JP2007184566A - 半導体ナノワイヤを用いた半導体素子、それを用いた表示装置及び撮像装置 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】PN接合またはPIN接合を備える第1の領域7と、電界効果型トランジスタ構造を備える第2の領域8とを有する半導体ナノワイヤ1と、半導体ナノワイヤ1の両端に接続される一対の電極(2,3)と、第2の領域の少なくとも一部に絶縁層5を介して設けられているゲート電極4とを備えている。更に、半導体ナノワイヤ1は、P型半導体部とN型半導体部とを有し、且つP型半導体部またはN型半導体部の一方は、第1及び第2の領域の構成要素となっている。
【選択図】図1
Description
本発明者らは、このような問題を踏まえ、受光領域あるいは発光領域として機能する部分と、スイッチング動作を行うための部分とを、同じナノワイヤを用いて構成しようという画期的なアイデアに到達したのである。
少なくとも、前記PN接合またはPIN接合と前記チャネル領域とは半導体ナノワイヤに含まれ、
前記半導体ナノワイヤの両端に接続される一対の電極を備えた半導体素子であって、
前記半導体ナノワイヤは、P型半導体部とN型半導体部とを有し、且つ
前記P型半導体部または前記N型半導体部の一方は、前記第1及び第2の領域の構成要素であることを特徴とする。
前記半導体ナノワイヤの前記第2の部分の少なくとも一部に絶縁層を介して配置されたゲート電極と、
前記半導体ナノワイヤの両端に接続される一対の電極と、を備え、
前記第2の領域は電界効果トランジスタを構成していることを特徴とする。
少なくとも1つの接合部を構成する第1半導体部と第2半導体部とを有する第1の領域と、前記第1の部分の前記接合部を構成する前記第1半導体部又は前記第2半導体部が延長された第2の領域とを有する半導体ナノワイヤと、
前記半導体ナノワイヤの前記第2の領域の少なくとも一部に絶縁層を介して配置されたゲート電極と、
前記半導体ナノワイヤの両端に接続される一対の電極と、を備え、
前記第2の領域は電界効果トランジスタを構成する半導体素子であることを特徴とする。
また、本実施形態では、図12示すように、触媒となる金属微粒子と選択的に結合又は配位する官能基を基板上にパターンニングすることで(パターンニングされた官能基をRで示す)、触媒微粒子を介してナノワイヤを基板上に固定することができる。このような手法を用いれば、図13に示すようにナノワイヤのP型やN型を所望の方向に配列させることができる。
本実施例は、本発明を表示装置として用いた場合である。半導体ナノワイヤはGaN系のものを用いる。ナノワイヤの作製はVLS法を用いて行いて作製する。
一方、基板側についてはガラス基板上にゲート電極をパターンニングし、その上にゲート絶縁層としてシリカ膜を形成する。
本実施例は、本発明を2次元光センサー(撮像装置)として用いた場合である。半導体ナノワイヤはシリコンを用いる。ナノワイヤの作製はVLS法を用いて行いて作製する。作製方法は、まずシリコン基板上に粒径が50nmのAu微粒子を形成する。その後、SiH4およびPH3ガス雰囲気中で450℃で加熱することにより、PドープのN型Siナノワイヤを形成する。その後、SiH4およびB2H6ガス雰囲気中で450℃で加熱することにより、N型Siナノワイヤ上にP型Siナノワイヤを形成する。最後に窒素雰囲気中において500℃でアニーリングを行うことによりP-N接合を有するフォトダイオードナノワイヤを得る。このようにして得られたナノワイヤのそれぞれの厚さはN型10μm、P型:約30μmである。
2 ソース電極
3 ドレイン電極
4 ゲート電極
5 ゲート絶縁層
6 基板
7 P-N接合領域
8 FET領域
9 触媒粒子
10 絶縁体
11 半導体ナノワイヤ
12 半導体ナノワイヤ
13 電極
14 半導体ナノワイヤ
20 基板
21 ソースライン
22 ゲートライン
23 半導体素子
200 半導体ナノワイヤ
201 基板
202 電極
Claims (6)
- PN接合またはPIN接合を備える第1の領域と、電界効果型トランジスタのチャネル領域、ゲート絶縁膜及びゲート電極を含む第2の領域とを有し、
少なくとも、前記PN接合またはPIN接合と前記チャネル領域とは半導体ナノワイヤに含まれ、
前記半導体ナノワイヤの両端に接続される一対の電極を備えた半導体素子であって、
前記半導体ナノワイヤは、P型半導体部とN型半導体部とを有し、且つ
前記P型半導体部または前記N型半導体部の一方は、前記第1及び第2の領域の構成要素であることを特徴とする半導体素子。 - 前記一対の電極には、複数本の前記半導体ナノワイヤが並列に接続されていることを特徴とする請求項1に記載の半導体素子。
- 前記第1の領域は、発光領域であることを特徴とする請求項1に記載の半導体素子。
- 前記第1の領域は、受光領域であることを特徴とする請求項1に記載の半導体素子。
- 請求項3に記載の半導体素子が、一次元又は二次元状に配列していることを特徴とする表示装置。
- 請求項4に記載の半導体素子が、一次元又は二次元状に複数配列していることを特徴とする撮像装置。
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