JP2007235332A - 段間フィルタとこれを用いた無線機 - Google Patents
段間フィルタとこれを用いた無線機 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2007235332A JP2007235332A JP2006052125A JP2006052125A JP2007235332A JP 2007235332 A JP2007235332 A JP 2007235332A JP 2006052125 A JP2006052125 A JP 2006052125A JP 2006052125 A JP2006052125 A JP 2006052125A JP 2007235332 A JP2007235332 A JP 2007235332A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- terminal
- interstage filter
- capacitor
- filter according
- mos transistor
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Images
Landscapes
- Networks Using Active Elements (AREA)
Abstract
【課題】インダクタを削除して占有面積を減らし半導体集積回路を小型化し、かつインダクタの削除による相互変調歪を劣化させることなく確保する。
【解決手段】第1の電子回路1および第2の電子回路2の入出力端子を接続した端子間に容量5の一端を接続し、この容量5の他端をアクティブインダクタ回路10の入力端に接続し、また出力端をGNDに接続する。このアクティブインダクタ回路10は、容量5の他端にバイポーラトランジスタ6のエミッタ端子、ベース端子に抵抗7の一端を接続し、またコレクタ端子と抵抗7の他端を電源に接続して、さらにエミッタ端子には、他端をGNDに接続した電流源8の一端を接続し構成する。バイポーラトランジスタ6等の能動素子と容量5等の受動素子を組み合わせてインダクタ相当の特性を持つ構成として、相互変調歪を劣化させる高調波成分をバンドリジェクションすることで相互変調歪を確保する。
【選択図】図4
【解決手段】第1の電子回路1および第2の電子回路2の入出力端子を接続した端子間に容量5の一端を接続し、この容量5の他端をアクティブインダクタ回路10の入力端に接続し、また出力端をGNDに接続する。このアクティブインダクタ回路10は、容量5の他端にバイポーラトランジスタ6のエミッタ端子、ベース端子に抵抗7の一端を接続し、またコレクタ端子と抵抗7の他端を電源に接続して、さらにエミッタ端子には、他端をGNDに接続した電流源8の一端を接続し構成する。バイポーラトランジスタ6等の能動素子と容量5等の受動素子を組み合わせてインダクタ相当の特性を持つ構成として、相互変調歪を劣化させる高調波成分をバンドリジェクションすることで相互変調歪を確保する。
【選択図】図4
Description
本発明は、トランジスタと容量から構成され、特定の周波数帯域を減衰させるバンドリジェクションフィルタとして動作し半導体集積回路に適用する段間フィルタとこれを用いた無線機に関するものである。
近年、高速に通信を行う回路において、増幅帯域伸張や伝送特性補償等の目的のため、インダクタがますます使われるようになっている。そして、インダクタは、図10のような周波数特性を有しており、段間のバンドパスフィルタや、希望周波数のみ最大利得で取り出す役割をしている。
図11は従来の段間フィルタの概略構成を示す図であり、図11に示すように、第1の電子回路1、第2の電子回路2、インダクタ対3、容量対4を備えている。第1の電子回路1の出力端子は、インダクタ対3および容量対4のそれぞれの一端に接続し、またインダクタ対3の他端は電源に接続し、容量対4の他端は第2の電子回路2の入力端子に接続して構成されている。
インダクタ対3および容量対4において、希望周波数のみを通過するバンドパスフィルタとなっており、希望周波数で最大利得を取り出すことができ、また3次高調波成分を減衰させることや、段間のマッチングを複素共役にマッチングを取ることで相互変調歪が良くなる。
特開2004−343373号公報
しかしながら、従来の段間フィルタでは、相互変調歪を確保しようとするとインダクタが必要になり、配線層を用いて作成される半導体基板内のインダクタは、小さいインダクタンス値のものでさえ大きな面積を必要とする。このことから、半導体集積回路を構成するにあたり、面積の増大によるコスト増、あるいは搭載できる素子数の減少等のデメリットが発生し、半導体集積回路の小型化が非常に困難であるという問題があった。
本発明は、前記従来技術の問題を解決することに指向するものであり、インダクタを削除することで占有面積を減らし半導体集積回路の小型化を図り、かつインダクタの削除により懸念される相互変調歪を劣化させることのない段間フィルタとこれを用いた無線機を提供することを目的とする。
前記の目的を達成するために、本発明に係る段間フィルタは、第1の電子回路の出力端子と第2の電子回路の入力端子を接続した端子間に一端を接続した容量と、容量の他端と入力端を接続するとともに出力端に接地端子を接続したアクティブインダクタ回路とを備え、特定の周波数帯域を減衰させることを特徴とする。
また、段間フィルタのアクティブインダクタ回路は、容量の一端にエミッタ端子を接続し、コレクタ端子に電源端子を接続したバイポーラトランジスタと、バイポーラトランジスタのベース端子に一端を接続するとともに電源端子に他端を接続した抵抗とからなること、または、容量の一端にソース端子を接続し、ドレイン端子に電源端子を接続したNMOSトランジスタと、NMOSトランジスタのゲート端子に一端を接続するとともに電源端子に他端を接続した抵抗とからなること、または、容量の一端にドレイン端子を接続し、ソース端子に電源端子を接続した第1のMOSトランジスタと、第1のMOSトランジスタと極性が異なり、電源端子にドレイン端子を接続した第2のMOSトランジスタとを備え、第1のMOSトランジスタのゲート端子と第2のMOSトランジスタのソース端子を接続し、第2のMOSトランジスタのゲート端子と第1のMOSトランジスタのドレイン端子と接続してなることを特徴とする。
さらに、段間フィルタの容量が容量値を可変する可変容量からなりこの容量値を可変して、またアクティブインダクタ回路の抵抗が抵抗値を可変する可変抵抗からなりこの抵抗値を可変して、またバイポーラトランジスタあるいはNMOSトランジスタを選択する切換スイッチを有し、制御信号により切換スイッチを制御して複数のバイポーラトランジスタを切り換え選択して、またはアクティブインダクタ回路が出力端側に電流源を有し、電流源が電流値を可変する可変電流源からなりこの電流値を可変することにより、特定の周波数帯域を減衰させる周波数を可変することを特徴とする。
さらに、第1のMOSトランジスタあるいは第2のMOSトランジスタを選択する切換スイッチを有し、制御信号により切換スイッチを制御して複数の第1のMOSトランジスタを切り換え選択し、特定の周波数帯域を減衰させる周波数を可変すること、また、第1のMOSトランジスタがPMOSトランジスタ、第2のMOSトランジスタがNMOSトランジスタで構成したこと、または第1のMOSトランジスタがNMOSトランジスタ、第2のMOSトランジスタがPMOSトランジスタで構成したことを特徴とする。
また、本発明の無線機は、請求項1〜13のいずれか1項に記載の段間フィルタを用いてなり信号の送信、受信あるいは送受信を行うことを特徴とする。
前記構成によれば、段間フィルタおよびこれを用いた無線機は、インダクタを削除することで占有面積を減らして小型化し、かつインダクタの削除により懸念される電子回路間の相互変調歪の劣化は、3次高調波成分を容量と直列に接続されたアクティブインダクタ回路により特定の周波数帯域を減衰させるバンドリジェクションすることで相互変調歪を確保し、希望周波帯域においては、容量とアクティブインダクタ回路における共振周波数より十分に低くなることから、高インピーダンス状態になりフィルタ効果を得ることなく通過させ、高調波成分においては低インピーダンス状態になり高調波成分を打ち消すことができる。
本発明によれば、電子回路間に接続した容量および容量と直列に接続されたアクティブインダクタ回路により、インダクタを削除し占有面積を減らして半導体集積回路の小型化を図り、かつ希望周波数帯域は通過させ、高調波成分のみ打ち消すことができるという効果を奏する。
以下、図面を参照して本発明における実施形態を詳細に説明する。
図1は本発明の実施形態1における段間フィルタの概略構成を示すブロック図である。ここで、前記従来例を示す図11において説明した構成部材に対応し同等の機能を有するものには同一の符号を付して示し、以下の各図においても同様とする。
図1に示すように、第1の電子回路1の出力端子は第2の電子回路2の入力端子と接続され、第1の電子回路1の出力端子および第2の電子回路2の入力端子を接続した端子間に容量5の一端を接続し、この容量5の他端をアクティブインダクタ回路10の入力端に接続して、またアクティブインダクタ回路10の出力端をGNDに接続して構成したものである。
アクティブインダクタ回路10を用いてインダクタを使用しない構成としたことにより、半導体集積回路におけるインダクタの占有する面積を削除する。この削除の効果として、一般的にRF回路にて数nHのインダクタを仮に作る場合には、インダクタの占有面積として、約0.3mm2程度を必要とするが、アクティブインダクタ回路10においては、約50分の1の0.006mm2になり大幅な面積削減ができる。
また、インダクタを削除することで第1の電子回路1の出力インピーダンスと第2の電子回路2の入力インピーダンスのマッチングがずれてしまい、第2の電子回路2の相互変調歪が劣化してしまうという懸念事項は、直列に接続された容量5とアクティブインダクタ回路10において、3次高調波成分をバンドリジェクションすることにより相互変調歪を確保することができる。
特定の周波数帯域を減衰させるバンドリジェクションは、図2(a)に示すようにアクティブインダクタ回路10の持つ誘導性と容量5の持つ容量性により共振周波数を決定すると、図2(b)に示すように共振した周波数でインピーダンスがゼロとなる。その結果、共振周波数がフィルタされる。
また、希望周波帯域においては、共振周波数より十分に低くなるためフィルタ効果を得ることのないインピーダンスが高い状態になる。このバンドリジェクションする共振周波数に3次高調波成分を減衰させる周波数を設定すれば、図3に示すような希望周波数帯域は通過し、3次高調波成分のみ打ち消すことのできる効果が得られる。
図4は本発明の実施形態2における段間フィルタの概略構成を示す図であり、図4を参照しながら以下に説明する。
図4に示すように、第1の電子回路1の出力端子は第2の電子回路2の入力端子と接続され、第1の電子回路1の出力端子および第2の電子回路2の入力端子を接続した端子間に容量5の一端を接続し、この容量5の他端をアクティブインダクタ回路10の入力端に接続して、またアクティブインダクタ回路10の出力端をGNDに接続して構成したものである。
また、本実施形態2のアクティブインダクタ回路10の構成は、容量5の他端にバイポーラトランジスタ6のエミッタ端子を接続し、バイポーラトランジスタ6のベース端子には抵抗7の一端を接続し、またバイポーラトランジスタ6のコレクタ端子および抵抗7の他端を電源端子(以下、電源という)に接続して、さらにバイポーラトランジスタ6のエミッタ端子には電流源8の一端を接続し、電流源8の他端を接地端子(以下、GNDという)に接続して構成したものである。
バイポーラトランジスタ6等の能動素子と、容量5等の受動素子を組み合わせることによって、インダクタ相当の特性を持つアクティブインダクタ回路10を構成して、直列に容量5とアクティブインダクタ回路10を接続することにより、相互変調歪を劣化させる高調波成分をバンドリジェクションすることで相互変調歪を確保する。
このように構成したことによって、前述の実施形態1と同様にインダクタの占有面積を削除でき、アクティブインダクタ回路10において大幅な面積削減ができる。また、第1,第2の電子回路1,2の出力,入力インピーダンスのマッチングずれによる第2の電子回路2の相互変調歪劣化においては、直列に接続された容量5とアクティブインダクタ回路10によって、3次高調波成分をバンドリジェクションすることで相互変調歪を確保することができる。
バンドリジェクションにおいても、前述の実施形態1と同様にアクティブインダクタ回路10の持つ誘導性と容量5の持つ容量性で共振周波数を決定し、共振した周波数でインピーダンスがゼロとなることから、共振周波数がフィルタされる。また、希望周波帯域においては、共振周波数より十分に低くなるためフィルタ効果を得ることのないインピーダンスが高い状態になり、バンドリジェクションする共振周波数に3次高調波成分を減衰させる周波数を設定することで、図3に示すように希望周波数帯域は通過、3次高調波成分のみ打ち消すことができる。
なお、本実施形態2におけるアクティブインダクタ回路10において、電流源8を例として記述したが、これは一例であって一般的な抵抗等を使用しても同様の効果を得られることは明らかである。また、アクティブインダクタ回路10にバイポーラトランジスタ6を用いた構成を例としたが、NMOSトランジスタに代えても同様の効果を得ることができる。
図5は本発明の実施形態3における段間フィルタの概略構成を示す図であり、図5を参照しながら以下に説明する。
図5に示すように、第1の電子回路1の出力端子は第2の電子回路2の入力端子と接続され、第1の電子回路1の出力端子および第2の電子回路2の入力端子を接続した端子間に容量5の一端を接続し、この容量5の他端をアクティブインダクタ回路10の入力端に接続して、またアクティブインダクタ回路10の出力端をGNDに接続して構成したものである。
本実施形態3のアクティブインダクタ回路10の構成は、まず、容量5の他端に第1のMOSトランジスタ9a(PMOSトランジスタ)のドレイン端子を接続し、また第1のMOSトランジスタ9aと極性の異なる第2のMOSトランジスタ9b(NMOSトランジスタ)のゲート端子を接続し、さらに第1の電流源8aの一端を接続し、かつ第1の電流源8aの他端をGNDに接続している。
またさらに、第1のMOSトランジスタ9aのゲート端子を第2のMOSトランジスタ9bのソース端子に接続し、また第1のMOSトランジスタ9aのソース端子および第2のMOSトランジスタ9bのドレイン端子を電源に接続し、さらに第2のMOSトランジスタ9bのソース端子には第2の電流源8bの一端を接続し、かつ第2の電流源8bの他端をGNDに接続して構成したものである。
このように構成したことによって、前述の実施形態1と同様にインダクタの占有面積を削除でき、アクティブインダクタ回路10において大幅な面積削減ができる。また、第1,第2の電子回路1,2の出力,入力インピーダンスのマッチングずれによる第2の電子回路2の相互変調歪劣化においては、直列に接続された容量5とアクティブインダクタ回路10によって、3次高調波成分をバンドリジェクションすることで相互変調歪を確保することができる。
そして、バンドリジェクションにおいても、前述の実施形態1と同様にアクティブインダクタ回路10の持つ誘導性と容量5の持つ容量性で共振周波数を決定し、共振した周波数でインピーダンスがゼロとなることから、共振周波数がフィルタされる。また、希望周波帯域においては、共振周波数より十分に低くなるあめフィルタ効果を得ることのないインピーダンスが高い状態になり、バンドリジェクションする共振周波数に3次高調波成分を減衰させる周波数を設定することで、図3に示すように希望周波数帯域は通過、3次高調波成分のみ打ち消すことができる。
なお、本実施形態3におけるアクティブインダクタ回路10において、第1,第2の電流源8a,8bを例として記述したが、これは一例であって一般的な抵抗等を使用しても同様の効果を得られることは明らかである。また、第1のMOSトランジスタ9aおよび第2のMOSトランジスタ9bにおいては、一方をPMOSトランジスタ、他方をNMOSトランジスタとした構成を例に説明したが、逆の構成としても同様の効果が得られる。
図6は本発明の実施形態4における段間フィルタの概略構成を示す図であり、図6を参照しながら以下に説明する。
図6に示すように、第1の電子回路1の出力端子は第2の電子回路2の入力端子と接続され、第1の電子回路1の出力端子および第2の電子回路2の入力端子を接続した端子間に可変容量11の一端を接続し、可変容量11の他端をアクティブインダクタ回路10の入力端に接続して、またアクティブインダクタ回路10の出力端をGNDに接続して構成したものである。
本実施形態4のアクティブインダクタ回路10の構成は、可変容量11にバイポーラトランジスタ6のエミッタ端子を接続し、バイポーラトランジスタ6のベース端子には抵抗7の一端を接続し、またバイポーラトランジスタ6のコレクタ端子および抵抗7の他端を電源に接続して、さらにバイポーラトランジスタ6のエミッタ端子には電流源8の一端を接続し、電流源8の他端をGNDに接続して構成したものである。
このように構成したことによって、前述の実施形態1と同様にインダクタの占有面積を削除でき、アクティブインダクタ回路10において大幅な面積削減ができる。また、第1,第2の電子回路1,2の出力,入力インピーダンスのマッチングずれによる第2の電子回路2の相互変調歪劣化においては、直列に接続された容量5とアクティブインダクタ回路10によって、3次高調波成分をバンドリジェクションすることで相互変調歪を確保することができる。
そして、バンドリジェクションにおいても、前述の実施形態1と同様にアクティブインダクタ回路10の持つ誘導性と容量5の持つ容量性で共振周波数を決定し、共振した周波数でインピーダンスがゼロとなることから、共振周波数がフィルタされる。また、希望周波帯域においては、共振周波数より十分に低くなるためフィルタ効果を得ることのないインピーダンスが高い状態になり、バンドリジェクションする共振周波数に3次高調波成分を減衰させる周波数を設定することで、図3に示すように希望周波数帯域は通過、3次高調波成分のみ打ち消すことができる。また、可変容量11により共振周波数を可変することが可能となる。
なお、本実施形態4におけるアクティブインダクタ回路10において、電流源8を例として記述したが、これは一例であって一般的な抵抗等を使用しても同様の効果を得られることは明らかである。
図7は本発明の実施形態5における段間フィルタの概略構成を示す図であり、図7を参照しながら以下に説明する。
図7に示すように、第1の電子回路1の出力端子は第2の電子回路2の入力端子と接続され、第1の電子回路1の出力端子および第2の電子回路2の入力端子を接続した端子間に容量5の一端を接続し、この容量5の他端をアクティブインダクタ回路10の入力端に接続して、またアクティブインダクタ回路10の出力端をGNDに接続して構成したものである。
本実施形態5のアクティブインダクタ回路10の構成は、容量5の他端にバイポーラトランジスタ6のエミッタ端子を接続し、バイポーラトランジスタ6のベース端子には可変抵抗12を接続し、またバイポーラトランジスタ6のコレクタ端子および可変抵抗12の他端を電源に接続して、さらにバイポーラトランジスタ6のエミッタ端子には電流源8の一端を接続し、電流源8の他端をGNDに接続して構成したものである。
このように構成したことによって、前述の実施形態1と同様にインダクタの占有面積を削除でき、アクティブインダクタ回路10において大幅な面積削減ができる。また、第1,第2の電子回路1,2の出力,入力インピーダンスのマッチングずれによる第2の電子回路2の相互変調歪劣化においては、直列に接続された容量5とアクティブインダクタ回路10によって、3次高調波成分をバンドリジェクションすることで相互変調歪を確保することができる。
そして、バンドリジェクションにおいても、前述の実施形態1と同様にアクティブインダクタ回路10の持つ誘導性と容量5の持つ容量性で共振周波数を決定し、共振した周波数でインピーダンスがゼロとなることから、共振周波数がフィルタされる。また、希望周波帯域においては、共振周波数より十分に低くなるためフィルタ効果を得ることのないインピーダンスが高い状態になり、バンドリジェクションする共振周波数に3次高調波成分を減衰させる周波数を設定することで、図3に示すように希望周波数帯域は通過、3次高調波成分のみ打ち消すことができる。また、可変抵抗12により共振周波数を可変することが可能となる。
なお、本実施形態5におけるアクティブインダクタ回路10において、電流源8を例として記述したが、これは一例であって一般的な抵抗等を使用しても同様の効果を得られることは明らかである。
図8は本発明の実施形態6における段間フィルタの概略構成を示す図であり、図8を参照しながら以下に説明する。
図8に示すように、第1の電子回路1の出力端子は第2の電子回路2の入力端子と接続され、第1の電子回路1の出力端子および第2の電子回路2の入力端子を接続した端子間に容量5の一端を接続し、この容量5の他端をアクティブインダクタ回路10の入力端に接続して、またアクティブインダクタ回路10の出力端をGNDに接続して構成したものである。
本実施形態6のアクティブインダクタ回路10の構成は、容量5の他端にバイポーラトランジスタ6のエミッタ端子を接続し、バイポーラトランジスタ6のベース端子には抵抗7の一端を接続し、またバイポーラトランジスタ6のコレクタ端子および抵抗7の他端を電源に接続して、さらにバイポーラトランジスタ6のエミッタ端子には可変電流源13を接続し、可変電流源13の他端をGNDに接続して構成したものである。
このように構成したことによって、前述の実施形態1と同様にインダクタの占有面積を削除でき、アクティブインダクタ回路10において大幅な面積削減ができる。また、第1,第2の電子回路1,2の出力,入力インピーダンスのマッチングずれによる第2の電子回路2の相互変調歪劣化においては、直列に接続された容量5とアクティブインダクタ回路10によって、3次高調波成分をバンドリジェクションすることで相互変調歪を確保することができる。
そして、バンドリジェクションにおいても、前述の実施形態1と同様にアクティブインダクタ回路10の持つ誘導性と容量5の持つ容量性で共振周波数を決定し、共振した周波数でインピーダンスがゼロとなることから、共振周波数がフィルタされる。また、希望周波帯域においては、共振周波数より十分に低くなるためフィルタ効果を得ることのないインピーダンスが高い状態になり、バンドリジェクションする共振周波数に3次高調波成分を減衰させる周波数を設定することで、図3に示すように希望周波数帯域は通過、3次高調波成分のみ打ち消すことができる。
このように構成したことによって、前述の実施形態1と同様にインダクタの占有面積を削除でき、アクティブインダクタ回路10において大幅な面積削減ができる。また、第1,第2の電子回路1,2の出力,入力インピーダンスのマッチングずれによる第2の電子回路2の相互変調歪劣化においては、直列に接続された容量5とアクティブインダクタ回路10によって、3次高調波成分をバンドリジェクションすることで相互変調歪を確保することができる。
そして、バンドリジェクションにおいても、前述の実施形態1と同様にアクティブインダクタ回路10の持つ誘導性と容量5の持つ容量性で共振周波数を決定し、共振した周波数でインピーダンスがゼロとなることから、共振周波数がフィルタされる。また、希望周波帯域においては、共振周波数より十分に低くなるためフィルタ効果を得ることのないインピーダンスが高い状態になり、バンドリジェクションする共振周波数に3次高調波成分を減衰させる周波数を設定することで、図3に示すように希望周波数帯域は通過、3次高調波成分のみ打ち消すことができる。また、可変電流源13により共振周波数を可変することが可能となる。
なお、本実施形態6におけるアクティブインダクタ回路10において、可変電流源13を例として記述したが、これは一例であって一般的な可変抵抗等を使用しても同様の効果を得られることは明らかである。
図9は本発明の実施形態7における段間フィルタの概略構成を示す図であり、図9を参照しながら以下に説明する。
図9に示すように、第1の電子回路1の出力端子は第2の電子回路2の入力端子と接続され、第1の電子回路1の出力端子および第2の電子回路2の入力端子を接続した端子間に容量5の一端を接続し、この容量5の他端をアクティブインダクタ回路10の入力端に接続して、またアクティブインダクタ回路10の出力端をGNDに接続して構成したものである。
本実施形態7のアクティブインダクタ回路10の構成は、容量5の他端に切換スイッチ付バイポーラトランジスタ14のエミッタ端子を接続し、切換スイッチ付バイポーラトランジスタ14のベース端子には抵抗7の一端を接続し、また切換スイッチ付バイポーラトランジスタ14のコレクタ端子および抵抗7の他端を電源に接続して、さらに切換スイッチ付バイポーラトランジスタ14のエミッタ端子には電流源8の一端を接続し、電流源8の他端子をGNDに接続して構成したものである。
このように構成したことによって、前述の実施形態1と同様にインダクタの占有面積を削除でき、アクティブインダクタ回路10において大幅な面積削減ができる。また、第1,第2の電子回路1,2の出力,入力インピーダンスのマッチングずれによる第2の電子回路2の相互変調歪劣化においては、直列に接続された容量5とアクティブインダクタ回路10によって、3次高調波成分をバンドリジェクションすることで相互変調歪を確保することができる。
そして、バンドリジェクションにおいても、前述の実施形態1と同様にアクティブインダクタ回路10の持つ誘導性と容量5の持つ容量性で共振周波数を決定し、共振した周波数でインピーダンスがゼロとなることから、共振周波数がフィルタされる。また、希望周波帯域においては、共振周波数より十分に低くなるためフィルタ効果を得ることのないインピーダンスが高い状態になり、バンドリジェクションする共振周波数に3次高調波成分を減衰させる周波数を設定することで、図3に示すように希望周波数帯域は通過、3次高調波成分のみ打ち消すことができる。
また、切換スイッチ付バイポーラトランジスタ14の切換スイッチは、例えば外部から入力される制御信号によって切り換え制御し、切換スイッチ付バイポーラトランジスタ14のサイズの変更を行う。この切換スイッチ付バイポーラトランジスタ14をスイッチで切り換えトランジスタのサイズを換えて共振周波数を可変することが可能である。
なお、本実施形態7におけるアクティブインダクタ回路10において、電流源8を例として記述したが、これは一例であって一般的な抵抗等を使用しても同様の効果を得られることは明らかである。また、切換スイッチ付バイポーラトランジスタ14において、エミッタ端子に切換スイッチを設けた例としたがコレクタ端子であっても良く、トランジスタを切り換え選択することができれば良い。さらに、実施形態3において説明した第1,第2のMOSトランジスタ9a,9bのいずれか一方あるいは両方に切換スイッチを設けて構成し、制御信号により切り換え制御しても同様の効果を得られる。
本発明の実施形態8は、信号の送信、受信あるいは送受信を行う無線機として、前述した実施形態1〜7の段間フィルタを設けて構成することにより、内蔵する半導体集積回路の小型化に伴い無線機本体も小型化することができる。
本発明に係る段間フィルタとこれを用いた無線機は、電子回路間に接続した容量および容量と直列に接続されたアクティブインダクタ回路により、インダクタを削除して占有面積を減らし半導体集積回路の小型化を図り、かつ希望周波数帯域は通過させ、高調波成分のみ打ち消すことができ、特定の周波数帯域を減衰させるバンドリジェクションフィルタを有する半導体集積回路に適用して有用である。
1 第1の電子回路
2 第2の電子回路
3 インダクタ対
4 容量対
5 容量
6 バイポーラトランジスタ
7 抵抗
8 電流源
8a 第1の電流源
8b 第2の電流源
9a 第1のMOSトランジスタ
9b 第2のMOSトランジスタ
10 アクティブインダクタ回路
11 可変容量
12 可変抵抗
13 可変電流源
14 切換スイッチ付バイポーラトランジスタ
2 第2の電子回路
3 インダクタ対
4 容量対
5 容量
6 バイポーラトランジスタ
7 抵抗
8 電流源
8a 第1の電流源
8b 第2の電流源
9a 第1のMOSトランジスタ
9b 第2のMOSトランジスタ
10 アクティブインダクタ回路
11 可変容量
12 可変抵抗
13 可変電流源
14 切換スイッチ付バイポーラトランジスタ
Claims (16)
- 第1の電子回路の出力端子と第2の電子回路の入力端子を接続した端子間に一端を接続した容量と、前記容量の他端と入力端を接続するとともに出力端に接地端子を接続したアクティブインダクタ回路とを備え、特定の周波数帯域を減衰させることを特徴とする段間フィルタ。
- 前記アクティブインダクタ回路は、前記容量の一端にエミッタ端子を接続し、コレクタ端子に電源端子を接続したバイポーラトランジスタと、前記バイポーラトランジスタのベース端子に一端を接続するとともに前記電源端子に他端を接続した抵抗とからなることを特徴とする請求項1記載の段間フィルタ。
- 前記アクティブインダクタ回路は、前記容量の一端にソース端子を接続し、ドレイン端子に電源端子を接続したNMOSトランジスタと、前記NMOSトランジスタのゲート端子に一端を接続するとともに前記電源端子に他端を接続した抵抗とからなることを特徴とする請求項1記載の段間フィルタ。
- 前記アクティブインダクタ回路は、前記容量の一端にドレイン端子を接続し、ソース端子に電源端子を接続した第1のMOSトランジスタと、前記第1のMOSトランジスタと極性が異なり、前記電源端子にドレイン端子を接続した第2のMOSトランジスタとを備え、前記第1のMOSトランジスタのゲート端子と前記第2のMOSトランジスタのソース端子を接続し、前記第2のMOSトランジスタのゲート端子と前記第1のMOSトランジスタのドレイン端子と接続してなることを特徴とする請求項1記載の段間フィルタ。
- 前記容量が容量値を可変する可変容量からなり、前記容量値を可変して特定の周波数帯域を減衰させる周波数を可変することを特徴とする請求項1〜4のいずれか1項に記載の段間フィルタ。
- 前記抵抗が抵抗値を可変する可変抵抗からなり、前記抵抗値を可変して特定の周波数帯域を減衰させる周波数を可変することを特徴とする請求項2または3記載の段間フィルタ。
- 前記バイポーラトランジスタを選択する切換スイッチを有し、制御信号により前記切換スイッチを制御して複数の前記バイポーラトランジスタを切り換え選択し、特定の周波数帯域を減衰させる周波数を可変することを特徴とする請求項2記載の段間フィルタ。
- 前記NMOSトランジスタを選択する切換スイッチを有し、制御信号により前記切換スイッチを制御して複数の前記NMOSトランジスタを切り換え選択し、特定の周波数帯域を減衰させる周波数を可変することを特徴とする請求項3記載の段間フィルタ。
- 前記アクティブインダクタ回路が出力端側に電流源を有し、前記電流源が電流値を可変する可変電流源からなり、前記電流値を可変して特定の周波数帯域を減衰させる周波数を可変することを特徴とする請求項1〜8に記載の段間フィルタ。
- 前記第1のMOSトランジスタを選択する切換スイッチを有し、制御信号により切換スイッチを制御して複数の前記第1のMOSトランジスタを切り換え選択し、特定の周波数帯域を減衰させる周波数を可変することを特徴とする請求項4記載の段間フィルタ。
- 前記第2のMOSトランジスタを選択する切換スイッチを有し、制御信号により切換スイッチを制御して複数の前記第2のMOSトランジスタを切り換え選択し、特定の周波数帯域を減衰させる周波数を可変することを特徴とする請求項4記載の段間フィルタ。
- 前記第1のMOSトランジスタがPMOSトランジスタ、前記第2のMOSトランジスタがNMOSトランジスタで構成したことを特徴とする請求項4,10または11記載の段間フィルタ。
- 前記第1のMOSトランジスタがNMOSトランジスタ、前記第2のMOSトランジスタがPMOSトランジスタで構成したことを特徴とする請求項4,10または11記載の段間フィルタ。
- 請求項1〜13のいずれか1項に記載の段間フィルタを用いてなり信号の送信を行うことを特徴とする無線機。
- 請求項1〜13のいずれか1項に記載の段間フィルタを用いてなり信号の受信を行うことを特徴とする無線機。
- 請求項1〜13のいずれか1項に記載の段間フィルタを用いてなり信号の送受信を行うことを特徴とする無線機。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2006052125A JP2007235332A (ja) | 2006-02-28 | 2006-02-28 | 段間フィルタとこれを用いた無線機 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2006052125A JP2007235332A (ja) | 2006-02-28 | 2006-02-28 | 段間フィルタとこれを用いた無線機 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2007235332A true JP2007235332A (ja) | 2007-09-13 |
Family
ID=38555507
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2006052125A Pending JP2007235332A (ja) | 2006-02-28 | 2006-02-28 | 段間フィルタとこれを用いた無線機 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2007235332A (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2015002398A (ja) * | 2013-06-14 | 2015-01-05 | 富士通株式会社 | 可変インダクタ回路及び高周波回路 |
CN116707489A (zh) * | 2023-08-08 | 2023-09-05 | 成都明夷电子科技有限公司 | 一种高集成度小型化宽幅阻抗调谐器 |
-
2006
- 2006-02-28 JP JP2006052125A patent/JP2007235332A/ja active Pending
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2015002398A (ja) * | 2013-06-14 | 2015-01-05 | 富士通株式会社 | 可変インダクタ回路及び高周波回路 |
CN116707489A (zh) * | 2023-08-08 | 2023-09-05 | 成都明夷电子科技有限公司 | 一种高集成度小型化宽幅阻抗调谐器 |
CN116707489B (zh) * | 2023-08-08 | 2023-10-10 | 成都明夷电子科技有限公司 | 一种高集成度小型化宽幅阻抗调谐器 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
EP1756941B1 (en) | Multi-band low noise amplifier system | |
KR101515766B1 (ko) | 외부 정합을 필요로 하지 않는 차동 증폭기를 위한 잡음 제거 회로 및 방법 | |
JP6471810B2 (ja) | 分波装置及びその設計方法 | |
JP4998460B2 (ja) | 低雑音増幅器 | |
KR20070052674A (ko) | 가변 인덕터를 갖는 다층 회로 및 그 제조 방법 | |
US7446590B2 (en) | Low noise mixer with reduced distortion | |
US20100201457A1 (en) | Hybrid balun apparatus | |
EP1902450A1 (en) | Inductor device for multiband radio frequency operation | |
US7750739B2 (en) | Dual reactive shunt low noise amplifier | |
US20210050824A1 (en) | Radio frequency amplifier circuit | |
TWI441461B (zh) | 具可適應性濾波器的通用接收裝置 | |
JP2015122628A (ja) | スイッチング回路および半導体モジュール | |
KR20150030155A (ko) | 전력증폭기 | |
JP2013110619A (ja) | 増幅器 | |
WO2010076320A1 (en) | Amplifier with on-chip filter | |
JPWO2007099622A1 (ja) | 増幅回路 | |
Aneja et al. | Multiband LNAs for software-defined radios: recent advances in the design of multiband reconfigurable LNAs for SDRs in CMOS, microwave integrated circuits technology | |
US20230421104A1 (en) | Rf amplifier circuit with a feedback circuit and method for adjusting a gain mode of same circuit | |
JP2009207031A (ja) | 増幅回路 | |
JP2007235332A (ja) | 段間フィルタとこれを用いた無線機 | |
TWI483542B (zh) | 放大器電路 | |
WO2007125160A1 (en) | Receiver, transceiver and receiving method | |
US11646700B2 (en) | Amplifiers with feedforward cancellation | |
TWI743856B (zh) | 射頻放大器電路 | |
US20100073081A1 (en) | Integrated tracking filter |