JP2007123837A - 半導体レーザ素子およびその製造方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】この半導体レーザ素子は、レーザ光の出射端面部に窓構造を有する活性層4と、活性層4の表面上に形成され、不純物としてMgおよびZnを含有するp型クラッド層5とを備え、p型クラッド層5に含有されるZnの不純物濃度は、p型クラッド層5に含有されるMgの不純物濃度よりも大きい。
【選択図】図1
Description
図1は、本発明の第1実施形態による赤色半導体レーザ素子の構造を示した斜視図である。図2は、図1に示した第1実施形態による赤色半導体レーザ素子の活性層の詳細を示した拡大断面図である。図3は、図1に示した第1実施形態による赤色半導体レーザ素子のA点における深さ方向に対するMgおよびZnの不純物濃度を示した図である。まず、図1〜図3を参照して、本発明の第1実施形態による赤色半導体レーザ素子の構造について説明する。
図15は、本発明の第2実施形態による赤外半導体レーザ素子の構造を示した斜視図である。図15を参照して、この第2実施形態では、上記第1実施形態と異なり、本発明の半導体レーザ素子を赤外半導体レーザ素子に適用する場合について説明する。
図17は、本発明の第3実施形態による半導体レーザ素子の構造を示した斜視図である。図17を参照して、この第3実施形態では、上記第1および第2実施形態と異なり、1つのGaAs基板1に、660nm帯の発振波長を有するとともに、DVD−R用として用いられる高出力の赤色半導体レーザ素子と、780nm帯の発振波長を有するとともに、CD−R用として用いられる高出力の赤外半導体レーザ素子とを形成した2波長の半導体レーザ素子に本発明を適用する場合について説明する。
3、23 n型クラッド層(n型層)
4 活性層(第1活性層)
5 p型クラッド層(p型層、第1p型層)
24 活性層(第2活性層)
25 p型クラッド層(p型層、第2p型層)
Claims (9)
- レーザ光の出射端面部に窓構造を有する活性層と、
前記活性層の表面上に形成され、不純物としてMgおよびZnを含有するp型層とを備え、
前記p型層に含有される前記Znの不純物濃度は、前記p型層に含有される前記Mgの不純物濃度よりも大きい、半導体レーザ素子。 - 前記Mgおよび前記Znは、少なくとも前記p型層の前記出射端面部以外の領域において、少なくとも前記p型層の前記活性層近傍の部分まで所定の値以上の不純物濃度を有するように導入されている、請求項1に記載の半導体レーザ素子。
- 前記活性層の少なくとも前記出射端面部以外の領域に、前記Mgおよび前記Znが導入されている、請求項1または2に記載の半導体レーザ素子。
- 前記活性層の少なくとも前記出射端面部に、前記Mgおよび前記Znが導入され、
前記活性層の前記出射端面部に導入される前記Znの不純物濃度は、前記活性層の前記出射端面部に導入される前記Mgの不純物濃度よりも大きい、請求項1〜3のいずれか1項に記載の半導体レーザ素子。 - 前記活性層を前記p型層とにより挟み込むように前記活性層の表面上に形成されるn型層をさらに備え、
前記p型層の前記出射端面部に導入される前記Znが前記活性層を介して前記n型層まで拡散することにより、前記窓構造が形成される、請求項1〜4のいずれか1項に記載の半導体レーザ素子。 - 前記活性層の前記出射端面部および前記出射端面部以外の領域に前記Znが導入され、
前記活性層の前記出射端面部の前記Znの不純物濃度は、前記活性層の前記出射端面部以外の領域の前記Znの不純物濃度よりも大きい、請求項1〜5のいずれか1項に記載の半導体レーザ素子。 - 前記窓構造を有する活性層と、前記MgおよびZnを含有するp型層とを含む第1レーザ素子部と、
第2レーザ素子部と、
前記第1レーザ素子部および前記第2レーザ素子部が表面上に形成される単一の基板とをさらに備える、請求項1〜6のいずれか1項に記載の半導体レーザ素子。 - 前記第1レーザ素子部は、赤色半導体レーザ素子または赤外半導体レーザ素子のいずれか一方を構成する、請求項7に記載の半導体レーザ素子。
- 単一の基板上に、第1活性層および第2活性層を形成する工程と、
前記第1活性層および前記第2活性層の表面上に、それぞれ、MgとMgよりも大きい不純物濃度を有するZnとを不純物として含有する第1p型層および第2p型層を形成する工程と、
前記第1活性層および前記第1p型層と、前記第2活性層および前記第2p型層とに、同時にZn拡散を行うことにより、前記第1活性層および前記第2活性層のレーザ光の出射端面部に、それぞれ窓構造を同時に形成する工程とを備えた、半導体レーザ素子の製造方法。
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