本発明の一側面に係る半導体記憶装置によると、例えばゲート電極となる第3の電極及び第4の電極のうち、例えばソース電極又はドレイン電極となる第1の電極と第2の電極との間に形成されている電極を浮遊電極としているので、書き込み時に必要な端子を浮遊電極となる金属で代行することができる。したがって、従来例よりも1端子削減された3端子で動作する高密度化メモリを実現することができる。
本発明の一側面に係る半導体記憶装置において、絶縁膜を介し、浮遊電極と第1の電極とを有してなる第1の容量と、絶縁膜を介し、浮遊電極と第2の電極とを有してなる第2の容量とは、互いに異なる容量値を有していることが好ましく、例えば、浮遊電極は、第1の電極からの第1の距離と第2の電極からの第2の距離とが異なるように配置されている構造が望ましい。
このようにすると、例えばソース電極又はドレイン電極となる第1の電極と第2の電極との間に印加する電圧を小さく抑えながら浮遊電極に印加する電圧を大きくすることができる。
本発明の一側面に係る半導体記憶装置によると、浮遊電極を用いることで、従来例に比べて1端子削減し、3端子で情報の書き込み及び読み出しを行うことができる半導体記憶装置を実現することができる。
以下、本発明の一実施形態に係る半導体記憶装置について、図面を参照しながら説明する。
図1は、本発明の一実施形態に係る半導体記憶装置の構造を示す断面図である。
図1に示すように、例えばシリコンよりなる半導体基板101上には、例えばシリコン酸化膜、シリコン窒化膜、又はシリコン窒化酸化膜などよりなる第1の絶縁膜102が形成されている。第1の絶縁膜102の上には、ソース電極となる第1の導電膜103とドレイン電極となる第2の導電膜104とが互いに間隔を置いて形成されており、第1の導電膜103と第2の導電膜104との間には、電気的に接続されない浮遊電極となる第3の導電膜105が形成されている。なお、浮遊電極となる第3の導電膜105は、後述するように、ソース電極103とドレイン電極104との間で非対称となる位置に配置されるように形成されていることが望ましい。
また、第1の絶縁膜102の上には、第1の導電膜103及び第2の導電膜104の上部が突き出ると共に第3の導電膜105が覆われるように、例えばシリコン酸化膜、シリコン窒化膜、又はシリコン窒化酸化膜などよりなる第2の絶縁膜106が形成されている。第2の絶縁膜106の上には、第1の導電膜103及び第2の導電膜104を覆うように、強誘電体膜107が形成されている。ここで、強誘電体膜107としては、例えば、SBT(SrBi2Ta29)、SBTN(SrBi2(Ta,Nb)29 )、BLT((Bi,La)4Ti312 )、BiFeO3 、PbTiO3 、PZT(Pb(Zr,Ti)O3 )、PLZT((Pb,La)(Zr,Ti)O3 )、BaTiO3 、LiNbO3 、又はSrTiO3 などの分極を有する強誘電体材料を用いるとよい。
また、強誘電体膜107の上には、第1の導電膜103と第2の導電膜104との間に存在し、第2の絶縁膜106と強誘電体膜107との界面を介して第3の導電膜105と対向するように、ゲート電極となる第4の導電膜108が形成されている。
ここで、以上で説明した第1の導電膜103、第2の導電膜104、第3の導電膜105、及び第4の導電膜108としては、白金、金、銀、銅、又はアルミニウム等の金属材料を用いるとよい。
次に、以上の構成を有する本発明の一実施形態に係る半導体記憶装置の動作について説明する。
<書き込み動作>
まず最初に、ソース電極(第1の導電膜103)を接地した状態で、ドレイン電極(第2の導電膜104)に対して、書き込み入力データに対応する電圧Vdを印加する。次に、書き込み入力データに対応する電圧Vdがドレイン電極に印加された状態で、ゲート電極(第4の導電膜108)に対してパルス電圧を印加する。このとき、書き込み入力データがデータハイに対応する高電圧であれば、強誘電体膜107は、膜厚方向における上方向へ分極反転する一方、書き込み入力データがデータロウに対応する低電圧であれば、強誘電体膜107は、膜厚方向における下方向へ分極反転する。
このように、書き込み時に必要な端子の代わりに浮遊電極となる金属(第3の導電膜105)を用いることにより、ソース電極とドレイン電極との間に位置する第2の絶縁膜106と強誘電体膜107との界面上の領域で分極反転を生じさせて、情報の書き込みを行うことができる。
ここで、浮遊電極(第3の導電膜105)の電圧Vfとしては、ソース電極と浮遊電極との間の第1の容量Cfsと、浮遊電極とドレイン電極との間の第2の容量Cfdとの容量結合によって、電圧Vf=(Cfd/(Cfd+Cfs))×Vsd(但し、Vsdはソース電極とドレイン電極間のソース・ドレイン間電圧(書き込み電圧))と表される。このため、浮遊電極が、ソース電極とドレイン電極との間において非対称な位置になるように配置することにより、ソース・ドレイン間電圧Vsdを小さく抑えながら電圧Vfを大きくすることが可能になる。例えば、膜厚をソース電極と浮遊電極との間隔を10nmとし、ドレイン電極と浮遊電極との間隔を50nmとすると共に、ソース・ドレイン間電圧Vsdを12Vとした場合には、浮遊電極の電圧Vfは10Vになる。このとき、第2の絶縁膜106における浮遊電極上に存在する部分の膜厚を5nm、強誘電体膜107の膜厚を100nmとすると共に、第2の絶縁膜106の比誘電率を5とし、強誘電体膜107の比誘電率を300とすると、強誘電体膜107に印加される電圧として2.5Vを得ることできる。したがって、膜厚が100nmの強誘電体膜107の分極を反転させるために十分な電圧を強誘電体膜107に対して印加することができる。このように、第1の容量Cfd、第2の容量Cfs、及び、浮遊電極107と強誘電体膜107との間の容量を慎重に設計することにより、強誘電体膜107への印加電圧を制御することができる。
<読み出し動作>
まず最初に、ソース電極(第1の導電膜103)を接地する。次に、ドレイン電極(第2の導電膜104)に対して読み出し電圧を印加する。このとき、強誘電体膜107の分極の向きにより、ソース電極とドレイン電極との間に位置する第2の絶縁膜106と強誘電体膜107との界面に流れる電流が異なるので、例えばソース電極とドレイン電極との間に接続した電流計(図示せず)などを用いて、この界面電流を検出することによって情報の読み出しを行うことができる。
以上のように、本発明の一実施形態に係る半導体装置によると、電気的に接続されていない浮遊電極(第3の導電膜105)を用いることにより、書き込み用端子を必要としていた従来の半導体記憶装置と比べて1端子削減された3端子で、情報の書き込み及び読み出し動作を行うことができる。
本発明に係る半導体記憶装置は、高密度混載メモリとして有用である。また、フラッシュメモリを超える高密度スタンドアローンメモリの用途にも応用できる。
本発明の一実施形態に係る半導体記憶装置の構造を示す断面図である。
符号の説明
101 半導体基板
102 第1の絶縁膜
103 第1の導電膜(ソース電極)
104 第2の導電膜(ドレイン電極)
105 第3の導電膜(浮遊電極)
106 第2の絶縁膜
107 強誘電体膜
108 第4の導電膜(ゲート電極)

Claims (3)

  1. 強誘電体膜と絶縁膜との積層構造を有し、
    前記強誘電体膜と前記絶縁膜との界面に接するように互いに間隔を置いて形成され、前記界面に流れる電流を検知する第1の電極及び第2の電極と、
    前記第1の電極と前記第2の電極との間に位置する前記強誘電体膜及び前記絶縁膜を挟むように形成された第3の電極及び第4の電極とを備え、
    前記第3の電極及び前記第4の電極のうちのいずれか一方は浮遊電極であることを特徴とする半導体記憶装置。
  2. 前記絶縁膜を介し、前記浮遊電極と前記第1の電極とを有してなる第1の容量と、前記絶縁膜を介し、前記浮遊電極と前記第2の電極とを有してなる第2の容量とは、互いに異なる容量値を有していることを特徴とする請求項1に記載の半導体記憶装置。
  3. 前記浮遊電極は、前記第1の電極からの第1の距離と前記第2の電極からの第2の距離とが異なるように配置されていることを特徴とする請求項1に記載の半導体装置。
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* Cited by examiner, † Cited by third party
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CN102714497A (zh) * 2010-09-02 2012-10-03 松下电器产业株式会社 驱动非易失性逻辑电路的方法
CN102742163A (zh) * 2010-03-10 2012-10-17 松下电器产业株式会社 驱动非易失性逻辑电路作为“异”电路的方法

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