JP2007111253A - 撮像装置 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】短い方の周期Tfirstを有する第1読み出し期間の動作と長い方の周期Tsecondを有する第2読み出し期間の動作とをそれぞれコントローラが設定して両方用意することで、第1読み出し期間の動作で読み出されたキャリア、第2読み出し期間の動作で読み出されたキャリアのいずれかを選択して用いることができ、用いられるキャリアの選択が拡がる。したがって、読み出されたキャリア(電荷情報)を用いる際に生じる支障を防止することができる。
【選択図】図6
Description
すなわち、請求項1に記載の発明は、光または放射線の入射により前記光または放射線の情報を電荷情報に変換する変換層と、その変換層で変換された電荷情報を読み出す読み出し回路とを備え、その読み出し回路で読み出された電荷情報に基づいて画像を得る撮像装置であって、前記電荷情報の読み出しの動作は、第1読み出し動作と周期がそれよりも長い第2読み出し動作とからなり、前記第1および第2読み出し動作以外の動作は、読み出し空白動作からなり、(1)前記第1読み出し動作、前記読み出し空白動作、前記第2読み出し動作の順に移行するように設定、あるいは(2)前記第2読み出し動作、前記読み出し空白動作、前記第1読み出し動作の順に移行するように設定する動作設定手段を備えることを特徴とするものである。
図1は、実施例に係るX線透視撮影装置のブロック図であり、図2は、X線透視撮影装置に用いられている側面視したフラットパネル型X線検出器の等価回路であり、図3は、平面視したフラットパネル型X線検出器の等価回路であり、図4は、フラットパネル型X線検出器中のアンプアレイ回路のブロック図である。本実施例では、光または放射線検出器としてフラットパネル型X線検出器(以下、適宜「FPD」という)を例に採るとともに、撮像装置としてX線透視撮影装置を例に採って説明する。
10 … コントローラ
37 … アンプアレイ回路
31 … 半導体厚膜
Tfirst … 第1読み出し期間の周期
Tsecond … 第2読み出し期間の周期
Claims (5)
- 光または放射線の入射により前記光または放射線の情報を電荷情報に変換する変換層と、その変換層で変換された電荷情報を読み出す読み出し回路とを備え、その読み出し回路で読み出された電荷情報に基づいて画像を得る撮像装置であって、前記電荷情報の読み出しの動作は、第1読み出し動作と周期がそれよりも長い第2読み出し動作とからなり、前記第1および第2読み出し動作以外の動作は、読み出し空白動作からなり、(1)前記第1読み出し動作、前記読み出し空白動作、前記第2読み出し動作の順に移行するように設定、あるいは(2)前記第2読み出し動作、前記読み出し空白動作、前記第1読み出し動作の順に移行するように設定する動作設定手段を備えることを特徴とする撮像装置。
- 請求項1に記載の撮像装置において、光または放射線の照射のための所定の準備移行から照射開始前までの期間を除いて前記第1読み出し動作と第2読み出し動作と読み出し空白動作とをそれぞれ対にして繰り返して行うことを特徴とする撮像装置。
- 請求項1または請求項2に記載の撮像装置において、光または放射線の照射のための所定の準備移行から照射開始前まで前記第1読み出し動作のみを繰り返して行うことを特徴とする撮像装置。
- 請求項1から請求項3のいずれかに記載の撮像装置において、前記読み出し回路で読み出された電荷情報に対するオフセット補正として、前記第2読み出し動作で読み出された電荷情報を用いることを特徴とする撮像装置。
- 請求項1から請求項4のいずれかに記載の撮像装置において、撮像用データとして、光または放射線の照射時において前記第2読み出し動作で読み出された電荷情報を用いることを特徴とする撮像装置。
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