JP2007134774A - 固体撮像素子の駆動方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】 第1の水平ブランク期間に垂直転送チャネルからラインメモリに第1の行の信号電荷を転送し、次の第2の水平ブランク期間に、その一部をラインメモリから水平転送チャネルに転送し、次の第3の水平ブランク期間に、第1の行の残余の信号電荷をラインメモリから水平転送チャネルに転送した後、第1の行の次の第2の行の信号電荷を垂直転送チャネルから空になったラインメモリに転送する。
【選択図】 図2
Description
62 感光領域
64 垂直転送チャネル
66 水平転送チャネル
67 電荷検出部
68 ラインメモリ
69 ラインメモリ転送路
71 電荷蓄積領域
72 トランスファーゲート
74 絶縁膜
75 垂直転送電極
76 チャネルストップ領域
77 シリコン酸化膜
78 窒化シリコン膜
79 遮光膜
79a 開口部
81 半導体基板
82 ウエル層
83a、b 平坦化層
84 カラーフィルタ層
85 マイクロレンズ
87 第1層水平転送電極
88 第2層水平転送電極
90 フローティングディフージョン
91 リセットゲート
92 リセットゲート電極
93 リセットドレイン
94 アンプ
Claims (6)
- 第1導電型の半導体基板と、
前記半導体基板内に形成された、前記第1導電型とは逆導電型の第2導電型のウエルと、
前記ウエル内に形成された複数の前記第1導電型の電荷蓄積領域であって、行列状に配置され、入射光の光量に応じて生成された信号電荷を蓄積する電荷蓄積領域と、
前記行列状に配置された電荷蓄積領域の列に沿って前記ウエル内に形成され、前記電荷蓄積領域に蓄積された信号電荷が読み出され、読み出された前記信号電荷が列方向に転送される前記第1導電型の垂直転送チャネルと、
前記ウエル内に形成され、前記垂直転送チャネルの端部に結合され、前記垂直転送チャネルから転送された前記信号電荷が保持される前記第1導電型のラインメモリ転送路と、
前記ウエル内に形成され、前記ラインメモリ転送路の端部に結合され、前記ラインメモリ転送路から転送された前記信号電荷が行方向に転送される前記第1導電型の水平転送チャネルと
を有し、前記電荷蓄積領域に蓄積された信号電荷を前記垂直転送チャネルに読み出し、1水平ブランク期間に対し水平転送チャネルの転送を1回行い、信号電荷を出力する固体撮像素子の駆動方法であって、
第1の水平ブランク期間に前記垂直転送チャネルから前記ラインメモリに第1の行の信号電荷を転送し、次の第2の水平ブランク期間に、その一部を前記ラインメモリから前記水平転送チャネルに転送し、次の第3の水平ブランク期間に、前記第1の行の残余の信号電荷を前記ラインメモリから前記水平転送チャネルに転送した後、前記第1の行の次の第2の行の信号電荷を前記垂直転送チャネルから空になった前記ラインメモリに転送する固体撮像素子の駆動方法。 - 前記固体撮像素子が画素ずらし配列の固体撮像素子である請求項1に記載の固体撮像素子の駆動方法。
- 前記第1導電型がn型である請求項1または2に記載の固体撮像素子の駆動方法。
- 第1導電型の半導体基板と、
前記半導体基板内に形成された、前記第1導電型とは逆導電型の第2導電型のウエルと、
前記ウエル内に形成された複数の前記第1導電型の電荷蓄積領域であって、行列状に配置され、入射光の光量に応じて生成された信号電荷を蓄積する電荷蓄積領域と、
前記行列状に配置された電荷蓄積領域の列に沿って前記ウエル内に形成され、前記電荷蓄積領域に蓄積された信号電荷が読み出され、読み出された前記信号電荷が列方向に転送される前記第1導電型の垂直転送チャネルと、
前記ウエル内に形成され、前記垂直転送チャネルの端部に結合され、前記垂直転送チャネルから転送された前記信号電荷が保持される前記第1導電型のラインメモリ転送路と、
前記ウエル内に形成され、前記ラインメモリ転送路の端部に結合され、前記ラインメモリ転送路から転送された前記信号電荷が行方向に転送される前記第1導電型の水平転送チャネルと
を有し、前記電荷蓄積領域に蓄積された信号電荷を前記垂直転送チャネルに読み出し、1水平ブランク期間に1行分づつ水平転送チャネルに転送し、出力する固体撮像素子の駆動方法であって、
第1の水平ブランク期間に前記垂直転送チャネルから前記ラインメモリに第1の行の信号電荷を転送し、次の第2の水平ブランク期間に前記第1の行の信号電荷を前記ラインメモリから前記水平転送チャネルに転送した後、前記第1の行の次の第2の行の信号電荷を前記垂直転送チャネルから空になった前記ラインメモリに転送する固体撮像素子の駆動方法。 - 前記固体撮像素子が画素ずらし配列の固体撮像素子である請求項4に記載の固体撮像素子の駆動方法。
- 前記第1導電型がn型である請求項4または5に記載の固体撮像素子の駆動方法。
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Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH06205305A (ja) * | 1992-12-28 | 1994-07-22 | Matsushita Electron Corp | 固体撮像装置およびその駆動方法 |
JPH09181292A (ja) * | 1995-12-27 | 1997-07-11 | Nec Corp | 固体撮像素子とその駆動方法 |
JP2000115643A (ja) * | 1998-10-06 | 2000-04-21 | Sony Corp | 固体撮像装置の駆動方法、固体撮像装置、固体撮像素子、並びに撮像カメラ |
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Family Cites Families (11)
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---|---|---|---|---|
JP2907058B2 (ja) * | 1995-04-21 | 1999-06-21 | 富士ゼロックス株式会社 | 蓄積手段を持つイメージセンサ及び画像読取装置 |
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JP4329128B2 (ja) * | 1996-07-12 | 2009-09-09 | ソニー株式会社 | 固体撮像装置、固体撮像装置の駆動方法およびカメラ |
JP3830590B2 (ja) * | 1996-10-30 | 2006-10-04 | 株式会社東芝 | 固体撮像装置 |
JP3657780B2 (ja) * | 1998-06-30 | 2005-06-08 | 株式会社東芝 | 撮像装置 |
US6933976B1 (en) * | 1999-09-03 | 2005-08-23 | Fuji Photo Film Co., Ltd. | Solid-state image pickup device |
JP4497688B2 (ja) * | 1999-09-27 | 2010-07-07 | 富士フイルム株式会社 | 固体撮像装置 |
JP2001238134A (ja) * | 2000-02-23 | 2001-08-31 | Sony Corp | 固体撮像素子およびその駆動方法並びにカメラシステム |
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JP4515617B2 (ja) * | 2000-10-23 | 2010-08-04 | 富士フイルム株式会社 | 固体撮像素子およびその駆動方法 |
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Patent Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH06205305A (ja) * | 1992-12-28 | 1994-07-22 | Matsushita Electron Corp | 固体撮像装置およびその駆動方法 |
JPH09181292A (ja) * | 1995-12-27 | 1997-07-11 | Nec Corp | 固体撮像素子とその駆動方法 |
JP2000115643A (ja) * | 1998-10-06 | 2000-04-21 | Sony Corp | 固体撮像装置の駆動方法、固体撮像装置、固体撮像素子、並びに撮像カメラ |
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