JP2007163160A - 集束イオンビーム加工方法およびそれを用いた透過型電子顕微鏡試料の作製方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】FIB照射により試料の薄片化加工を行うFIB加工方法において、FIB照射により薄片化部分を形成し、試料台を傾けて薄片化部分の側辺部に上端の部分に接続部分を残すように切り込み加工を行い、その後、試料台を元に戻してFIB照射により薄片化部分の仕上げ加工を行うことを特徴とする。
【選択図】図2
Description
FIB照射により薄片化部分を形成し、
試料台を傾けて薄片化部分の側辺部に上端の部分に接続部分を残すように切り込み加工を行い、その後、試料台を元に戻してFIB照射により薄片化部分の仕上げ加工を行うものである。
試料台を傾けて薄片化部分の側辺部に表面から0.1μm〜2.0μmの部分を残すようにして切り込み加工を行い、その後、試料台を元に戻してFIB照射により薄片化部分の仕上げ加工を行うものである。
保護膜を形成した部分にFIB照射により薄片化部分を形成し、
試料台を傾けて薄片化部分の側辺部に上端の部分に接続部分を残すように切り込み加工を行い、その後、試料台を元に戻してFIB照射により薄片化部分の仕上げ加工を行うものである。
試料表面に保護膜を形成し、
保護膜を形成した部分にFIB照射により薄片化部分を形成し、
試料台を傾けて薄片化部分の側辺部に表面から高さ方向に保護膜の厚さよりも短い長さの接続部分を残すようにして切り込み加工を行い、その後、試料台を元に戻してFIB照射により薄片化部分の仕上げ加工を行うものである。
試料表面に保護膜を形成し、
保護膜を形成した部分にFIB照射により薄片化部分を形成し、
試料台を傾けて薄片化部分の底辺部に切り込み加工を行い、
試料台を傾けた状態のまま薄片化部分の側辺部に上端の部分に接続部分を残すように切り込み加工を行い、その後、試料台を元に戻してFIB照射により薄片化部分の仕上げ加工を行い、
FIB照射により薄片化部分の切り離しを行うものである。
試料表面に保護膜を形成し、
保護膜を形成した部分にFIB照射により薄片化部分を形成し、
試料台を傾けて薄片化部分の底辺部に切り込み加工を行い、
試料台を傾けた状態のまま薄片化部分の側辺部に表面から高さ方向に保護膜の厚さよりも短い長さの接続部分を残すようにして切り込み加工を行い、
その後、試料台を元に戻してFIB照射により薄片化部分の仕上げ加工を行い、
FIB照射により薄片化部分の切り離しを行うものである。
本実施の形態では、薄片化部分の試料の側辺部に切り込み加工を行う方法について図1、図2を用いて説明する。加工する試料は、基板上に半導体デバイスや多層膜などの薄膜が積層されてなる薄膜層を有している。
実施の形態1では、試料をそのまま薄片化加工して薄片化された試料を取り出す例を示したが、試料から小ブロックを切り出しそれを加工する方法においても同様に薄片化部分の側辺部に切り込み加工を行うことができる。この方法について図4、図5を用いて説明する。加工する試料は、基板上に半導体デバイスや多層膜などの薄膜が積層されてなる薄膜層を有している。
102 薄片化部分
103 穴
104 穴
201 基板
202 薄膜層
203 保護膜
204 底辺部の加工部分
205 側辺部の加工部分
206 切り離しの加工部分
207 切り離しの加工部分
208 試料
401 小ブロック
402 保護膜
403 薄片化部分
501 基板
502 薄膜層
503 保護膜
505 側辺部の加工部分
Claims (9)
- 集束イオンビーム照射により試料の薄片化加工を行う集束イオンビーム加工方法において、
集束イオンビーム照射により薄片化部分を形成し、
試料台を傾けて前記薄片化部分の側辺部に上端の部分に接続部分を残すように切り込み加工を行い、
その後、前記試料台を元に戻して集束イオンビーム照射により前記薄片化部分の仕上げ加工を行うことを特徴とする集束イオンビーム加工方法。 - 集束イオンビーム照射により試料の薄片化加工を行う集束イオンビーム加工方法において、
集束イオンビーム照射により薄片化部分を形成し、
試料台を傾けて前記薄片化部分の側辺部に表面から0.1μm〜2.0μmの部分を残すようにして切り込み加工を行い、
その後、前記試料台を元に戻して集束イオンビーム照射により前記薄片化部分の仕上げ加工を行うことを特徴とする集束イオンビーム加工方法。 - 集束イオンビーム照射により試料の薄片化加工を行う集束イオンビーム加工方法において、
試料表面に保護膜を形成し、
前記保護膜を形成した部分に集束イオンビーム照射により薄片化部分を形成し、
試料台を傾けて前記薄片化部分の側辺部に上端の部分に接続部分を残すように切り込み加工を行い、
その後、前記試料台を元に戻して集束イオンビーム照射により前記薄片化部分の仕上げ加工を行うことを特徴とする集束イオンビーム加工方法。 - 集束イオンビーム照射により試料の薄片化加工を行う集束イオンビーム加工方法において、
試料表面に保護膜を形成し、
前記保護膜を形成した部分に集束イオンビーム照射により薄片化部分を形成し、
試料台を傾けて前記薄片化部分の側辺部に表面から高さ方向に前記保護膜の厚さよりも短い長さの接続部分を残すようにして切り込み加工を行い、
その後、前記試料台を元に戻して集束イオンビーム照射により前記薄片化部分の仕上げ加工を行うことを特徴とする集束イオンビーム加工方法。 - 集束イオンビーム照射により試料の薄片化加工を行う集束イオンビーム加工方法において、
試料表面に保護膜を形成し、
前記保護膜を形成した部分に集束イオンビーム照射により薄片化部分を形成し、
試料台を傾けて前記薄片化部分の底辺部に第1の切り込み加工を行い、
前記試料台を傾けた状態のまま前記薄片化部分の側辺部に上端の部分に接続部分を残すように第2の切り込み加工を行い、
その後、前記試料台を元に戻して集束イオンビーム照射により前記薄片化部分の仕上げ加工を行い、
集束イオンビーム照射により前記薄片化部分の切り離しを行うことを特徴とする集束イオンビーム加工方法。 - 集束イオンビーム照射により試料の薄片化加工を行う集束イオンビーム加工方法において、
試料表面に保護膜を形成し、
前記保護膜を形成した部分に集束イオンビーム照射により薄片化部分を形成し、
試料台を傾けて前記薄片化部分の底辺部に第1の切り込み加工を行い、
前記試料台を傾けた状態のまま薄片化部分の側辺部に表面から高さ方向に前記保護膜の厚さよりも短い長さの接続部分を残すようにして第2の切り込み加工を行い、
その後、前記試料台を元に戻して集束イオンビーム照射により前記薄片化部分の仕上げ加工を行い、
集束イオンビーム照射により前記薄片化部分の切り離しを行うことを特徴とする集束イオンビーム加工方法。 - 請求項1乃至6のいずれか一において、前記側辺部の切り込み加工は、加工枠の下辺が基板の表面よりも下に位置し、前記加工枠の上辺が保護膜の下面よりも上に位置するように前記加工枠を設定して行うことを特徴とする集束イオンビーム加工方法。
- 請求項5または請求項6において、前記側辺部の切り込み加工は、加工枠の下辺が前記底辺部の加工部分の下辺と同じ高さか、前記底辺部の加工部分の下辺よりも下に位置するように設定して行うことを特徴とする集束イオンビーム加工方法。
- 請求項1乃至8のいずれか一に記載の集束イオンビーム加工方法を用いたことを特徴とする透過型電子顕微鏡試料の作製方法。
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Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN102101641A (zh) * | 2010-11-26 | 2011-06-22 | 天津大学 | 一种利用镀膜技术辅助获得高精度刃口微型刀具的方法 |
GB2536853A (en) * | 2014-06-26 | 2016-10-05 | Lloyd Peto Neil | Process improvement for creating TEM sections |
JP2017096735A (ja) * | 2015-11-24 | 2017-06-01 | 日本電子株式会社 | 薄膜試料加工方法 |
KR20190008131A (ko) * | 2017-07-13 | 2019-01-23 | 칼 짜이스 마이크로스카피 게엠베하 | 현미경 시편의 현장 내 준비를 위한 방법 |
Citations (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH11144659A (ja) * | 1997-11-06 | 1999-05-28 | Hitachi Ltd | 集束イオンビーム加工観察装置 |
JPH11183410A (ja) * | 1997-12-25 | 1999-07-09 | Oki Electric Ind Co Ltd | Eds分析方法及びそのためのサンプル装置 |
JP2000035391A (ja) * | 1998-07-16 | 2000-02-02 | Seiko Instruments Inc | 薄片化加工時の試料歪除去方法 |
JP2000121521A (ja) * | 1998-10-19 | 2000-04-28 | Oki Electric Ind Co Ltd | 透過型電子顕微鏡用半導体試料およびその製造方法 |
JP2003194681A (ja) * | 2001-12-26 | 2003-07-09 | Toshiba Microelectronics Corp | Tem試料作製方法 |
JP2004361138A (ja) * | 2003-06-02 | 2004-12-24 | Sii Nanotechnology Inc | 曲がり自動認識機能を備えたtem試料加工用fib装置 |
JP2005249717A (ja) * | 2004-03-08 | 2005-09-15 | Sii Nanotechnology Inc | Tem試料作成方法 |
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2005
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Patent Citations (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH11144659A (ja) * | 1997-11-06 | 1999-05-28 | Hitachi Ltd | 集束イオンビーム加工観察装置 |
JPH11183410A (ja) * | 1997-12-25 | 1999-07-09 | Oki Electric Ind Co Ltd | Eds分析方法及びそのためのサンプル装置 |
JP2000035391A (ja) * | 1998-07-16 | 2000-02-02 | Seiko Instruments Inc | 薄片化加工時の試料歪除去方法 |
JP2000121521A (ja) * | 1998-10-19 | 2000-04-28 | Oki Electric Ind Co Ltd | 透過型電子顕微鏡用半導体試料およびその製造方法 |
JP2003194681A (ja) * | 2001-12-26 | 2003-07-09 | Toshiba Microelectronics Corp | Tem試料作製方法 |
JP2004361138A (ja) * | 2003-06-02 | 2004-12-24 | Sii Nanotechnology Inc | 曲がり自動認識機能を備えたtem試料加工用fib装置 |
JP2005249717A (ja) * | 2004-03-08 | 2005-09-15 | Sii Nanotechnology Inc | Tem試料作成方法 |
Cited By (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN102101641A (zh) * | 2010-11-26 | 2011-06-22 | 天津大学 | 一种利用镀膜技术辅助获得高精度刃口微型刀具的方法 |
GB2536853A (en) * | 2014-06-26 | 2016-10-05 | Lloyd Peto Neil | Process improvement for creating TEM sections |
JP2017096735A (ja) * | 2015-11-24 | 2017-06-01 | 日本電子株式会社 | 薄膜試料加工方法 |
KR20190008131A (ko) * | 2017-07-13 | 2019-01-23 | 칼 짜이스 마이크로스카피 게엠베하 | 현미경 시편의 현장 내 준비를 위한 방법 |
JP2019035737A (ja) * | 2017-07-13 | 2019-03-07 | カール ツァイス マイクロスコーピー ゲーエムベーハーCarl Zeiss Microscopy GmbH | 顕微鏡試料のインサイチュー作製のための方法 |
JP7077164B2 (ja) | 2017-07-13 | 2022-05-30 | カール ツァイス マイクロスコーピー ゲーエムベーハー | 顕微鏡試料のインサイチュー作製のための方法 |
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