JP2007142418A - 可変インダクタを備えた多層回路、及びその製造方法 - Google Patents
可変インダクタを備えた多層回路、及びその製造方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2007142418A JP2007142418A JP2006308719A JP2006308719A JP2007142418A JP 2007142418 A JP2007142418 A JP 2007142418A JP 2006308719 A JP2006308719 A JP 2006308719A JP 2006308719 A JP2006308719 A JP 2006308719A JP 2007142418 A JP2007142418 A JP 2007142418A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- multilayer circuit
- layer
- switch
- coil structure
- circuit according
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Withdrawn
Links
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 8
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 19
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 33
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 33
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 6
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical group [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 claims description 5
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 239000010949 copper Substances 0.000 claims description 5
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims description 5
- 238000004132 cross linking Methods 0.000 claims description 3
- 239000000956 alloy Substances 0.000 claims description 2
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 230000000149 penetrating effect Effects 0.000 claims description 2
- 230000003071 parasitic effect Effects 0.000 abstract description 3
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 86
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 5
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 4
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 3
- 230000003321 amplification Effects 0.000 description 2
- 238000004377 microelectronic Methods 0.000 description 2
- 238000003199 nucleic acid amplification method Methods 0.000 description 2
- 238000004804 winding Methods 0.000 description 2
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000004891 communication Methods 0.000 description 1
- 239000012212 insulator Substances 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 1
- 239000000047 product Substances 0.000 description 1
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 description 1
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000004088 simulation Methods 0.000 description 1
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 1
- -1 sizes Substances 0.000 description 1
- 239000013589 supplement Substances 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers
- H01L27/04—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being a semiconductor body
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01F—MAGNETS; INDUCTANCES; TRANSFORMERS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR MAGNETIC PROPERTIES
- H01F21/00—Variable inductances or transformers of the signal type
- H01F21/12—Variable inductances or transformers of the signal type discontinuously variable, e.g. tapped
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/52—Arrangements for conducting electric current within the device in operation from one component to another, i.e. interconnections, e.g. wires, lead frames
- H01L23/522—Arrangements for conducting electric current within the device in operation from one component to another, i.e. interconnections, e.g. wires, lead frames including external interconnections consisting of a multilayer structure of conductive and insulating layers inseparably formed on the semiconductor body
- H01L23/5227—Inductive arrangements or effects of, or between, wiring layers
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/58—Structural electrical arrangements for semiconductor devices not otherwise provided for, e.g. in combination with batteries
- H01L23/64—Impedance arrangements
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/0001—Technical content checked by a classifier
- H01L2924/0002—Not covered by any one of groups H01L24/00, H01L24/00 and H01L2224/00
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/30—Technical effects
- H01L2924/301—Electrical effects
- H01L2924/3011—Impedance
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Semiconductor Integrated Circuits (AREA)
- Coils Or Transformers For Communication (AREA)
Abstract
【解決手段】それぞれの誘電体層によって分離された複数の導電層を有する多層回路であって、少なくとも一つの可変インダクタが形成され、その可変インダクタは、前記導電層の内の一の最厚の層内のコイル軌道に沿った導電性コイル構造と、前記コイル構造に接続された二つのポートと、少なくとも一つのスイッチを有し、前記導電層の前記一の層内の前記コイル軌道に沿った前記コイル構造の複数の特定の位置の一つに、少なくとも一つの前記ポートを選択的に接続し、これにより前記可変インダクタの対応する選択的なインダクタンス値を前記二つのポート間に与えるスイッチ構成とを有する。本発明は、当該回路の製造方法にも関するものである。
【選択図】図1
Description
21・・・導電性架橋
30・・・ポート
31・・・ポート
40・・・スイッチ
P・・・特定の位置
Claims (20)
- それぞれの誘電体層によって分離された複数の導電層と、少なくとも一つの可変インダクタとを有する多層回路であって、
前記可変インダクタは、
前記導電層の内の一の層内のコイル軌道に沿った導電性コイル構造と、
前記コイル構造に接続された二つのポートと、
少なくとも一つのスイッチを有し、前記導電層の前記一の層内の前記コイル軌道に沿った前記コイル構造の複数の特定の位置の一つに、少なくとも一つの前記ポートを選択的に接続し、これにより前記可変インダクタの対応する選択的なインダクタンス値を前記二つのポート間に与えるスイッチ構成とを有し、
前記コイル構造は、前記導電層中の最も厚い層に配置されていることを特徴とする多層回路。 - 請求項1記載の多層回路において、
前記コイル構造は、前記多層回路の最上導電層に配置されていることを特徴とする多層回路。 - 請求項1又は2のいずれかに記載の多層回路において、
前記スイッチの少なくとも一つは、前記ポートの内の前記少なくとも一方を、前記コイル構造の前記複数の特定の位置の一つと、前記導電層の他の層に実現された導電性の架橋を介して接続するように配置されていることを特徴とする多層回路。 - 請求項3記載の多層回路において、
前記コイル構造は、前記多層回路の最上導電層に実現されており、
前記架橋は前記最上導電層の次の導電層に実現されていることを特徴とする多層回路。 - 請求項3又は4のいずれかに記載の多層回路において、
前記架橋は、それぞれの導電層を分離する誘電体層のビアホールによって、前記コイル構造と接続されていることを特徴とする多層回路。 - 請求項1乃至5のいずれか1項に記載の多層回路において、
前記スイッチ構成は、それぞれが前記ポートの内の一方と前記コイル軌道に沿った前記コイル構造の特定の位置の内の一つとの間に配置され、当該スイッチに印加される入力信号に応じて前記ポートを前記特定の位置に選択的に接続し、又は前記ポートの前記特定の位置との接続を選択的に切断する、N個のスイッチを有し、Nが1以上であることを特徴とする多層回路。 - 請求項6記載の多層回路において、
Nが2以上であることを特徴とする多層回路。 - 請求項7記載の多層回路において、
Nが4以上であることを特徴とする多層回路。 - 請求項1乃至8のいずれか1項に記載の多層回路において、
それぞれのスイッチがトランジスタを有することを特徴とする多層回路。 - 請求項9記載の多層回路において、
それぞれのスイッチがMOSFETトランジスタを有することを特徴とする多層回路。 - 請求項1乃至10のいずれか1項に記載の多層回路において、
それぞれのスイッチは、前記コイル構造を有する層とは異なる層に配置されていることを特徴とする多層回路。 - 請求項1乃至11のいずれか1項に記載の多層回路において、
それぞれのスイッチは、ドープシリコン層上に実現されたトランジスタ層に配置されていることを特徴とする多層回路。 - 請求項1乃至12のいずれか1項に記載の多層回路において、
それぞれのスイッチは、前記スイッチを前記コイル構造及び前記ポートから分離する1又はそれ以上の誘電体層を貫通する少なくとも一つのビアホールを介して、前記コイル構造及び対応するポートに、それぞれ接続されていることを特徴とする多層回路。 - 請求項1乃至13のいずれか1項に記載の多層回路において、
前記導電層は金属層であることを特徴とする多層回路。 - 請求項14記載の多層回路において、
前記金属層は銅若しくはアルミニウムの層、又は銅及び/若しくはアルミニウムに基づく合金の層であることを特徴とする多層回路。 - 請求項1乃至15のいずれか1項に記載の多層回路を有することを特徴とする集積回路。
- 請求項1乃至15のいずれか1項に記載の多層回路を有することを特徴とする高周波用途の集積回路。
- 請求項17記載の集積回路において、
前記回路は増幅回路を有する少なくとも一つの低雑音増幅回路を有し、
前記少なくとも一つの可変インダクタは、前記低雑音増幅器を少なくとも2種類の周波数帯の一つに適応させるためのインピーダンス整合回路の一部を形成することを特徴とする集積回路。 - それぞれの誘電体層によって互いに分離された複数の導電層と、少なくとも一つの可変インダクタとを有する多層回路であって、
前記可変インダクタは、
前記導電層の内の一の層内のコイル軌道に沿った導電性コイル構造と、
前記コイル構造に接続された二つのポートと、
少なくとも一つのスイッチを有し、前記コイル軌道に沿った前記コイル構造の複数の特定の位置の一つに、少なくとも一つの前記ポートを選択的に接続する、スイッチ構成とを有する多層回路の製造方法であって、
基体構造上に前記少なくとも一のスイッチを設ける工程と、
前記基体構造上に、更なる多層構造を構築する工程であって、該多層構造は、それぞれの誘電体層によって互いに分離された複数の導電層を有し、前記導電層の内の一つの層内のコイル軌道に沿った導電コイル構造を実現しながら、前記導電層の前記一の層は前記導電層中の最も厚い層であり、前記ポートの少なくとも一つが前記導電層の前記一つの層内の前記コイル軌道に沿った前記コイル構造の複数の特定の位置の内の少なくとも一つに、前記少なくとも一つのスイッチと前記少なくとも一つのスイッチを前記コイル構造から分離する前記誘電体層の少なくとも一つを貫通するビアホールとを介して接続可能であるように、前記二つのポートを前記コイル構造に接続する工程とを有することを特徴とする多層回路の製造方法。 - 請求項19記載の方法において、
前記導電層の内の最も厚い層は前記多層回路の最上導電層であることを特徴とする多層回路の製造方法。
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
EP05025101A EP1788626B1 (en) | 2005-11-17 | 2005-11-17 | Multilayer circuit with variable inductor, and method of manufacturing it |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2007142418A true JP2007142418A (ja) | 2007-06-07 |
Family
ID=35953950
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2006308719A Withdrawn JP2007142418A (ja) | 2005-11-17 | 2006-11-15 | 可変インダクタを備えた多層回路、及びその製造方法 |
Country Status (5)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US20070115086A1 (ja) |
EP (1) | EP1788626B1 (ja) |
JP (1) | JP2007142418A (ja) |
KR (1) | KR20070052674A (ja) |
DE (1) | DE602005014250D1 (ja) |
Cited By (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2011122003A1 (ja) | 2010-03-30 | 2011-10-06 | パナソニック株式会社 | 無線電力伝送システム |
KR20150060006A (ko) * | 2013-11-25 | 2015-06-03 | 삼성전기주식회사 | 인쇄회로기판 |
JP2016031963A (ja) * | 2014-07-28 | 2016-03-07 | Tdk株式会社 | コイル部品、コイル部品複合体およびトランス、ならびに電源装置 |
US10110176B2 (en) | 2016-06-17 | 2018-10-23 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Amplifier |
KR20190074937A (ko) * | 2017-12-20 | 2019-06-28 | 국립 중산 과학 기술 연구원 | 가변 인덕터 및 그를 이용한 집적회로 |
Families Citing this family (15)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR100579136B1 (ko) * | 2004-12-16 | 2006-05-12 | 한국전자통신연구원 | 가변 인덕턴스를 갖는 트랜스포머 |
US8350657B2 (en) * | 2005-06-30 | 2013-01-08 | Derochemont L Pierre | Power management module and method of manufacture |
US7414478B2 (en) * | 2006-03-31 | 2008-08-19 | Intel Corporation | Integrated parallel power amplifier |
US20100327406A1 (en) * | 2009-06-26 | 2010-12-30 | Stats Chippac, Ltd. | Semiconductor Device and Method of Forming Inductor Over Insulating Material Filled Trench In Substrate |
US8922315B2 (en) * | 2011-05-17 | 2014-12-30 | Bae Systems Information And Electronic Systems Integration Inc. | Flexible ultracapacitor cloth for feeding portable electronic device |
US8680899B2 (en) | 2011-09-23 | 2014-03-25 | Tensorcom, Inc. | High performance divider using feed forward, clock amplification and series peaking inductors |
US8487695B2 (en) | 2011-09-23 | 2013-07-16 | Tensorcom, Inc. | Differential source follower having 6dB gain with applications to WiGig baseband filters |
US8406710B1 (en) | 2011-09-23 | 2013-03-26 | Tensorcom, Inc. | Method and apparatus of minimizing extrinsic parasitic resistance in 60 GHz power amplifier circuits |
WO2013043954A2 (en) * | 2011-09-23 | 2013-03-28 | Tensorcom, Inc. | A high performance divider using feed forward, clock amplification and series peaking inductors |
WO2015130670A1 (en) * | 2014-02-25 | 2015-09-03 | Skyworks Solutions, Inc. | Systems, devices and methods related to improved radio-frequency modules |
US9653204B2 (en) | 2015-01-22 | 2017-05-16 | Globalfoundries Inc. | Symmetric multi-port inductor for differential multi-band RF circuits |
CN105244345B (zh) * | 2015-09-21 | 2018-04-03 | 温州大学 | 一种电感值可调的片上集成差分电感 |
JP6750901B2 (ja) | 2015-11-17 | 2020-09-02 | テンサーコム,インク. | チャンネル選択フィルタを備えた高線形性WiGigベースバンドアンプ |
CN110112835A (zh) * | 2019-05-16 | 2019-08-09 | 中南大学 | 频率可重构四线圈结构磁耦合谐振式无线能量传输系统 |
JP7433176B2 (ja) | 2020-09-15 | 2024-02-19 | 三菱電機株式会社 | 回転電機ステータの結線板、回転電機のステータ、および回転電機 |
Citations (11)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH07142258A (ja) * | 1993-11-17 | 1995-06-02 | Takeshi Ikeda | インダクタンス可変素子 |
JPH08162331A (ja) * | 1994-12-05 | 1996-06-21 | Hitachi Ltd | 可変インダクタ及びそれを用いた半導体集積回路 |
JPH11260646A (ja) * | 1998-03-10 | 1999-09-24 | Oki Electric Ind Co Ltd | インダクタンス制御構造 |
JP2001089296A (ja) * | 1999-08-30 | 2001-04-03 | Lucent Technol Inc | 半導体基板の製造方法 |
JP2003178919A (ja) * | 2001-12-11 | 2003-06-27 | Sony Corp | 半導体装置及びその製造方法 |
US20040140528A1 (en) * | 2002-11-13 | 2004-07-22 | Kim Cheon Soo | Stacked variable inductor |
JP2004221317A (ja) * | 2003-01-15 | 2004-08-05 | Renesas Technology Corp | 半導体装置 |
JP2004266718A (ja) * | 2003-03-04 | 2004-09-24 | Renesas Technology Corp | 発振回路およびl負荷差動回路 |
JP2004350117A (ja) * | 2003-05-23 | 2004-12-09 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | モノリシックマイクロ波集積回路 |
JP2005057270A (ja) * | 2003-08-01 | 2005-03-03 | Stmicroelectronics Sa | 切換え可能なインダクタンス |
JP2005191217A (ja) * | 2003-12-25 | 2005-07-14 | Sharp Corp | スパイラルインダクタおよびそれを備えた回路装置または差動回路 |
Family Cites Families (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0461256A (ja) * | 1990-06-28 | 1992-02-27 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体集積回路 |
TW262595B (ja) * | 1993-11-17 | 1995-11-11 | Ikeda Takeshi | |
DE10162263A1 (de) * | 2001-12-18 | 2003-07-10 | Infineon Technologies Ag | Induktives Bauteil |
US7251466B2 (en) * | 2004-08-20 | 2007-07-31 | Xceive Corporation | Television receiver including an integrated band selection filter |
-
2005
- 2005-11-17 DE DE602005014250T patent/DE602005014250D1/de active Active
- 2005-11-17 EP EP05025101A patent/EP1788626B1/en not_active Expired - Fee Related
-
2006
- 2006-11-07 US US11/594,002 patent/US20070115086A1/en not_active Abandoned
- 2006-11-15 JP JP2006308719A patent/JP2007142418A/ja not_active Withdrawn
- 2006-11-17 KR KR1020060113677A patent/KR20070052674A/ko not_active Application Discontinuation
Patent Citations (11)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH07142258A (ja) * | 1993-11-17 | 1995-06-02 | Takeshi Ikeda | インダクタンス可変素子 |
JPH08162331A (ja) * | 1994-12-05 | 1996-06-21 | Hitachi Ltd | 可変インダクタ及びそれを用いた半導体集積回路 |
JPH11260646A (ja) * | 1998-03-10 | 1999-09-24 | Oki Electric Ind Co Ltd | インダクタンス制御構造 |
JP2001089296A (ja) * | 1999-08-30 | 2001-04-03 | Lucent Technol Inc | 半導体基板の製造方法 |
JP2003178919A (ja) * | 2001-12-11 | 2003-06-27 | Sony Corp | 半導体装置及びその製造方法 |
US20040140528A1 (en) * | 2002-11-13 | 2004-07-22 | Kim Cheon Soo | Stacked variable inductor |
JP2004221317A (ja) * | 2003-01-15 | 2004-08-05 | Renesas Technology Corp | 半導体装置 |
JP2004266718A (ja) * | 2003-03-04 | 2004-09-24 | Renesas Technology Corp | 発振回路およびl負荷差動回路 |
JP2004350117A (ja) * | 2003-05-23 | 2004-12-09 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | モノリシックマイクロ波集積回路 |
JP2005057270A (ja) * | 2003-08-01 | 2005-03-03 | Stmicroelectronics Sa | 切換え可能なインダクタンス |
JP2005191217A (ja) * | 2003-12-25 | 2005-07-14 | Sharp Corp | スパイラルインダクタおよびそれを備えた回路装置または差動回路 |
Cited By (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2011122003A1 (ja) | 2010-03-30 | 2011-10-06 | パナソニック株式会社 | 無線電力伝送システム |
US8716900B2 (en) | 2010-03-30 | 2014-05-06 | Panasonic Corporation | Wireless power transmission system |
KR20150060006A (ko) * | 2013-11-25 | 2015-06-03 | 삼성전기주식회사 | 인쇄회로기판 |
KR102176283B1 (ko) * | 2013-11-25 | 2020-11-09 | 삼성전기주식회사 | 인쇄회로기판 |
JP2016031963A (ja) * | 2014-07-28 | 2016-03-07 | Tdk株式会社 | コイル部品、コイル部品複合体およびトランス、ならびに電源装置 |
US10110176B2 (en) | 2016-06-17 | 2018-10-23 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Amplifier |
US10673395B2 (en) | 2016-06-17 | 2020-06-02 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Amplifier |
KR20190074937A (ko) * | 2017-12-20 | 2019-06-28 | 국립 중산 과학 기술 연구원 | 가변 인덕터 및 그를 이용한 집적회로 |
KR102071800B1 (ko) * | 2017-12-20 | 2020-01-30 | 국립 중산 과학 기술 연구원 | 가변 인덕터 및 그를 이용한 집적회로 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
DE602005014250D1 (de) | 2009-06-10 |
US20070115086A1 (en) | 2007-05-24 |
EP1788626A1 (en) | 2007-05-23 |
KR20070052674A (ko) | 2007-05-22 |
EP1788626B1 (en) | 2009-04-29 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP2007142418A (ja) | 可変インダクタを備えた多層回路、及びその製造方法 | |
KR101234957B1 (ko) | 출력 네트워크를 사용한 전력 제어 장치 | |
US7286013B2 (en) | Coupled-inductance differential amplifier | |
KR101413940B1 (ko) | 신호 증폭을 수행하는 장치, 집적 회로, 및 방법 | |
JP5656289B2 (ja) | 改善された高調波抑制性能を有するバラン変換器およびその形成方法 | |
US7023272B2 (en) | Multi-band low noise amplifier system | |
JP2011159953A (ja) | 電子回路及び電子機器 | |
JP2009500860A (ja) | マルチバンド無線周波数動作用のインダクタ・デバイス | |
JP2006332683A (ja) | 可変インダクタおよびそれを備えた高周波回路モジュール | |
US10673393B2 (en) | Amplifier | |
KR101893273B1 (ko) | 동조가능한 인덕터 배열, 송수신기, 방법 및 컴퓨터 프로그램 | |
US10666204B2 (en) | Tunable power amplifier with wide frequency range | |
KR20140032907A (ko) | 스피커 코일을 통해 무선 주파수 신호를 전송하기 위한 시스템 및 방법 | |
US9008590B2 (en) | Liquid MEMS component and RF applications thereof | |
Ko et al. | An S/X-band CMOS power amplifier using a transformer-based reconfigurable output matching network | |
EP4073930B1 (en) | Compact antenna impedance tuner | |
JP4471757B2 (ja) | 可変インダクタ | |
KR101642758B1 (ko) | 반도체장치 | |
Singh et al. | A digitally-tuned triple-band transformer power combiner for CMOS power amplifiers | |
EP4315600A1 (en) | Low noise amplifier incorporating sutardja transformer | |
WO2011127777A1 (zh) | 射频功率放大器模块及移动通信终端 | |
Yoon et al. | Fully-integrated concurrent dual-band CMOS power amplifier with switchless matching network | |
JP2007235332A (ja) | 段間フィルタとこれを用いた無線機 | |
WO2023017760A1 (ja) | 高周波回路、通信装置および高周波回路の電力増幅方法 | |
JP2005109864A (ja) | バルントランス、及び、これを用いた電子機器 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
RD04 | Notification of resignation of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7424 Effective date: 20070406 |
|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20090611 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20110328 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20110405 |
|
A761 | Written withdrawal of application |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A761 Effective date: 20110413 |