TWI734015B - 清洗系統、清洗裝置及清洗方法 - Google Patents
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Abstract
一種清洗系統包括一清洗裝置以及一模具。清洗裝置包括一容納結構,其中容納結構具有一底面及一擋牆。擋牆從底面延伸出而形成一容納槽。容納槽適於容納一清洗液。模具適於被支撐於擋牆的一頂端並接觸清洗液。一種清洗方法亦被提及。
Description
本發明是有關於一種清洗系統、清洗裝置及清洗方法,且特別是有關於一種用於清洗模具的清洗系統、清洗裝置及清洗方法。
在一些晶圓製程中,利用模具將工作圖樣(working stamp)翻印至晶圓上,但模具會因翻印次數增加而造成模具表面殘留金屬缺陷以及殘膠,使得工作圖樣翻印的良率下降,所以必須適度地進行模具的清洗。習知清洗方法將模具浸入清洗液中以清除金屬缺陷,此種清洗方法容易使模具的邊緣產生剝離(peeling)現象,造成模具的損壞。
本發明提供一種清洗系統、清洗裝置及清洗方法,可在清洗模具時避免模具的邊緣產生剝離現象。
本發明的清洗系統包括一清洗裝置以及一模具。清洗裝置包括一容納結構,其中容納結構具有一底面及一擋牆,擋牆從底面延伸出而形成一容納槽,容納槽適於容納一清洗液。模具適於被支撐於擋牆的一頂端並接觸清洗液。
在本發明的一實施例中,上述的模具的外徑大於容納槽的外徑。
在本發明的一實施例中,上述的清洗裝置更包括一限位結構,限位結構至少部分地圍繞容納槽且具有一限位面,當模具被支撐於擋牆的頂端時,限位面抵靠模具的至少部分周緣。
在本發明的一實施例中,上述的限位面與底面之間的距離大於擋牆的頂端與底面之間的距離。
在本發明的一實施例中,上述的限位結構具有至少一導引斜面,導引斜面鄰接限位面且適於導引模具至擋牆的頂端。
在本發明的一實施例中,上述的導引斜面傾斜於底面且傾斜於限位面。
在本發明的一實施例中,上述的限位面垂直於底面。
在本發明的一實施例中,上述的限位結構具有至少一缺口,缺口對位於容納結構的部分周緣。
在本發明的一實施例中,上述的清洗裝置包括一氣體提供單元,氣體提供單元適於提供氣體至擋牆的頂端,以使模具分離於擋牆。
在本發明的一實施例中,上述的模具的一下表面接觸清洗液,部分清洗液適於沿下表面移至容納槽外。
本發明的清洗裝置包括一容納結構以及一限位結構。容納結構具有一底面及一擋牆,其中擋牆從底面延伸出而形成一容納槽,容納槽適於容納一清洗液,一模具適於被支撐於擋牆的一頂端並接觸清洗液。限位結構至少部分地圍繞容納槽且具有一限位面,其中當模具被支撐於擋牆的頂端時,限位面抵靠模具的至少部分周緣。
在本發明的一實施例中,上述的限位面與底面之間的距離大於擋牆的頂端與底面之間的距離。
在本發明的一實施例中,上述的限位結構具有至少一導引斜面,導引斜面鄰接限位面且適於導引模具至擋牆的頂端。
在本發明的一實施例中,上述的導引斜面傾斜於底面且傾斜於限位面。
在本發明的一實施例中,上述的限位面垂直於底面。
在本發明的一實施例中,上述的限位結構具有至少一缺口,缺口對位於容納結構的部分周緣。
在本發明的一實施例中,上述的清洗裝置包括一氣體提供單元,其中氣體提供單元適於提供氣體至擋牆的頂端,以使模具分離於擋牆。
本發明的清洗方法包括以下步驟。提供一容納結構,其中容納結構具有一底面及一擋牆,擋牆從底面延伸出而形成一容納槽。藉由容納槽容納一清洗液。藉由擋牆的一頂端支撐一模具,以使模具接觸清洗液。
在本發明的一實施例中,上述的清洗方法包括以下步驟。當模具被支撐於擋牆的頂端時,藉由一限位結構的一限位面抵靠模具的至少部分周緣。
在本發明的一實施例中,上述的清洗方法包括以下步驟。藉由限位結構的一導引斜面導引模具至擋牆的頂端。
在本發明的一實施例中,上述的清洗方法包括以下步驟。藉由一氣體提供單元提供氣體至擋牆的頂端,以使模具分離於擋牆。
在本發明的一實施例中,上述的清洗方法包括以下步驟。使模具的一下表面接觸清洗液。使清洗液沿模具的下表面移至容納槽外。
基於上述,本發明的清洗系統使模具表面接觸清洗液,藉以清除模具表面的金屬缺陷,且由於模具是被支撐於容納槽之擋牆的頂端而非浸入容納槽內的清洗液中,故模具的邊緣不會與清洗液接觸。藉此,在清洗模具表面的同時避免了模具的邊緣產生剝離現象。
為讓本發明的上述特徵和優點能更明顯易懂,下文特舉實施例,並配合所附圖式作詳細說明如下。
圖1是本發明一實施例的清洗系統的立體圖。圖2是圖1的清洗裝置的立體圖。圖3是圖1的清洗系統的局部示意圖。請參考圖1至圖3,本實施例的清洗系統100包括一清洗裝置110以及一模具120。清洗裝置110包括一容納結構111。容納結構111具有一底面111a及一擋牆111b,擋牆111b從底面111a延伸出而形成一容納槽111d,容納槽111d適於容納一清洗液C。清洗液C例如是強鹼清潔液,適於清除例如是鎳金屬的髒汙或是殘膠。模具120的外徑大於容納槽111d的外徑,使模具120適於被支撐於擋牆111b的一頂端111c並接觸清洗液C。在本實施例中,清洗裝置110被承載於一基座130,但在其他未示出的實施例中並不以此為限。
本實施例的模具120例如是用以在晶圓製程中將工作圖樣翻印至晶圓上。具體而言,本實施例的模具120例如是由石英基材及形成於石英基材表面的鎳工作圖樣所組成,以利用模具120將工作圖樣翻印至晶圓上。隨著翻印次數增加,需要清理模具120表面所殘留的金屬缺陷以及殘膠。如上述般將模具120放置於擋牆111b的頂端111c,可使模具120的具有工作圖樣的下表面121接觸容納槽111d內的清洗液C,以清除留在下表面121的髒汙。
由於模具120被支撐於擋牆111b的頂端111c而非浸入容納槽111d內的清洗液C中,故模具120的周緣122不會接觸到清洗液C。藉此,在清洗模具120表面的同時避免了模具120的邊緣產生剝離現象。
在本實施例中,清洗裝置110包括一限位結構112。所述限位結構112至少部分地圍繞容納槽111d。當模具120被支撐於擋牆111b的頂端111c時,限位結構112抵靠模具120的至少部分周緣122,以固定模具120的位置。
詳細而言,本實施例的限位結構112具有一限位面112a,限位面112a垂直於容納結構111的底面111a,且限位面112a與底面111a之間的距離大於擋牆111b的頂端111c與底面111a之間的距離。當模具120放置於擋牆111b的頂端111c時,限位結構112藉其限位面112a抵靠模具120的周緣122,以防止了模具120在清洗裝置110上產生非預期的橫向滑動。
另外,限位結構112更具有一導引斜面112b。導引斜面112b相較於限位面112a更加地遠離於底面111a,且鄰接限位面112a。並且,導引斜面112b傾斜於容納結構111的底面111a且傾斜於限位面112a。當使用者放置模具120至清洗裝置110時,導引斜面112b適於導引模具120至擋牆111b的頂端111c,並將模具120的周緣122導引至限位面112a使其與限位面112a互相抵靠。藉此,當使用者將模具120置於清洗狀置110上方時,不需要刻意地將模具120的周緣122對準限位面112a,只需大致地放置,導引斜面112b會使得模具120藉由重力順勢地滑入而抵靠於限位面112a並支撐於擋牆111b的頂端111c。
在本實施例中,限位結構112對稱地設置並部分地圍繞於容納槽111d的兩側。限位結構112在其未圍繞容納槽111d的部分形成了兩個缺口112c,缺口112c對位於容納結構111的部分周緣。當模具120放置於容納結構111上時,使用者可藉由缺口112c的設計施力於模具120,以將模具120與容納結構111分離。
以下以圖1至圖3的實施例,說明本發明的清洗方法。圖4是對應於圖1的清洗系統的清洗方法流程圖。請參考圖1至圖4,首先,提供一容納結構111,其中容納結構111具有一底面111a及一擋牆111b,擋牆111b從底面111a延伸出而形成一容納槽111d(步驟S301)。接著,藉由容納槽111d容納一清洗液C(步驟S302)。隨後藉由擋牆111b的一頂端111c支撐一模具120,以使模具120接觸清洗液C(步驟S303)。
為了使模具120的下表面121接觸清洗液C,在所述步驟S302中藉由容納槽111d容納清洗液C時,可使清洗液C的液面高度略高於擋牆111b的頂端111c,利用表面張力的特性使清洗液C停留在容納槽111d內。而在所述步驟S303中藉由擋牆111b的頂端111c支撐模具120時,高於擋牆111b的頂端111c的多餘的清洗液C會沿著模具120的下表面121移至容納槽111d外,以使容納槽111d內不存在多餘的空氣而呈現真空狀態。藉此,能確保模具120的下表面121對位於容納槽111d的部分能完全接觸到清洗液C,同時能確保模具120在清洗裝置110上的穩固性。
圖5是本發明另一實施例的清洗系統的局部示意圖。請參考圖5,本實施例的清洗裝置110更包括一氣體提供單元113。氣體提供單元113適於提供氣體至擋牆111b的頂端111c。當氣體被提供至擋牆111b的頂端111c時,模具120與擋牆111b的頂端111c之間會產生氣泡以破除模具120與清洗裝置110之間的真空狀態,利於使用者以較為省力的方式將模具120與清洗裝置110分離。氣體提供單元113可如圖2所示設置於清洗裝置110內並對位於模具120的下表面121與擋牆111b頂端111c的接觸處,也可以氣槍(圖中未示出)的形式另外配置,本發明不對此加以限制。另外,氣體提供單元113所提供的氣體例如是氮氣等的低活性氣體。
綜上所述,本發明的清洗系統使模具表面接觸清洗液,藉以清除模具表面的金屬缺陷,且由於模具是被支撐於容納槽之擋牆的頂端而非浸入容納槽內的清洗液中,故模具的邊緣不會與清洗液接觸。藉此,在清洗模具表面的同時避免了模具的邊緣產生剝離現象。
雖然本發明已以實施例揭露如上,然其並非用以限定本發明,任何所屬技術領域中具有通常知識者,在不脫離本發明的精神和範圍內,當可作些許的更動與潤飾,故本發明的保護範圍當視後附的申請專利範圍所界定者為準。
100‧‧‧清洗系統110‧‧‧清洗裝置111‧‧‧容納結構111a‧‧‧底面111b‧‧‧擋牆111c‧‧‧頂端111d‧‧‧容納槽112‧‧‧限位結構112a‧‧‧限位面112b‧‧‧導引斜面112c‧‧‧缺口113‧‧‧氣體提供單元120‧‧‧模具121‧‧‧下表面122‧‧‧周緣130‧‧‧基座C‧‧‧清洗液
圖1是本發明一實施例的清洗系統的立體圖。 圖2是圖的清洗裝置的立體圖。 圖3是圖2中的清洗系統的局部示意圖。 圖4是對應於圖1的清洗系統的清洗方法流程圖。 圖5是本發明另一實施例的清洗系統的局部示意圖。
100‧‧‧清洗系統
110‧‧‧清洗裝置
111‧‧‧容納結構
111a‧‧‧底面
111b‧‧‧擋牆
111c‧‧‧頂端
111d‧‧‧容納槽
112‧‧‧限位結構
112a‧‧‧限位面
112b‧‧‧導引斜面
120‧‧‧模具
121‧‧‧下表面
122‧‧‧周緣
130‧‧‧基座
C‧‧‧清洗液
Claims (22)
- 一種清洗系統,包括: 一清洗裝置,包括一容納結構,其中該容納結構具有一底面及一擋牆,該擋牆從該底面延伸出而形成一容納槽,該容納槽適於容納一清洗液;以及 一模具,適於被支撐於該擋牆的一頂端並接觸該清洗液。
- 如申請專利範圍第1項所述的清洗系統,其中該模具的外徑大於該容納槽的外徑。
- 如申請專利範圍第1項所述的清洗系統,其中該清洗裝置更包括一限位結構,該限位結構至少部分地圍繞該容納槽且具有一限位面,當該模具被支撐於該擋牆的頂端時,該限位面抵靠該模具的至少部分周緣。
- 如申請專利範圍第3項所述的清洗系統,其中該限位面與該底面之間的距離大於該擋牆的該頂端與該底面之間的距離。
- 如申請專利範圍第3項所述的清洗系統,其中該限位結構具有至少一導引斜面,該導引斜面鄰接該限位面且適於導引該模具至該擋牆的該頂端。
- 如申請專利範圍第5項所述的清洗系統,其中該導引斜面傾斜於該底面且傾斜於該限位面。
- 如申請專利範圍第3項所述的清洗系統,其中該限位面垂直於該底面。
- 如申請專利範圍第3項所述的清洗系統,其中該限位結構具有至少一缺口,該缺口對位於該容納結構的部分周緣。
- 如申請專利範圍第1項所述的清洗系統,其中該清洗裝置包括一氣體提供單元,該氣體提供單元適於提供氣體至該擋牆的該頂端,以使該模具分離於該擋牆。
- 如申請專利範圍第1項所述的清洗系統,其中該模具的一下表面接觸該清洗液,部分該清洗液適於沿該下表面移至該容納槽外。
- 一種清洗裝置,包括: 一容納結構,具有一底面及一擋牆,其中該擋牆從該底面延伸出而形成一容納槽,該容納槽適於容納一清洗液,一模具適於被支撐於該擋牆的一頂端並接觸該清洗液;以及 一限位結構,至少部分地圍繞該容納槽且具有一限位面,其中當該模具被支撐於該擋牆的該頂端時,該限位面抵靠該模具的至少部分周緣。
- 如申請專利範圍第11項所述的清洗裝置,其中該限位面與該底面之間的距離大於該擋牆的該頂端與該底面之間的距離。
- 如申請專利範圍第11項所述的清洗裝置,其中該限位結構具有至少一導引斜面,該導引斜面鄰接該限位面且適於導引該模具至該擋牆的該頂端。
- 如申請專利範圍第13項所述的清洗裝置,其中該導引斜面傾斜於該底面且傾斜於該限位面。
- 如申請專利範圍第11項所述的清洗裝置,其中該限位面垂直於該底面。
- 如申請專利範圍第11項所述的清洗裝置,其中該限位結構具有至少一缺口,該缺口對位於該容納結構的部分周緣。
- 如申請專利範圍第11項所述的清洗裝置,包括一氣體提供單元,其中該氣體提供單元適於提供氣體至該擋牆的該頂端,以使該模具分離於該擋牆。
- 一種清洗方法,包括: 提供一容納結構,其中該容納結構具有一底面及一擋牆,該擋牆從該底面延伸出而形成一容納槽; 藉由該容納槽容納一清洗液;以及 藉由該擋牆的一頂端支撐一模具,以使該模具接觸該清洗液。
- 如申請專利範圍第18項所述的清洗方法,包括: 當該模具被支撐於該擋牆的該頂端時,藉由一限位結構的一限位面抵靠該模具的至少部分周緣。
- 如申請專利範圍第19項所述的清洗方法,包括: 藉由該限位結構的一導引斜面導引該模具至該擋牆的該頂端。
- 如申請專利範圍第18項所述的清洗方法,包括: 藉由一氣體提供單元提供氣體至該擋牆的該頂端,以使該模具分離於該擋牆。
- 如申請專利範圍第18項所述的清洗方法,包括: 使該模具的一下表面接觸該清洗液;以及 使該清洗液沿該模具的該下表面移至該容納槽外。
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Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
TW434730B (en) * | 1997-12-26 | 2001-05-16 | Shimada Rika Kogyo Kk | Wafer cleaning device and tray used for the device |
TWI262827B (en) * | 2005-12-13 | 2006-10-01 | Ind Tech Res Inst | Cleaning device and method of bubble reaction |
TWM479507U (zh) * | 2014-01-21 | 2014-06-01 | Kingyoup Optronics Co Ltd | 用於清洗晶圓之盤式載具 |
WO2018110631A1 (ja) * | 2016-12-16 | 2018-06-21 | 株式会社荏原製作所 | 洗浄薬液供給装置、洗浄ユニット、及びプログラムを格納した記憶媒体 |
-
2018
- 2018-07-16 TW TW107124436A patent/TWI734015B/zh active
Patent Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
TW434730B (en) * | 1997-12-26 | 2001-05-16 | Shimada Rika Kogyo Kk | Wafer cleaning device and tray used for the device |
TWI262827B (en) * | 2005-12-13 | 2006-10-01 | Ind Tech Res Inst | Cleaning device and method of bubble reaction |
TWM479507U (zh) * | 2014-01-21 | 2014-06-01 | Kingyoup Optronics Co Ltd | 用於清洗晶圓之盤式載具 |
WO2018110631A1 (ja) * | 2016-12-16 | 2018-06-21 | 株式会社荏原製作所 | 洗浄薬液供給装置、洗浄ユニット、及びプログラムを格納した記憶媒体 |
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