JP2007184572A - 基板を処理する機器及びそのベース - Google Patents

Abstract

【課題】基板の表面、特に下表面から静電気を効果的に除去し、ガラス基板とベースの間の静電気力を減少して、基板を湾曲と破損から防ぐことができる基板を処理する機器及びそのベースを提供すること。
【解決手段】基板を処理する機器であって、チャンバー、前記チャンバーに設置され、その表面に設置された複数の開孔とその中に設置され、前記開孔と通じるパイプを含むベース、前記ベースの上に設置され、前記基板を支持する少なくとも１つの支持構造、及び前記パイプに設置され、イオンガスを作り、前記イオンガスが前記パイプと前記開孔を通過して前記基板に向けて噴出され、前記基板から静電気を除去するイオンガス発生器を含む基板を処理する機器。
【選択図】図７

Description

本発明は、機器に関し、特に、露光機器に関するものである。

図１０は、チャンバー２、ベース６及びＸ線発生器４を含む従来の露光機器１を表している。ベース６及びＸ線発生器４は、チャンバー２内に設置される。ガラス基板３は、ベース６の上に配置される。Ｘ線発生器４は、Ｘ線５をガラス基板３に向けて放射し、そこから静電気を除去する。しかし、Ｘ線５は、ガラス基板３の上表面からの静電気のみ除去し、基板３の下表面に残った静電気は、静電気力によってベース６に引き付けられる。このように、図１１に示すように、ベース６の支持構造（支持柱）７がガラス基板を上げて接触した時、ガラス基板３とベース６の間の静電気力が、ガラス基板３を湾曲させ、破損させる可能性がある。

このような対策として、特許文献１（特開２００３−２５８０７１号公報）には、保持部材と台座部材とに渡って貼着された柔軟性を有する導電性部材を用い、保持部材の少なくとも導電性部材が貼着される部分を研磨加工した基板保持装置が提案されている。また、特許文献２（特開２００２−１５８２７７号公報）には、基板保持部に複数の除電針を設けたり、基板保持部に帯電防止剤を塗布した基板ホルダが開示されている。

特開２００３−２５８０７１号公報 特開２００２−１５８２７７号公報

しかし、このような対策を採用したとしても、露光機器のチャンバー内で、ベース上の基板表面からの静電気の除去は充分ではなかった。

従って、本発明の目的は、基板の上表面及び下表面から静電気を効果的に除去し、ガラス基板とベースの間の静電気力を減少して、基板を湾曲と破損から防ぐ基板を処理する機器及びそのベースを提供することにある。

本発明は、ベース、少なくとも１つの支持構造、少なくとも１つの突出柱及びイオンガス発生器を含む基板を処理する機器を提供する。支持構造は、ベースの上に設置され、支持される。突出柱は、ベースの上に設置される。イオンガス発生器は、イオンガスを作り、支持構造と突出柱に通じている。イオンガスは、支持構造又は突出柱から選択的に基板に向けて噴出され、又は支持構造と突出柱の両方から同時に基板に向けて噴出され、その表面から静電気を除去する。

本発明によれば、基板の上表面及び下表面から静電気を効果的に除去し、ガラス基板とベースの間の静電気力を減少して、基板を湾曲と破損から防ぐことができる。

本発明についての目的、特徴、長所が一層明確に理解されるよう、以下に実施形態を例示し、図面を参照にしながら、詳細に説明する。

図１は、本発明の第１実施形態の露光機器のベース１１０を表しており、複数の支持構造（支持柱）１１１と複数の開孔１１２を含む。支持構造１１１は、マトリクス配列され、第１位置（図１に図示）と第２位置（図２に図示）の間で移動可能である。図３に示すように、支持構造１１１が第２位置にある時、基板３は、ベース１１０に設置される。図４に示すように、基板３が露光された後、支持構造１１１は、第１位置に移動し、基板３を上げる。図５は、チャンバー１２０、ベース１１０及びイオンガス発生器１１４を含む本発明の露光機器１００を表している。ベース１１０は、チャンバー１２０に設置される。イオンガス発生器１１４は、ベース１１０の中に設置される。ベース１１０は、開孔１１２とイオンガス発生器１１４に通じたパイプ１１３を更に含む。静電気を除去するために、基板３をベース１１０の上に配置する。イオンガス１１５は、イオンガス発生器１１４によって作り出され、パイプ１１３を通過して基板３の下表面に接触し、そこから静電気を除去する。

図６を参照ください。露光機器１００は、チャンバー１２０の中に設置され、Ｘ線１３１を作り出すＸ線発生器１３０を更に含む。イオンガス１１５とＸ線１３１は、基板３の上表面と下表面から静電気を除去する。

本発明は、基板の上表面と下表面から静電気を効果的に除去し、ガラス基板とベースの間の静電気力を減少して、基板を湾曲と破損から防ぐ。

図７は、本発明の第２実施形態の露光機器１００’を表しており、ベース１１０の上表面に設置された複数の突出柱（ノズル）１１６を更に含む。イオンガス１１５は、突出柱１１６から噴出され、基板３の上表面に接触し、そこから静電気を除去する。第２実施形態では、Ｘ線は、突出柱１１６に置き換えられ、基板３の上表面から静電気を除去する。

図８を参照ください。本実施形態の変形例では、突出柱１１６は基板３を囲み、そこにイオンガスを均一に供給する。ベース１１０は、実質的に長方形であり、突出柱１１６は、その角に設置される。

第１実施形態と第２実施形態では、開孔１１２は、もう１つの真空パイプ（未図示）と通じ、露光プロセスの間、基板３を引き付け、安定させることができる。また、露光プロセスの後、露光機器は、乾燥気体を開孔１１２に提供し、真空シールを破る。次に、イオンガスが開孔１１２から提供され、基板３の下表面から静電気を除去する。

図９は、本発明の第３実施形態の露光機器２００を表しており、通気口１１７がパイプ１１３に通じた支持構造１１１上に形成される。イオンガス１１５は、イオンガス発生器１１４によって作り出され、パイプ１１３と通気口１１７を通過して基板３の下表面に接触する。

第３実施形態の露光機器２００は、第１実施形態の開孔を用いてイオンガスと基板の下表面の間の接触域を増加せせることができ、そこから静電気をより効果的に除去することができる。また、露光機器２００は、第１実施形態のＸ線発生器を用いて基板の上表面から静電気を除去することができる。

第３実施形態の露光機器２００は、第２実施形態の突出柱を用いて基板の上表面にイオンガスを提供し、そこから静電気を除去することができる。

通気口１１７は、真空パイプ（未図示）と更に通じ、露光プロセスの間、基板３を引き付け、安定させることができる。また、露光プロセスの後、露光機器は、乾燥気体を通気口１１７に提供し、真空シールを破る。次に、イオンガスが通気口１１７から提供され、基板３の下表面から静電気を除去する。

以上、本発明の好適な実施例を例示したが、これは本発明を限定するものではなく、本発明の精神及び範囲を逸脱しない限りにおいては、当業者であれば行い得る少々の変更や修飾を付加することは可能である。従って、本発明が保護を請求する範囲は、特許請求の範囲を基準とする。

本発明により、基板の上表面及び下表面から静電気を効果的に除去し、ガラス基板とベースの間の静電気力を減少して、基板を湾曲と破損から防ぐことができる。従って、本発明は、基板の露光機器に好適に使用できる。

本発明の第１実施形態の露光機器のベースを表す斜視図である。 第１実施形態の第２位置の支持構造を表す斜視図である。 第１実施形態のベースに位置された基板を表す斜視図である。 基板を上げている支持構造を表す斜視図である。 本発明の第１実施形態の露光機器を表す概略断面図である。 Ｘ線発生器を含む第１実施形態の露光機器を表す概略断面図である。 本発明の第２実施形態の露光機器を表す概略断面図である。 第２実施形態の基板を囲む突出柱を表す斜視図である。 本発明の第３実施形態の露光機器を表す概略断面図である。 従来の露光機器を示す概略断面図である。 従来の露光機器のガラス基板に接触した支持構造を表す概略断面図である。

符号の説明

１、１００、１００’、２００ 露光機器
２、１２０ チャンバー
３ 基板
４、１３０ Ｘ線発生器
５、１３１ Ｘ線
６、１１０ ベース
７、１１１ 支持構造
１１２ 開孔
１１３ パイプ
１１４ イオンガス発生器
１１５ イオンガス
１１６ 突出柱
１１７ 通気口

Claims (14)

1. 基板を処理する機器であって、
   チャンバー、
   前記チャンバーに設置され、表面に設置された複数の開孔と内部に設置され、前記開孔と通じるパイプを含むベース、
   前記ベースの上に設置され、前期基板を支持する少なくとも１つの支持構造、及び
   前記パイプに設置され、イオンガスを作り、前記イオンガスが前記パイプと前記開孔を通過して前記基板に向けて噴出され、前記基板から静電気を除去するイオンガス発生器を含む基板を処理する機器。
2. 前記イオンガスは、前記パイプと前記開孔を通過して前記基板の下表面に向けて噴出され、そこから静電気を除去する請求項１に記載の機器。
3. 前記チャンバーに設置され、前記基板の上表面に向けてＸ線を放射し、そこから静電気を除去するＸ線発生器を含む請求項２に記載の機器。
4. 基板を処理する機器であって、
   ベース、
   前記ベースの上に設置され、前記基板を支持する少なくとも１つの支持構造、
   前記ベースの上に設置される少なくとも１つの突出柱、及び
   イオンガスを作り、前記支持構造と前記突出柱に通じ、前記イオンガスが前記支持構造と前記突出柱から選択的に前記基板に向けて噴出され、又は前記支持構造と前記突出柱の両方から同時に前記基板に向けて噴出され、前記基板の表面から静電気を除去するイオンガス発生器を含む基板を処理する機器。
5. 前記支持構造は、乾燥気体を通して通過させる通気口を含む請求項４に記載の機器。
6. 前記支持構造は、前記基板に接触し、前記突出柱は、前記基板から離される請求項４に記載の機器。
7. 前記ベースは、実質的に長方形であり、前記突出柱は、その角に設置される請求項４に記載の機器。
8. 前記支持構造は、前記ベースの上に配列され、前記突出柱は、前記ベースのエッジ部に突出される請求項４に記載の機器。
9. 前記突出柱は、ノズルからなる請求項４に記載の機器。
10. 基板を支持するベースであって、
    少なくとも１つの支持構造、及び
    イオンガスを作り、前記支持構造に通じ、前記イオンガスが前記支持構造から前記基板に向けて噴出され、前記基板の表面から静電気を除去するイオンガス発生器を含む基板を支持するベース。
11. 前記支持構造は、乾燥気体を通して通過させる通気口を含む請求項１０に記載のベース。
12. 前記イオンガスを前記基板に向けて噴出し、前記基板から静電気を除去する突出柱を更に含む請求項１０に記載のベース。
13. 前記支持構造は、前記基板に接触し、前記突出柱は、前記基板から離される請求項１０に記載のベース。
14. 基板を支持するベースであって、
    少なくとも１つの突出柱、及び
    イオンガスを作り、前記突出柱に通じ、前記イオンガスが前記突出柱から前記基板に向けて噴出され、前記基板から静電気を除去するイオンガス発生器を含む基板を支持するベース。

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