JP2002026447A - 半導体レーザ装置およびその製造方法 - Google Patents
半導体レーザ装置およびその製造方法Info
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- JP2002026447A JP2002026447A JP2000203388A JP2000203388A JP2002026447A JP 2002026447 A JP2002026447 A JP 2002026447A JP 2000203388 A JP2000203388 A JP 2000203388A JP 2000203388 A JP2000203388 A JP 2000203388A JP 2002026447 A JP2002026447 A JP 2002026447A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 同一基板上に複数の波長の異なる半導体レー
ザ装置チップを集積する場合において、同時に端面窓構
造を形成する。 【解決手段】 １０１はｎ型ＧａＡｓ基板、１０２はｎ
型ＡｌＧａＩｎＰクラッド層、１０３はＧａＡｓ井戸層
とＡｌＧａＡｓ障壁層から構成された量子井戸構造の活
性層、１０４はｐ型ＡｌＧａＩｎＰ第一クラッド層、１
０５はｐ型ＧａＩｎＰエッチング停止層、１０６はｐ型
ＡｌＧａＩｎＰ第二クラッド層、１０７はｐ型ＧａＩｎ
Ｐバンド不連続緩和層、１０８はｐ型ＡｌＧａＡｓ拡散
制御膜である。１１１はレーザ端面に端面窓構造を形成
するためにＺｎの固相拡散により設けられた不純物拡散
領域である。
ザ装置チップを集積する場合において、同時に端面窓構
造を形成する。 【解決手段】 １０１はｎ型ＧａＡｓ基板、１０２はｎ
型ＡｌＧａＩｎＰクラッド層、１０３はＧａＡｓ井戸層
とＡｌＧａＡｓ障壁層から構成された量子井戸構造の活
性層、１０４はｐ型ＡｌＧａＩｎＰ第一クラッド層、１
０５はｐ型ＧａＩｎＰエッチング停止層、１０６はｐ型
ＡｌＧａＩｎＰ第二クラッド層、１０７はｐ型ＧａＩｎ
Ｐバンド不連続緩和層、１０８はｐ型ＡｌＧａＡｓ拡散
制御膜である。１１１はレーザ端面に端面窓構造を形成
するためにＺｎの固相拡散により設けられた不純物拡散
領域である。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体レーザ装置
およびその製造方法に関するものであり、特に高出力動
作可能な端面窓構造を備えた１チップ多波長半導体レー
ザ装置に係る。
およびその製造方法に関するものであり、特に高出力動
作可能な端面窓構造を備えた１チップ多波長半導体レー
ザ装置に係る。
【０００２】
【従来の技術】近年、ＣＤ（コンパクトディスク）、Ｄ
ＶＤ（デジタルビデオディスク）等の光ディスクをはじ
めとした情報処理機器の光源として、ＡｌＧａＡｓ系混
晶を用いた赤外半導体レーザ装置やＡｌＧａＩｎＰ系混
晶を用いた赤色半導体レーザ装置が実用化されている。
いずれも書き換え型の光ディスクにおいては３０ｍＷ以
上の光出力が必要であり、今後の高速化、小型化を実現
するためには、５０ｍＷから２００ｍＷ程度の更に高光
出力が要望されている。半導体レーザ装置の高出力化は
レーザ端面における結晶破壊による特性劣化で制限され
ており、特にＡｌＧａＩｎＰ系混晶を用いた半導体レー
ザ装置においては切実な問題となっている。高出力化を
実現する手段として、レーザ共振器端面にレーザ光に対
して透明な材料を形成した端面窓構造が有効である。中
でも、量子井戸構造を活性層としたダブルヘテロ構造に
おいて、不純物を拡散させると量子井戸構造を形成する
原子が固相拡散し無秩序化する現象を利用した端面窓構
造が、例えば、スズキらの文献（エレクトロニクスレタ
ーズ、第２０巻３８３項、１９８４年）に記載されてい
る。
ＶＤ（デジタルビデオディスク）等の光ディスクをはじ
めとした情報処理機器の光源として、ＡｌＧａＡｓ系混
晶を用いた赤外半導体レーザ装置やＡｌＧａＩｎＰ系混
晶を用いた赤色半導体レーザ装置が実用化されている。
いずれも書き換え型の光ディスクにおいては３０ｍＷ以
上の光出力が必要であり、今後の高速化、小型化を実現
するためには、５０ｍＷから２００ｍＷ程度の更に高光
出力が要望されている。半導体レーザ装置の高出力化は
レーザ端面における結晶破壊による特性劣化で制限され
ており、特にＡｌＧａＩｎＰ系混晶を用いた半導体レー
ザ装置においては切実な問題となっている。高出力化を
実現する手段として、レーザ共振器端面にレーザ光に対
して透明な材料を形成した端面窓構造が有効である。中
でも、量子井戸構造を活性層としたダブルヘテロ構造に
おいて、不純物を拡散させると量子井戸構造を形成する
原子が固相拡散し無秩序化する現象を利用した端面窓構
造が、例えば、スズキらの文献（エレクトロニクスレタ
ーズ、第２０巻３８３項、１９８４年）に記載されてい
る。
【０００３】また、昨今、同一基板上に異なる波長の半
導体レーザ装置を集積することへの要望が強い。例え
ば、ＤＶＤプレーヤーやＤＶＤ−ＲＯＭ装置ではＣＤお
よびＤＶＤディスクからの情報を取り出せるよう発振波
長７８０ｎｍと発振波長６５０ｎｍの２種類のレーザが
必要であり、光学系の構成が複雑であった。ここで、同
一基板上に２種類の波長のレーザを集積できるとピック
アップの小型化が可能となるなど多大なメリットが生ま
れる。このような同一基板上への多波長集積型レーザに
おいても高出力化への展開が考えられている。
導体レーザ装置を集積することへの要望が強い。例え
ば、ＤＶＤプレーヤーやＤＶＤ−ＲＯＭ装置ではＣＤお
よびＤＶＤディスクからの情報を取り出せるよう発振波
長７８０ｎｍと発振波長６５０ｎｍの２種類のレーザが
必要であり、光学系の構成が複雑であった。ここで、同
一基板上に２種類の波長のレーザを集積できるとピック
アップの小型化が可能となるなど多大なメリットが生ま
れる。このような同一基板上への多波長集積型レーザに
おいても高出力化への展開が考えられている。
【０００４】図５は、上記の無秩序化現象に基づいて作
製される従来の端面窓構造を有するＡｌＧａＩｎＰ系６
５０ｎｍ帯赤色半導体レーザ装置の構造図である。図５
において、５０１はｎ型ＧａＡｓ基板、５０２はｎ型Ａ
ｌＧａＩｎＰクラッド層、５０３はＧａＩｎＰ井戸層と
ＡｌＧａＩｎＰ障壁層とから構成された量子井戸構造の
活性層、５０４はｐ型ＡｌＧａＩｎＰ第一クラッド層、
５０５はｐ型ＧａＩｎＰエッチング停止層、５０６はｐ
型ＡｌＧａＩｎＰ第二クラッド層、５０７はｐ型ＧａＩ
ｎＰバンド不連続緩和層、５０８はｐ型ＧａＡｓキャッ
プ層、５０９はｎ型ＡｌＩｎＰ電流狭窄層、５１０はｐ
型ＧａＡｓコンタクト層である。５１１はレーザ端面に
端面窓構造を形成するためにＺｎの固相拡散により設け
られた不純物拡散領域である。また、５１２、５１３は
それぞれｎ側、ｐ側電極である。図６は、従来の端面窓
構造を有するＡｌＧａＡｓ系７８０ｎｍ帯赤外半導体レ
ーザ装置の構造図である。図６において、６０１はｎ型
ＧａＡｓ基板、６０２はｎ型ＡｌＧａＡｓクラッド層、
６０３はＧａＡｓ井戸層とＡｌＧａＡｓ障壁層とから構
成された量子井戸構造の活性層、６０４はｐ型ＡｌＧａ
Ａｓ第一クラッド層、６０５はｐ型ＧａＡｓエッチング
停止層、６０６はｐ型ＡｌＧａＡｓ第二クラッド層、６
０７はｐ型ＧａＡｓキャップ層、６０８はｎ型ＡｌＧａ
Ａｓ電流狭窄層、６０９はｐ型ＧａＡｓコンタクト層で
ある。６１０はレーザ端面に端面窓構造を形成するため
にＺｎの固相拡散により設けられた不純物拡散領域であ
る。また、６１１、６１２はそれぞれｎ側、ｐ側電極で
ある。
製される従来の端面窓構造を有するＡｌＧａＩｎＰ系６
５０ｎｍ帯赤色半導体レーザ装置の構造図である。図５
において、５０１はｎ型ＧａＡｓ基板、５０２はｎ型Ａ
ｌＧａＩｎＰクラッド層、５０３はＧａＩｎＰ井戸層と
ＡｌＧａＩｎＰ障壁層とから構成された量子井戸構造の
活性層、５０４はｐ型ＡｌＧａＩｎＰ第一クラッド層、
５０５はｐ型ＧａＩｎＰエッチング停止層、５０６はｐ
型ＡｌＧａＩｎＰ第二クラッド層、５０７はｐ型ＧａＩ
ｎＰバンド不連続緩和層、５０８はｐ型ＧａＡｓキャッ
プ層、５０９はｎ型ＡｌＩｎＰ電流狭窄層、５１０はｐ
型ＧａＡｓコンタクト層である。５１１はレーザ端面に
端面窓構造を形成するためにＺｎの固相拡散により設け
られた不純物拡散領域である。また、５１２、５１３は
それぞれｎ側、ｐ側電極である。図６は、従来の端面窓
構造を有するＡｌＧａＡｓ系７８０ｎｍ帯赤外半導体レ
ーザ装置の構造図である。図６において、６０１はｎ型
ＧａＡｓ基板、６０２はｎ型ＡｌＧａＡｓクラッド層、
６０３はＧａＡｓ井戸層とＡｌＧａＡｓ障壁層とから構
成された量子井戸構造の活性層、６０４はｐ型ＡｌＧａ
Ａｓ第一クラッド層、６０５はｐ型ＧａＡｓエッチング
停止層、６０６はｐ型ＡｌＧａＡｓ第二クラッド層、６
０７はｐ型ＧａＡｓキャップ層、６０８はｎ型ＡｌＧａ
Ａｓ電流狭窄層、６０９はｐ型ＧａＡｓコンタクト層で
ある。６１０はレーザ端面に端面窓構造を形成するため
にＺｎの固相拡散により設けられた不純物拡散領域であ
る。また、６１１、６１２はそれぞれｎ側、ｐ側電極で
ある。
【０００５】次に、従来の端面窓構造を有する半導体レ
ーザ装置の製造方法について説明する。上記の図５の半
導体レーザ装置について、図７（ａ）から（ｆ）にその
製造方法を示す。図７において図５と同一部分は同一符
号で示している。まず、図７（ａ）に示すようにＭＯＶ
ＰＥ（有機金属気相成長）法により、ｎ型ＧａＡｓ基板
５０１上に、ｎ型ＡｌＧａＩｎＰクラッド層５０２、Ｇ
ａＩｎＰ井戸層とＡｌＧａＩｎＰ障壁層とから構成され
た量子井戸構造の活性層５０３、ｐ型ＡｌＧａＩｎＰ第
一クラッド層５０４、ｐ型ＧａＩｎＰエッチング停止層
５０５、ｐ型ＡｌＧａＩｎＰ第二クラッド層５０６、ｐ
型ＧａＩｎＰバンド不連続緩和層５０７、５０８はｐ型
ＧａＡｓキャップ層を順次形成し、ダブルヘテロ構造を
有する積層体を作製する。
ーザ装置の製造方法について説明する。上記の図５の半
導体レーザ装置について、図７（ａ）から（ｆ）にその
製造方法を示す。図７において図５と同一部分は同一符
号で示している。まず、図７（ａ）に示すようにＭＯＶ
ＰＥ（有機金属気相成長）法により、ｎ型ＧａＡｓ基板
５０１上に、ｎ型ＡｌＧａＩｎＰクラッド層５０２、Ｇ
ａＩｎＰ井戸層とＡｌＧａＩｎＰ障壁層とから構成され
た量子井戸構造の活性層５０３、ｐ型ＡｌＧａＩｎＰ第
一クラッド層５０４、ｐ型ＧａＩｎＰエッチング停止層
５０５、ｐ型ＡｌＧａＩｎＰ第二クラッド層５０６、ｐ
型ＧａＩｎＰバンド不連続緩和層５０７、５０８はｐ型
ＧａＡｓキャップ層を順次形成し、ダブルヘテロ構造を
有する積層体を作製する。
【０００６】次に、上記ダブルヘテロ構造の上面にＳｉ
Ｏ2膜５１４を堆積し、ウエットエッチングによりパタ
ーニングを行い、数十μｍ幅のストライプ開口部をレー
ザの共振器となる方向と垂直方向に数百μｍ間隔で形成
する。その後、スパッタ法によりＺｎＯ膜５１５を全面
に堆積し、ストライプ開口部以外のＺｎＯ膜５１５をウ
エットエッチングにより除去する（図７（ｂ））。
Ｏ2膜５１４を堆積し、ウエットエッチングによりパタ
ーニングを行い、数十μｍ幅のストライプ開口部をレー
ザの共振器となる方向と垂直方向に数百μｍ間隔で形成
する。その後、スパッタ法によりＺｎＯ膜５１５を全面
に堆積し、ストライプ開口部以外のＺｎＯ膜５１５をウ
エットエッチングにより除去する（図７（ｂ））。
【０００７】次に、図７（ｃ）に示すように、ＳｉＯ2
膜５１４およびＺｎＯ膜５１５の上面全体にＳｉＯ2膜
５１６を堆積した後、窒素雰囲気中で熱処理によるアニ
ールを行い、ストライプ開口部にあるＺｎＯ膜５１５を
拡散源として、ｐ型ＧａＡｓキャップ層５０８の上面か
らｎ型ＡｌＧａＩｎＰクラッド層５０２まで達するよう
にＺｎを固相拡散させる。これにより、不純物拡散領域
５１１が形成され、この内部において、ＧａＩｎＰ井戸
層とＡｌＧａＩｎＰ障壁層とから構成された量子井戸構
造の活性層５０３は無秩序化される。不純物拡散領域内
の無秩序化された量子井戸は、そのバンドギャップが、
無秩序化されていない領域の量子井戸のバンドギャップ
より大きくなり、端面窓構造部として機能する。
膜５１４およびＺｎＯ膜５１５の上面全体にＳｉＯ2膜
５１６を堆積した後、窒素雰囲気中で熱処理によるアニ
ールを行い、ストライプ開口部にあるＺｎＯ膜５１５を
拡散源として、ｐ型ＧａＡｓキャップ層５０８の上面か
らｎ型ＡｌＧａＩｎＰクラッド層５０２まで達するよう
にＺｎを固相拡散させる。これにより、不純物拡散領域
５１１が形成され、この内部において、ＧａＩｎＰ井戸
層とＡｌＧａＩｎＰ障壁層とから構成された量子井戸構
造の活性層５０３は無秩序化される。不純物拡散領域内
の無秩序化された量子井戸は、そのバンドギャップが、
無秩序化されていない領域の量子井戸のバンドギャップ
より大きくなり、端面窓構造部として機能する。
【０００８】次に、ＳｉＯ2膜５１４、ＺｎＯ膜５１５
およびＳｉＯ2膜５１６をウエットエッチングにより除
去した後の積層体の上面に、再びＳｉＯ2膜５１７を形
成し、ウエットエッチングによりパターニングを行い、
数μｍ幅のストライプをレーザの共振器となる方向に形
成する。このＳｉＯ2膜５１６からなるストライプをマ
スクとして、ウエットエッチングによりｐ型ＧａＩｎＰ
バンド不連続緩和層５０７をリッジ状に除去する。つい
で、ｐ型ＡｌＧａＩｎＰ第二クラッド層５０６を選択的
に除去できるウエットエッチング液、例えばＡｌＧａＩ
ｎＰとＧａＩｎＰとでエッチング速度の著しく異なるエ
ッチング液である硫酸を用いてエッチングを行い、ｐ型
ＡｌＧａＩｎＰ第二クラッド層５０６のリッジストライ
プを形成するとともにストライプ間隔においてｐ型Ｇａ
ＩｎＰエッチング停止層５０５を表出させる（図７
（ｄ））。
およびＳｉＯ2膜５１６をウエットエッチングにより除
去した後の積層体の上面に、再びＳｉＯ2膜５１７を形
成し、ウエットエッチングによりパターニングを行い、
数μｍ幅のストライプをレーザの共振器となる方向に形
成する。このＳｉＯ2膜５１６からなるストライプをマ
スクとして、ウエットエッチングによりｐ型ＧａＩｎＰ
バンド不連続緩和層５０７をリッジ状に除去する。つい
で、ｐ型ＡｌＧａＩｎＰ第二クラッド層５０６を選択的
に除去できるウエットエッチング液、例えばＡｌＧａＩ
ｎＰとＧａＩｎＰとでエッチング速度の著しく異なるエ
ッチング液である硫酸を用いてエッチングを行い、ｐ型
ＡｌＧａＩｎＰ第二クラッド層５０６のリッジストライ
プを形成するとともにストライプ間隔においてｐ型Ｇａ
ＩｎＰエッチング停止層５０５を表出させる（図７
（ｄ））。
【０００９】次に、図７（ｅ）に示すようにＭＯＶＰＥ
法により、ストライプ状のＳｉＯ2膜５１６を選択成長
マスクとして用い、リッジの側面にｎ型ＡｌＩｎＰ電流
狭窄層５０９を埋込み成長する。その後、ＳｉＯ2膜５
１６をウエットエッチングにより除去し、再度ＭＯＶＰ
Ｅ法によりｐ型ＧａＡｓコンタクト層５１０を積層体の
上面全体に形成する。最後にｎ側およびｐ側に電極を形
成し、不純物拡散領域５１１内でリッジストライプと垂
直方向に積層体を劈開することにより、一対の共振器端
面を有するレーザ共振器を形成し、レーザチップとする
（図７（ｆ））。
法により、ストライプ状のＳｉＯ2膜５１６を選択成長
マスクとして用い、リッジの側面にｎ型ＡｌＩｎＰ電流
狭窄層５０９を埋込み成長する。その後、ＳｉＯ2膜５
１６をウエットエッチングにより除去し、再度ＭＯＶＰ
Ｅ法によりｐ型ＧａＡｓコンタクト層５１０を積層体の
上面全体に形成する。最後にｎ側およびｐ側に電極を形
成し、不純物拡散領域５１１内でリッジストライプと垂
直方向に積層体を劈開することにより、一対の共振器端
面を有するレーザ共振器を形成し、レーザチップとする
（図７（ｆ））。
【００１０】ＡｌＧａＡｓ系７８０ｎｍ帯赤外半導体レ
ーザ装置も同様の製造方法で作製することができる。
ーザ装置も同様の製造方法で作製することができる。
【００１１】
【発明が解決しようとする課題】ここで、従来の端面窓
構造を有する半導体レーザ装置では、ｎ型クラッド層に
達するまでＺｎを固相拡散させるためのアニール時間
は、例えば、６００℃のアニール温度において前者が２
０分であるのに対し後者は１１０分であった。この差
は、ＡｌＧａＩｎＰ系とＡｌＧａＡｓ系混晶内でのＺｎ
の拡散速度差によるものである。Ｚｎの拡散速度はＡｌ
ＧａＡｓに比べ、ＡｌＧａＩｎＰでは１０倍以上速い。
後者においても７００℃のアニール温度においては２０
分程度アニール時間を短縮できる。しかしながら、長時
間のアニールや高温でのアニールは端面窓構造領域以外
の部分においてもドーパントの拡散や、点欠陥の発生を
誘発するため、動作電流の上昇や寿命特性に悪影響を与
える。従って、できるだけ低温で、かつ、短時間でアニ
ールすることが必要であった。
構造を有する半導体レーザ装置では、ｎ型クラッド層に
達するまでＺｎを固相拡散させるためのアニール時間
は、例えば、６００℃のアニール温度において前者が２
０分であるのに対し後者は１１０分であった。この差
は、ＡｌＧａＩｎＰ系とＡｌＧａＡｓ系混晶内でのＺｎ
の拡散速度差によるものである。Ｚｎの拡散速度はＡｌ
ＧａＡｓに比べ、ＡｌＧａＩｎＰでは１０倍以上速い。
後者においても７００℃のアニール温度においては２０
分程度アニール時間を短縮できる。しかしながら、長時
間のアニールや高温でのアニールは端面窓構造領域以外
の部分においてもドーパントの拡散や、点欠陥の発生を
誘発するため、動作電流の上昇や寿命特性に悪影響を与
える。従って、できるだけ低温で、かつ、短時間でアニ
ールすることが必要であった。
【００１２】また、同一基板上に複数の波長の異なる半
導体レーザ装置チップを集積し、それぞれに端面窓構造
を適用する場合に、例えば、上記のＡｌＧａＩｎＰ系６
５０ｎｍ帯赤色半導体レーザ装置とＡｌＧａＡｓ系７８
０ｎｍ帯赤外半導体レーザ装置を集積する場合に、ダブ
ルへテロ構造の層構造や材料が異なるため端面窓構造を
形成する際のＺｎ拡散条件が異なるため、両者のレーザ
において同時に同程度のＺｎ拡散濃度を導入して端面窓
構造部として機能させること、さらには、良好な特性を
得ることが出来なくなる。従って、同時にＺｎ拡散を施
しても、両方のレーザにおいて同程度のＺｎ拡散が行え
るようにする必要があった。
導体レーザ装置チップを集積し、それぞれに端面窓構造
を適用する場合に、例えば、上記のＡｌＧａＩｎＰ系６
５０ｎｍ帯赤色半導体レーザ装置とＡｌＧａＡｓ系７８
０ｎｍ帯赤外半導体レーザ装置を集積する場合に、ダブ
ルへテロ構造の層構造や材料が異なるため端面窓構造を
形成する際のＺｎ拡散条件が異なるため、両者のレーザ
において同時に同程度のＺｎ拡散濃度を導入して端面窓
構造部として機能させること、さらには、良好な特性を
得ることが出来なくなる。従って、同時にＺｎ拡散を施
しても、両方のレーザにおいて同程度のＺｎ拡散が行え
るようにする必要があった。
【００１３】本発明は上記の様な問題を解決するために
なされたもので、同一基板上に複数の波長の異なる半導
体レーザ装置チップを集積し、それぞれに端面窓構造を
適用するような場合においても、良好な特性が得られる
端面窓構造の形成方法を提供するとともに、製造歩留ま
りおよび信頼性を確保することを目的とする。
なされたもので、同一基板上に複数の波長の異なる半導
体レーザ装置チップを集積し、それぞれに端面窓構造を
適用するような場合においても、良好な特性が得られる
端面窓構造の形成方法を提供するとともに、製造歩留ま
りおよび信頼性を確保することを目的とする。
【００１４】
【課題を解決するための手段】上記課題を解決するため
に本発明の半導体レーザ装置は、半導体基板と、前記半
導体基板上に形成された井戸層と障壁層とを含む量子井
戸構造よりなる活性層と、前記活性層の上に形成された
ＡｌxＧａ1-xＡｓ（０≦ｘ≦１）よりなる拡散制御膜と
を有し、前記拡散制御膜は活性層とは反対側の界面にお
ける不純物原子の面濃度が１０13ｃｍ-2以上１０15ｃｍ
-2以下であるものである。
に本発明の半導体レーザ装置は、半導体基板と、前記半
導体基板上に形成された井戸層と障壁層とを含む量子井
戸構造よりなる活性層と、前記活性層の上に形成された
ＡｌxＧａ1-xＡｓ（０≦ｘ≦１）よりなる拡散制御膜と
を有し、前記拡散制御膜は活性層とは反対側の界面にお
ける不純物原子の面濃度が１０13ｃｍ-2以上１０15ｃｍ
-2以下であるものである。
【００１５】この構成により、ＡｌxＧａ1-xＡｓ（０≦
ｘ≦１）よりなる拡散制御膜を有しているので、活性層
に拡散する不純物の量および活性層への不純物の拡散時
間を制御することができて活性層における欠陥の数を著
しく少なくすることができる。
ｘ≦１）よりなる拡散制御膜を有しているので、活性層
に拡散する不純物の量および活性層への不純物の拡散時
間を制御することができて活性層における欠陥の数を著
しく少なくすることができる。
【００１６】本発明の半導体レーザ装置は、かかる構成
につき、量子井戸構造は、Ａｌy1Ｇａ1-y1-z1Ｉｎz1Ｐ
（０≦ｙ１≦１、０≦ｚ１≦１）よりなる井戸層とＡｌ
y2Ｇａ1-y2-z2Ｉｎz2Ｐ（０≦ｙ２≦１、０≦ｚ２≦
１）よりなる障壁層とからなることにより、不純物の拡
散速度の速いＡｌy1Ｇａ1-y1-z1Ｉｎz1Ｐ（０≦ｙ１≦
１、０≦ｚ１≦１）よりなる井戸層とＡｌy2Ｇａ
1-y2-z2Ｉｎz2Ｐ（０≦ｙ２≦１、０≦ｚ２≦１、ｙ１
≦ｙ２、ｚ１≦ｚ２）よりなる障壁層を用いているの
で、不純物拡散による量子井戸構造の無秩序化を短時間
で容易に行うことができる。
につき、量子井戸構造は、Ａｌy1Ｇａ1-y1-z1Ｉｎz1Ｐ
（０≦ｙ１≦１、０≦ｚ１≦１）よりなる井戸層とＡｌ
y2Ｇａ1-y2-z2Ｉｎz2Ｐ（０≦ｙ２≦１、０≦ｚ２≦
１）よりなる障壁層とからなることにより、不純物の拡
散速度の速いＡｌy1Ｇａ1-y1-z1Ｉｎz1Ｐ（０≦ｙ１≦
１、０≦ｚ１≦１）よりなる井戸層とＡｌy2Ｇａ
1-y2-z2Ｉｎz2Ｐ（０≦ｙ２≦１、０≦ｚ２≦１、ｙ１
≦ｙ２、ｚ１≦ｚ２）よりなる障壁層を用いているの
で、不純物拡散による量子井戸構造の無秩序化を短時間
で容易に行うことができる。
【００１７】本発明の半導体レーザ装置は、かかる構成
につき、活性層がその共振器端面部の少なくとも一方に
おいて無秩序化されたことにより、共振器端面部におい
て発振するレーザ光の吸収を大幅に低減することができ
る。
につき、活性層がその共振器端面部の少なくとも一方に
おいて無秩序化されたことにより、共振器端面部におい
て発振するレーザ光の吸収を大幅に低減することができ
る。
【００１８】本発明の半導体レーザ装置は、かかる構成
につき、活性層は第一導電型クラッド層と第二導電型ク
ラッド層とに挟まれ、前記第二導電型クラッド層の上に
Ａｌ xＧａ1-xＡｓ（０≦ｘ≦１）よりなる拡散制御膜が
形成され、前記第二導電型クラッド層の少なくとも一部
がＡｌy3Ｇａ1-y3-z3Ｉｎz3Ｐ（０≦ｙ３≦１、０≦ｚ
３≦１）よりなり、前記量子井戸構造の井戸層ＡｌtＧ
ａ1-tＡｓ（０≦ｔ≦１）よりなることにより、短時間
で精度よく活性層が無秩序化される。
につき、活性層は第一導電型クラッド層と第二導電型ク
ラッド層とに挟まれ、前記第二導電型クラッド層の上に
Ａｌ xＧａ1-xＡｓ（０≦ｘ≦１）よりなる拡散制御膜が
形成され、前記第二導電型クラッド層の少なくとも一部
がＡｌy3Ｇａ1-y3-z3Ｉｎz3Ｐ（０≦ｙ３≦１、０≦ｚ
３≦１）よりなり、前記量子井戸構造の井戸層ＡｌtＧ
ａ1-tＡｓ（０≦ｔ≦１）よりなることにより、短時間
で精度よく活性層が無秩序化される。
【００１９】本発明の半導体レーザ装置は、半導体基板
上に形成された複数のダブルへテロ構造と、前記複数の
ダブルへテロ構造の各々に形成された拡散制御膜とを有
し、前記複数のダブルヘテロ構造の各々は前記半導体基
板から順次形成された第一導電型クラッド層と、井戸層
と障壁層とを含む量子井戸構造よりなる活性層と、第二
導電型クラッド層とを含み、前記複数の拡散制御膜の各
々はＡｌxＧａ1-xＡｓ（０≦ｘ≦１）よりなるものであ
る。
上に形成された複数のダブルへテロ構造と、前記複数の
ダブルへテロ構造の各々に形成された拡散制御膜とを有
し、前記複数のダブルヘテロ構造の各々は前記半導体基
板から順次形成された第一導電型クラッド層と、井戸層
と障壁層とを含む量子井戸構造よりなる活性層と、第二
導電型クラッド層とを含み、前記複数の拡散制御膜の各
々はＡｌxＧａ1-xＡｓ（０≦ｘ≦１）よりなるものであ
る。
【００２０】この構成により、複数の拡散制御膜の各々
はＡｌxＧａ1-xＡｓ（０≦ｘ≦１）よりなるので、活性
層に拡散する不純物の量を制御することができて活性層
における欠陥の数を著しく少なくすることができるとと
もに前記複数のダブルヘテロ構造が有する量子井戸構造
よりなる活性層の無秩序化をバランスよく行うことがで
きる。
はＡｌxＧａ1-xＡｓ（０≦ｘ≦１）よりなるので、活性
層に拡散する不純物の量を制御することができて活性層
における欠陥の数を著しく少なくすることができるとと
もに前記複数のダブルヘテロ構造が有する量子井戸構造
よりなる活性層の無秩序化をバランスよく行うことがで
きる。
【００２１】本発明の半導体レーザ装置は、かかる構成
につき、複数のダブルヘテロ構造のうち１つがＡｌy1Ｇ
ａ1-y1-z1Ｉｎz1Ｐ（０≦ｙ１≦１、０≦ｚ１≦１）よ
りなる井戸層を有する量子井戸構造の活性層を有し、別
の１つがＡｌtＧａ1-tＡｓ（０≦ｔ≦１）よりなる井戸
層を有する量子井戸構造の活性層を有することにより、
前記複数のダブルヘテロ構造が有する量子井戸構造より
なる活性層の無秩序化をよりバランスよく行うことがで
きる。
につき、複数のダブルヘテロ構造のうち１つがＡｌy1Ｇ
ａ1-y1-z1Ｉｎz1Ｐ（０≦ｙ１≦１、０≦ｚ１≦１）よ
りなる井戸層を有する量子井戸構造の活性層を有し、別
の１つがＡｌtＧａ1-tＡｓ（０≦ｔ≦１）よりなる井戸
層を有する量子井戸構造の活性層を有することにより、
前記複数のダブルヘテロ構造が有する量子井戸構造より
なる活性層の無秩序化をよりバランスよく行うことがで
きる。
【００２２】本発明の半導体レーザ装置は、かかる構成
につき、Ａｌy1Ｇａ1-y1-z1Ｉｎz1Ｐ（０≦ｙ１≦１、
０≦ｚ１≦１）よりなる井戸層を有する量子井戸構造の
活性層の上に形成されたＡｌx1Ｇａ1-x1Ａｓ（０≦ｘ１
≦１）よりなる拡散制御膜と、前記ＡｌtＧａ1-tＡｓ
（０≦ｔ≦１）よりなる井戸層を有する量子井戸構造の
活性層の上に形成されたＡｌx2Ｇａ1-x2Ａｓ（０≦ｘ２
≦１）よりなる拡散制御膜とを有し、Ａｌ組成がｘ１≦
ｘ２であるることにより、Ａｌx1Ｇａ1-x1Ａｓ（０≦ｘ
１≦１）よりなる拡散制御膜からの不純物の拡散を抑え
てＡｌy1Ｇａ1-y1 -z1Ｉｎz1Ｐ（０≦ｙ１≦１、０≦ｚ
１≦１）よりなる井戸層を有する量子井戸構造の活性層
に拡散する不純物の量を制御することができる。
につき、Ａｌy1Ｇａ1-y1-z1Ｉｎz1Ｐ（０≦ｙ１≦１、
０≦ｚ１≦１）よりなる井戸層を有する量子井戸構造の
活性層の上に形成されたＡｌx1Ｇａ1-x1Ａｓ（０≦ｘ１
≦１）よりなる拡散制御膜と、前記ＡｌtＧａ1-tＡｓ
（０≦ｔ≦１）よりなる井戸層を有する量子井戸構造の
活性層の上に形成されたＡｌx2Ｇａ1-x2Ａｓ（０≦ｘ２
≦１）よりなる拡散制御膜とを有し、Ａｌ組成がｘ１≦
ｘ２であるることにより、Ａｌx1Ｇａ1-x1Ａｓ（０≦ｘ
１≦１）よりなる拡散制御膜からの不純物の拡散を抑え
てＡｌy1Ｇａ1-y1 -z1Ｉｎz1Ｐ（０≦ｙ１≦１、０≦ｚ
１≦１）よりなる井戸層を有する量子井戸構造の活性層
に拡散する不純物の量を制御することができる。
【００２３】本発明の半導体レーザ装置の製造方法は、
半導体基板の上に第一導電型クラッド層と、量子井戸構
造を有する活性層と、第二導電型クラッド層とを順次積
層してダブルへテロ構造を形成する工程と、前記第二導
電型クラッド層上の所定の領域にＡｌzＧａ1-zＡｓ（０
≦ｘ≦１）よりなる拡散制御膜を形成する工程と、前記
拡散制御膜上に不純物の拡散源となる材料膜を形成する
工程と、前記半導体基板を加熱して前記材料膜から拡散
制御膜を介して前記不純物を前記ダブルへテロ構造中に
拡散させる工程とを有するものである。
半導体基板の上に第一導電型クラッド層と、量子井戸構
造を有する活性層と、第二導電型クラッド層とを順次積
層してダブルへテロ構造を形成する工程と、前記第二導
電型クラッド層上の所定の領域にＡｌzＧａ1-zＡｓ（０
≦ｘ≦１）よりなる拡散制御膜を形成する工程と、前記
拡散制御膜上に不純物の拡散源となる材料膜を形成する
工程と、前記半導体基板を加熱して前記材料膜から拡散
制御膜を介して前記不純物を前記ダブルへテロ構造中に
拡散させる工程とを有するものである。
【００２４】この構成により、活性層に拡散する不純物
の量を制御することができて活性層における欠陥の数を
著しく少なくすることができる。
の量を制御することができて活性層における欠陥の数を
著しく少なくすることができる。
【００２５】本発明の半導体レーザ装置の製造方法は、
かかる構成につき、不純物を前記ダブルへテロ構造中に
拡散させる工程が、共振器端面部の少なくとも一方にお
いて不純物を拡散させて前記量子井戸構造を無秩序化す
る工程であることにより、共振器端面部の少なくとも一
方をレーザ光の発振波長に対して透明にできる。
かかる構成につき、不純物を前記ダブルへテロ構造中に
拡散させる工程が、共振器端面部の少なくとも一方にお
いて不純物を拡散させて前記量子井戸構造を無秩序化す
る工程であることにより、共振器端面部の少なくとも一
方をレーザ光の発振波長に対して透明にできる。
【００２６】本発明の半導体レーザ装置の製造方法は、
半導体基板の上に第一導電型クラッド層と、量子井戸構
造を有する活性層と、第二導電型クラッド層と、Ａｌz1
Ｇａ 1-z1Ａｓ（０≦ｘ１≦１）よりなる拡散制御膜とを
順次積層して第１の多層構造を形成する工程と、前記第
１の多層構造の一部を少なくとも前記活性層まで除去す
る工程と、前記第１の多層構造の少なくとも前記活性層
まで除去された部分の上に別の第一導電型クラッド層
と、別の量子井戸構造を有する活性層と、別の第二導電
型クラッド層と、Ａｌz2Ｇａ1-z2Ａｓ（０≦ｘ２≦１）
よりなる別の拡散制御膜とを順次積層して第２の多層構
造を形成する工程と、前記拡散制御膜上の所定の領域に
不純物の拡散源となる材料膜を形成する工程と、前記半
導体基板を加熱してそれぞれの前記材料膜からそれぞれ
の拡散制御膜を介して前記不純物を前記第１および前記
第２の多層構造中に拡散させる工程とを有するものであ
る。
半導体基板の上に第一導電型クラッド層と、量子井戸構
造を有する活性層と、第二導電型クラッド層と、Ａｌz1
Ｇａ 1-z1Ａｓ（０≦ｘ１≦１）よりなる拡散制御膜とを
順次積層して第１の多層構造を形成する工程と、前記第
１の多層構造の一部を少なくとも前記活性層まで除去す
る工程と、前記第１の多層構造の少なくとも前記活性層
まで除去された部分の上に別の第一導電型クラッド層
と、別の量子井戸構造を有する活性層と、別の第二導電
型クラッド層と、Ａｌz2Ｇａ1-z2Ａｓ（０≦ｘ２≦１）
よりなる別の拡散制御膜とを順次積層して第２の多層構
造を形成する工程と、前記拡散制御膜上の所定の領域に
不純物の拡散源となる材料膜を形成する工程と、前記半
導体基板を加熱してそれぞれの前記材料膜からそれぞれ
の拡散制御膜を介して前記不純物を前記第１および前記
第２の多層構造中に拡散させる工程とを有するものであ
る。
【００２７】この構成により、複数の多層構造が有する
量子井戸構造よりなる活性層の無秩序化をよりバランス
よく行うことができる。
量子井戸構造よりなる活性層の無秩序化をよりバランス
よく行うことができる。
【００２８】本発明の半導体レーザ装置の製造方法は、
かかる構成につき、第１の多層構造はＡｌy1Ｇａ
1-y1-z1Ｉｎz1Ｐ（０≦ｙ１≦１、０≦ｚ１≦１）より
なる井戸層を有する活性層を有し、前記第２の多層構造
は前記ＡｌtＧａ1-tＡｓ（０≦ｔ≦１）よりなる井戸層
を有する量子井戸構造の活性層を有し、前記Ａｌ組成が
ｘ１≦ｘ２であることにより、Ａｌx1Ｇａ1-x1Ａｓ（０
≦ｘ１≦１）よりなる拡散制御膜からの不純物の拡散を
抑えてＡｌy1Ｇａ1-y1-z1Ｉｎz1Ｐ（０≦ｙ１≦１、０
≦ｚ１≦１）よりなる井戸層を有する量子井戸構造の活
性層に拡散する不純物の量を制御することができる。
かかる構成につき、第１の多層構造はＡｌy1Ｇａ
1-y1-z1Ｉｎz1Ｐ（０≦ｙ１≦１、０≦ｚ１≦１）より
なる井戸層を有する活性層を有し、前記第２の多層構造
は前記ＡｌtＧａ1-tＡｓ（０≦ｔ≦１）よりなる井戸層
を有する量子井戸構造の活性層を有し、前記Ａｌ組成が
ｘ１≦ｘ２であることにより、Ａｌx1Ｇａ1-x1Ａｓ（０
≦ｘ１≦１）よりなる拡散制御膜からの不純物の拡散を
抑えてＡｌy1Ｇａ1-y1-z1Ｉｎz1Ｐ（０≦ｙ１≦１、０
≦ｚ１≦１）よりなる井戸層を有する量子井戸構造の活
性層に拡散する不純物の量を制御することができる。
【００２９】本発明の半導体レーザ装置の製造方法は、
かかる構成につき、第二導電性クラッド層の少なくとも
一部にＡｌf1Ｇａ1-f1-g1Ｉｎg1Ｐ（０≦ｆ１≦１、０
≦ｇ１≦１）よりなる層を形成し、前記別の第二導電性
クラッド層の少なくとも一部がＡｌf2Ｇａ1-f2-g2Ｉｎ
g2Ｐ（０≦ｆ２≦１、０≦ｇ２≦１）よりなる層を形成
したものであることにより、同一基板上に形成された、
それぞれ異なる波長の光を放射する複数の半導体レーザ
素子のそれぞれのクラッド層を一度の結晶成長で形成す
ることができる。
かかる構成につき、第二導電性クラッド層の少なくとも
一部にＡｌf1Ｇａ1-f1-g1Ｉｎg1Ｐ（０≦ｆ１≦１、０
≦ｇ１≦１）よりなる層を形成し、前記別の第二導電性
クラッド層の少なくとも一部がＡｌf2Ｇａ1-f2-g2Ｉｎ
g2Ｐ（０≦ｆ２≦１、０≦ｇ２≦１）よりなる層を形成
したものであることにより、同一基板上に形成された、
それぞれ異なる波長の光を放射する複数の半導体レーザ
素子のそれぞれのクラッド層を一度の結晶成長で形成す
ることができる。
【００３０】本発明の半導体レーザ装置の製造方法は、
かかる構成につき、材料膜としてＺｎまたはＭｇを含有
する材料膜を形成したことにより、無秩序化された活性
層の結晶性を良好にできる。
かかる構成につき、材料膜としてＺｎまたはＭｇを含有
する材料膜を形成したことにより、無秩序化された活性
層の結晶性を良好にできる。
【００３１】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態につい
て、図面を参照しながら説明する。なお、図面において
便宜上一部にハッチングを施してある。
て、図面を参照しながら説明する。なお、図面において
便宜上一部にハッチングを施してある。
【００３２】（第１の実施の形態）本発明の、第１の実
施の形態に係る端面窓構造を有する７８０ｎｍ帯赤外半
導体レーザ装置およびその製造方法について説明する。
施の形態に係る端面窓構造を有する７８０ｎｍ帯赤外半
導体レーザ装置およびその製造方法について説明する。
【００３３】図１および図２は本発明の第１の実施の形
態に係る端面窓構造を有する７８０ｎｍ帯赤外半導体レ
ーザ装置およびその製造工程を示す斜視図である。
態に係る端面窓構造を有する７８０ｎｍ帯赤外半導体レ
ーザ装置およびその製造工程を示す斜視図である。
【００３４】図１において、１０１はｎ型ＧａＡｓ基
板、１０２はｎ型ＡｌＧａＩｎＰクラッド層、１０３は
ＧａＡｓ井戸層とＡｌＧａＡｓ障壁層から構成された量
子井戸構造の活性層、１０４はｐ型ＡｌＧａＩｎＰ第一
クラッド層、１０５はｐ型ＧａＩｎＰエッチング停止
層、１０６はｐ型ＡｌＧａＩｎＰ第二クラッド層、１０
７はｐ型ＧａＩｎＰバンド不連続緩和層、１０８はｐ型
ＡｌＧａＡｓ拡散制御膜、１０９はｎ型ＡｌＩｎＰ電流
狭窄層、１１０はｐ型ＧａＡｓコンタクト層である。レ
ーザの横モード制御を実現するために、ｐ型ＡｌＧａＩ
ｎＰ第二クラッド層１０６は、リッジ形状のストライプ
として形成されている。１１１はレーザ端面に端面窓構
造を形成するためにＺｎの固相拡散により設けられた不
純物拡散領域（図においてｎ型ＧａＡｓ基板１０１とは
異なるハッチングがされた領域）である。また、１１
２、１１３はそれぞれｎ側、ｐ側電極である。ここで、
ｎ型ＧａＡｓ基板１０１の主面は、（１００）面から
[０１１]方向に８°傾斜した基板である。ｐ型ＡｌＧａ
Ａｓ拡散制御膜１０８の、ｐ型ＧａＡｓコンタクト層側
の界面（すなわち境界面）におけるキャリアの面濃度が
１０13ｃｍ-2以上１０15ｃｍ -2以下である。なお、ここ
でＡｌＧａＡｓとはＡｌxＧａ1-xＡｓ（０≦ｘ≦１）を
表し、ＡｌＧａＩｎＰとはＡｌyＧａ1-y-zＩｎyＰ（０
≦ｙ≦１、０≦ｚ≦１）を表し、ｘ、ｙ、ｚは上記各層
ごとに決まった値を有する。このことは以下の実施の形
態においても同様である。
板、１０２はｎ型ＡｌＧａＩｎＰクラッド層、１０３は
ＧａＡｓ井戸層とＡｌＧａＡｓ障壁層から構成された量
子井戸構造の活性層、１０４はｐ型ＡｌＧａＩｎＰ第一
クラッド層、１０５はｐ型ＧａＩｎＰエッチング停止
層、１０６はｐ型ＡｌＧａＩｎＰ第二クラッド層、１０
７はｐ型ＧａＩｎＰバンド不連続緩和層、１０８はｐ型
ＡｌＧａＡｓ拡散制御膜、１０９はｎ型ＡｌＩｎＰ電流
狭窄層、１１０はｐ型ＧａＡｓコンタクト層である。レ
ーザの横モード制御を実現するために、ｐ型ＡｌＧａＩ
ｎＰ第二クラッド層１０６は、リッジ形状のストライプ
として形成されている。１１１はレーザ端面に端面窓構
造を形成するためにＺｎの固相拡散により設けられた不
純物拡散領域（図においてｎ型ＧａＡｓ基板１０１とは
異なるハッチングがされた領域）である。また、１１
２、１１３はそれぞれｎ側、ｐ側電極である。ここで、
ｎ型ＧａＡｓ基板１０１の主面は、（１００）面から
[０１１]方向に８°傾斜した基板である。ｐ型ＡｌＧａ
Ａｓ拡散制御膜１０８の、ｐ型ＧａＡｓコンタクト層側
の界面（すなわち境界面）におけるキャリアの面濃度が
１０13ｃｍ-2以上１０15ｃｍ -2以下である。なお、ここ
でＡｌＧａＡｓとはＡｌxＧａ1-xＡｓ（０≦ｘ≦１）を
表し、ＡｌＧａＩｎＰとはＡｌyＧａ1-y-zＩｎyＰ（０
≦ｙ≦１、０≦ｚ≦１）を表し、ｘ、ｙ、ｚは上記各層
ごとに決まった値を有する。このことは以下の実施の形
態においても同様である。
【００３５】本構造において、共振器端面部にはリッジ
形状のストライプと直交した方向（垂直方向）にＺｎを
固相拡散した不純物拡散領域１１１が形成されている。
この領域内の活性層１０３では量子井戸活性層が無秩序
化され、井戸層と障壁層とが平均組成化されることによ
り、バンドギャップが不純物非拡散領域に比べて拡大し
ている。例えば、上記構造における量子井戸構造からの
フォトルミネッセンス波長は非拡散領域で７８０ｎｍに
対し、拡散領域で７４０ｎｍと８０ｍｅＶ程度短波長シ
フトしている。従って、不純物非拡散領域から放出され
るレーザ光は不純物拡散領域１１１において透明であ
り、端面での光吸収が著しく抑制され、安定した高出力
動作が達成される。
形状のストライプと直交した方向（垂直方向）にＺｎを
固相拡散した不純物拡散領域１１１が形成されている。
この領域内の活性層１０３では量子井戸活性層が無秩序
化され、井戸層と障壁層とが平均組成化されることによ
り、バンドギャップが不純物非拡散領域に比べて拡大し
ている。例えば、上記構造における量子井戸構造からの
フォトルミネッセンス波長は非拡散領域で７８０ｎｍに
対し、拡散領域で７４０ｎｍと８０ｍｅＶ程度短波長シ
フトしている。従って、不純物非拡散領域から放出され
るレーザ光は不純物拡散領域１１１において透明であ
り、端面での光吸収が著しく抑制され、安定した高出力
動作が達成される。
【００３６】上記構成により、ＡｌＧａＡｓ拡散制御膜
１０８を有しているので、活性層１０３に拡散する不純
物の量および活性層への不純物の拡散時間を制御するこ
とができて活性層１０３における欠陥の数を著しく少な
くすることができるとともに、ｐ型ＡｌＧａＡｓ拡散制
御膜１０８は活性層とは反対側の界面におけるキャリア
の面濃度が１０13ｃｍ-2以上１０15ｃｍ-2以下であるの
で、ｐ型ＡｌＧａＡｓ拡散制御膜１０８そのものの抵抗
率を著しく小さくすることができ、導電性が良好なｐ型
ＡｌＧａＡｓ拡散制御膜１０８が得られ、半導体レーザ
装置のしきい値電流密度等の低減を実現することができ
る。
１０８を有しているので、活性層１０３に拡散する不純
物の量および活性層への不純物の拡散時間を制御するこ
とができて活性層１０３における欠陥の数を著しく少な
くすることができるとともに、ｐ型ＡｌＧａＡｓ拡散制
御膜１０８は活性層とは反対側の界面におけるキャリア
の面濃度が１０13ｃｍ-2以上１０15ｃｍ-2以下であるの
で、ｐ型ＡｌＧａＡｓ拡散制御膜１０８そのものの抵抗
率を著しく小さくすることができ、導電性が良好なｐ型
ＡｌＧａＡｓ拡散制御膜１０８が得られ、半導体レーザ
装置のしきい値電流密度等の低減を実現することができ
る。
【００３７】次に、本発明の第１の実施の形態に係る半
導体レーザ装置の製造方法について説明する。
導体レーザ装置の製造方法について説明する。
【００３８】まず、図２（ａ）に示すようにＭＯＶＰＥ
（有機金属気相成長）法により、ｎ型ＧａＡｓ基板１０
１上に、ｎ型ＡｌＧａＩｎＰクラッド層１０２、ＧａＡ
ｓ井戸層とＡｌＧａＡｓ障壁層から構成された歪量子井
戸構造の活性層１０３、ｐ型ＡｌＧａＩｎＰ第一クラッ
ド層１０４、ｐ型ＧａＩｎＰエッチング停止層１０５、
ｐ型ＡｌＧａＩｎＰ第二クラッド層１０６、ｐ型ＧａＩ
ｎＰバンド不連続緩和層１０７、ｐ型ＡｌＧａＡｓ拡散
制御膜１０８を順次形成し、ダブルヘテロ構造を有する
積層体を作製する。
（有機金属気相成長）法により、ｎ型ＧａＡｓ基板１０
１上に、ｎ型ＡｌＧａＩｎＰクラッド層１０２、ＧａＡ
ｓ井戸層とＡｌＧａＡｓ障壁層から構成された歪量子井
戸構造の活性層１０３、ｐ型ＡｌＧａＩｎＰ第一クラッ
ド層１０４、ｐ型ＧａＩｎＰエッチング停止層１０５、
ｐ型ＡｌＧａＩｎＰ第二クラッド層１０６、ｐ型ＧａＩ
ｎＰバンド不連続緩和層１０７、ｐ型ＡｌＧａＡｓ拡散
制御膜１０８を順次形成し、ダブルヘテロ構造を有する
積層体を作製する。
【００３９】次に、図２（ｂ）に示すように、ＳｉＯ2
膜１１４を堆積し、ウエットエッチングによりパターニ
ングを行い、例えば５０μｍ幅のストライプ開口部をレ
ーザの共振器となる方向と垂直方向に７００μｍ間隔で
形成する（上記ストライプと直交方向）。その後、スパ
ッター法によりＺｎＯ膜１１５（本発明における不純物
拡散源となる材料膜）を全面に堆積し、ストライプ開口
部以外のＺｎＯ膜１１５をウエットエッチングにより除
去する。
膜１１４を堆積し、ウエットエッチングによりパターニ
ングを行い、例えば５０μｍ幅のストライプ開口部をレ
ーザの共振器となる方向と垂直方向に７００μｍ間隔で
形成する（上記ストライプと直交方向）。その後、スパ
ッター法によりＺｎＯ膜１１５（本発明における不純物
拡散源となる材料膜）を全面に堆積し、ストライプ開口
部以外のＺｎＯ膜１１５をウエットエッチングにより除
去する。
【００４０】次に、図２（ｃ）に示すように、ＳｉＯ2
膜１１４およびＺｎＯ膜１１５の上面全体にＳｉＯ2膜
１１６を堆積した後、窒素雰囲気中で熱処理によるアニ
ールを行い、ストライプ開口部にあるＺｎＯ膜１１５を
拡散源としてｐ型ＡｌＧａＡｓ拡散制御膜１０８の上面
からｎ型ＡｌＧａＩｎＰクラッド層１０２に達するよう
にＺｎを固相拡散させる。これにより、不純物拡散領域
１１１が形成され、この内部において量子井戸構造の活
性層は無秩序化される。不純物拡散領域１１１内の無秩
序化された量子井戸は、そのバンドギャップが、無秩序
化されていない領域の量子井戸のバンドギャップより大
きくなり、端面窓構造部として機能する。
膜１１４およびＺｎＯ膜１１５の上面全体にＳｉＯ2膜
１１６を堆積した後、窒素雰囲気中で熱処理によるアニ
ールを行い、ストライプ開口部にあるＺｎＯ膜１１５を
拡散源としてｐ型ＡｌＧａＡｓ拡散制御膜１０８の上面
からｎ型ＡｌＧａＩｎＰクラッド層１０２に達するよう
にＺｎを固相拡散させる。これにより、不純物拡散領域
１１１が形成され、この内部において量子井戸構造の活
性層は無秩序化される。不純物拡散領域１１１内の無秩
序化された量子井戸は、そのバンドギャップが、無秩序
化されていない領域の量子井戸のバンドギャップより大
きくなり、端面窓構造部として機能する。
【００４１】次に、ＳｉＯ2膜１１４、ＺｎＯ膜１１５
およびＳｉＯ2膜１１６をウエットエッチングにより除
去した後の積層体の上面に、再びＳｉＯ2膜１１７を堆
積し、ウエットエッチングによりパターニングを行い、
例えば、３μｍ幅となるストライプをレーザの共振器と
なる方向に形成する。このＳｉＯ2膜１１７からなるス
トライプをマスクとして、ウエットエッチングによりｐ
型ＡｌＧａＡｓ拡散制御膜１０８とｐ型ＧａＩｎＰバン
ド不連続緩和層１０７とをリッジ状に除去する。次い
で、ｐ型ＡｌＧａＩｎＰ第二クラッド層１０６を選択的
に除去できるウエットエッチング液、例えば、硫酸を用
いてエッチングを行い、ｐ型ＡｌＧａＩｎＰ第二クラッ
ド層１０６のリッジストライプを形成するとともに、ス
トライプ間隔においてｐ型ＧａＩｎＰエッチング停止層
１０５を表出させる（図２（ｄ））。
およびＳｉＯ2膜１１６をウエットエッチングにより除
去した後の積層体の上面に、再びＳｉＯ2膜１１７を堆
積し、ウエットエッチングによりパターニングを行い、
例えば、３μｍ幅となるストライプをレーザの共振器と
なる方向に形成する。このＳｉＯ2膜１１７からなるス
トライプをマスクとして、ウエットエッチングによりｐ
型ＡｌＧａＡｓ拡散制御膜１０８とｐ型ＧａＩｎＰバン
ド不連続緩和層１０７とをリッジ状に除去する。次い
で、ｐ型ＡｌＧａＩｎＰ第二クラッド層１０６を選択的
に除去できるウエットエッチング液、例えば、硫酸を用
いてエッチングを行い、ｐ型ＡｌＧａＩｎＰ第二クラッ
ド層１０６のリッジストライプを形成するとともに、ス
トライプ間隔においてｐ型ＧａＩｎＰエッチング停止層
１０５を表出させる（図２（ｄ））。
【００４２】次に、図２（ｅ）に示すようにＭＯＶＰＥ
法により、ストライプ状のＳｉＯ2膜１１７を選択成長
マスクとして用い、リッジの側面にｎ型ＡｌＩｎＰ電流
狭窄層１０９を埋込み成長する。その後、ＳｉＯ2膜１
１７をウエットエッチングにより除去し、再度、ＭＯＶ
ＰＥ法によりｐ型ＧａＡｓコンタクト層１１０を積層体
の上面全体に形成する（図２（ｆ））。最後にｎ側およ
びｐ側に電極を形成し、不純物拡散領域１１１内でリッ
ジストライプと垂直方向に積層体を劈開することによ
り、一対の共振器端面を有するレーザ共振器を形成し、
レーザチップとする。
法により、ストライプ状のＳｉＯ2膜１１７を選択成長
マスクとして用い、リッジの側面にｎ型ＡｌＩｎＰ電流
狭窄層１０９を埋込み成長する。その後、ＳｉＯ2膜１
１７をウエットエッチングにより除去し、再度、ＭＯＶ
ＰＥ法によりｐ型ＧａＡｓコンタクト層１１０を積層体
の上面全体に形成する（図２（ｆ））。最後にｎ側およ
びｐ側に電極を形成し、不純物拡散領域１１１内でリッ
ジストライプと垂直方向に積層体を劈開することによ
り、一対の共振器端面を有するレーザ共振器を形成し、
レーザチップとする。
【００４３】以上のような製造方法、すなわち、クラッ
ド層もしくはクラッドの一部にＡｌＧａＡｓに代わるア
ニール速度の速いＡｌＧａＩｎＰ層を用いることによっ
て、アニール時間はアニール温度６００℃において２０
分となり、図６に示す従来例と比較して著しい時間の短
縮が可能となった。また、その結果として端面窓構造を
有する７８０ｎｍ帯赤外半導体レーザ装置において、熱
処理による欠陥の導入等が抑制でき、動作電流が５ｍＡ
低減できるなど特性の改善が可能となった。
ド層もしくはクラッドの一部にＡｌＧａＡｓに代わるア
ニール速度の速いＡｌＧａＩｎＰ層を用いることによっ
て、アニール時間はアニール温度６００℃において２０
分となり、図６に示す従来例と比較して著しい時間の短
縮が可能となった。また、その結果として端面窓構造を
有する７８０ｎｍ帯赤外半導体レーザ装置において、熱
処理による欠陥の導入等が抑制でき、動作電流が５ｍＡ
低減できるなど特性の改善が可能となった。
【００４４】また、上記実施の形態において、活性層１
０３につきＧａＡｓ井戸層の代わりに障壁層と異なる組
成のＡｌＧａＡｓ井戸層を用いてもよい。
０３につきＧａＡｓ井戸層の代わりに障壁層と異なる組
成のＡｌＧａＡｓ井戸層を用いてもよい。
【００４５】なお、上記固相拡散源としてのＺｎに代え
てＭｇを固相拡散源に用いてもよい。
てＭｇを固相拡散源に用いてもよい。
【００４６】（第２の実施の形態）次に、本発明の第２
の実施の形態に係る端面窓構造を有する６５０ｎｍ帯お
よび７８０ｎｍ帯の２波長の集積型半導体レーザ装置お
よびその製造方法について説明する。
の実施の形態に係る端面窓構造を有する６５０ｎｍ帯お
よび７８０ｎｍ帯の２波長の集積型半導体レーザ装置お
よびその製造方法について説明する。
【００４７】図３および図４は本発明の第２の実施の形
態に係る半導体レーザ装置およびその製造工程を示す斜
視図である。
態に係る半導体レーザ装置およびその製造工程を示す斜
視図である。
【００４８】図３において、３０１はｎ型ＧａＡｓ基板
である。Ａ領域（６５０ｎｍ帯赤色半導体レーザ装置）
において３０２ａはｎ型ＡｌＧａＩｎＰクラッド層、３
０３ａはＧａＩｎＰ井戸層とＡｌＧａＩｎＰ障壁層から
構成された量子井戸構造の活性層、３０４ａはｐ型Ａｌ
ＧａＩｎＰ第一クラッド層、３０５ａはｐ型ＧａＩｎＰ
エッチング停止層、３０６ａはｐ型ＡｌＧａＩｎＰ第二
クラッド層、３０７ａはｐ型ＧａＩｎＰバンド不連続緩
和層、３０８ａはｐ型ＡｌＧａＡｓ拡散制御膜、３０９
ａはｎ型ＡｌＩｎＰ電流狭窄層、３１０ａはｐ型ＧａＡ
ｓコンタクト層である。レーザの横モード制御を実現す
るために、ｐ型ＡｌＧａＩｎＰ第二クラッド層３０６ａ
は、リッジ形状のストライプとして形成されている。３
１１ａはレーザ端面に端面窓構造を形成するためにＺｎ
の固相拡散により設けられた不純物拡散領域（図におい
てｎ型ＧａＡｓ基板３０１とは異なるハッチングがされ
た領域）である。また、３１２、３１３ａはそれぞれｎ
側、ｐ側電極である。また、Ｂ領域（７８０ｎｍ帯赤外
半導体レーザ装置）において、３０２ｂはｎ型ＡｌＧａ
ＩｎＰクラッド層、３０３ｂはＧａＡｓ井戸層とＡｌＧ
ａＡｓ障壁層から構成された量子井戸構造の活性層、３
０４ｂはｐ型ＡｌＧａＩｎＰ第一クラッド層、３０５ｂ
はｐ型ＧａＩｎＰエッチング停止層、３０６ｂはｐ型Ａ
ｌＧａＩｎＰ第二クラッド層、３０７ｂはｐ型ＧａＩｎ
Ｐバンド不連続緩和層、３０８ｂはｐ型ＡｌＧａＡｓ拡
散制御膜、３０９ｂはｎ型ＡｌＩｎＰ電流狭窄層、３１
０ｂはｐ型ＧａＡｓコンタクト層である。レーザの横モ
ード制御を実現するために、ｐ型ＡｌＧａＩｎＰ第二ク
ラッド層３０６ｂは、リッジ形状のストライプとして形
成されている。３１１ｂはレーザ端面に端面窓構造を形
成するためにＺｎの固相拡散により設けられた不純物拡
散領域（図においてｎ型ＧａＡｓ基板３０１とは異なる
ハッチングがされた領域）である。また、３１２、３１
３ｂはそれぞれｎ側、ｐ側電極である。ここで、ｎ型Ｇ
ａＡｓ基板３０１の主面は、（１００）面から[０１１]
方向に８°傾斜した基板である。
である。Ａ領域（６５０ｎｍ帯赤色半導体レーザ装置）
において３０２ａはｎ型ＡｌＧａＩｎＰクラッド層、３
０３ａはＧａＩｎＰ井戸層とＡｌＧａＩｎＰ障壁層から
構成された量子井戸構造の活性層、３０４ａはｐ型Ａｌ
ＧａＩｎＰ第一クラッド層、３０５ａはｐ型ＧａＩｎＰ
エッチング停止層、３０６ａはｐ型ＡｌＧａＩｎＰ第二
クラッド層、３０７ａはｐ型ＧａＩｎＰバンド不連続緩
和層、３０８ａはｐ型ＡｌＧａＡｓ拡散制御膜、３０９
ａはｎ型ＡｌＩｎＰ電流狭窄層、３１０ａはｐ型ＧａＡ
ｓコンタクト層である。レーザの横モード制御を実現す
るために、ｐ型ＡｌＧａＩｎＰ第二クラッド層３０６ａ
は、リッジ形状のストライプとして形成されている。３
１１ａはレーザ端面に端面窓構造を形成するためにＺｎ
の固相拡散により設けられた不純物拡散領域（図におい
てｎ型ＧａＡｓ基板３０１とは異なるハッチングがされ
た領域）である。また、３１２、３１３ａはそれぞれｎ
側、ｐ側電極である。また、Ｂ領域（７８０ｎｍ帯赤外
半導体レーザ装置）において、３０２ｂはｎ型ＡｌＧａ
ＩｎＰクラッド層、３０３ｂはＧａＡｓ井戸層とＡｌＧ
ａＡｓ障壁層から構成された量子井戸構造の活性層、３
０４ｂはｐ型ＡｌＧａＩｎＰ第一クラッド層、３０５ｂ
はｐ型ＧａＩｎＰエッチング停止層、３０６ｂはｐ型Ａ
ｌＧａＩｎＰ第二クラッド層、３０７ｂはｐ型ＧａＩｎ
Ｐバンド不連続緩和層、３０８ｂはｐ型ＡｌＧａＡｓ拡
散制御膜、３０９ｂはｎ型ＡｌＩｎＰ電流狭窄層、３１
０ｂはｐ型ＧａＡｓコンタクト層である。レーザの横モ
ード制御を実現するために、ｐ型ＡｌＧａＩｎＰ第二ク
ラッド層３０６ｂは、リッジ形状のストライプとして形
成されている。３１１ｂはレーザ端面に端面窓構造を形
成するためにＺｎの固相拡散により設けられた不純物拡
散領域（図においてｎ型ＧａＡｓ基板３０１とは異なる
ハッチングがされた領域）である。また、３１２、３１
３ｂはそれぞれｎ側、ｐ側電極である。ここで、ｎ型Ｇ
ａＡｓ基板３０１の主面は、（１００）面から[０１１]
方向に８°傾斜した基板である。
【００４９】この構成により、ｐ型ＡｌＧａＡｓ拡散制
御膜３０８ａ、３０８ｂを用いているので、それぞれの
活性層３０３ａ、３０３ｂに拡散する不純物の量を制御
することができて活性層３０３ａ、３０３ｂにおける欠
陥の数を著しく少なくすることができるとともにそれぞ
れのレーザ構造が有する量子井戸構造よりなる活性層の
無秩序化をバランスよく行うことができる。
御膜３０８ａ、３０８ｂを用いているので、それぞれの
活性層３０３ａ、３０３ｂに拡散する不純物の量を制御
することができて活性層３０３ａ、３０３ｂにおける欠
陥の数を著しく少なくすることができるとともにそれぞ
れのレーザ構造が有する量子井戸構造よりなる活性層の
無秩序化をバランスよく行うことができる。
【００５０】次に、本発明の第２の実施の形態に係る半
導体レーザ装置の製造方法について説明する。
導体レーザ装置の製造方法について説明する。
【００５１】まず、図４（ａ）に示すようにＭＯＶＰＥ
（有機金属気相成長）法により、ｎ型ＧａＡｓ基板３０
１上に、ｎ型ＡｌＧａＩｎＰクラッド層３０２ａ、Ｇａ
ＩｎＰ井戸層とＡｌＧａＩｎＰ障壁層から構成された歪
量子井戸構造の活性層３０３ａ、ｐ型ＡｌＧａＩｎＰ第
一クラッド層３０４ａ、ｐ型ＧａＩｎＰエッチング停止
層３０５ａ、ｐ型ＡｌＧａＩｎＰ第二クラッド層３０６
ａ、ｐ型ＧａＩｎＰバンド不連続緩和層３０７ａ、ｐ型
ＡｌＧａＡｓ拡散制御膜３０８ａを順次形成し、ダブル
ヘテロ構造を有する積層体を作製する。
（有機金属気相成長）法により、ｎ型ＧａＡｓ基板３０
１上に、ｎ型ＡｌＧａＩｎＰクラッド層３０２ａ、Ｇａ
ＩｎＰ井戸層とＡｌＧａＩｎＰ障壁層から構成された歪
量子井戸構造の活性層３０３ａ、ｐ型ＡｌＧａＩｎＰ第
一クラッド層３０４ａ、ｐ型ＧａＩｎＰエッチング停止
層３０５ａ、ｐ型ＡｌＧａＩｎＰ第二クラッド層３０６
ａ、ｐ型ＧａＩｎＰバンド不連続緩和層３０７ａ、ｐ型
ＡｌＧａＡｓ拡散制御膜３０８ａを順次形成し、ダブル
ヘテロ構造を有する積層体を作製する。
【００５２】次に、上記ダブルヘテロ構造上にＳｉＯ2
膜を堆積し、ウエットエッチングによりパターニングを
行い、例えば３００μｍ幅のストライプ開口部を３００
μｍ間隔で形成する。その後、ウエットエッチングによ
りストライプ開口部のダブルへテロ構造を基板に達する
まで除去してＡ領域を形成する。
膜を堆積し、ウエットエッチングによりパターニングを
行い、例えば３００μｍ幅のストライプ開口部を３００
μｍ間隔で形成する。その後、ウエットエッチングによ
りストライプ開口部のダブルへテロ構造を基板に達する
まで除去してＡ領域を形成する。
【００５３】次に、図４（ｂ）に示すようにＭＯＶＰＥ
（有機金属気相成長）法により、ｎ型ＧａＡｓ基板３０
１上に、ｎ型ＡｌＧａＩｎＰクラッド層３０２ｂ、Ｇａ
Ａｓ井戸層とＡｌＧａＡｓ障壁層から構成された歪量子
井戸構造の活性層３０３ｂ、ｐ型ＡｌＧａＩｎＰ第一ク
ラッド層３０４ｂ、ｐ型ＧａＩｎＰエッチング停止層３
０５ｂ、ｐ型ＡｌＧａＩｎＰ第二クラッド層３０６ｂ、
ｐ型ＧａＩｎＰバンド不連続緩和層３０７ｂ、ｐ型Ａｌ
ＧａＡｓ拡散制御膜３０８ｂを順次形成し、ダブルヘテ
ロ構造を有する積層体を作製する。その後、ＳｉＯ2膜
上の堆積物およびＳｉＯ2膜をウエットエッチングによ
り除去する。
（有機金属気相成長）法により、ｎ型ＧａＡｓ基板３０
１上に、ｎ型ＡｌＧａＩｎＰクラッド層３０２ｂ、Ｇａ
Ａｓ井戸層とＡｌＧａＡｓ障壁層から構成された歪量子
井戸構造の活性層３０３ｂ、ｐ型ＡｌＧａＩｎＰ第一ク
ラッド層３０４ｂ、ｐ型ＧａＩｎＰエッチング停止層３
０５ｂ、ｐ型ＡｌＧａＩｎＰ第二クラッド層３０６ｂ、
ｐ型ＧａＩｎＰバンド不連続緩和層３０７ｂ、ｐ型Ａｌ
ＧａＡｓ拡散制御膜３０８ｂを順次形成し、ダブルヘテ
ロ構造を有する積層体を作製する。その後、ＳｉＯ2膜
上の堆積物およびＳｉＯ2膜をウエットエッチングによ
り除去する。
【００５４】次に、図４（ｃ）に示すように、再度Ｓｉ
Ｏ2膜３１４を堆積し、ウエットエッチングによりパタ
ーニングを行い、例えば５０μｍ幅のストライプ開口部
をレーザの共振器となる方向と垂直方向に７００μｍ間
隔で形成する（上記ストライプと直交方向）。その後、
スパッター法によりＺｎＯ膜３１５（本発明における不
純物拡散源となる材料膜）を全面に堆積し、ストライプ
開口部以外のＺｎＯ膜をウエットエッチングにより除去
する。
Ｏ2膜３１４を堆積し、ウエットエッチングによりパタ
ーニングを行い、例えば５０μｍ幅のストライプ開口部
をレーザの共振器となる方向と垂直方向に７００μｍ間
隔で形成する（上記ストライプと直交方向）。その後、
スパッター法によりＺｎＯ膜３１５（本発明における不
純物拡散源となる材料膜）を全面に堆積し、ストライプ
開口部以外のＺｎＯ膜をウエットエッチングにより除去
する。
【００５５】次に、図４（ｄ）に示すように、ＳｉＯ2
膜３１４およびＺｎＯ膜３１５の上面全体にＳｉＯ2膜
３１６（本発明における誘電体膜）を堆積した後、窒素
雰囲気中で熱処理によるアニールを行い、ストライプ開
口部にあるＺｎＯ膜３１５を拡散源としてｐ型ＡｌＧａ
Ａｓ拡散制御膜３０８ａ、３０８ｂ上面からｎ型ＡｌＧ
ａＩｎＰクラッド層３０２ａ、３０２ｂに達するように
Ｚｎを固相拡散させる。これにより、不純物拡散領域３
１１ａ、３１１ｂが形成され、この内部において量子井
戸構造の活性層は無秩序化される。不純物拡散領域内の
無秩序化された量子井戸は、そのバンドギャップが、無
秩序化されていない領域の量子井戸のバンドギャップよ
り大きくなり、端面窓構造部として機能する。
膜３１４およびＺｎＯ膜３１５の上面全体にＳｉＯ2膜
３１６（本発明における誘電体膜）を堆積した後、窒素
雰囲気中で熱処理によるアニールを行い、ストライプ開
口部にあるＺｎＯ膜３１５を拡散源としてｐ型ＡｌＧａ
Ａｓ拡散制御膜３０８ａ、３０８ｂ上面からｎ型ＡｌＧ
ａＩｎＰクラッド層３０２ａ、３０２ｂに達するように
Ｚｎを固相拡散させる。これにより、不純物拡散領域３
１１ａ、３１１ｂが形成され、この内部において量子井
戸構造の活性層は無秩序化される。不純物拡散領域内の
無秩序化された量子井戸は、そのバンドギャップが、無
秩序化されていない領域の量子井戸のバンドギャップよ
り大きくなり、端面窓構造部として機能する。
【００５６】次に、図４（ｅ）に示すように、ＳｉＯ2
膜３１４、ＺｎＯ膜３１５およびＳｉＯ2膜３１６をウ
エットエッチングにより除去した後の積層体の上面に、
再びＳｉＯ2膜３１７を堆積し、ウエットエッチングに
よりパターニングを行い、例えば、Ａ領域で３μｍ幅、
Ｂ領域で２μｍ幅となるストライプ３１７ａ、３１７ｂ
をレーザの共振器となる方向に形成する。このＳｉＯ2
膜３１７からなるストライプをマスクとして、ウエット
エッチングによりｐ型ＡｌＧａＡｓ拡散制御膜３０８
ａ、３０８ｂとｐ型ＧａＩｎＰバンド不連続緩和層３０
７ａ、３０７ｂとをリッジ状に除去する。次いで、ｐ型
ＡｌＧａＩｎＰ第二クラッド層３０６ａ、３０６ｂを選
択的に除去できるウエットエッチング液、例えば、硫酸
を用いてエッチングを行い、ｐ型ＡｌＧａＩｎＰ第二ク
ラッド層３０６ａ、３０６ｂのリッジストライプを形成
するとともに、ストライプ間隔においてｐ型ＧａＩｎＰ
エッチング停止層３０５ａ、３０５ｂを表出させる。
膜３１４、ＺｎＯ膜３１５およびＳｉＯ2膜３１６をウ
エットエッチングにより除去した後の積層体の上面に、
再びＳｉＯ2膜３１７を堆積し、ウエットエッチングに
よりパターニングを行い、例えば、Ａ領域で３μｍ幅、
Ｂ領域で２μｍ幅となるストライプ３１７ａ、３１７ｂ
をレーザの共振器となる方向に形成する。このＳｉＯ2
膜３１７からなるストライプをマスクとして、ウエット
エッチングによりｐ型ＡｌＧａＡｓ拡散制御膜３０８
ａ、３０８ｂとｐ型ＧａＩｎＰバンド不連続緩和層３０
７ａ、３０７ｂとをリッジ状に除去する。次いで、ｐ型
ＡｌＧａＩｎＰ第二クラッド層３０６ａ、３０６ｂを選
択的に除去できるウエットエッチング液、例えば、硫酸
を用いてエッチングを行い、ｐ型ＡｌＧａＩｎＰ第二ク
ラッド層３０６ａ、３０６ｂのリッジストライプを形成
するとともに、ストライプ間隔においてｐ型ＧａＩｎＰ
エッチング停止層３０５ａ、３０５ｂを表出させる。
【００５７】次に、図４（ｆ）に示すようにＭＯＶＰＥ
法により、ストライプ状のＳｉＯ2膜３１７を選択成長
マスクとして用い、リッジの側面にｎ型ＡｌＩｎＰ電流
狭窄層３０９ａ、３０９ｂを埋込み成長する。その後、
ＳｉＯ2膜３１７をウエットエッチングにより除去し、
再度、ＭＯＶＰＥ法によりｐ型ＧａＡｓコンタクト層３
１０ａ、３１０ｂを積層体の上面全体に形成する。更
に、Ａ領域とＢ領域を電気的に分離するため、ｎ型Ｇａ
Ａｓ基板に達するような分離溝を形成する。最後にｎ側
およびｐ側に電極を形成し、不純物拡散領域３１１ａ、
３１１ｂ内でリッジストライプと垂直方向に積層体を劈
開することにより、一対の共振器端面を有するレーザ共
振器を形成し、Ａ領域、Ｂ領域からなる２種類レーザを
同一基板上に形成した２波長レーザチップとする（図４
（ｇ））。
法により、ストライプ状のＳｉＯ2膜３１７を選択成長
マスクとして用い、リッジの側面にｎ型ＡｌＩｎＰ電流
狭窄層３０９ａ、３０９ｂを埋込み成長する。その後、
ＳｉＯ2膜３１７をウエットエッチングにより除去し、
再度、ＭＯＶＰＥ法によりｐ型ＧａＡｓコンタクト層３
１０ａ、３１０ｂを積層体の上面全体に形成する。更
に、Ａ領域とＢ領域を電気的に分離するため、ｎ型Ｇａ
Ａｓ基板に達するような分離溝を形成する。最後にｎ側
およびｐ側に電極を形成し、不純物拡散領域３１１ａ、
３１１ｂ内でリッジストライプと垂直方向に積層体を劈
開することにより、一対の共振器端面を有するレーザ共
振器を形成し、Ａ領域、Ｂ領域からなる２種類レーザを
同一基板上に形成した２波長レーザチップとする（図４
（ｇ））。
【００５８】上記製造方法によれば、上記複数のレーザ
構造が有する量子井戸構造よりなる活性層３０３ａ、３
０３ｂの無秩序化をよりバランスよく行うことができ
る。また、とりわけｐ型ＡｌＧａＩｎＰ第二クラッド層
３０６ａ、３０６ｂが同じ材料系であるので、ｐ型Ａｌ
ＧａＩｎＰ第二クラッド層３０６ａ、３０６ｂを一度の
結晶成長で形成することができ、それにより結晶成長工
程を簡略化することができ、半導体レーザ装置の歩留ま
り率を向上させることができる。
構造が有する量子井戸構造よりなる活性層３０３ａ、３
０３ｂの無秩序化をよりバランスよく行うことができ
る。また、とりわけｐ型ＡｌＧａＩｎＰ第二クラッド層
３０６ａ、３０６ｂが同じ材料系であるので、ｐ型Ａｌ
ＧａＩｎＰ第二クラッド層３０６ａ、３０６ｂを一度の
結晶成長で形成することができ、それにより結晶成長工
程を簡略化することができ、半導体レーザ装置の歩留ま
り率を向上させることができる。
【００５９】ここで、不純物としてのＺｎを量子井戸構
造の活性層に固相拡散させることで、拡散領域内の量子
井戸構造は無秩序化を誘発され、端面窓構造部として機
能する。しかし、Ｚｎが過剰に存在すると自由キャリア
吸収の増大を招き、動作電流の増加や、ひいては信頼性
の低下をもたらすので、Ａ、Ｂ領域においてＺｎの拡散
濃度にバラツキがあってはならない。適切なＺｎの拡散
濃度としては、ｐ型ＡｌＧａＡｓ拡散制御膜３０８ａ、
３０８ｂの、ｐ型ＧａＡｓコンタクト層３１０ａ、３１
０ｂ側の表面におけるキャリアの面濃度が１０13ｃｍ-2
以上１０15ｃｍ -2以下であればよく、より最適にはキャ
リアの面濃度が１０13ｃｍ-2のオーダーであればよい。
造の活性層に固相拡散させることで、拡散領域内の量子
井戸構造は無秩序化を誘発され、端面窓構造部として機
能する。しかし、Ｚｎが過剰に存在すると自由キャリア
吸収の増大を招き、動作電流の増加や、ひいては信頼性
の低下をもたらすので、Ａ、Ｂ領域においてＺｎの拡散
濃度にバラツキがあってはならない。適切なＺｎの拡散
濃度としては、ｐ型ＡｌＧａＡｓ拡散制御膜３０８ａ、
３０８ｂの、ｐ型ＧａＡｓコンタクト層３１０ａ、３１
０ｂ側の表面におけるキャリアの面濃度が１０13ｃｍ-2
以上１０15ｃｍ -2以下であればよく、より最適にはキャ
リアの面濃度が１０13ｃｍ-2のオーダーであればよい。
【００６０】以上のような製造方法、すなわち、Ａ、Ｂ
領域ともにクラッド層もしくはクラッドの一部にＡｌＧ
ａＡｓに代わるアニール速度の速いＡｌＧａＩｎＰ層を
用いることによって、良好な端面窓構造を形成する条件
として、アニール時間はアニール温度６００℃において
両領域とも２０分となった。例えば、量子井戸構造から
のフォトルミネッセンス波長はＡ領域およびＢ領域にお
いてそれぞれ非拡散領域で６５０ｎｍ、７８０ｎｍに対
し、拡散領域で６１０ｎｍ、７４０ｎｍと短波長シフト
している。従って、不純物非拡散領域において透明であ
り、端面での光吸収が著しく抑制され、安定した高出力
動作が達成される。このように、同時にアニールを実施
しても、両領域において熱処理による欠陥の導入等が抑
制でき、本来の特性を維持できるとともに、ウエハー面
内で再現性よく良好な特性を得ることが可能となった。
領域ともにクラッド層もしくはクラッドの一部にＡｌＧ
ａＡｓに代わるアニール速度の速いＡｌＧａＩｎＰ層を
用いることによって、良好な端面窓構造を形成する条件
として、アニール時間はアニール温度６００℃において
両領域とも２０分となった。例えば、量子井戸構造から
のフォトルミネッセンス波長はＡ領域およびＢ領域にお
いてそれぞれ非拡散領域で６５０ｎｍ、７８０ｎｍに対
し、拡散領域で６１０ｎｍ、７４０ｎｍと短波長シフト
している。従って、不純物非拡散領域において透明であ
り、端面での光吸収が著しく抑制され、安定した高出力
動作が達成される。このように、同時にアニールを実施
しても、両領域において熱処理による欠陥の導入等が抑
制でき、本来の特性を維持できるとともに、ウエハー面
内で再現性よく良好な特性を得ることが可能となった。
【００６１】なお、ＧａＩｎＰ井戸層とＡｌＧａＩｎＰ
障壁層とから構成された歪量子井戸構造の活性層３０３
ａの上に形成されたＡｌＧａＡｓ拡散制御膜３０８ａ
と、ＧａＡｓ井戸層とＡｌＧａＡｓ障壁層とから構成さ
れた歪量子井戸構造の活性層３０３ｂの上に形成された
ＡｌＧａＡｓ拡散制御膜３０８ｂについて、ＡｌＧａＡ
ｓ拡散制御膜３０８ａのＡｌ組成をＡｌＧａＡｓ拡散制
御膜３０８ｂのＡｌ組成よりも小さくするのがよい。な
ぜならば、ＧａＩｎＰ井戸層とＡｌＧａＩｎＰ障壁層と
から構成された活性層３０３ａのほうがＧａＡｓ井戸層
とＡｌＧａＡｓ障壁層とから構成された活性層３０３ｂ
よりも不純物が拡散しやすいためであり、ＡｌＧａＡｓ
拡散制御膜３０８ａのＡｌ組成をＡｌＧａＡｓ拡散制御
膜３０８ｂのＡｌ組成よりも小さくすることによりＡｌ
ＧａＡｓ拡散制御膜３０８ａからの不純物の拡散を抑え
て活性層３０３ａに拡散する不純物の量を制御すること
ができるためである。
障壁層とから構成された歪量子井戸構造の活性層３０３
ａの上に形成されたＡｌＧａＡｓ拡散制御膜３０８ａ
と、ＧａＡｓ井戸層とＡｌＧａＡｓ障壁層とから構成さ
れた歪量子井戸構造の活性層３０３ｂの上に形成された
ＡｌＧａＡｓ拡散制御膜３０８ｂについて、ＡｌＧａＡ
ｓ拡散制御膜３０８ａのＡｌ組成をＡｌＧａＡｓ拡散制
御膜３０８ｂのＡｌ組成よりも小さくするのがよい。な
ぜならば、ＧａＩｎＰ井戸層とＡｌＧａＩｎＰ障壁層と
から構成された活性層３０３ａのほうがＧａＡｓ井戸層
とＡｌＧａＡｓ障壁層とから構成された活性層３０３ｂ
よりも不純物が拡散しやすいためであり、ＡｌＧａＡｓ
拡散制御膜３０８ａのＡｌ組成をＡｌＧａＡｓ拡散制御
膜３０８ｂのＡｌ組成よりも小さくすることによりＡｌ
ＧａＡｓ拡散制御膜３０８ａからの不純物の拡散を抑え
て活性層３０３ａに拡散する不純物の量を制御すること
ができるためである。
【００６２】なお、上記実施の形態において、ＧａＡｓ
井戸層とＡｌＧａＡｓ障壁層とからなる活性層３０３ｂ
の上に形成される第二クラッド層、または活性層３０３
ｂの下にある第一クラッド層について、ＡｌＧａＩｎＰ
を用いる代わりにＡｌＧａＡｓを用いてもよい。その場
合、ＡｌＧａＡｓ拡散制御膜３０８ｂのＡｌ組成を、例
えば活性層３０３ｂの上に形成される第二クラッド層の
Ａｌ組成よりも大きくしたり、ＡｌＧａＡｓ拡散制御膜
３０８ａのＡｌ組成よりもずっと大きなものにすれば
（例えばＡｌ組成を１０倍以上にする等）、上記２つの
レーザ構造、すなわち赤色レーザ構造と赤外レーザ構造
とにおけるＺｎ拡散の仕方を同様なものにでき、Ｚｎ拡
散の時間を短縮することができる。
井戸層とＡｌＧａＡｓ障壁層とからなる活性層３０３ｂ
の上に形成される第二クラッド層、または活性層３０３
ｂの下にある第一クラッド層について、ＡｌＧａＩｎＰ
を用いる代わりにＡｌＧａＡｓを用いてもよい。その場
合、ＡｌＧａＡｓ拡散制御膜３０８ｂのＡｌ組成を、例
えば活性層３０３ｂの上に形成される第二クラッド層の
Ａｌ組成よりも大きくしたり、ＡｌＧａＡｓ拡散制御膜
３０８ａのＡｌ組成よりもずっと大きなものにすれば
（例えばＡｌ組成を１０倍以上にする等）、上記２つの
レーザ構造、すなわち赤色レーザ構造と赤外レーザ構造
とにおけるＺｎ拡散の仕方を同様なものにでき、Ｚｎ拡
散の時間を短縮することができる。
【００６３】また、上記実施の形態において、活性層３
０３ａにつきＧａＩｎＰ井戸層の代わりに障壁層と異な
る組成のＡｌＧａＩｎＰ井戸層を用いてもよく、活性層
３０３ｂにつきＧａＡｓ井戸層の代わりに障壁層と異な
る組成のＡｌＧａＡｓ井戸層を用いてもよい。
０３ａにつきＧａＩｎＰ井戸層の代わりに障壁層と異な
る組成のＡｌＧａＩｎＰ井戸層を用いてもよく、活性層
３０３ｂにつきＧａＡｓ井戸層の代わりに障壁層と異な
る組成のＡｌＧａＡｓ井戸層を用いてもよい。
【００６４】なお、上記実施の形態において、ｎ型Ａｌ
ＧａＡｓ拡散制御膜は製造工程において最終工程まで存
在しているように記述しているが、Ｚｎ拡散を終了した
過程でエッチングにより除去してもなんら差し支えな
い。
ＧａＡｓ拡散制御膜は製造工程において最終工程まで存
在しているように記述しているが、Ｚｎ拡散を終了した
過程でエッチングにより除去してもなんら差し支えな
い。
【００６５】
【発明の効果】以上説明したように本発明によれば、Ａ
ｌＧａＡｓよりなる拡散制御膜を用い、クラッド層もし
くはクラッド層の一部にＡｌＧａＩｎＰ混晶を用いるこ
とにより端面窓構造を形成するためのＺｎ拡散を制御で
きるようになり、同一基板上に複数の波長の異なる半導
体レーザ装置チップを集積し、それぞれに端面窓構造を
適用するような場合においても、良好な特性が得られる
端面窓構造の形成方法が可能となった。
ｌＧａＡｓよりなる拡散制御膜を用い、クラッド層もし
くはクラッド層の一部にＡｌＧａＩｎＰ混晶を用いるこ
とにより端面窓構造を形成するためのＺｎ拡散を制御で
きるようになり、同一基板上に複数の波長の異なる半導
体レーザ装置チップを集積し、それぞれに端面窓構造を
適用するような場合においても、良好な特性が得られる
端面窓構造の形成方法が可能となった。
【００６６】とりわけ同一基板上に複数の波長の異なる
半導体レーザ装置チップを集積する場合においても、し
きい値電流や動作電流の低減や歩留まりの向上、ひいて
は信頼性の改善に極めて有用であることが示された。
半導体レーザ装置チップを集積する場合においても、し
きい値電流や動作電流の低減や歩留まりの向上、ひいて
は信頼性の改善に極めて有用であることが示された。
【図１】本発明の第１の実施の形態に係る半導体レーザ
装置を示す斜視図
装置を示す斜視図
【図２】本発明の第１の実施の形態に係る半導体レーザ
装置の製造方法の各工程を示す斜視図
装置の製造方法の各工程を示す斜視図
【図３】本発明の第２の実施の形態に係る半導体レーザ
装置を示す斜視図
装置を示す斜視図
【図４】本発明の第２の実施の形態に係る半導体レーザ
装置の製造方法の各工程を示す斜視図
装置の製造方法の各工程を示す斜視図
【図５】従来の端面窓構造を有するＡｌＧａＩｎＰ系６
５０ｎｍ帯赤色半導体レーザ装置の斜視図
５０ｎｍ帯赤色半導体レーザ装置の斜視図
【図６】従来の端面窓構造を有するＡｌＧａＡｓ系７８
０ｎｍ帯赤外半導体レーザ装置の斜視図
０ｎｍ帯赤外半導体レーザ装置の斜視図
【図７】従来の端面窓構造を有するＡｌＧａＩｎＰ系６
５０ｎｍ帯赤色半導体レーザ装置の製造方法の各工程を
示す斜視図
５０ｎｍ帯赤色半導体レーザ装置の製造方法の各工程を
示す斜視図
１０１ ｎ型ＧａＡｓ基板 １０２ ｎ型ＡｌＧａＩｎＰクラッド層 １０３ 量子井戸構造の活性層 １０４ ｐ型ＡｌＧａＩｎＰ第一クラッド層 １０５ ｐ型ＧａＩｎＰエッチング停止層 １０６ ｐ型ＡｌＧａＩｎＰ第二クラッド層 １０７ ｐ型ＧａＩｎＰバンド不連続緩和層 １０８ ｐ型ＡｌＧａＡｓ拡散制御膜 １０９ ｎ型ＡｌＩｎＰ電流狭窄層 １１０ ｐ型ＧａＡｓコンタクト層 １１１ 不純物拡散領域 １１２ ｎ側電極 １１３ ｐ側電極 ３０１ ｎ型ＧａＡｓ基板 ３０２ ｎ型ＡｌＧａＩｎＰクラッド層 ３０３ 活性層 ３０４ ｐ型ＡｌＧａＩｎＰ第一クラッド層 ３０５ ｐ型ＧａＩｎＰエッチング停止層 ３０６ ｐ型ＡｌＧａＩｎＰ第二クラッド層 ３０７ ｐ型ＧａＩｎＰバンド不連続緩和層 ３０８ ｐ型ＡｌＧａＡｓ拡散制御膜 ３０９ ｎ型ＡｌＩｎＰ電流狭窄層 ３１０ ｐ型ＧａＡｓコンタクト層 ３１１ 不純物拡散領域 ３１２ ｎ側電極 ３１３ ｐ側電極
Claims (14)
- 【請求項１】 半導体基板と、前記半導体基板上に形成
された井戸層と障壁層とを含む量子井戸構造よりなる活
性層と、前記活性層の上に形成されたＡｌxＧａ1-xＡｓ
（０≦ｘ≦１）よりなる拡散制御膜とを有し、前記拡散
制御膜は活性層とは反対側の界面における不純物原子の
面濃度が１０13ｃｍ-2以上１０15ｃｍ -2以下である半導
体レーザ装置。 - 【請求項２】 前記量子井戸構造は、Ａｌy1Ｇａ
1-y1-z1Ｉｎz1Ｐ（０≦ｙ１≦１、０≦ｚ１≦１）より
なる井戸層とＡｌy2Ｇａ1-y2-z2Ｉｎz2Ｐ（０≦ｙ２≦
１、０≦ｚ２≦１）よりなる障壁層とからなる請求項１
記載の半導体レーザ装置。 - 【請求項３】 前記活性層がその共振器端面部の少なく
とも一方において無秩序化された請求項１記載の半導体
レーザ装置。 - 【請求項４】 前記活性層の無秩序化された共振器端面
部は、ＺｎまたはＭｇを含有する請求項３記載の半導体
レーザ装置。 - 【請求項５】 前記活性層は第一導電型クラッド層と第
二導電型クラッド層とに挟まれ、前記第二導電型クラッ
ド層の上にＡｌxＧａ1-xＡｓ（０≦ｘ≦１）よりなる拡
散制御膜が形成され、前記第二導電型クラッド層の少な
くとも一部がＡｌy3Ｇａ1-y3-z3Ｉｎz3Ｐ（０≦ｙ３≦
１、０≦ｚ３≦１）よりなり、前記量子井戸構造の井戸
層がＡｌtＧａ1-tＡｓ（０≦ｔ≦１）よりなる請求項１
記載の半導体レーザ装置。 - 【請求項６】 半導体基板上に形成された複数のダブル
へテロ構造と、前記複数のダブルへテロ構造の各々に形
成された拡散制御膜とを有し、前記複数のダブルヘテロ
構造の各々は前記半導体基板から順次形成された第一導
電型クラッド層と、井戸層と障壁層とを含む量子井戸構
造よりなる活性層と、第二導電型クラッド層とを含み、
前記複数の拡散制御膜の各々はＡｌxＧａ1-xＡｓ（０≦
ｘ≦１）よりなる半導体レーザ装置。 - 【請求項７】 前記複数のダブルヘテロ構造のうち１つ
がＡｌy1Ｇａ1-y1-z1Ｉｎz1Ｐ（０≦ｙ１≦１、０≦ｚ
１≦１）よりなる井戸層を有する量子井戸構造の活性層
を有し、別の１つがＡｌtＧａ1-tＡｓ（０≦ｔ≦１）よ
りなる井戸層を有する量子井戸構造の活性層を有する請
求項６記載の半導体レーザ装置。 - 【請求項８】 前記Ａｌy1Ｇａ1-y1-z1Ｉｎz1Ｐ（０≦
ｙ１≦１、０≦ｚ１≦１）よりなる井戸層を有する量子
井戸構造の活性層の上に形成されたＡｌx1Ｇａ 1-x1Ａｓ
（０≦ｘ１≦１）よりなる拡散制御膜と、前記ＡｌtＧ
ａ1-tＡｓ（０≦ｔ≦１）よりなる井戸層を有する量子
井戸構造の活性層の上に形成されたＡｌx2Ｇａ1-x2Ａｓ
（０≦ｘ２≦１）よりなる拡散制御膜とを有し、Ａｌ組
成がｘ１≦ｘ２である請求項７記載の半導体レーザ装
置。 - 【請求項９】 半導体基板の上に第一導電型クラッド層
と、量子井戸構造を有する活性層と、第二導電型クラッ
ド層とを順次積層してダブルへテロ構造を形成する工程
と、前記第二導電型クラッド層上の所定の領域にＡｌz
Ｇａ1-zＡｓ（０≦ｘ≦１）よりなる拡散制御膜を形成
する工程と、前記拡散制御膜上に不純物の拡散源となる
材料膜を形成する工程と、前記半導体基板を加熱して前
記材料膜から拡散制御膜を介して前記不純物を前記ダブ
ルへテロ構造中に拡散させる工程とを有する半導体レー
ザ装置の製造方法。 - 【請求項１０】 前記不純物を前記ダブルへテロ構造中
に拡散させる工程が、共振器端面部の少なくとも一方に
おいて不純物を拡散させて前記量子井戸構造を無秩序化
する工程である請求項９記載の半導体レーザ装置の製造
方法。 - 【請求項１１】 半導体基板の上に第一導電型クラッド
層と、量子井戸構造を有する活性層と、第二導電型クラ
ッド層と、Ａｌz1Ｇａ1-z1Ａｓ（０≦ｘ１≦１）よりな
る拡散制御膜とを順次積層して第１の多層構造を形成す
る工程と、前記第１の多層構造の一部を少なくとも前記
活性層まで除去する工程と、前記第１の多層構造の少な
くとも前記活性層まで除去された部分の上に別の第一導
電型クラッド層と、別の量子井戸構造を有する活性層
と、別の第二導電型クラッド層と、Ａｌz2Ｇａ1-z2Ａｓ
（０≦ｘ２≦１）よりなる別の拡散制御膜とを順次積層
して第２の多層構造を形成する工程と、前記拡散制御膜
上の所定の領域に不純物の拡散源となる材料膜を形成す
る工程と、前記半導体基板を加熱してそれぞれの前記材
料膜からそれぞれの拡散制御膜を介して前記不純物を前
記第１および前記第２の多層構造中に拡散させる工程と
を有する半導体レーザ装置の製造方法。 - 【請求項１２】 前記第１の多層構造はＡｌy1Ｇａ
1-y1-z1Ｉｎz1Ｐ（０≦ｙ１≦１、０≦ｚ１≦１）より
なる井戸層を有する量子井戸構造の活性層を有し、前記
第２の多層構造は前記ＡｌtＧａ1-tＡｓ（０≦ｔ≦１）
よりなる井戸層を有する量子井戸構造の活性層を有し、
前記Ａｌ組成がｘ１≦ｘ２である請求項１１記載の半導
体レーザ装置の製造方法。 - 【請求項１３】 前記第二導電性クラッド層の少なくと
も一部にＡｌf1Ｇａ1- f1-g1Ｉｎg1Ｐ（０≦ｆ１≦１、
０≦ｇ１≦１）よりなる層を形成し、前記別の第二導電
性クラッド層の少なくとも一部がＡｌf2Ｇａ1-f2-g2Ｉ
ｎg2Ｐ（０≦ｆ２≦１、０≦ｇ２≦１）よりなる層を形
成した請求項１１記載の半導体レーザ装置の製造方法。 - 【請求項１４】 前記材料膜としてＺｎまたはＭｇを含
有する材料膜を形成した請求項９または１１記載の半導
体レーザ装置の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000203388A JP3832200B2 (ja) | 2000-07-05 | 2000-07-05 | 半導体レーザ装置 |
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| JP2000203388A JP3832200B2 (ja) | 2000-07-05 | 2000-07-05 | 半導体レーザ装置 |
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| JP2006042167A Division JP3891219B2 (ja) | 2006-02-20 | 2006-02-20 | 半導体レーザ装置およびその製造方法 |
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|---|---|
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|---|---|---|---|---|
| JP2007035668A (ja) * | 2005-07-22 | 2007-02-08 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 半導体レーザ装置及びその製造方法 |
| JP2007081173A (ja) * | 2005-09-15 | 2007-03-29 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | モノリシック２波長半導体レーザ及びその製造方法 |
| JP2007080887A (ja) * | 2005-09-12 | 2007-03-29 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | ２波長半導体レーザ及びその製造方法 |
| JP2007123837A (ja) * | 2005-09-29 | 2007-05-17 | Sanyo Electric Co Ltd | 半導体レーザ素子およびその製造方法 |
| JP2007157802A (ja) * | 2005-12-01 | 2007-06-21 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 半導体レーザ装置及び半導体レーザ装置の製造方法 |
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| JP2011181974A (ja) * | 2011-06-22 | 2011-09-15 | Panasonic Corp | 半導体レーザ素子 |
-
2000
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| JP2009076665A (ja) * | 2007-09-20 | 2009-04-09 | Panasonic Corp | 半導体レーザ装置及びその製造方法 |
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