JP2007115996A - 半導体装置 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】本発明の半導体装置は、半導体層10に設けられた素子領域200および素子分離領域400を含み、素子領域は、第1導電型のウェル202と、ウェル202に設けられたトランジスタ200Pと、を含み、素子分離領域は、素子領域を画定する第1分離絶縁層422と、第1分離絶縁層と離間して設けられた第2分離絶縁層420、424と、第1分離絶縁層と、第2分離絶縁層との間の半導体層に設けられた第2導電型の第1不純物領域410と、第1不純物領域を内包し、第1不純物領域0と比して不純物濃度が低い第2導電型の第2不純物領域412と、第2不純物領域を内包し、第2不純物領域と比して不純物濃度が低い、第2導電型の第3不純物領域414と、を含む。
【選択図】図3
Description
半導体層に設けられた素子領域および素子分離領域を含み、
前記素子領域は、
第1導電型のウェルと、
前記ウェルに設けられたトランジスタと、を含み、
前記素子分離領域は、
前記素子領域を画定する第1分離絶縁層と、
前記第1分離絶縁層と離間して設けられた第2分離絶縁層と、
前記第1分離絶縁層と、前記第2分離絶縁層との間の前記半導体層に設けられた第2導電型の第1不純物領域と、
前記第1不純物領域を内包し、該第1不純物領域と比して不純物濃度が低い第2導電型の第2不純物領域と、
前記第2不純物領域を内包し、該第2不純物領域と比して不純物濃度が低い、第2導電型の第3不純物領域と、を含む。
図1ないし図4を参照しつつ本実施の形態にかかる半導体装置について説明する。図1は、本実施の形態にかかる半導体装置を模式的に示す平面図である。図2は、図1のI−I線に沿った断面図である。図3は、図1のII−II線に沿った断面図である。図4は、図1のIII−III線に沿った断面図である。
図1および図2を参照しつつ、高耐圧トランジスタ形成領域100について説明する。図2は、図1のI−I線に沿った断面図である。
次に、図1および図3を参照しつつ、中耐圧トランジスタ形成領域200について説明する。図3は、図1のII−II線に沿った断面図である。
次に、図1および図4を参照しつつ、低耐圧トランジスタ形成領域300について説明する。図4は、図1のIII−III線に沿った断面図である。
次に、素子分離領域400の構造について、図1ないし図4を参照しつつ説明する。
次に、本実施の形態にかかる半導体装置の製造方法について図5ないし図19を参照しつつ説明する。図5ないし19は、本実施の形態にかかる半導体装置の製造工程を模式的に示す断面図である。なお、図5ないし図19では、中耐圧トランジスタ形成領域200の中耐圧トランジスタ200Pおよび低耐圧トランジスタ形成領域300の低耐圧トランジスタ300Nを省略した図面で説明する。
Claims (3)
- 半導体層に設けられた素子領域および素子分離領域を含み、
前記素子領域は、
第1導電型のウェルと、
前記ウェルに設けられたトランジスタと、を含み、
前記素子分離領域は、
前記素子領域を画定する第1分離絶縁層と、
前記第1分離絶縁層と離間して設けられた第2分離絶縁層と、
前記第1分離絶縁層と、前記第2分離絶縁層との間の前記半導体層に設けられた第2導電型の第1不純物領域と、
前記第1不純物領域を内包し、該第1不純物領域と比して不純物濃度が低い第2導電型の第2不純物領域と、
前記第2不純物領域を内包し、該第2不純物領域と比して不純物濃度が低い、第2導電型の第3不純物領域と、を含む、半導体装置。 - 請求項1において、
前記第1不純物領域は、前記素子領域に設けられた前記ウェルと同一の深さを有する、半導体装置。 - 請求項1において、
前記第1不純物領域の深さは、前記素子領域に設けられた前記ウェルと比して浅い、半導体装置。
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