JP2005109864A - バルントランス、及び、これを用いた電子機器 - Google Patents

Abstract

【課題】２以上の周波数帯域の信号に適応し得るバルントランスを提供する。
【解決手段】不平衡伝送線路１０と、平衡伝送線路２０と、不平衡側インピーダンス調整手段４０と、平衡側インピーダンス調整手段５０とを含み、２以上の周波数帯域の信号に適応し得る。不平衡伝送線路１０は、平衡伝送線路２０と結合する。不平衡側インピーダンス調整手段４０は、不平衡側制御端子Ｔ４１を有し、不平衡伝送線路１０に接続され、不平衡側制御端子Ｔ４１に供給される制御信号に基づいてインピーダンス特性が変化する。平衡側インピーダンス調整手段５０は、平衡側制御端子Ｔ５１を有し、平衡伝送線路２０に接続され、平衡側制御端子Ｔ５１に供給される制御信号に基づいてインピーダンス特性が変化する。
【選択図】 図１

Description

一般に、ＵＨＦ帯以上の周波数制御信号の平衡不平衡変換部品としては、例えば、特許文献１に記載された共振器型バルントランス又はマーチャンドバルン、及び、特許文献２などに記載されたアクティブバルンが知られている。

ところで、近年のＩＴ産業の発展に伴い、例えば、無線ＬＡＮ等の電子機器においては、２以上の周波数帯域に対応した製品規格が普及しつつある。例えば、無線ＬＡＮの規格の１つであるIEEE 802.11a-bは、２．４ＧＨｚと５ＧＨｚの周波数帯域に対応している。したがって、電子機器に用いられるバルン等の平衡不平衡変換部品も、小型化、低コスト化の観点から、２以上の周波数帯域に対応することが望まれる。

しかしながら、特許文献１に記載された共振器型バルントランスの場合、その構造上、共振周波数の偶数倍の周波数が、反共振周波数に相当し、特性劣化が起きるから、例えば、３ＧＨｚ以上の高周波領域で、良好な通過特性を得ることができない。したがって、特許文献１に記載された共振器型バルントランスは、実際に要求される２．４ＧＨｚ及び５ＧＨｚの２以上の周波数帯域での平衡不平衡変換に対応することができない。

特許文献２に記載されたアクティブバルンは、カスケード接続された複数のＦＥＴを用いている。この構成によれば、広帯域において、良好な通過特性を得ることができるから、１つのアクティブバルンで、２以上の周波数帯域の平衡不平衡変換を実現できる。

しかしながら、アクティブバルンは、ＦＥＴを用いるから、常にバイアス電流を印加する必要がある。このため、低消費電力化が図れないという難点がある。更に、アクティブバルンは、カスケード接続された複数のＦＥＴを用いているから、動作電圧を低く抑えることができないという問題がある。
特開２００２−２６０９３０号公報 特開２０００−１６５２０３号公報

本発明の課題は、２以上の周波数帯域の信号に適応し得るバルントランス、及び、これを用いた電子機器を提供することである。

本発明のもう１つの課題は、電子機器の小型化及び低コスト化を実現し得るバルントランス、及び、これを用いた電子機器を提供することである。

本発明の更にもう１つの課題は、低電圧化、及び、低消費電力化を実現し得るバルントランス、及び、これを用いた電子機器を提供することである。

上述した課題を解決するため、本発明に係るバルントランスは、不平衡伝送線路と、平衡伝送線路と、不平衡側インピーダンス調整手段と、平衡側インピーダンス調整手段とを含み、２以上の周波数帯域の信号に適応し得る。

不平衡伝送線路は、平衡伝送線路と結合する。不平衡側インピーダンス調整手段は、不平衡側制御端子を有し、不平衡伝送線路に接続され、不平衡側制御端子に供給される制御信号に基づいてインピーダンス特性が変化する。平衡側インピーダンス調整手段は、平衡側制御端子を有し、平衡伝送線路に接続され、平衡側制御端子に供給される制御信号に基づいてインピーダンス特性が変化する。

上述したように、本発明に係るバルントランスは、不平衡伝送線路と、平衡伝送線路とを含み、不平衡伝送線路は、平衡伝送線路と結合する。このため、不平衡伝送線路に供給された信号を平衡伝送線路に伝送するとともに、平衡伝送線路に供給された信号を不平衡伝送線路に伝送することができる。

また、本発明に係るバルントランスは、不平衡側インピーダンス調整手段と、平衡側インピーダンス調整手段とを含む。不平衡側インピーダンス調整手段は、不平衡側制御端子を有し、不平衡伝送線路に接続されている。平衡側インピーダンス調整手段は、平衡側制御端子を有し、平衡伝送線路に接続されている。ここで、不平衡側制御端子及び平衡側制御端子は、別々に設けてもよいし、共通化してもよい。

上記構成によれば、不平衡側制御端子に供給される制御信号に基づいて、不平衡側インピーダンス調整手段のインピーダンス特性を変化させ、平衡側制御端子に供給される制御信号に基づいて、平衡側インピーダンス調整手段のインピーダンス特性を変化させることができる。

不平衡側インピーダンス調整手段のインピ−ダンス特性が変化すると、不平衡伝送線路の信号伝送特性が変化する。同様に、平衡側インピーダンス調整手段のインピーダンス特性が変化すると、平衡伝送線路の信号伝送特性が変化する。

従って、本発明に係るバルントランスによれば、不平衡側制御端子及び平衡側制御端子に与えられる制御信号によって、不平衡伝送線路及び平衡伝送線路の信号伝送特性を変化させ、１つのバルントランスで、２以上の周波数帯域の信号に適応し得る。

しかも、本発明に係るバルントランスは、１つのバルントランスで、２以上の周波数帯域の信号に適応し得るから、その分だけバルントランスの使用個数を低減できる。このため、本発明に係るバルントランスによれば、電子機器の小型化、及び、低コスト化を図ることができる
さらに、本発明に係るバルントランスは、アクティブバルンとは異なり、ＦＥＴ等の能動素子を用いることなく、受動素子で構成できる。従って、低電圧化、及び、低消費電力化を実現し得る。

不平衡側インピーダンス調整手段及び平衡側インピーダンス調整手段としては、例えば、スイッチ手段とコンデンサとの直列回路のように、キャパシタンス成分が段階的に切換わるものや、バリキャップダイオードのように、キャパシタンス成分が連続的に変化するもの等を挙げることができる。

信号伝送特性とは、平衡伝送線路−不平衡伝送線路間の通過特性もしくは反射特性、平衡伝送線路−不平衡伝送線路間の位相特性等をいう。

本発明に係るバルントランスは、例えば、アンテナ及び送受信回路に組み合わされて、無線ＬＡＮ、携帯電話機などの電子機器を構成する。

本発明の他の特徴及びそれによる作用効果は、添付図面を参照し、実施例によって更に詳しく説明する。

図１は本発明に係るバルントランスを示すブロック図である。図示されたバルントランスは、不平衡伝送線路１０と、平衡伝送線路２０と、不平衡側インピーダンス調整手段４０と、平衡側インピーダンス調整手段５０とを含む。図示のバルントランスは、例えば、アンテナ及び送受信回路に組み合わされて、無線ＬＡＮ、携帯電話機などの電子機器を構成する。

不平衡伝送線路１０は、第１の線路導体１１と、第２の線路導体１２とを含み、平衡伝送線路２０は、第３の線路導体２１と、第４の線路導体２２とを含む。第１乃至第４の線路導体１１、１２、２１、２２は、例えば、（λ／４）のストリップラインまたはマイクロストリップラインとして構成される。

第１の線路導体１１は、一端が不平衡信号用端子Ｔ１１を構成する。第２の線路導体１２は、一端が第１の線路導体１１の他端と接続される。第３の線路導体２１は、第１の線路導体１１と方向性をもって結合し、不平衡信号用端子Ｔ１１と対応する一端が接地端子Ｔ６１に接続され、他端が第１の平衡信号用端子Ｔ２１を構成する。第４の線路導体２２は、第２の線路導体１２と方向性をもって結合し、第２の線路導体１２の他端と対応する一端が接地端子Ｔ６２に接続され、他端が第２の平衡信号用端子Ｔ３１を構成する。

不平衡側インピーダンス調整手段４０は、不平衡側制御端子Ｔ４１を有し、不平衡伝送線路１０に接続される。不平衡側インピーダンス調整手段４０は、不平衡側制御端子Ｔ４１に供給される制御信号に基づいてインピーダンス特性が変化する。

平衡側インピーダンス調整手段５０は、平衡側制御端子Ｔ５１を有し、平衡伝送線路２０に接続される。平衡側インピーダンス調整手段５０は、平衡側制御端子Ｔ５１に供給される制御信号に基づいてインピーダンス特性が変化する。図示実施例において、不平衡側制御端子Ｔ４１及び平衡側制御端子Ｔ５１は、別々に設けられているが、不平衡側制御端子Ｔ４１及び平衡側制御端子Ｔ５１は、共通化してもよい。

上述したように、本発明に係るバルントランスは、不平衡伝送線路１０と、平衡伝送線路２０とを含み、不平衡伝送線路１０は、平衡伝送線路２０と結合する。このため、不平衡伝送線路１０に供給された信号を平衡伝送線路２０に伝送するとともに、平衡伝送線路２０に供給された信号を不平衡伝送線路１０に伝送することができる。

図示のバルントランスは、不平衡側インピーダンス調整手段４０と、平衡側インピーダンス調整手段５０とを含む。不平衡側インピーダンス調整手段４０は、不平衡側制御端子Ｔ４１を有し、不平衡伝送線路１０に接続されている。平衡側インピーダンス調整手段５０は、平衡側制御端子Ｔ５１を有し、平衡伝送線路２０に接続されている。

上記構成によれば、不平衡側制御端子Ｔ４１に供給される制御信号に基づいて、不平衡側インピーダンス調整手段４０のインピーダンス特性を変化させ、平衡側制御端子Ｔ５１に供給される制御信号に基づいて、平衡側インピーダンス調整手段５０のインピーダンス特性を変化させることができる。

不平衡側インピーダンス調整手段４０のインピ−ダンス特性が変化すると、不平衡伝送線路１０の信号伝送特性が変化する。同様に、平衡側インピーダンス調整手段５０のインピーダンス特性が変化すると、平衡伝送線路２０の信号伝送特性が変化する。

従って、本発明に係るバルントランスによれば、不平衡側制御端子Ｔ４１及び平衡側制御端子Ｔ５１に与えられる制御信号によって、不平衡伝送線路１０及び平衡伝送線路２０の信号伝送特性を変化させ、１つのバルントランスで、２以上の周波数帯域の信号に適応し得る。

このように、本発明に係るバルントランスは、１つのバルントランスで、２以上の周波数帯域の信号に適応し得るから、その分だけバルントランスの使用個数を低減できる。このため、本発明によれば、バルントランスを用いた電子機器の小型化、及び、低コスト化を図ることができる
また、図示バルントランスは、アクティブバルンとは異なり、ＦＥＴを用いる必要がないので、低電圧化、及び、低消費電力化を実現し得る。

図２は図１に示したバルントランスの具体例を示すブロック図である。図２において、図１に現れた構成部分と同一の構成部分については、同一の参照符号を付してある。

図２において、不平衡側インピーダンス調整手段４０は、第１のインピーダンス調整手段４１と、第２のインピーダンス調整手段４２とを含む。平衡側インピーダンス調整手段５０は、第３のインピーダンス調整手段５１と、第４のインピーダンス調整手段５２とを含む。第１乃至第４のインピーダンス調整手段４１、４２、５１、５２のそれぞれは、ほぼ同一のインピーダンス−周波数特性を有するものとする。

第１のインピーダンス調整手段４１は、一端が第１の線路導体１１の一端に接続され、他端が接地端子Ｔ６３に接続される。第２のインピーダンス調整手段４２は、一端が第２の線路導体１２の一端に接続され、他端が第２の線路導体１２の他端に接続される。第３のインピーダンス調整手段５１は、第３の線路導体２１と並列に接続される。第４のインピーダンス調整手段５２は、第４の線路導体２２と並列に接続される。

不平衡伝送線路１０に着目した場合、第１のインピーダンス調整手段４１の不平衡側制御端子Ｔ４１に供給される制御信号が変化すると、第１の線路導体１１の一端が接続された不平衡信号用端子Ｔ１１と、接地端子Ｔ６３との間で見た第１のインピーダンス調整手段４１のインピーダンス特性が変化する。また、第２のインピーダンス調整手段４２の不平衡側制御端子Ｔ４１に供給される制御信号が変化すると、第２の線路導体１１の他端と、接地端子Ｔ６３との間で見た第２のインピーダンス調整手段４２のインピーダンス特性が変化する。これにより、不平衡伝送線路１０の信号伝送特性が変化する。

平衡伝送線路２０の側においても、第３のインピーダンス調整手段５１の平衡側制御端子Ｔ５１に供給される制御信号が変化すると、第３の線路導体２１の一端が接続された接地端子Ｔ６１と、第１の平衡信号用端子Ｔ２１との間で見た第３のインピーダンス調整手段５１のインピーダンス特性が変化する。また、第４のインピーダンス調整手段５２の平衡側制御端子Ｔ５１に供給される制御信号が変化すると、第４の線路導体２２の一端に接続された第２の平衡信号用端子Ｔ３１と、他端に接続された接地端子Ｔ６２との間で見た第４のインピーダンス調整手段５２のインピーダンス特性が変化する。これにより、平衡伝送線路２０の信号伝送特性が変化する。

従って、不平衡側制御端子Ｔ４１、平衡側制御端子Ｔ５１に供給される制御信号の切り替えにより、不平衡伝送線路１０及び平衡伝送線路２０を、２以上の周波数帯域に対応するように、切り替えることができる。

図３は図２に示したバルントランスのさらに具体的な回路構成を示す図である。図３において、第１のインピーダンス調整手段４１は、ダイオードＤ１１とコンデンサＣ１１とを直列に接続した構成となっている。ダイオードＤ１１は、カソードが接地端子Ｔ６３に接続され、コンデンサＣ１１と接続されたアノードがチョークコイルＬ４１を介して不平衡側制御端子Ｔ４１に接続される。

第２のインピーダンス調整手段４２は、ダイオードＤ１２とコンデンサＣ１２とを直列に接続した回路構成になっている。ダイオードＤ１２は、カソードが接地端子Ｔ６３に接続され、コンデンサＣ１２と接続されたアノードがチョークコイルＬ４２を介して不平衡側制御端子Ｔ４１に接続される。

第３のインピーダンス調整手段５１は、ダイオードＤ２１とコンデンサＣ２１とを直列に接続した回路構成になっている。ダイオードＤ２１は、カソードが接地端子Ｔ６１に接続され、コンデンサＣ２１と接続されたアノードが、チョークコイルＬ５１を介して平衡側制御端子Ｔ５１に接続される。第４のインピーダンス調整手段５１は、ダイオードＤ２２とコンデンサＣ２２とを直列に接続した回路構成になっている。ダイオードＤ２２は、カソードが接地端子Ｔ６２に接続され、コンデンサＣ２２と接続されたアノードがチョークコイルＬ５２を介して平衡側制御端子Ｔ５１に接続される。

次に、図３に図示したバルントランスについて、その回路動作を説明する。不平衡伝送線路１０の側の回路動作は、次のとおりである。

まず、第１の線路導体１１において、不平衡側制御端子Ｔ４１に、例えば、１．６Ｖ程度の電圧が印加されると、ダイオードＤ１１が導通して、不平衡側インピーダンス調整手段４１のコンデンサＣ１１が、第１の導体線路１１の一端と接地端子Ｔ６３との間に入り、コンデンサＣ１１のキャパシタンスによるインピーダンスが付加される。これにより、低域の周波数帯域において、高い信号伝送特性（通過特性）が得られる。

一方、不平衡側制御端子Ｔ４１に印加される電圧が、例えば、ゼロＶになると、ダイオードＤ１１が非導通となり、コンデンサＣ１１が第１の導体線路１１から電気回路的に切り離された状態になる。これにより、高域の周波数帯域において、高い信号伝送特性（通過特性）が得られる。

第２の線路導体１２では、不平衡側制御端子Ｔ４１に、例えば、１．６Ｖ程度の電圧が印加されると、ダイオードＤ１２が導通して、不平衡側インピーダンス調整手段４２のコンデンサＣ１２が、第２の導体線路１１の一端と接地端子Ｔ６３との間に入り、コンデンサＣ１２のキャパシタによる応じたインピーダンスが付加される。これにより、低域の周波数帯域において、高い信号伝送特性（通過特性）が得られる。

一方、第２の線路導体１２において、不平衡側制御端子Ｔ４１に印加される電圧が、例えば、ゼロＶになると、ダイオードＤ１２が非導通となり、コンデンサＣ１２が第２の導体線路１２から電気回路的に切り離された状態になる。これにより、高域の周波数帯域において、高い信号伝送特性（通過特性）が得られる。

平衡側伝送線路２０における動作は次のとおりである。

まず、第３の線路導体２１において、平衡側制御端子Ｔ５１に、例えば、１．６Ｖ程度の電圧が印加されると、ダイオードＤ２１が導通して、平衡側インピーダンス調整手段５１のコンデンサＣ２１が、第３の導体線路２１の一端と他端との間に入り、コンデンサＣ２１のキャパシタによる応じたインピーダンスが付加される。これにより、低域の周波数帯域において、高い信号伝送特性（通過特性）が得られる。

一方、平衡側制御端子Ｔ５１に印加される電圧が、例えば、ゼロＶになると、ダイオードＤ２１が非導通となり、コンデンサＣ２１が第３の導体線路２１から電気回路的に切り離された状態になる。これにより、高域の周波数帯域において、高い信号伝送特性（通過特性）が得られる。

次に、第４の線路導体２２において、平衡側制御端子Ｔ５１に、例えば、１．６Ｖ程度の電圧が印加されると、ダイオードＤ２２が導通して、平衡側インピーダンス調整手段５２のコンデンサＣ２２が、第４の導体線路２２の一端と他端との間に入り、コンデンサＣ２２のキャパシタによる応じたインピーダンスが付加される。これにより、低域の周波数帯域において、高い信号伝送特性（通過特性）が得られる。

一方、平衡側制御端子Ｔ５１に印加される電圧が、例えば、ゼロＶになると、ダイオードＤ２２が非導通となり、コンデンサＣ２２が第４の導体線路２２から電気回路的に切り離された状態になる。これにより、高域の周波数帯域において、高い信号伝送特性（通過特性）が得られる。

不平衡側制御端子Ｔ４１及び平衡側制御端子Ｔ５１は、共通に接続し、同一の制御信号を供給するようにすることが好ましい。

上述したように、不平衡側制御端子Ｔ４１及び平衡側制御端子Ｔ５１に対する制御信号の切り替えにより、不平衡側インピーダンス調整手段４０及び平衡側インピーダンス調整手段５０のインピーダンス特性が、２段階に切り替えられるので、２つの周波数帯域に対応したバルントランスが得られる。

本発明に係るバルントランスは、セラミックスシートや、樹脂シート等を積層して構成することもできる。積層して構成した場合、バルントランスとコンデンサ１１、１２、２１、２２等の部品とを一体化できるので、更なる小型化を図ることができる。

図４〜図７は、図３に示したバルントランスにおいて、不平衡側制御端子Ｔ４１、平衡側制御端子Ｔ５１に電圧を印加し、ダイオードＤ１１、Ｄ１２、Ｄ２１、Ｄ２２を導通にしたときの特性を示す図である。図４は減衰特性を示す図、図５は図４の拡大図、図６は位相特性を示す図、図７は図６の拡大図である。

図８、図９は、図３に示したバルントランスのダイオードＤ１１、Ｄ１２、Ｄ２１、Ｄ２２を非導通にしたときの特性を示す図である。図８は減衰特性を示す図、図９は位相特性を示す図である。図４〜図９において、反射特性Ｓ１１は、不平衡信号用端子Ｔ１１−接地ＧＮＤ間の特性、通過特性Ｓ２１は、第１の平衡信号用端子Ｔ２１−接地ＧＮＤ間の特性、通過特性Ｓ３１は、第２の平衡信号用端子Ｔ３１−接地ＧＮＤ間の特性を示している。

図４〜図９は、基板の比誘電率εｒを４．４とし、その厚みを０．２５ｍｍとし、コンデンサＣ１１、１２、２１、２２のキャパシタンス値を１．６ｐＦとし、チョークコイルＬ４１、４２、５１、５２のインダクタンス値を３３ｎＨとしたときの特性である。ダイオードの定数については、Ｃｊ＝０．０５ｐＦ、導通時のＲｊ＝０．３Ω、非導通時のＲｊ＝１００ｋΩ、Ｌｓ＝０．３ｎＨ、Ｃｂ＝１００ｐＦ、Ｃｇ＝０．０２ｐＦとした。

図４、図５において、通過特性Ｓ２１、Ｓ３１は、２．３〜２．７ＧＨｚの範囲では、減衰量が十分に小さく、４．０〜５．５ＧＨｚの範囲では、減衰量が十分に大きい。また、図６、図７において、通過特性Ｓ２１、Ｓ３１は、２．３〜２．７ＧＨｚの範囲では、位相差がほぼ１８０Ｄｅｇである。

したがって、図３に示したバルントランスは、ダイオードＤ１１、Ｄ１２、Ｄ２１、Ｄ２２を導通状態にしたとき、信号伝送特性が、２．３〜２．７ＧＨｚの範囲で良好になり、４．０〜５．５ＧＨｚの範囲で劣化することがわかる。

次に、図８において、通過特性Ｓ２１、Ｓ３１は、２．３〜２．７ＧＨｚの範囲では、減衰量が十分に大きく、４．０〜５．５ＧＨｚの範囲では、減衰量が十分に小さい。また、図９において、通過特性Ｓ２１、Ｓ３１は、４．０〜５．５ＧＨｚの範囲では、位相差がほぼ１８０Ｄｅｇである。

図８、図９のデータから、図３に示したバルントランスは、ダイオードＤ１１、Ｄ１２、Ｄ２１、Ｄ２２を非導通状態にしたとき、信号伝送特性が、４．０〜５．５ＧＨｚの範囲で良好になり、２．３〜２．７ＧＨｚの範囲で劣化することがわかる。

このように、図３に示したバルントランスは、ダイオードＤ１１、Ｄ１２、Ｄ２１、Ｄ２２を導通、又は、非導通の間でコントロールすることにより、２．４ＧＨｚの周波数帯域、及び、５ＧＨｚの周波数帯域において、良好な信号伝送特性が得られる。

しかも、図３に示したバルントランスは、ダイオードＤ１１、Ｄ１２、Ｄ２１、Ｄ２２を非導通にする場合には、電圧を印加する必要がなく、ダイオードＤ１１、Ｄ１２、Ｄ２１、Ｄ２２を導通にする場合でも、印加する電圧は１．６Ｖ程度の低電圧で済む。このため、ＦＥＴを用いたアクティブバルンに較べて、低電圧化と、低消費電力化を図ることがきる。

図示はされていないが、不平衡側制御端子Ｔ４１と接地ＧＮＤとの間、及び、不平衡側制御端子Ｔ５１と接地ＧＮＤとの間にコンデンサを設けることが好ましい。このような構成であれば、コンデンサによって、不平衡側制御端子Ｔ４１及び不平衡側制御端子Ｔ５１に供給される制御信号の高周波成分を除去し、高周波特性を向上させることができる。

更に、図示実施例においては、第１〜第４のインピーダンス調整手段４１、４２、５１、５２は、ダイオード、コンデンサ及びチョークコイルを用いて、キャパシタンス成分を所定値とゼロとの間で切換える構成であるが、ダイオードに代えて、トランジスタや、サイリスタ等を用いて、切換えを実現してもよい。また、図示ダイオードＤ１１、Ｄ１２、Ｄ２１、Ｄ２２に代えて、ダイオードＤ１１、Ｄ１２、Ｄ２１、Ｄ２２とは逆向きにバリキャップダイオードを接続し、接続されたバリキャップダイオードのキャパシタンス成分を連続的に変化させるものであってもよい。

また、不平衡側制御端子Ｔ４１及び平衡側制御端子Ｔ５１に別々の制御信号を印加してもよい。この場合、全てのダイオードを導通させる状態、ダイオードＤ１１、Ｄ１２のみを導通させる状態、ダイオードＤ２１、Ｄ２２のみを導通させる状態、及び、全てのダイオードを非導通にさせる状態という４つの状態に切換えることができるから、４つの周波数帯域に対応することができる。

図１０は本発明に係るバルントランスを用いた電子機器の構成を示す図である。図示された電子機器は、図１〜図３に示したバルントランス１と、アンテナ９１、９２と、スイッチ８１と、カプラ８２と、パワーアンプ８３と、バンドパスフィルタ８４、８５と、低ノイズアンプ８６と、高周波ＩＣ９３とを含む。図示された電子機器は、上述したIEEE 802.11a-b規格の無線ＬＡＮである。

図１０において、アンテナ９１は、２．４ＧＨｚの信号を送受信し、アンテナ９２は、５ＧＨｚの信号を送受信する。アンテナ９１、９２で受信された信号は、スイッチ８１、バンドパスフィルタ８５を介して、低ノイズアンプ８６に供給される。低ノイズアンプ８６は、信号を高周波ＩＣ９３に供給する。

２．４ＧＨｚの信号を送信する場合、高周波ＩＣ９３から不平衡側制御端子Ｔ４１及び平衡側制御端子Ｔ５１に、２．４ＧＨｚに対応する制御信号を供給して、バルントランス１の信号伝送特性を、２．４ＧＨｚ帯域に合わせる。同様に、５ＧＨｚの信号を送信する場合、高周波ＩＣ９３から不平衡側制御端子Ｔ４１及び平衡側制御端子Ｔ５１に、５ＧＨｚに対応する制御信号を供給して、バルントランス１の信号伝送特性を、５ＧＨｚ帯域に合わせる。

バルントランス１から出力された信号は、バンドパスフィルタ８４を介して、パワーアンプ８３に供給される。パワーアンプ８３から出力された信号は、カプラ８２、スイッチ８１を介して、アンテナ９１、９２に供給される。

以上、実施の形態を参照して説明したが、本発明はこの実施例に限定されるものではなく、特許請求の範囲内において、種々の変形、変更が可能であることは言うまでもない。

本発明に係るバルントランスを示すブロック図である。 図１に示したバルントランスを具体例を示すブロック図である。 図２に示したバルントランスの電気回路図である。 図３に示したバルントランスの減衰特性を示す図である。 図４の拡大図である。 図３に示したバルントランスの位相特性を示す図である。 図６の拡大図である。 図３に示したバルントランスの減衰特性を示す別の図である。 図３に示したバルントランスの位相特性を示す別の図である。 本発明に係るバルントランスを用いた電子機器の構成を示す図である。

符号の説明

１０ 不平衡伝送線路
２０ 平衡伝送線路
４０ 不平衡側インピーダンス調整手段
５０ 平衡側インピーダンス調整手段
Ｔ４１ 不平衡側制御端子
Ｔ５１ 平衡側制御端子

Claims (7)

1. 不平衡伝送線路と、平衡伝送線路と、不平衡側インピーダンス調整手段と、平衡側インピーダンス調整手段とを含み、２以上の周波数帯域の信号に適応し得るバルントランスであって、
   前記不平衡伝送線路は、前記平衡伝送線路と結合し、
   前記不平衡側インピーダンス調整手段は、不平衡側制御端子を有し、前記不平衡伝送線路に接続され、前記不平衡側制御端子に供給される制御信号に基づいてインピーダンス特性が変化し、
   前記平衡側インピーダンス調整手段は、平衡側制御端子を有し、前記平衡伝送線路に接続され、前記平衡側制御端子に供給される制御信号に基づいてインピーダンス特性が変化する
   バルントランス。
2. 請求項１に記載されたバルントランスであって、
   前記不平衡側インピーダンス調整手段、及び、前記平衡側インピーダンス調整手段は、キャパシタンス成分が変化する
   バルントランス。
3. 請求項１又は２に記載されたバルントランスであって、
   前記不平衡伝送線路は、第１の線路導体と、第２の線路導体とを含み、
   前記第１の線路導体は、一端が不平衡信号用端子を構成し、
   前記第２の線路導体は、一端が前記第１の線路導体の他端と接続されており、
   前記平衡伝送線路は、第３の線路導体と、第４の線路導体とを含み、
   前記第３の線路導体は、前記第１の線路導体と方向性をもって結合し、前記不平衡信号用端子と対応する一端が接地端子に接続され、他端が第１の平衡信号用端子を構成し、
   前記第４の線路導体は、前記第２の線路導体と方向性をもって結合し、前記第２の線路導体の他端と対応する一端が接地端子に接続され、他端が第２の平衡信号用端子を構成する
   バルントランス。
4. 請求項３に記載されたバルントランスであって、
   前記不平衡側インピーダンス調整手段は、第１のインピーダンス調整手段と、第２のインピーダンス調整手段とを含み、
   前記第１のインピーダンス調整手段は、一端が前記第１の線路導体の前記一端に接続され、他端が接地端子に接続され、
   前記第２のインピーダンス調整手段は、一端が前記第２の線路導体の前記一端に接続され、他端が前記第２の線路導体の前記他端に接続され、
   前記平衡側インピーダンス調整手段は、第３のインピーダンス調整手段と、第４のインピーダンス調整手段とを含み、
   前記第３のインピーダンス調整手段は、前記第３の線路導体と並列に接続され、
   前記第４のインピーダンス調整手段は、前記第４の線路導体と並列に接続される
   バルントランス。
5. 請求項４に記載されたバルントランスであって、
   前記第１乃至第４のインピーダンス調整手段のそれぞれは、ほぼ同一のインピーダンス−周波数特性を有する
   バルントランス。
6. 請求項４又は５に記載されたバルントランスであって、
   前記第１乃至第４のインピーダンス調整手段のそれぞれは、ダイオードと、コンデンサとを含み、
   前記ダイオードは、前記コンデンサと直列に接続され、前記ダイオード及び前記コンデンサの接続点が前記制御端子に接続されている
   バルントランス。
7. バルントランスを含む電子機器であって、
   前記バルントランスは、請求項１乃至６の何れかに記載されたものでなる
   電子機器。

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