JP2007128886A - スペーサ及びこれを含む電子放出ディスプレイ - Google Patents

Abstract

【課題】電子ビームの経路のわい曲を抑制して、画面の表示品質の低下を防止できるスペーサ及びそれを含む電子放出ディスプレイを提供すること。
【解決手段】真空容器を構成する第１基板１０と第２基板２０との間に配置され、母体３１０と、母体３１０の側面に形成される熱伝導層３２２と、を含むことを特徴とする、スペーサ３００が提供される。かかる構成によれば、熱伝導層によって、熱を伝導することができる。よって、母体３１０等の温度が上昇して電気抵抗が減少し、スペーサ３００の電気的特性が変化して、スペーサ３００の周囲の電界が変化することを防止することができる。
【選択図】図１

Description

本発明は、スペーサ及びこれを含む電子放出ディスプレイに関し、より詳細には、その表面に電荷が蓄積されるのを防止するスペーサ及びこれを含む電子放出ディスプレイに関する。

一般に、電子放出素子（ｅｌｅｃｔｒｏｎ ｅｍｉｓｓｉｏｎ ｅｌｅｍｅｎｔ）は、熱陰極（ｈｏｔ ｃａｔｈｏｄｅ）を利用する方式及び冷陰極（ｃｏｌｄ ｃａｔｈｏｄｅ）を利用する方式に区分される。

ここで、冷陰極を利用する方式の電子放出素子としては、電界放出アレイ（Ｆｉｅｌｄ Ｅｍｉｔｔｅｒ Ａｒｒａｙ；以下、ＦＥＡとする）型、表面伝導エミッション（Ｓｕｒｆａｃｅ Ｃｏｎｄｕｃｔｉｏｎ Ｅｍｉｓｓｉｏｎ；以下、ＳＣＥとする）型、金属−絶縁体−金属（Ｍｅｔａｌ−Ｉｎｓｕｌａｔｏｒ−Ｍｅｔａｌ；以下、ＭＩＭとする）型、及び金属−絶縁体−半導体（Ｍｅｔａｌ−Ｉｎｓｕｌａｔｏｒ−Ｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒ；以下、ＭＩＳとする）型などが知られている。

電子放出素子は、電子放出部と、電子放出部の電子の放出を制御する駆動電極とを含む。また、電子放出素子は、駆動電極に印加される電圧によって電子放出部から電子を放出する。このような電子放出素子が一基板にアレイを構成して、電子放出デバイス（ｅｌｅｃｔｒｏｎ ｅｍｉｓｓｉｏｎ ｄｅｖｉｃｅ）を構成する。そして、電子放出デバイスの一基板は、一面に蛍光層及びアノード電極からなる発光ユニットが形成された他の基板に対向配置されて真空容器を構成され、電子放出素子から放出される電子によって蛍光層を励起させて、所定の発光または表示動作を行う電子放出ディスプレイ（ｅｌｅｃｔｒｏｎ ｅｍｉｓｓｉｏｎ ｄｉｓｐｌａｙ）を構成する。

前記電子放出ディスプレイでは、真空容器を形成する際に、一基板と他の基板との間の間隔を一定に維持して、真空容器の内部及び外部の圧力差による基板の変形及び破損を防止するために、真空容器の内部にスペーサを備える。

このようなスペーサは、主にガラスやセラミックのように導電性を有していない物質で構成される。このスペーサは、電子放出素子から放出される電子が蛍光層へ向かう移動経路を妨害しないように、蛍光層の間の非発光領域に対応して配置される。

しかし、従来の電子放出ディスプレイでは、アノード電極によって励起される高い電界によって、一基板の電子放出素子から放出される電子が他の基板の当該蛍光層へ向かう際に、電子ビームの拡散が発生する。この拡散された電子ビームは、電子放出ディスプレイに集束電極を形成しても完全に抑制することができず、電子放出ディスプレイの駆動時に継続して発生する。

このように、電子放出ディスプレイで電子ビームの拡散が発生すると、電子放出素子から放出される電子のうちの一部は、当該蛍光層に到達することができずにスペーサに衝突する。この際、スペーサを構成するガラスやセラミックは、１以上の二次電子放出係数を有しているため、スペーサに電子が衝突すると、このスペーサからより多くの二次電子が放出される。よって、このスペーサの表面は、正の電荷に帯電される。このように帯電されたスペーサは、スペーサの周囲の電界を変化させて、電子ビームの経路をわい曲させるという問題があった。

また、電子放出ディスプレイでは、駆動時に電子放出素子から放出される電子によって真空容器の内部に熱が発生するが、スペーサを構成するガラスやセラミックが劣悪（低い）な熱抵抗性を有するため、電気抵抗の減少のようなスペーサの電気的特性の変化が起こる。これによって、スペーサの周囲の電界が変化して、前記電子ビームの経路のわい曲がより一層深刻化するという問題があった。

このような電子ビームの経路のわい曲は、電子放出素子から放出される電子の方向をスペーサ側に変更して、画面でスペーサの位置を目で確認することができるなどの表示品質の低下、すなわち、電子ビームの歪曲が画面に映し出される映像に影響を与え、スペーサの位置を画面の映像をとおして目で確認することができるなどの表示品質の低下を誘発するという問題があった。

そこで、本発明は、上記問題に鑑みてなされたものであり、本発明の目的とするところは、電子ビームの経路のわい曲を抑制して、画面の表示品質の低下を防止することが可能な、新規かつ改良されたスペーサ及びこれを含む電子放出ディスプレイを提供することにある。

上記課題を解決するために、本発明のある観点によれば、真空容器を構成する第１基板と第２基板との間に配置され、母体と、母体の側面に形成される熱伝導層と、を含むことを特徴とする、スペーサが提供される。
かかる構成によれば、熱伝導層によって、熱を伝導することができる。よって、母体等の温度が上昇して電気抵抗が減少し、スペーサの電気的特性が変化して、スペーサの周囲の電界が変化することを防止することができる。

また、熱伝導層は、０．４〜１ｃａｌ／ｃｍ・ｓ・℃の熱伝導率を有する物質からなってもよい。かかる構成によれば、熱伝導層は、スペーサ等の熱を伝導することができる。

また、熱伝導層は、金属を含んでもよい。

また、母体と熱伝導層との間に形成される抵抗層と、熱伝導層上に形成される二次電子放出防止層と、をさらに含んでもよい。かかる構成によれば、放出された電子がスペーサに衝突し、二次電子が放出されるのを防ぐことができる。また、放出された電子がスペーサに衝突し二次電子が放出される等によって、スペーサに帯電された電荷を、抵抗層が伝達して、電荷をスペーサから除去することができる。

また、上記課題を解決するために、本発明の別の観点によれば、真空容器を構成する第１基板及び第２基板と、第１基板に提供される電子放出ユニットと、第２基板に提供される発光ユニットと、第１基板と第２基板との間に配置されるスペーサと、を含み、スペーサは、母体と、母体の側面に形成される熱伝導層と、を含むことを特徴とする、電子放出ディスプレイが提供される。かかる構成によれば、電子放出ユニットから電子が放出され、発光ユニットに電子が衝突することで、所定の光を発光することができる。また、スペーサは、第１基板と、第２基板との間の間隔を一定に保つことができる。そして、この過程において、電子によって真空容器の内部に熱が発生するが、かかる構成によれば、スペーサの熱伝導層が、この熱を伝達するため、スペーサの母体等の温度が上昇することを防ぐことができる。よって、母体等の温度が上昇して電気抵抗が減少し、スペーサ電気的特性が変化して、スペーサの周囲の電界が変化することを防止することができる。

また、熱伝導層は、０．４〜１ｃａｌ／ｃｍ・ｓ・℃の熱伝導率を有する物質からなってもよい。かかる構成によれば、熱伝導層は、スペーサ等の熱を伝導することができる。

また、熱伝導層は、金属を含んでもよい。かかる構成によれば、熱伝導層は、スペーサ等の熱を伝道することができる。

また、熱伝導層は、金、銀、銅、アルミニウムのうちのいずれか１つを含んでもよい。かかる構成によれば、熱伝導層は、スペーサ等の熱を伝導することができる。

また、スペーサは、母体と熱伝導層との間に形成される抵抗層と、熱伝導層上に形成される二次電子放出防止層と、をさらに含んでもよい。かかる構成によれば、放出された電子がスペーサに衝突し、二次電子が放出されるのを防ぐことができる。また、放出された電子がスペーサに衝突し二次電子が放出される等によって、スペーサに帯電された電荷を、抵抗層が伝達して、電荷をスペーサから除去することができる。

また、スペーサの下面に形成される接触電極層と、スペーサの上面に形成される絶縁層と、をさらに含んでもよい。かかる構成によれば、スペーサに帯電された電荷を、接触電極を介して、外部に伝達することができる。

また、電子放出ユニットは、電子放出部と、電子放出部を駆動する電極と、を含んでもよい。かかる構成によれば、所定の電極に電圧が印加されることで、電子放出部は、電子を放出することができる。

また、電子放出部は、炭素ナノチューブ、黒鉛、黒鉛ナノファイバー、ダイヤモンド、ダイヤモンド状炭素、Ｃ_６０、シリコンナノワイヤーから選択されるいずれか１つ、又は、これらの組合わせからなる物質からなってもよい。かかる構成によれば、所定の電極に電圧が印加されることで、電子放出部は、電子を放出することができる。

また、第１基板と第２基板との間に提供される集束電極をさらに含んでもよい。かかる構成によれば、集束電極に所定の電圧を印加することで、放出された電子を集束することができる。

以上説明したように本発明によれば、電子ビームの経路のわい曲を抑制して、画面の表示品質の低下を防止できる。

以下に添付図面を参照しながら、本発明の好適な実施の形態について詳細に説明する。なお、本明細書及び図面において、実質的に同一の機能構成を有する構成要素については、同一の符号を付することにより重複説明を省略する。

（一実施形態）
図１及び図２を参照して、本発明の一実施形態に係る電子放出ディスプレイについて詳しく説明する。図１は、本実施形態に係る電子放出ディスプレイを示す部分分解斜視図であり、図２は、本実施形態に係る電子放出ディスプレイを示す部分断面図である。また、本実施形態において、電子放出ディスプレイは、ＦＥＡ型電子放出ディスプレイであるとして、以下では説明する。

図１及び図２に示すように、本実施形態に係る電子放出ディスプレイ１は、所定の間隔をおいて互いに平行に対向配置される第１基板１０及び第２基板２０を含む。第１基板１０及び第２基板２０の周縁には、密封部材（図示せず）が配置されて両基板を接合し、第１基板１０、第２基板２０、及び密封部材が真空容器を構成する。

第２基板２０に対向する第１基板１０の一面には、第２基板２０に向かって電子を放出する電子放出ユニット１００が配置され、第１基板１０に対向する第２基板２０の一面には、電子によって可視光を放出して、任意の発光又は表示動作を行う発光ユニット２００が配置される。

より具体的に、まず、第１基板１０上には、電子の放出を制御するための第１電極としてカソード電極１１０が、第１基板１０の一方向（図面のｙ軸方向）に沿ってストライプパターンに形成される。カソード電極１１０上及び第１基板１０の全面には、第１絶縁層１２０が、形成される。そして、第１絶縁層１２０上には、第２電極としてゲート電極１３０が、カソード電極１１０と直交する方向（図面のｘ軸方向）に沿ってストライプパターンに形成される。

そして、カソード電極１１０及びゲート電極１３０が交差する領域ごとに、カソード電極１１０上に、電子放出部１６０が形成される。第１絶縁層１２０及びゲート電極１３０には、各電子放出部１６０に対応して開口部１２０ａ、１３０ａが、各々形成されて、第１基板１０上に電子放出部１６０を露出する。

電子放出部１６０は、真空中で電界が加えられると電子を放出する物質、例えば炭素系物質又はナノメートルサイズ物質、一例として、炭素ナノチューブ、黒鉛、黒鉛ナノファイバー、ダイヤモンド、ダイヤモンド状炭素、Ｃ_６０（ｆｕｌｌｅｒｅｎｅ）、シリコンナノワイヤーから選択されるいずれか１つ、又はこれらの組合わせからなる物質で形成される。また、電子放出部１６０の製造法としては、スクリーン印刷、直接成長、化学気相蒸着、又はスパッタリングなどを適用することができる。

図１中では、一例として、平面形状（ｘｙ平面における形状）が円形である電子放出部１６０が、カソード電極１１０の長さ方向に沿って、カソード電極１１０及びゲート電極１３０の交差領域（単位画素領域Ｕとする）当たり３個ずつ一列に配置されることを示した。しかし、電子放出部１６０の平面形状、交差領域当りの個数、及び配置形態などは、図１中に示した例に限定されず、多様に変形されてもよい。

また、本実施形態では、ゲート電極１３０が第１絶縁層１２０を間においてカソード電極１１０上に位置する構造について説明したが、カソード電極がゲート電極上に位置する構造も可能で、この場合、電子放出部は、カソード電極の一側面と接触して第１絶縁層上に形成されてもよい。

電子放出ディスプレイ１で、１つのカソード電極１１０と、１つのゲート電極１３０と、これらの交差領域である単位画素領域（Ｕ）に位置する第１絶縁層１２０及び電子放出部１６０とが、１つの電子放出素子３を構成し、このような電子放出素子３が、第１基板１０上にアレイ（ａｒｒａｙ）を構成して、電子放出デバイス１８０を構成する。

また、電子放出ディスプレイ１では、ゲート電極１３０上に第２絶縁層１４０及び集束電極１５０が、順次に形成されてもよい。この場合、第２絶縁層１４０及び集束電極１５０にも電子ビームの通過のための開口部１４０ａ、１５０ａが形成される。一例として、開口部１４０ａ、１５０ａは、電子放出素子３当たり１つ形成されて、集束電極１５０は、１つの電子放出素子３から放出される電子を包括的に集束してもよい。この時、集束電極１５０は、形成された高さと電子放出部１６０との高さの差が大きいほど、優れた集束効果を発揮する。よって、第２絶縁層１４０の厚さを第１絶縁層１２０の厚さより大きく形成するのが好ましい。

図１中では、集束電極１５０が第１基板１０全体に１つ形成されることを示したが、所定のパターンで分れて複数個形成されてもよい。

また、集束電極１５０は、第２絶縁層１４０上にコーティングされた導電膜で構成され、開口部１５０ａが形成された金属プレートで構成されてもよい。

次に、第１基板１０に対向する第２基板２０の一面には、蛍光層２１０及び黒色層２２０が形成され、蛍光層２１０及び黒色層２２０上にアルミニウムのような金属からなるアノード電極２３０が形成される。アノード電極２３０は、外部から電子ビームの加速に必要な高電圧の印加を受け、蛍光層２１０から放出された可視光のうちの第１基板１０に向かって放出された可視光を第２基板２０側に反射させて、画面の輝度を高める役割を果たす。

一方、アノード電極は、インジウムスズ酸化物のような透明導電物質で形成されてもよい。この場合、このアノード電極は、第２基板の全面に単一層で形成され、このアノード電極上に蛍光層及び黒色層が任意のパターンに形成される。もちろん、この透明なアノード電極は、蛍光層のパターンに対応してパターン化されて形成されてもよい。

また、第２基板上に透明導電物質のアノード電極との反射効果によって輝度を高める金属薄膜を全て形成することもできる。

蛍光層２１０は、第１基板１０上に定義された単位画素領域（Ｕ）に一対一で対応して配置されたり、画面の垂直方向（図面のｙ軸方向）に沿ってストライプパターンに形成されることができ、黒色層２２０は、クロムまたはクロム酸化物のような不透明物質で形成することができる。

電子放出ディスプレイ１で、蛍光層２１０は、電子放出素子３に対応して形成され、この際、互いに対応する１つの蛍光層２１０及び１つの電子放出素子３が、電子放出ディスプレイ１の実質的な画素を構成する。

次に、第１基板１０と第２基板２０との間には、複数のスペーサ３００が配置されて、両基板１０、２０の間の間隔を一定に維持する。この時、スペーサ３００は、黒色層２２０が位置する非発光領域に対応して配置され、図面では、一例として、壁体型（ｗａｌｌ−ｔｙｐｅ）スペーサを示した。

スペーサ３００は、ガラスやセラミックのように導電性を有していない物質からなる母体３１０と、母体３１０の側面を覆う抵抗層３２１と、抵抗層３２１上に形成される熱伝導層３２２と、熱伝導層３２２上に形成される二次電子放出防止層３２３と、を含んで構成される。

ここで、抵抗層３２１は、スペーサ３００に帯電される電荷の移動経路を提供して、スペーサ３００に電荷が蓄積されるのを防止する。このような抵抗層３２１には、弱い導電性を有する高抵抗物質、一例として、Ｐｔ、Ｗ、Ｔｉ、Ｃｒ、及びこれらの混合物からなる群より選択される少なくとも１つの金属と、ＡｌＮ、ＧｅＮ、Ａｌ_２Ｏ_３、及びこれらの混合物からなる群より選択される化合物と、を組合わせて使用することができる。好ましくは、Ｐｔ／ＡｌＮ、Ｔｉ／Ａｌ_２Ｏ_３、Ｃｒ／ＡｌＮを使用することができる。

熱伝導層３２２は、電子放出ディスプレイ１の駆動時に電子の放出によって真空容器の内部で発生する熱がスペーサ３００の母体３１０に伝達されないように、外部に熱を伝達して、スペーサ３００の電気的特性の変化を防止する。即ち、熱伝導層３２２は、真空容器の内部で発生した熱の伝達を受け、後述する接触電極層３３２及び絶縁層３３１を介して、アノード電極２３０及び集束電極１５０のうち少なくともどちらか一方にこの熱を誘導、分散させてもよい。よって、熱伝導層３２２は、この熱がスペーサ３００の母体３１０に伝達されるのを防ぐことができる。

このような熱伝導層３２２は、０．４〜１ｃａｌ／ｃｍ・ｓ・℃の熱伝導率を有する物質、好ましくは、金（Ａｕ−０．７４）、銀（Ａｇ−０．９９）、銅（Ｃｕ−０．９４）、アルミニウム（Ａｌ−０．４９）などの金属を含む低抵抗物質から形成することができる。括弧内の数値は、熱伝導率（ｃａｌ／ｃｍ・ｓ・℃）を示す。

そして、二次電子放出防止層３２３は、スペーサ３００に電子が衝突する時にスペーサ３００から二次電子が放出されるのを最少化する。このような二次電子放出防止層３２３は、二次電子放出係数が１である物質、一例として、ダイヤモンド状カーボン（ＤＬＣ）、Ｃｒ_２Ｏ_３などで形成されてもよい。

また、スペーサ３００の上面には、絶縁層３３１が形成され、下面には、低抵抗物質、一例として、Ｃｒ、Ｎｉ、Ｍｏなどからなる接触電極層３３２がさらに形成されてもよい。

この場合、スペーサ３００は、接触電極層３３２を通じて集束電極１５０と電気的に連結されて、スペーサ３００に帯電される電荷をスペーサ３００の外部に移動させることができるようになる。

また、スペーサ３００は、図面に示した壁体型以外にも、円柱型、十字柱型などの多様な形状で形成されてもよい。

このように構成される電子放出ディスプレイ１では、一例として、アノード電極２３０に数百ボルト〜数千ボルトの（＋）電圧を印加し、カソード電極１１０及びゲート電極１３０のうちのいずれか１つの電極に走査信号電圧を印加すると同時に、他の１つの電極にデータ信号電圧を印加し、集束電極１５０には数ボルト〜数十ボルトの（−）電圧を印加して、駆動する。

そうすると、カソード電極１１０とゲート電極１３０との間の電圧差が臨界値以上となった電子放出素子において、電子放出部１６０の周囲に電界が形成されて、電子放出部１６０から電子が放出される。また、放出された電子は、集束電極１５０の開口部１５０ａを通過して電子ビームの束の中心部に集束され、アノード電極２３０に印加された高電圧に引張られて当該蛍光層２１０に衝突する。そして、電子が衝突した蛍光層２１は、光を発光させる。

この過程において、集束電極１５０の作用にもかかわらず電子ビームの分散が発生し、電子の一部が当該蛍光層２１０に到達することができずに、スペーサ３００に衝突することがある。

しかし、スペーサ３００の表面に電子が衝突しても、本実施形態の電子放出ディスプレイ１は、二次電子放出防止層３２３によってスペーサ３００から二次電子が放出されるのを最少化することができる。また、スペーサ３００の表面に電荷が帯電されても、抵抗層３２１及び接触電極層３３１、３３２によって電荷がスペーサ３００の外部に移動するので、スペーサ３００の表面に電荷が蓄積されるのを防ぐことができる。

また、この過程において、電子放出部１６０から放出される電子によって真空容器の内部に熱が発生しても、熱伝導層３２２によってスペーサ３００の母体３１０に熱が加えられるのが遮断されて、スペーサ３００の電気的特性の変化が防止される。

その結果、本実施形態の電子放出ディスプレイ１は、スペーサ３００の周辺の電界のわい曲及びこれによる電子ビームのわい曲を防止することができる。

また、本実施形態に係る電子放出ディスプレイ１によれば、スペーサ３００は、接触電極層３３２を介して、集束電極１５０に印加された負の電圧の印加を受けてもよい。当該電圧の印加を受けたスペーサ３００は、放出された電子に対して斥力を働かせることができるので、電子の一部がスペーサ３００に衝突することを防ぐことができる。

本実施形態では、ＦＥＡ型電子放出ディスプレイについて説明したが、本発明はＦＥＡ型電子放出ディスプレイに限定されず、スペーサを含む他の形態の電子放出ディスプレイ、つまりＳＣＥ型、ＭＩＭ型、及びＭＩＳ型などの電子放出ディスプレイにも適用して実施することができる。

（他の実施形態）
このうちのＳＣＥ型電子放出ディスプレイ１’について、図３を参照して説明する。図３は、本発明の他の実施形態に係る電子放出ディスプレイを示す部分断面図である。図３で、図１及び図２と同一な構成要素については、同一な図面符号を付けて、これに対する詳細な説明は省略する。

図３に示すように、第１基板４０及び第２基板２０が所定の間隔をおいて互いに平行に対向配置されて、第１基板４０に電子放出ユニット４００が提供され、第２基板２０に発光ユニット２００が提供される。

第１基板４０上には、第１電極４２１及び第２電極４２２が離隔して配置され、第１電極４２１及び第２電極４２２の間に電子放出部４４０が形成され、第１電極４２１と電子放出部４４０との間と、第２電極４２２と電子放出部４４０との間とには、第１電極４２１及び第２電極４２２の一部を覆うように第１導電薄膜４３１及び第２導電薄膜４３２が各々形成されて、これらを通じて第１電極４２１及び第２電極４２２が電子放出部４４０に各々電気的に連結される。

本実施形態において、第１電極４２１及び第２電極４２２は、例えば、導電性を有する多様な物質で形成され、第１導電薄膜４３１及び第２導電薄膜４３２は、例えば、ニッケル（Ｎｉ）、金（Ａｕ）、白金（Ｐｔ）、パラジウム（Ｐｄ）などの導電性物質を利用した微粒子薄膜で形成されてもよい。電子放出部４４０は、例えば、黒鉛型炭素や炭素化合物などから形成されてもよく、炭素ナノチューブ、黒鉛、黒鉛ナノファイバー、ダイヤモンド、ダイヤモンド状炭素、Ｃ_６０（ｆｕｌｌｅｒｅｎｅ）、シリコンナノワイヤーから選択されるいずれか１つ、またはこれらの組合わせからなる物質で形成されてもよい。

このように構成される電子放出ディスプレイでは、第１電極４２１及び第２電極４２２に各々電圧を印加すると、第１導電薄膜４３１及び第２導電薄膜４３２を通じて電子放出部４４０の表面と水平な方向に電流が流れて、表面伝導型電子放出が行われ、放出された電子は、アノード電極２３０に印加される高電圧に引張られて当該蛍光層２１０に衝突して、これを発光させる。

以上、本発明の一実施形態と他の実施形態について詳しく説明した。本発明の一実施形態及び他の実施形態に係る電子放出ディスプレイ１、１’によれば、スペーサ３００が抵抗層３２１、二次電子放出防止層３２３、及び接触電極層３３１、３３２をさらに含むので、スペーサ３００の周辺で起こる電界のわい曲、及びこれによる電子ビームのわい曲を防止することができる。

また、スペーサ３００が抵抗層３２１と二次電子放出防止層３２３との間に熱伝導層３２２をさらに含むので、駆動時に発生する熱によってスペーサ３００の電気的特性が変化するのを防止することができ、これによる電界のわい曲も防止することができる。

その結果、本発明の両実施形態に係る電子放出ディスプレイ１、１’は、画面でスペーサ３００の位置を目で確認することができるなどの表示品質の低下を防止することができる。

以上、添付図面を参照しながら本発明の好適な実施形態について説明したが、本発明は係る例に限定されないことは言うまでもない。当業者であれば、特許請求の範囲に記載された範疇内において、各種の変更例または修正例に想到し得ることは明らかであり、それらについても当然に本発明の技術的範囲に属するものと了解される。

本発明の一実施形態に係る電子放出ディスプレイを示す部分分解斜視図である。 本発明の一実施形態に係る電子放出ディスプレイを示す部分断面図である。 本発明の他の実施形態に係る電子放出ディスプレイを示す部分断面図である。

符号の説明

１ 電子放出ディスプレイ
１０ 第１基板
１００ 電子放出ユニット
１１０ カソード電極
１２０ 第１絶縁層
１２０ａ、１３０ａ、１４０ａ、１５０ａ 開口部
１３０ ゲート電極
１４０ 第２絶縁層
１５０ 集束電極
１６０ 電子放出部
２０ 第２基板
２００ 発光ユニット
２１０ 蛍光層
２２０ 黒色層
２３０ アノード電極
３ 電子放出素子
３００ スペーサ
３１０ 母体
３２１ 抵抗層
３２２ 熱伝導層
３２３ 二次電子放出防止層
３３１ 絶縁層
３３２ 接触電極層

Claims (13)

1. 真空容器を構成する第１基板と第２基板との間に配置され、
   母体と；
   前記母体の側面に形成される熱伝導層と；
   を含むことを特徴とする、スペーサ。
2. 前記熱伝導層は、０．４〜１ｃａｌ／ｃｍ・ｓ・℃の熱伝導率を有する物質からなることを特徴とする、請求項１に記載のスペーサ。
3. 前記熱伝導層は、金属を含むことを特徴とする、請求項２に記載のスペーサ。
4. 前記母体と前記熱伝導層との間に形成される抵抗層と；
   前記熱伝導層上に形成される二次電子放出防止層と；
   をさらに含むことを特徴とする、請求項１〜３のいずれかに記載のスペーサ。
5. 真空容器を構成する第１基板及び第２基板と；
   前記第１基板に提供される電子放出ユニットと；
   前記第２基板に提供される発光ユニットと；
   前記第１基板と前記第２基板との間に配置されるスペーサと；
   を含み、
   前記スペーサは、
   母体と；
   前記母体の側面に形成される熱伝導層と；
   を含むことを特徴とする、電子放出ディスプレイ。
6. 前記熱伝導層は、０．４〜１ｃａｌ／ｃｍ・ｓ・℃の熱伝導率を有する物質からなることを特徴とする、請求項５に記載の電子放出ディスプレイ。
7. 前記熱伝導層は、金属を含むことを特徴とする、請求項６に記載の電子放出ディスプレイ。
8. 前記熱伝導層は、金、銀、銅、アルミニウムのうちのいずれか１つを含むことを特徴とする、請求項７に記載の電子放出ディスプレイ。
9. 前記スペーサは、
   前記母体と前記熱伝導層との間に形成される抵抗層と；
   前記熱伝導層上に形成される二次電子放出防止層と；
   をさらに含むことを特徴とする、請求項５〜８のいずれかに記載の電子放出ディスプレイ。
10. 前記スペーサの下面に形成される接触電極層と、前記スペーサの上面に形成される絶縁層と、をさらに含むことを特徴とする、請求項５に記載の電子放出ディスプレイ。
11. 前記電子放出ユニットは、電子放出部と、前記電子放出部を駆動する電極と、を含むことを特徴とする、請求項５〜１０のいずれかに記載の電子放出ディスプレイ。
12. 前記電子放出部は、炭素ナノチューブ、黒鉛、黒鉛ナノファイバー、ダイヤモンド、ダイヤモンド状炭素、Ｃ_６０、シリコンナノワイヤーから選択されるいずれか１つ、又は、これらの組合わせからなる物質からなることを特徴とする、請求項１１に記載の電子放出ディスプレイ。
13. 前記第１基板と前記第２基板との間に提供される集束電極をさらに含むことを特徴とする、請求項５〜１２のいずれかに記載の電子放出ディスプレイ。

Images