JP2007134774A5 - - Google Patents

Claims (6)

1. 第１導電型の半導体基板と、
   前記半導体基板内に形成された、前記第１導電型とは逆導電型の第２導電型のウエルと、
   前記ウエル内に形成された複数の前記第１導電型の電荷蓄積領域であって、行列状に配置され、入射光の光量に応じて生成された信号電荷を蓄積する電荷蓄積領域と、
   前記行列状に配置された電荷蓄積領域の列に沿って前記ウエル内に形成され、前記電荷蓄積領域に蓄積された信号電荷が読み出され、読み出された前記信号電荷が列方向に転送される前記第１導電型の垂直転送チャネルと、
   前記ウエル内に形成され、前記垂直転送チャネルの端部に結合され、前記垂直転送チャネルから転送された前記信号電荷が保持される前記第１導電型のラインメモリ転送路と、
   前記ウエル内に形成され、前記ラインメモリ転送路の端部に結合され、前記ラインメモリ転送路から転送された前記信号電荷が行方向に転送される前記第１導電型の水平転送チャネルと
   を有し、前記電荷蓄積領域に蓄積された信号電荷を前記垂直転送チャネルに読み出し、１水平ブランク期間に１行分づつ水平転送チャネルに転送し、出力する固体撮像素子の駆動方法であって、
   第１の水平ブランク期間に前記垂直転送チャネルから前記ラインメモリに第１の行の信号電荷を転送し、次の第２の水平ブランク期間に前記第１の行の信号電荷を前記ラインメモリから前記水平転送チャネルに転送した後、前記第１の行の次の第２の行の信号電荷を前記垂直転送チャネルから空になった前記ラインメモリに転送する固体撮像素子の駆動方法。
2. 前記固体撮像素子が画素ずらし配列の固体撮像素子である請求項１に記載の固体撮像素子の駆動方法。
3. 前記第１導電型がｎ型である請求項１または２に記載の固体撮像素子の駆動方法。
4. 第１導電型の半導体基板と、
   前記半導体基板内に形成された、前記第１導電型とは逆導電型の第２導電型のウエルと、
   前記ウエル内に形成された複数の前記第１導電型の電荷蓄積領域であって、行列状に配置され、入射光の光量に応じて生成された信号電荷を蓄積する電荷蓄積領域と、
   前記行列状に配置された電荷蓄積領域の列に沿って前記ウエル内に形成され、前記電荷蓄積領域に蓄積された信号電荷が読み出され、読み出された前記信号電荷が列方向に転送される前記第１導電型の垂直転送チャネルと、
   前記ウエル内に形成され、前記垂直転送チャネルの端部に結合され、前記垂直転送チャネルから転送された前記信号電荷が保持される前記第１導電型のラインメモリ転送路と、
   前記ウエル内に形成され、前記ラインメモリ転送路の端部に結合され、前記ラインメモリ転送路から転送された前記信号電荷が行方向に転送される前記第１導電型の水平転送チャネルと
   を有し、前記電荷蓄積領域に蓄積された信号電荷を前記垂直転送チャネルに読み出し、１水平ブランク期間に対し水平転送チャネルの転送を１回行い、信号電荷を出力する固体撮像素子の駆動方法であって、
   第１の水平ブランク期間に前記垂直転送チャネルから前記ラインメモリに第１の行の信号電荷を転送し、次の第２の水平ブランク期間に、その一部を前記ラインメモリから前記水平転送チャネルに転送し、次の第３の水平ブランク期間に、前記第１の行の残余の信号電荷を前記ラインメモリから前記水平転送チャネルに転送した後、前記第１の行の次の第２の行の信号電荷を前記垂直転送チャネルから空になった前記ラインメモリに転送する固体撮像素子の駆動方法。
5. 前記固体撮像素子が画素ずらし配列の固体撮像素子である請求項４に記載の固体撮像素子の駆動方法。
6. 前記第１導電型がｎ型である請求項４または５に記載の固体撮像素子の駆動方法。