JP4444754B2 - 固体撮像装置の駆動方法 - Google Patents
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Description
半導体基板内の第1導電型の表面領域内に行列状に形成された、前記第1導電型と逆導電型の第2導電型の多数の電荷蓄積領域と、前記表面領域内で前記電荷蓄積領域の各列に近接して形成された前記第2導電型の複数の垂直電荷転送路と、前記複数の垂直電荷転送路の一端に結合された水平電荷転送路と、前記表面領域内で各電荷蓄積領域と関連する垂直電荷転送路との間に配置された前記第1導電型の読み出しゲートと、各垂直電荷転送路と交差するようにその上方に配置され、行方向に延在し、前記垂直電荷転送路内に各電荷蓄積領域当たり2段以上の転送段を画定し、バリア形成電圧と電荷蓄積電圧とを選択的に印加して、電荷を転送できると共に、前記読み出しゲートと関連する転送段に読み出しパルスを印加して、関連する電荷蓄積領域から該関連する転送段に信号電荷を読み出すことのできる複数の転送電極とを有する固体撮像装置の駆動方法であって、
(a)前記電荷蓄積領域上に光学的画像を結像し、信号電荷を蓄積すると共に、前記垂直電荷転送路にスミア電荷が生じるのを許容する工程と、
(b)4段以上の転送段を1つの転送単位として、前記電荷蓄積領域から前記垂直電荷転送路に転送単位当り1つの信号電荷を読み出す読み出し工程であって、
(b−1)転送単位当たり少なくとも1転送段のバリアを形成するバリア形成電圧を所定の転送電極に印加し、
(b−2)関連する電荷蓄積領域から垂直電荷転送路に信号電荷を読み出すため所定の転送電極に読み出しパルスを印加し、
(b−3)前記バリア形成電圧を印加された転送電極との間に少なくとも1転送段の間隔を置く所定の転送電極に、前記読み出しパルスによる電荷蓄積領域の電位変化を相殺する相殺パルスを印加する、
ことを含み、前記相殺パルスを印加する転送電極は前記バリア形成電圧を印加する転送電極および前記読み出しパルスを印加する転送電極とは別の転送電極であり、前記読み出しパルスによる電荷蓄積領域の電位変化を前記相殺パルスによって抑制すると共に前記相殺パルスを印加された転送電極の両側にスミア電荷に対するポテンシャルウェルを形成することによりスミア電荷の再分配を防止する読み出し工程と、
(c)前記読み出しパルスおよび前記相殺パルスの消滅後、読み出した電荷を1行づつ前記垂直電荷転送路から前記水平電荷転送路に転送する電荷転送工程と、
を含む固体撮像装置の駆動方法
を提供できる。
2 p型ウエル
3 n型チャネル
4 絶縁層
5、6 転送電極
7 電荷蓄積領域
9 チャネルストップ
13、17 埋め込み領域
VCCD 垂直電荷転送路
HCCD 水平電荷転送路
RG 読み出しゲート
Claims (6)
- 半導体基板内の第1導電型の表面領域内に行列状に形成された、前記第1導電型と逆導電型の第2導電型の多数の電荷蓄積領域と、前記表面領域内で前記電荷蓄積領域の各列に近接して形成された前記第2導電型の複数の垂直電荷転送路と、前記複数の垂直電荷転送路の一端に結合された水平電荷転送路と、前記表面領域内で各電荷蓄積領域と関連する垂直電荷転送路との間に配置された前記第1導電型の読み出しゲートと、各垂直電荷転送路と交差するようにその上方に配置され、行方向に延在し、前記垂直電荷転送路内に各電荷蓄積領域当たり2段以上の転送段を画定し、バリア形成電圧と電荷蓄積電圧とを選択的に印加して、電荷を転送できると共に、前記読み出しゲートと関連する転送段に読み出しパルスを印加して、関連する電荷蓄積領域から該関連する転送段に信号電荷を読み出すことのできる複数の転送電極とを有する固体撮像装置の駆動方法であって、
(a)前記電荷蓄積領域上に光学的画像を結像し、信号電荷を蓄積すると共に、前記垂直電荷転送路にスミア電荷が生じるのを許容する工程と、
(b)4段以上の転送段を1つの転送単位として、前記電荷蓄積領域から前記垂直電荷転送路に転送単位当り1つの信号電荷を読み出す読み出し工程であって、
(b−1)転送単位当たり少なくとも1転送段のバリアを形成するバリア形成電圧を所定の転送電極に印加し、
(b−2)関連する電荷蓄積領域から垂直電荷転送路に信号電荷を読み出すため所定の転送電極に読み出しパルスを印加し、
(b−3)前記バリア形成電圧を印加された転送電極との間に少なくとも1転送段の間隔を置く所定の転送電極に、前記読み出しパルスによる電荷蓄積領域の電位変化を相殺する相殺パルスを印加する、
ことを含み、前記相殺パルスを印加する転送電極は前記バリア形成電圧を印加する転送電極および前記読み出しパルスを印加する転送電極とは別の転送電極であり、前記読み出しパルスによる電荷蓄積領域の電位変化を前記相殺パルスによって抑制すると共に前記相殺パルスを印加された転送電極の両側にスミア電荷に対するポテンシャルウェルを形成することによりスミア電荷の再分配を防止する読み出し工程と、
(c)前記読み出しパルスおよび前記相殺パルスの消滅後、読み出した電荷を1行づつ前記垂直電荷転送路から前記水平電荷転送路に転送する電荷転送工程と、
を含む固体撮像装置の駆動方法。 - 前記多数の電荷蓄積領域がテトラゴナル行列状に配置され、前記転送段の数は、各電荷蓄積領域当たり2または3であり、前記転送単位は4または6転送段である請求項1記載の固体撮像装置の駆動方法。
- 前記転送電極が複数層の導電層で形成され、前記相殺パルスが印加される転送電極が最下層の導電層を含む請求項2記載の固体撮像装置の駆動方法。
- 前記行列状の電荷蓄積領域は、第1の正方格子の格子点とその格子間位置とにハニカム状に配置されている請求項1記載の固体撮像装置の駆動方法。
- 前記転送段の数は、各電荷蓄積領域当たり4であり、前記転送単位は8転送段である請求項4記載の固体撮像装置の駆動方法。
- 前記相殺パルスは、前記バリア形成電圧と実質的に等しい請求項1〜5のいずれか1項記載の固体撮像装置の駆動方法。
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