KR100737664B1

KR100737664B1 - 기판 가공 장치 및 그 베이스

Info

Publication number: KR100737664B1
Application number: KR1020060040286A
Authority: KR
Inventors: 차오 친 슈
Original assignee: 우 옵트로닉스 코포레이션
Priority date: 2005-12-29
Filing date: 2006-05-04
Publication date: 2007-07-09
Also published as: JP4804322B2; TW200726325A; JP2007184572A; TWI303536B; KR20070072313A

Abstract

기판 가공 장치는 베이스, 최소한 하나의 지지 구조물, 최소한 하나의 배출 기둥, 그리고 이온 가스 발생기를 포함하여 이루어진다. 상기 지지 구조물은 상기 베이스에 설치되고 상기 베이스에 의해 지지된다. 상기 배출 기둥은 상기 베이스에 설치된다. 상기 이온 가스 발생기는 이온 가스를 생성하고 상기 지지 구조물과 상기 배출 기둥과 통해있으며, 그곳에서 상기 이온 가스는 표면에 있는 정전기를 제거하기 위해 상기 지지 구조물 및 배출 기둥으로부터 상기 기판으로 선택적으로 분출되거나 혹은 상기 지지 구조물 및 상기 배출 기둥으로부터 상기 기판으로 동시에 분출된다.

기판, 베이스, 정전기, 엑스레이

Description

기판 가공 장치 및 그 베이스{Apparatus for processing substrate and base thereof}

도 1a는 종래의 노출 장치를 보여준다.

도 1b는 종래의 노출 장치에서 유리 기판을 받쳐주는 지지 구조물을 보여준다.

도 2a는 본 발명의 제1 실시예의 노출 장치의 베이스를 보여준다.

도 2b는 본 발명의 제1 실시예의 제2 위치에 있는 지지 구조물을 보여준다.

도 3a는 본 발명의 제1 실시예에 따른 베이스 위에 놓인 기판을 보여준다.

도 3b는 기판을 상승시키는 지지 구조물을 보여준다.

도 3c는 본 발명의 제1 실시예에 따른 노출 장치를 보여준다.

도 3d는 엑스레이 발생기를 더 포함하는 제1 실시예의 노출 장치를 보여준다.

도 4a는 본 발명의 제2 실시예에 따른 노출 장치를 보여준다.

도 4b는 본 발명의 제2 실시예에서 기판을 둘러싸는 배출 기둥을 보여준다.

도 5는 본 발명의 제3 실시예에 따른 노출 장치를 보여준다.

본 발명은 장치에 관한 것으로, 특히 노출 장치에 관한 것이다.

도 1a는 챔버(2), 베이스(6), 그리고 엑스레이 발생기(4)로 구성되는 종래의 노출 장치를 보여준다.

베이스(6)와 엑스레이 발생기(4)는 챔버(2) 내부에 놓여 있다. 유리 기판(3)은 베이스(6) 위에 설치되어 있다. 상기 엑스레이 발생기(4)는 정전기를 제거하기 위해 엑스레이(5)를 상기 유리 기판(3)으로 조사한다.

그러나 상기 엑스레이(5)는 상기 유리 기판(3)의 상면에 존재하는 정전기만 제거하는 반면에, 상기 유리 기판(3)의 저면에 존재하는 정전기는 남아있어서, 상기 유리 기판(3)은 정전기력에 의하여 베이스(6)를 잡아당긴다.

따라서 도 1b에 도시한 바와 같이, 베이스(6)의 지지 구조물(지지 기둥, 7)이 상승하여 유리 기판(3)을 받혀줄 때, 상기 유리 기판(3)과 상기 베이스(6) 사이의 정전기력은 상기 유리 기판(3)을 휘게 하고 파손시킨다.

다음의 구체적인 실시예와 첨부된 도면을 참조하여 상세한 설명이 제공된다.

기판 가공 장치는 베이스, 최소한 하나의 지지 구조물, 최소한 하나의 배출 기둥, 그리고 이온 가스 발생기를 포함하여 이루어져 있다. 상기 지지 구조물은 상기 베이스 위에 설치되고 상기 베이스에 의하여 지지된다. 상기 배출 기둥은 상기 베이스 위에 설치된다. 상기 이온 가스 발생기는 이온 가스를 생성하고 상기 지지 구조물 및 상기 배출 기둥과 연통되어 있으며, 그곳에서 상기 이온 가스는 표면에 있는 정전기를 제거하기 위해 상기 지지 구조물 및 배출 기둥으로부터 상기 기판으로 선택적으로 분출되거나 혹은 상기 지지 구조물 및 상기 배출 기둥으로부터 상기 기판으로 동시에 분출된다.

본 발명은 상기 기판의 휘어짐과 파손을 방지하기 위해 상기 유리 기판과 상기 베이스 사이에 있는 정전기력을 줄여서 상기 기판의 상면과 저면으로부터 정전기를 충분히 제거한다.

본 발명은 아래의 첨부된 도면을 참조하여 다음의 상세한 설명과 실시예로부터 보다 완전하게 이해될 수 있다.

다음의 상세한 설명은 본 발명을 실시하는 최선의 모드에 관한 것이다. 이러한 상세한 설명은 본 발명의 일반적인 원리를 설명하는 목적으로 제공되는 것이지 제한하는 의미로 해석되어서는 안 된다. 본 발명의 범위는 첨부된 청구항들에 의하여 가장 잘 정해진다.

도 2a는 다수의 지지 구조물(지지 기둥, 111)과 다수의 개구부(112)를 포함하여 이루어지는 본 발명의 제1 실시예에 따른 노출 장치의 베이스(110)를 보여준다. 상기 지지 구조물(111)은 매트릭스 형태로 배열되어 있고, (도 2a에서 보이는 바와 같은) 제1 위치와 (도 2b에서 보이는 바와 같은) 제2 위치로 이동할 수 있다. 도 3a에서 보이는 바와 같이, 상기 지지 구조물(111)이 제2 위치에 있을 때, 기판은 베이스(110)위에 놓여 있다. 상기 기판(3)이 가공이 된 후에, 도 3b에서 보이는 바와 같이, 상기 지지 구조물(111)은 상기 기판(3)을 상승시키기 위해 제1 위치로 이동한다. 도 3c는 챔버(120), 베이스(110) 그리고 이온 가스 발생기(114)를 포함하여 이루어진 본 발명의 노출 장치(100)를 보여준다. 상기 베이스(110)는 상기 챔버(120) 내부에 설치된다. 상기 이온 가스 발생기(114)는 상기 베이스(110) 내부에 설치된다. 상기 베이스(110)는 상기 개구부(112)와 상기 이온 가스 발생기(114)로 통하는 관(113)을 더 포함하여 이루어진다. 정전기의 제거를 위해 상기 기판(3)은 베이스(110) 위에 놓여진다. 이온 가스(115)는 상기 이온 가스 발생기(114)에 의하여 생성되며, 상기 관(113)을 통과하고, 상기 기판(3)의 저면을 접촉하여 그곳으로부터 정전기를 제거한다.

도 3d를 참조하면 상기 노출 장치(100)는 엑스레이(131)를 발생시키기 위하여 상기 챔버(120) 내부에 설치된 엑스레이 발생기(130)를 더 포함하여 이루어진다. 상기 이온 가스(115)와 상기 엑스레이(131)는 상기 기판(3)의 상면과 저면으로부터 정전기를 제거한다.

도 4a는 상기 베이스(110)의 상면에 설치된 다수의 배출 기둥(노즐, 116)을 더 포함하여 이루어진 본 발명의 제2 실시예에 따른 노출 장치(100‘)를 보여준다. 상기 이온 가스(115)는 상기 배출 기둥(116)으로부터 분출되고, 정전기를 제거하기 위해 상기 기판(3)의 상면을 접촉한다. 본 발명의 제2 실시예에서, 상기 기판(3)의 상면으로부터 정전기를 제거하기 위해 상기 엑스레이는 상기 배출 기둥(116)에 의하여 대체된다.

도 4b를 참조하면, 변형된 실시예에서, 대략 직사각형인 상기 베이스(110)의 가장자리에 설치되어 있는 상기 배출 기둥(116)은 균일하게 상기 이온 가스를 기판에 가하기 위해 상기 기판(3)을 둘러싼다.

상기 제1 및 제2 실시예에서, 상기 개구부(112)는 노출 공정 중에 상기 기판(3)을 끌어당기고 안정시키기 위해 또 다른 진공 관(도시되지 않음)과 연통할 수 있다. 상기 노출 공정 후에 추가적으로 상기 노출 장치는 진공 밀폐를 중단하기 위해 건조한 공기를 상기 개구부(112)에 가한다. 그 다음에 상기 이온 가스는 상기 기판(3)의 저면으로부터 정전기를 제거하기 위해 상기 개구부(112)로부터 제공된다.

도 5는 지지 구조물(111)에 상기 관(113)으로 통하는 통과 구멍(117)들이 형성되어 있는 본 발명의 제3 실시예에 따른 노출 장치(200)를 보여준다. 상기 이온 가스(115)는 상기 이온 가스 발생기(114)에 의하여 생성되며, 상기 관(113)과 통과 구멍(117)을 지나고, 상기 기판(3)의 저면을 접촉한다.

상기 제3 실시예의 상기 노출 장치(200)는 상기 이온 가스와 상기 기판의 저면의 접촉 면적을 증가시키고 더욱 충분하게 정전기를 제거하기 위해 상기 제1 실시예의 개구부를 사용할 수 있다.

추가적으로, 상기 노출 장치(200)는 상기 기판의 상면으로부터 정전기를 제거하기 위해 상기 제1 실시예의 상기 엑스레이 발생기를 사용할 수 있다. 상기 제3 실시예의 상기 노출 장치(200)는 정전기를 제거하기 위해 상기 기판의 상면으로 상기 이온 가스를 가하는 상기 제2 실시예의 배출 기둥을 사용할 수 있다.

상기 통과 구멍(117)은 상기 노출 공정 중 상기 기판(3)을 끌어당기고 안정하게 하기 위한 진공 관(도시되지 않음)으로 더 통해질 수 있다. 추가적으로, 상기 노출 공정 후 상기 노출 장치는 진공 밀폐를 중단하기 위해 상기 통과 구멍(117)으로 건조 공기를 가한다. 그 다음, 상기 이온 가스는 상기 기판의 저면으로부터 정전기를 제거하기 위해 상기 통과 구멍(117)으로부터 제공된다.

본 발명이 선호되는 실시예에 의하여 기술되었지만, 본 발명은 거기에 한정됨이 아닌 것은 이해되어야 한다. 반대로, 그것은 (그 분야에서 숙련된 사람들에게 명백한 것처럼) 다양한 변경과 유사한 배치들을 포함하기 위하여 의도된 것이다. 그러므로 첨부된 청구항들의 범위는 그러한 모든 변경과 유사한 배치들을 포함하도록 가장 넓은 해석과 일치되어야 한다.

본 발명은 상기 기판의 휘어짐과 파손을 방지하기 위해 상기 유리 기판과 상기 베이스 사이에 있는 정전기력을 줄여서 상기 기판의 상면과 저면으로부터 정전기를 충분히 제거하는 효과가 있다.

Claims

챔버;

표면에 설치된 다수의 개구부와 내부에 설치되고 상기 개구부와 통하는 관을 포함하여 이루어진 상기 챔버 내부에 설치된 베이스;

기판을 지지하기 위해 상기 베이스에 설치된 최소한 하나의 지지 구조물; 그리고

상기 관의 내부에 설치되고 상기 기판으로부터 정전기를 제거하기 위해 상기 관과 상기 개구부를 통과하여 상기 기판으로 분출되는 이온 가스를 생성하는 이온 가스발생기;

를 포함하여 이루어진 기판 가공 장치.
제1항에 있어서, 상기 이온 가스는 정전기를 제거하기 위해 상기 관과 상기 개구부를 통과하여 상기 기판의 저면으로 분출되는 것을 특징으로 하는 기판 가공 장치.
제2항에 있어서, 정전기를 제거하기 위해 상기 기판의 상면으로 엑스레이를 조사하는 챔버 내부에 설치된 엑스레이 발생기를 더 포함하여 이루어진 기판 가공 장치.
베이스;

상기 베이스 위에 놓이는 기판을 지지하기 위해 상기 베이스에 설치된 최소한 하나의 지지 구조물;

상기 베이스에 설치된 최소한 하나의 배출 기둥; 그리고

표면에 있는 정전기를 제거하기 위해 상기 지지 구조물 및 배출 기둥으로부터 상기 기판으로 선택적으로 분출되거나 혹은 상기 지지 구조물 및 상기 배출 기둥으로부터 상기 기판으로 동시에 분출되는 이온 가스를 생성하고 상기 지지 구조물 및 상기 배출 기둥과 통하는 이온 가스 발생기;

를 포함하여 이루어진 기판 가공 장치.
제4항에 있어서, 상기 지지 구조물은 건조한 공기를 통과시키는 통과 구멍을 포함하여 이루어진 것을 특징으로 하는 기판 가공 장치.
제4항에 있어서, 상기 지지 구조물은 상기 기판을 받쳐주고, 상기 배출 기둥은 상기 기판으로부터 분리된 것을 특징으로 하는 기판 가공 장치.
제4항에 있어서, 상기 기판은 직사각형이고, 상기 배출 기둥은 상기 직사각형의 가장자리에 설치된 것을 특징으로 하는 기판 가공 장치.
제4항에 있어서, 상기 지지 구조물은 상기 베이스에 배열되고, 상기 배출 기둥은 상기 기판의 가장자리 부분으로부터 돌출된 것을 특징으로 하는 기판 가공 장치.
제4항에 있어서, 상기 분출하는 기둥은 노즐인 것을 특징으로 하는 기판 가공 장치.
최소한 하나의 지지 구조물; 그리고

상기 지지 구조물 위에 놓이는 기판으로부터 정전기를 제거하기 위해 상기 지지 구조물로부터 상기 기판으로 분출되는 이온 가스를 생성하고 상기 지지 구조물과 통하는 이온 가스 발생기를 포함하여 이루어진 것을 특징으로 하는 기판 지지 베이스.
제10항에 있어서, 상기 지지 구조물은 건조한 공기를 통과하도록 하는 통과 구멍을 포함하여 이루어진 것을 특징으로 하는 기판 지지 베이스.
제10항에 있어서, 상기 기판으로부터 정전기를 제거하기 위해 상기 기판으로 이온 가스를 분출하는 배출 기둥을 더 포함하여 이루어진 것을 특징으로 하는 기판 지지 베이스.
제12항에 있어서, 상기 지지 구조물은 상기 기판을 받쳐주고 상기 배출 기둥은 상기 기판으로부터 분리된 것을 특징으로 하는 기판 지지 베이스.
최소한 하나의 배출 기둥, 그리고 기판으로부터 정전기를 제거하기 위해 상기 배출 기둥으로부터 상기 기판으로 분출되는 이온 가스를 생성하고 상기 배출 기둥과 통하는 이온 가스 발생기를 포함하여 이루어진 것을 특징으로 하는 기판 지지 베이스.