JP2007157942A - 記憶素子及び記憶装置 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】2つの電極2,5の間に記憶層3が配置され、記憶層3に接して、Cu,Ag,Znから選ばれるいずれかの元素が含まれたイオン源層4が設けられ、2つの電極2,5のうち、記憶層3側の電極2の材料が、Zr,Nb,Mo,Taから選ばれた1つ以上の元素を有するアモルファスのタングステン合金、又はアモルファスの窒化タンタルである記憶素子10を構成する。
【選択図】図1
Description
また、DRAMは、電源を切ると情報が消えてしまう揮発性メモリであり、頻繁にリフレッシュ動作、即ち書き込んだ情報(データ)を読み出し、増幅し直して、再度書き込み直す動作を行う必要がある。
これらのメモリの場合、電源を供給しなくても書き込んだ情報を長時間保持し続けることが可能になる。
また、これらのメモリの場合、不揮発性とすることにより、リフレッシュ動作を不要にして、その分消費電力を低減することができると考えられる。
このため、デザインルールの限界や製造プロセス上の限界まで素子を縮小化することは難しい。
この記憶素子は、2つの電極の間に、ある金属を含むイオン導電体を挟んだ構造である。
そして、2つの電極のいずれか一方にイオン導電体中に含まれる金属を含ませることにより、2つの電極間に電圧を印加した場合に、電極中に含まれる金属がイオン導電体中にイオンとして拡散するため、これによりイオン導電体の抵抗値或いはキャパシタンス等の電気特性が変化する。
この特性を利用して、メモリデバイスを構成することが可能である(例えば特許文献1、非特許文献1参照)。
記憶素子の抵抗値が中間値をとると、読み出し時にデータ識別のマージンが低下してしまう。
さらに、記録・消去の動作時の電界強度が弱くなることから、移動後のイオン原子(記録過程又は消去過程の後にはイオン状態から非イオン状態に遷移している)が移動を再開するエネルギーレベルが低くなることが予想され、その結果として、不揮発性メモリとして必要な保持特性を充分に確保することが困難になる。
さらにまた、記憶用薄膜が低抵抗となった状態では、比較的大きな電流密度の電流が流れて、ジュール熱により比較的高温になることから、融点の高い材料を用いることが望ましい。
記憶用薄膜に酸化物薄膜を用いることにより、膜厚を薄くしても充分な抵抗変化が得られるため、膜厚を薄くして電界強度を強くすることにより、上述した問題を解決することが可能になる。
これは、高い電圧が印加されることにより、電極層の構成元素が記憶用薄膜(記憶層)に拡散することによって生じる現象と考えられる。
この現象が発生することにより、消去過程の電圧のマージン、或いは、製造プロセスにおける、記録用薄膜(記憶層)の膜厚のマージンを充分に確保できなくなる。
本発明の記憶装置は、上記本発明の記憶素子と、2つの電極の一方に接続された配線と、2つの電極の他方に接続された配線とを有し、記憶素子が多数配置されて成るものである。
また、この状態から、Cu,Ag,Znを含むイオン源層或いはイオン源層に接する一方の電極側に負電位を印加して記憶素子に負電圧をかけると、他方の電極側に析出していたCu,Ag,Znが再びイオン化して、一方の電極側に戻ることによって記憶層の抵抗値が元の高い状態に戻り、記憶素子の抵抗値も高くなるので、これにより記録した情報の消去を行うことが可能になる。
これにより、記憶素子の抵抗値を充分に高抵抗に遷移させることができ、記憶層に情報を安定して記録することができる。
さらに、記憶素子の抵抗値の変化、特に記憶層の抵抗値の変化を利用して情報の記録を行っているため、記憶素子を微細化していった場合にも、情報の記録や記録した情報の保持が容易になる利点を有している。
また、記憶装置の高集積化(高密度化)や小型化を図ることができる。
この記憶素子10は、比較的厚い酸化珪素膜1の上に、比較的高い抵抗値を有する記憶用薄膜(記憶層)3が形成され、この記憶用薄膜3上にCu,Ag,Znのうちのいずれかの元素が含有された、イオン源層4が形成され、このイオン源層4上に上部電極5が形成されて構成されている。
また、記憶用薄膜3下の酸化珪素膜1のうち一部を貫通して、プラグ層6と下部電極2とが形成され、下部電極2が記憶用薄膜3の下に接している。
酸化物としては、例えば、酸化ガドリニウム等の希土類酸化物、酸化タンタル等の遷移金属の酸化物、酸化アルミニウムや酸化珪素を用いることができる。
さらに、イオン源層4の陽イオンとなる元素としてCuを用いて、CuTeを含む構成とすると、イオン源層4の抵抗を低くしてイオン源層4の抵抗変化を記憶用薄膜(記憶層)3の抵抗変化と比較して充分に小さくすることができるため、メモリ動作の安定性を向上することができるため、より好ましい。
このイオン源層4に、例えば、CuGeTe膜を用いた場合には、膜厚を例えば5nm〜50nmにすればよい。
プラグ層6には、例えばW(タングステン)を用いることができる。
これにより、高い電圧が印加された場合でも、下部電極2の構成元素が拡散することを抑制することができる。
すると、記憶用薄膜3内部にCu,Ag,Znを多量に含む電流パスが形成される、もしくは、記憶用薄膜3内部にCu,Ag,Znによる欠陥が多数形成されることによって、記憶用薄膜3の抵抗値が低くなる。記憶用薄膜3以外の各層は、記憶用薄膜3の記録前の抵抗値に比べて、元々抵抗値が低いので、記憶用薄膜3の抵抗値を低くすることにより、記憶素子10全体の抵抗値も低くすることができる。
すると、記憶用薄膜3内からCu,Ag,Znによる電流パス、もしくは、欠陥が消滅して、記憶用薄膜3の抵抗値が高くなる。記憶用薄膜3以外の各層は元々抵抗値が低いので、記憶用薄膜3の抵抗値を高くすることにより、記憶素子10全体の抵抗値も高くすることができる。
その後、負電圧を除去して、記憶素子10にかかる電圧をなくすと、抵抗値が高くなった状態で保持される。これにより、記録された情報を消去すること(消去過程)が可能になる。
この状態から、金属カルコゲナイド層から成るイオン源層4に接する上部電極5側に負電位を印加すると、下部電極2側に析出していた金属元素(Cu,Ag,Zn)が再びイオン化して、金属カルコゲナイド層に戻ることによることによって、記憶用薄膜3の抵抗が元の高い状態に戻り、記憶素子10の抵抗も高くなるので、これにより記録した情報の消去を行うことが可能になる。
記録後の抵抗値は、記憶素子10のセルサイズ及び記憶用薄膜3の材料組成よりも、記録時に印加される電圧パルス或いは電流パルスの幅や電流量等の記録条件に依存し、初期抵抗値が100kΩ以上の場合には、およそ50Ω〜50kΩの範囲となる。
記録データを復調するためには、初期の抵抗値と記録後の抵抗値との比が、およそ2倍以上であれば充分であるので、記録前の抵抗値が100Ωで、記録後の抵抗値が50Ω、或いは、記録前の抵抗値が100kΩ、記録後の抵抗値が50kΩといった状況であれば充分であり、記憶用薄膜3の初期の抵抗値はそのような条件を満たすように設定される。記憶用薄膜3の抵抗値は、例えば、酸素濃度、膜厚、面積、さらには、不純物材料の添加によって調整することが可能である。
これにより、消去の過程において、記憶素子10の抵抗値を充分に高抵抗に遷移させることができ、記憶層3に情報を安定して記録することができる。
従って、高い信頼性を有する記憶装置を構成することができる。
また、同一のスパッタリング装置内で、ターゲットを交換することにより、連続して成膜することも可能である。
各記憶素子10に対して、その下部電極2側に接続された配線と、その上部電極5側に接続された配線とを設け、例えばこれらの配線の交差点付近に各記憶素子10が配置されるようにすればよい。
また、上述した実施の形態の記憶素子10は、微細化していった場合においても、情報の記録や記録した情報の保持が容易になる。
従って、上述した実施の形態の記憶素子10を用いて記憶装置を構成することにより、記憶装置の集積化(高密度化)や小型化を図ることができる。
このように構成すると、共用した層については、パターニングの精度が緩和されて、容易にパターニングを行うことが可能になるため、製造歩留まりを大幅に向上することができ、メモリセルのサイズを微細化しても、記憶素子を容易に歩留まり良く製造することができる利点を有する。
このように構成した場合には、記憶用薄膜に接する電極、即ち記憶用薄膜上の上部電極に、Zr,Nb,Mo,Taから選ばれた1つ以上の元素を有するアモルファスのタングステン合金、又はアモルファスのTaN(窒化タンタル)を用いればよい。これにより、高電界が印加されたときの上部電極の構成元素の拡散を抑制することができる。
<実験1>
酸化珪素膜1内に直径0.28μmの貫通穴を形成し、この貫通穴の一部深さを埋めるように、タングステンから成るプラグ層6を形成した。
このプラグ6層の上に、スパッタ法により下部電極2となる膜を成膜し、その後に、所謂エッチバック処理を施すことによって、酸化珪素膜1の貫通穴内に下部電極2を形成した。
次に、酸化珪素膜1及び下部電極2の上に、厚さ0.8〜1.5nmの金属ガドリニウムをスパッタリングにより形成し、同一真空装置内にて、酸素雰囲気のプラズマにて酸化処理を実施することにより、酸化ガドリニウム膜から成る記憶用薄膜(記憶層)3を形成した。
次に、記憶層3の上に、スパッタリングにより、イオン源層4としてCuTeGe膜を形成した。続いて、上部電極5としてタングステン膜を形成した。
その後、大気中に取り出して、リソグラフフィーにより、所謂MATと呼ばれる、メモリ構成単位の広いサイズでのパターニングのためのエッチングを実施した。
次に、上部の配線として、タングステン膜/アルミニウム膜の積層膜をスパッタリングにより形成して、この配線のパターニングを実施した。
その後、160℃の熱処理を真空中で実施して、図1に示した構造の記憶素子10を作製した。
また、比較例として、記憶素子10の下部電極2にWを用いて、メモリの試料を作製した。この例では、下部電極2がプラグ層6と同一の材料(タングステンW)であるので、これらをまとめて一層のW層として形成した。
さらに、他の比較例として、記憶素子10の下部電極2にWNを用いて、メモリの試料を作製した。
なお、下部電極2にWZrNbを用いた試料と、WNを用いた試料とでは、メモリの各メモリセルの記憶素子10において、プラグ層6の上面の位置が、その周囲の酸化珪素膜1の上面に対して、20〜50nm凹んでいるようにした。
記録の条件は、電圧パルスのパルス幅1ミリ秒、記録電圧2.5V、記録電流150μAとした。また、消去の条件は、電圧パルスのパルス幅1ミリ秒、消去電圧1.5Vとした。
記録後の抵抗値RW及び消去後の抵抗値REについて、それぞれのセル分布を、各試料ごとに図2A〜図2Cに示す。図2Aは下部電極2にWZrNbを用いた場合を示し、図2Bは下部電極2にWを用いた場合を示し、図2Cは下部電極2にWNを用いた場合を示している。図2A〜図2Cにおいて、横軸は抵抗値の対数値(10nのn値)を示し、縦軸はその抵抗値の累積確率(%)を示している。
一方、図2Bより、W膜を用いた場合には、一部(10%程度)の記憶素子において記録後の抵抗値RWが高くなってしまっている。
実験1と同様の製造方法により、図1に示した構造の記憶素子10の試料を作製した。
そして、実施例として、下部電極2をアモルファスWZrNb膜とした、記憶素子10の試料を作製した。
また、比較例として、下部電極2をアモルファスWN膜とした、記憶素子10の試料を作製した。
さらに、他の実施例として、下部電極2をアモルファスTaN膜とした、記憶素子10の試料を作製した。
測定結果を図3及び図4に示す。図3Aは下部電極2をWZrNb膜とした場合を示し、図3Bは下部電極2をWN膜とした場合を示し、 図4は下部電極2をTaN膜とした場合を示す。
なお、記録電流は、図3A及び図3Bでは400μAとしているが、図4では600μAとしている。
これは、下部電極2に用いたWNの構成元素であるWが、記憶用薄膜(記憶層)3へ拡散したために生じた不良と考えられる。
Claims (4)
- 2つの電極の間に記憶層が配置され、
前記記憶層に接して、Cu,Ag,Znから選ばれるいずれかの元素が含まれたイオン源層が設けられ、
前記2つの電極のうち、前記記憶層側の電極の材料が、Zr,Nb,Mo,Taから選ばれた1つ以上の元素を有するアモルファスのタングステン合金、又はアモルファスの窒化タンタルである
ことを特徴とする記憶素子。 - 前記イオン源層に、Te,S,Seから選ばれるいずれかの元素が含まれていることを特徴とする請求項1に記載の記憶素子。
- 前記イオン源層がCuTeを含んで成ることを特徴とする請求項1に記載の記憶素子。
- 2つの電極の間に記憶層が配置され、前記記憶層に接して、Cu,Ag,Znから選ばれるいずれかの元素が含まれたイオン源層が設けられ、前記2つの電極のうち、前記記憶層側の電極の材料が、Zr,Nb,Mo,Taから選ばれた1つ以上の元素を有するアモルファスのタングステン合金、又はアモルファスの窒化タンタルである記憶素子と、
前記2つの電極の一方に接続された配線と、
前記2つの電極の他方に接続された配線とを有し、
前記記憶素子が多数配置されて成る
ことを特徴とする記憶装置。
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