JP2007165836A5 - - Google Patents

Claims (9)

1. 半導体基板を有する半導体チップと、
   前記半導体チップが配設されるチップ支持部と、前記半導体チップが電気的に接続される端子部とを有するリードフレームと、
   前記半導体チップを封止する封止樹脂と、を備えた半導体装置において、
   前記半導体チップ上に前記リードフレームと熱膨張係数の略等しい第１の熱膨張係数緩和部材を設け、該第１の熱膨張係数緩和部材の上面を前記封止樹脂の上面と略面一とし、
   前記半導体基板の裏面は、前記封止樹脂から露出されていることを特徴とする半導体装置。
2. 前記第１の熱膨張係数緩和部材及び封止樹脂上に、前記基材と熱膨張係数の略等しい第２の熱膨張係数緩和部材をさらに設けたことを特徴とする請求項１記載の半導体装置。
3. 前記半導体チップと前記第１の熱膨張係数緩和部材との間に、前記接続パッドと電気的に接続される他の半導体チップを少なくとも１つ設けたことを特徴とする請求項１または２記載の半導体装置。
4. 半導体基板と、該半導体基板上に形成された半導体素子とを有する半導体チップと、
   前記半導体チップを封止する封止樹脂と、
   前記半導体素子と電気的に接続され、前記封止樹脂から露出される外部接続端子と、を備えた半導体装置において、
   前記半導体チップ上に前記半導体基板と熱膨張係数の略等しい第１の熱膨張係数緩和部材を設け、該第１の熱膨張係数緩和部材の上面を前記封止樹脂の上面と略面一としたことを特徴とする半導体装置。
5. 前記第１の熱膨張係数緩和部材及び封止樹脂上に、前記半導体基板と熱膨張係数が略等しく、かつ前記半導体基板の外形と略等しい第２の熱膨張係数緩和部材をさらに設け、該第２の熱膨張係数緩和部材を前記半導体基板と対向するように配置したことを特徴とする請求項４記載の半導体装置。
6. 前記半導体チップと前記第１の熱膨張係数緩和部材との間に、前記接続パッドと電気的に接続される他の半導体チップを少なくとも１つ設けたことを特徴とする請求項４または５記載の半導体装置。
7. 基材と、該基材の第１の主面に設けられた接続パッドと、前記第１の主面とは反対側の前記基板の第２の主面に設けられ、前記接続パッドと電気的に接続される外部接続端子とを有する基板と、
   前記基材の第１の主面に設けられ、前記接続パッドと電気的に接続される半導体チップと、
   前記半導体チップを封止する封止樹脂と、を備えた半導体装置において、
   前記半導体チップ上に前記基材と熱膨張係数の略等しい第１の熱膨張係数緩和部材を設け、該第１の熱膨張係数緩和部材の上面を前記封止樹脂の上面と略面一としたことを特徴とする半導体装置。
8. 前記第１の熱膨張係数緩和部材及び封止樹脂上に、前記基材と熱膨張係数の略等しい第２の熱膨張係数緩和部材をさらに設けたことを特徴とする請求項７記載の半導体装置。
9. 前記半導体チップと前記第１の熱膨張係数緩和部材との間に、前記接続パッドと電気的に接続される他の半導体チップを少なくとも１つ設けたことを特徴とする請求項７または８記載の半導体装置。