JP2002335446A - 撮像装置及び撮像方法 - Google Patents

撮像装置及び撮像方法

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JP2002335446A JP2001137718A JP2001137718A JP2002335446A JP 2002335446 A JP2002335446 A JP 2002335446A JP 2001137718 A JP2001137718 A JP 2001137718A JP 2001137718 A JP2001137718 A JP 2001137718A JP 2002335446 A JP2002335446 A JP 2002335446A
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Abstract

(57)【要約】 【課題】 実使用上、規定が困難であるアイドリング駆
動期間が長く続いても、装置の命短縮や検出に関する諸
特性の経年変化を抑止して信頼性の高い撮像を実現す
る。 【解決手段】 アイドリング駆動期間は、どの程度続
くかが実使用上、未定義(未規定)のため、光検出器ア
レー58(特にTFT82)に負荷のかかる読み出し動
作は極力少なくすることを考慮して、T1は通常の撮影
動作時よりも長く設定し、通常の読み出し駆動Frより
もTFT82のON時間の短いアイドリング専用空読み
フレームFiを行う。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、被写体像の撮像す
る撮像装置及び撮像方法に関し、特に、X線を曝射する
ことにより被写体像を撮像するX線撮像装置を主な対象
とする。
【0002】
【従来の技術】従来のX線撮像装置では、X線源から医
療患者のような被分析対象を通してX線ビームを投射す
る。通常、ビームが被検体を通過した後、イメージ倍増
管がX線放射を可視光像に変換し、ビデオカメラが可視
像からアナログビデオ信号を作成し、モニタに表示す
る。アナログビデオ信号を作成するので、自動輝度調節
及び画像強調のための画像処理がアナログ領域で行われ
る。
【0003】既に、高分解能の固体X線検出器が提案さ
れており、これは各次元に3000〜4000個のフォ
トダイオードなどに代表される検出素子を用いた2次元
アレーで構成される。各素子は検出器に投射されるX線
像の画素輝度に対応する電気信号を作成する。各検出素
子からの信号は個別に読み出されてディジタル化され、
その後で画像処理、記憶及び表示される。
【0004】
【発明が解決しようとする課題】ところで、大画面X線
検出器を使って医療用X線画像を得る際に、X線検出器
では、実X線曝射までに多少の時間を要するが、この時
間を小さくするためにX線検出器は準備状態で駆動され
る。
【0005】検出器の準備状態では、暗電流が徐々に蓄
積されて検出器内部素子が飽和状態で保持されることを
避けるため、専用の読み出し駆動を所定間隔で繰り返
す。この繰り返す駆動を以後「アイドリング駆動」と呼
ぶ。このアイドリング駆動期間は、どの程度続くかが実
使用上、未定義のため、アイドリング期間が長く続く
と、装置の寿命を短縮させたり、検出に関する諸特性の
経年変化を促進することになる。
【0006】そこで本発明は、前記課題に鑑みてなされ
たものであり、実使用上、規定が困難であるアイドリン
グ駆動期間が長く続いても、装置の命短縮や検出に関す
る諸特性の経年変化を抑止して信頼性の高い撮像を実現
することを可能とする撮像装置及び撮像方法を提供する
ことを目標とする。
【0007】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するた
め、本発明に係る撮像装置は、被写体像を撮像するため
の撮像領域と、前記被写体像の撮像に関連する動作状態
において、前記撮像領域に対して第1の時間間隔で制御
を行い、前記被写体像の撮像に関連しない待機状態にお
いて、前記撮像領域に対して第2の時間間隔で制御を行
う駆動手段とを含み、前記第1の時間間隔と前記第2の
時間間隔とが異なることを特徴とする。
【0008】本発明の撮像装置の一態様では、前記第2
の時間間隔が前記第1の時間間隔より長い。
【0009】本発明の撮像装置は、被写体像を撮像する
ための撮像領域と、前記被写体像の撮像に関連する動作
状態において、前記撮像領域に対して第1の時間内で所
定間隔毎に制御を行い、前記被写体像の撮像に関連しな
い待機状態において、前記撮像領域に対して第2の時間
内で所定間隔毎に制御を行う駆動手段とを含み、前記第
1の時間と前記第2の時間とが異なることを特徴とす
る。
【0010】本発明の撮像装置の一態様では、前記第2
の時間が前記第1の時間より短い。
【0011】本発明の撮像装置は、被写体像を撮像する
ための撮像領域と、前記被写体像の撮像に関連する動作
状態において、前記撮像領域に対して第1の時間内で第
1の時間間隔毎に制御を行い、前記被写体像の撮像に関
連しない待機状態において、前記撮像領域に対して第2
の時間内で第2の時間間隔毎に制御を行う駆動手段とを
含み、前記第1の時間間隔と前記第2の時間間隔、及び
前記第1の時間と前記第2の時間について、少なくとも
どちらか一方の前者と後者とが異なることを特徴とす
る。
【0012】本発明の撮像装置の一態様では、前記第2
の時間間隔が前記第1の時間間隔より長い。
【0013】本発明の撮像装置の一態様では、前記第2
の時間が前記第1の時間より短い。
【0014】本発明の撮像装置の一態様では、X線を曝
射することにより、前記被写体像を撮像する。
【0015】本発明の撮像装置の一態様では、所定の周
期で2次元平面からなる1画面単位で駆動する。
【0016】本発明の撮像装置の一態様では、前記駆動
手段は、当該駆動手段内における電荷のリセット動作を
行う。
【0017】本発明の撮像装置の一態様では、前記駆動
手段は、所定の列方向に画像電荷信号を読み出し、所定
の行単位に所定の周期で駆動を行う。
【0018】本発明の撮像方法は、被写体像の撮像に関
連する動作状態において、前記被写体像を撮像するため
の撮像領域に対して第1の時間間隔で制御を行うととも
に、前記被写体像の撮像に関連しない待機状態におい
て、前記撮像領域に対して第2の時間間隔で制御を行
い、前記第1の時間間隔と前記第2の時間間隔とが異な
るように制御することを特徴とする。
【0019】本発明の撮像方法の一態様では、前記第2
の時間間隔が前記第1の時間間隔より長い。
【0020】本発明の撮像方法は、被写体像の撮像に関
連する動作状態において、前記被写体像を撮像するため
の撮像領域に対して第1の時間内で所定間隔毎に制御を
行うとともに、前記被写体像の撮像に関連しない待機状
態において、前記撮像領域に対して第2の時間内で所定
間隔毎に制御を行い、前記第1の時間と前記第2の時間
とが異なるように制御することを特徴とする。
【0021】本発明の撮像方法の一態様では、前記第2
の時間が前記第1の時間より短い。
【0022】本発明の撮像方法は、被写体像の撮像に関
連する動作状態において、前記被写体像を撮像するため
の撮像領域に対して第1の時間内で第1の時間間隔毎に
制御を行うとともに、前記被写体像の撮像に関連しない
待機状態において、前記撮像領域に対して第2の時間内
で第2の時間間隔毎に制御を行い、前記第1の時間間隔
と前記第2の時間間隔、及び前記第1の時間と前記第2
の時間について、少なくともどちらか一方の前者と後者
とが異なるように制御することを特徴とする。
【0023】本発明の撮像方法の一態様では、前記第2
の時間間隔が前記第1の時間間隔より長い。
【0024】本発明の撮像方法の一態様では、前記第2
の時間が前記第1の時間より短い。
【0025】本発明の撮像方法の一態様では、X線を曝
射することにより、前記被写体像を撮像する。
【0026】本発明の撮像方法の一態様では、所定の周
期で2次元平面からなる1画面単位で駆動する。
【0027】本発明の撮像方法の一態様では、前記制御
を行う駆動手段内における電荷のリセット動作を行う。
【0028】本発明の撮像方法の一態様では、所定の列
方向に画像電荷信号を読み出し、所定の行単位に所定の
周期で駆動を行う。
【0029】本発明の記憶媒体は、前記撮像装置を構成
する各手段としてコンピュータを機能させるためのプロ
グラムを格納したコンピュータ読み取り可能なものであ
る。
【0030】本発明の記憶媒体は、前記撮像方法の処理
手順をコンピュータに実行させるためのプログラムを格
納したコンピュータ読み取り可能なものである。
【0031】本発明のプログラムは、前記撮像装置を構
成する各手段としてコンピュータを機能させるためのも
のである。
【0032】本発明のプログラムは、前記撮像方法の処
理手順をコンピュータに実行させるためのものである。
【0033】
【発明の実施の形態】以下、図面を参照して、本発明を
適用した好適な実施形態を詳細に説明する。
【0034】図1は、本発明の一実施形態を示すX線撮
像システムの構成ブロック図である。図1において、1
0はX線室、12はX線制御室、14は診断室である。
X線制御室12には、本X線撮像システムの全体的な動
作を制御するシステム制御器20が配置される。X線曝
射要求スイッチ(SW)、タッチパネル、マウス、キー
ボード、ジョイスティック及びフットスイッチなどから
なる操作者インターフェース22は、操作者21が種々
の指令をシステム制御器20に入力するために使用され
る。操作者21の指示内容は、例えば、撮影条件(静止
画/動画、X線管電圧、管電流及びX線照射時間な
ど)、撮影タイミング、画像処理条件、被検者ID及び
取込み画像の処理方法などがある。撮像制御器24は、
X線室10に置かれるX線撮像系を制御し、画像処理器
26はX線室10のX線撮像系による画像を画像処理す
る。画像処理器26における画像処理は、例えば、画像
データの補正、空間フィルタリング、リカーシブ処理、
階調処理、散乱線補正及びダイナミックレンジ(DR)
圧縮処理などである。
【0035】28は、画像処理器26により処理された
基本画像データを記憶する大容量高速の記憶装置であ
り、例えば、(RAID)等のハードディスクアレーか
らなる。30は映像を表示するモニタディスプレイ(以
下、モニタと略す。)、32はモニタ30を制御して種
々の文字及び画像を表示させる表示制御器、34は、大
容量の外部記憶装置(例えば、光磁気ディスク)、36
はX線制御室12の装置と診断室14の装置を接続し、
X線室10での撮影画像などを診断室14の装置に転送
するLANボードである。
【0036】X線室10には、X線を発生するX線発生
器40が置かれる。X線発生器40は、X線を発生する
X線管球42、撮像制御器24により制御されてX線管
球42を駆動する高圧発生源44、及びX線管球42に
より発生されたX線ビームを所望の撮像領域に絞り込む
X線絞り46からなる撮影用寝台48上に被検体として
の患者50が横たわる。撮影用寝台48は、撮像制御器
24からの制御信号に従って駆動され、X線発生器40
からのX線ビームに対する患者の向きを変更できる。撮
影用寝台48の下には、被検体50及び撮影用寝台48
を透過したX線ビームを検出するX線検出器52が配置
されている。
【0037】X線検出器52は、グリッド54、シンチ
レータ56、光検出器アレー58及びX線露光量モニタ
60の積層体と、光検出器アレー58を駆動する駆動器
62とからなる。グリッド54は、被検体50を透過す
ることによって生じるX線散乱の影響を低減するために
設けられている。グリッド54はX線低吸収部材と高吸
収部材とから成り、例えば、ALとPbのストライプ構
造から構成される。光検出器アレー58とグリッド54
との格子比の関係によりモアレが生じていることがない
ように、X線照射時には、X線検出器52は、撮像制御
器24からの設定に基づいて駆動器62の制御信号に従
いグリッド54を振動させる。
【0038】シンチレータ56では、エネルギーの高い
X線によって蛍光体の母体物質か励起(吸収)され、そ
の再結合エネルギーにより可視領域の蛍光が発生する。
即ち、X線を可視光に変換する。その蛍光はCaWo4
やCdWo4などの母体自身によるものや、CsI:T
iやZnS:Agなどの母体内に付加された発光中心物
質によるものがある。光検出器アレー58は、シンチレ
ータ56による可視光を電気信号に変換する。
【0039】また、本実施形態では、シンチレータ56
と光検出器アレー58とを別々の構成としたが、勿論、
直接X線を電子に変換する検出器で構成するものにも適
用される。例えば、アモルファスSeやPbI2などの
受光部とアモルファスシリコンTFTなどからなる放射
線(X線)検出器である。
【0040】X線露光量モニタ60は、X線透過量を監
視する目的で配置される。X線露光量モニタ60として
は、結晶シリコンの受光素子などを用いて直接X線を検
出しても良いし、シンチレータ56による蛍光を検出し
てもよい。本実施形態では、X線露光量モニタ60は、
光検出器アレー58の基板裏面に成膜されたアモルファ
ス・シリコン受光素子からなり、光検出器アレー58を
透過した過視光(X線量に比例)を検知して、その光量
情報を撮像制御器24に伝達する撮像制御器24は、X
線露光量モニタ60からの情報に基づいて高圧発生電源
40を制御し、X線量を調節する。
【0041】駆動器62は、撮像制御器24の制御下で
光検出器アレー58を駆動し、各画素から信号を読み出
す。光検出器アレー58及び駆動器62の動作について
は、後で詳細に説明する。
【0042】診断室14には、LANボード36からの
画像を画像処理したり診断支援する画像処理端末70、
LANボード36からの画像(動画像/静止画)を映像
表示モニタ72、イメージ・プリンタ74及び画像デー
タを格納するファイルサーバ76が設けられている。
【0043】なお、システム制御器20からの各機器に
対する制御信号は、X線制御室12内の操作者インター
フェース22、或いは、診断室14内にある画像処理端
末70からの指示により発生可能である。
【0044】次に、システム制御器20の基本的な動作
を説明する。システム制御器20は、X線撮像系のシー
ケンスを制御する撮像制御器24に、操作者21の指示
に基づいて撮影条件を指令し、撮像制御器24はその指
令に基づき、X線発生器40、撮影用寝台48及びX線
検出器52を駆動して、X線像を撮影させる。X線検出
器52から出力されるX線画像信号は、画像処理器26
に供給され、操作者21指定の画像処理を施されてモニ
タ30に画像表示され、同時に、基本画像データとして
記憶装置28に格納される。システム制御器20は更
に、操作者21の指示に基づいて、再画像処理とその結
果の画像表示、ネットワーク上の装置への画像データの
転送、保存、映像表示及びフィルム印刷等を実行する。
【0045】次に、信号の流れに従って、図1に示すシ
ステムの基本的な動作を説明する。X線発生器40の高
圧電圧源44は、撮像制御器24からの制御信号に従い
X線管球42にX線発生のための高圧を印加する。これ
により、X線管球42はX線ビームを発生する。発生さ
れたX線ビームはX線絞り46を介して被検体たる患者
50に照射される。X線絞り46は、X線ビームを照射
すべき位置に応じて撮像制御器24により制御される。
即ち、X線絞り46は、撮像領域の変更に伴い、不必要
なX線照射を行わないようにX線ビームを整形する。
【0046】X線発生器40が出力するX線ビームは、
X線透過性の撮影用寝台48の上に横たわった被検体5
0、及び撮影用寝台48を透過してX線検出器52に入
射する。なお、撮影用寝台48は、被検体の異なる部位
又は方向でX線ビームが透過するように撮像制御器24
により制御される。
【0047】X線検出器52のグリッド54は、被検体
50を透過することによって生じるX線散乱の影響を低
減する。撮像制御器24は、光検出器アレー58とグリ
ッド54との格子比の関係によりモアレが生じないよう
に、X線照射時にグリッド54を振動させる。シンチレ
ータ56では、エネルギーの高いX線によって蛍光体の
母体物質が励起(X線を吸収)され、その際に発生する
再結合エネルギーにより可視領域の蛍光を発生する。シ
ンチレータ56に隣接して配置された光検出器アレー5
8は、シンチレータ56で発生する蛍光を電気信号に変
換する。
【0048】即ち、シンチレータ56がX線像を過視光
像に変換し、光検出器アレー58が過視光像を電気信号
に変換する。X線露光量モニタ60は、光検出器アレー
58を透過した過視光(X線量に比例)を検出し、その
検出量情報を撮像制御器24に供給する。撮像制御器2
4は、このX線露光量情報に基づき高圧発生電源44を
制御して、X線を遮断又は調節する。駆動器62は、撮
像制御器24の制御下で光検出器アレー58を駆動し、
各光検出器から画素信号を読み出す。光検出器アレー5
8と駆動器62の詳細については、後述する。
【0049】X線検出器52から出力される画素信号
は、X線制御室12内の画像処理器26に印加される。
X線室10内はX線発生に伴うノイズが大きいので、X
線検出器52から画像処理器26への信号伝送路は耐雑
音性の高いものである必要があり、具体的には、高度の
誤り訂正機能を具備するディジタル伝送系としたり、差
動ドライバによるシールド付きより対線又は光ファイバ
を用いることが望ましいことはいうまでもない。
【0050】画像処理器26は、詳細は後述するが、シ
ステム制御器20からの指令に基づき画像信号の表示形
式を切り換える。その他には、画像信号の補正、空間フ
ィルタリング及びリカーシブ処理などをリアルタイムで
行ない、階調処理、散乱線補正及びDR圧縮処理などを
実行できる。画像処理器26により処理された画像は、
モニタ30の画面に表示される。
【0051】リアルタイム画像処理と同時に、画像補正
のみが施された画像情報(基本画像)は、記憶装置28
に保存される。また、操作者21の指示に基づいて、記
憶装置28に格納される画像情報は、所定の規格(例え
ば、Image Save&Carry(IS&C))
を満たすように再構成された後に、外部記憶装置34及
びファイル・サーバ76内のハードディスクなどに格納
される。
【0052】X線制御室12の装置は、LANボード3
6を介してLAN(又はWAN)に接続する。LANに
は、複数のX線撮像システムを接続できることは勿論で
ある。LANボード36は、所定のプロトコル(例え
ば、Digital Imagingand Comm
unications in Medicine(DI
COM))に従って、画像データを出力する。LAN
(又はWAN)に接続されたモニタ72の画面にX線画
像を高解像静止画及び動画を表示することにより、X線
撮影とほぼ同時に、医師によるリアルタイム遠隔診断が
可能になる。
【0053】図2は、光検出器アレー58の構成単位の
等価回路図である。1つの素子は、光検出部80と電荷
の蓄積及び読み取りを制御するスイッチング薄膜トラン
ジスタ(TFT)82とからなり、一般には、ガラス基
板上にアモルファスシリコン(a−Si)により形成さ
れる。光検出部80は更に、光ダイオード80aとコン
デンサ80bの並列回路、及び、前記コンデンサ80b
と直列に接続されたコンデンサ80cとからなる。ま
た、光電効果による電荷を定電流源81として記述して
いる。コンデンサ80bは光ダイオード80aの寄生容
量でも、光ダイオード80aのダイナミックレンジを改
善する追加的なコンデンサでもよい。光検出部80の共
通バイアス電極(以下D電極)はバイアス配線Lbを介
してバイアス電源84に接続する。光検出部80のスイ
ッチングTFT82側電極(以下G電極)は、スイッチ
ングTFT82を介してコンデンサ86及び電荷読出し
用プリアンプ88に接続する。プリアンプ88の入力は
また、リセット用スイッチ90及び信号線バイアス電源
91を介してアースに接続する。
【0054】ここで、図3を用いて光検出部80のデバ
イス動作について説明する。図3(a),(b)はそれ
ぞれ本実施形態のリフレッシュ及び光電変換モード動作
を示す光電変換素子のエネルギバンド図であり、各層の
厚さ方向の状態を表している。301はCrで形成され
た下部電極(G電極)である。302は電子、ホール共
に通過を阻止するSiNからなる絶縁層であり、その厚
みは、トンネル効果により電子、ホールが移動できない
ほどの厚みである50nm程度以上に設定される。30
3は水素化アモルファスシリコン(a−Si)の真性半
導体i層で形成された光電変換半導体層、304は光電
変換半導体層303へのホールの注入を阻止するa−S
iのn層の注入阻止層、305はAlで形成される上部
電極(D電極)である。本実施例ではD電極はn層を完
全には覆っていないがD電極とn層との間は電子の移動
が自由に行われるためD電極とn層の電位は常に同電位
であり、以下の説明ではそれを前提としている。光電変
換素子にはD電極、G電極の電圧の印加の仕方によりリ
フレッシュモードと光電変換モードとの2種類の動作が
ある。
【0055】図3(a)において、D電極はG電極に対
して負の電位が与えられており、i層303中の黒丸で
示されたホールは電界によりD電極に導かれる。同時に
白丸で示された電子はi層303に注入される。このと
き、一部のホールと電子はn層304、i層303にお
いて再結合して消滅する。十分に長い時間、この状態が
続けば、i層303内のホールはi層304から掃き出
される。
【0056】この状態から光電変換モードの図3(b)
にするには、D電極に、G電極に対する正の電位を与え
る。すると、i層303中の電子は瞬時にD電極に導か
れる。しかしながら、ホールはn層304が注入阻止層
として働くため、i層303に導かれる事はない。この
状態でi層303に光が入射すると、光は吸収され電子
・ホール対が発生する。この電子は電界によりD電極に
導かれ、ホールはi層303内を移動し、i層303と
絶縁層302との界面に達する。ところが、絶縁層30
2内には移動できないため、i層303内の絶縁層30
2界面に移動し、素子内の電気的中性を保つため電流が
G電極から流れる。この電流は光により発生した電子・
ホール対に対応するため、入射した光に比例する。
【0057】ある期間、光電変換モードの図3(b)の
状態を保った後、再びリフレッシュモードの図3(a)
の状態になると、i層303に留まっていたホールは前
述のようにD電極に導かれ、同時にこのホールに対応し
た電流が流れる。このホールの量は光電変換モード期間
に入射した光の総量に対応する。この時、i層303内
に注入される電子の量に対応した電流も流れるが、この
量はおよそ一定なため差し引いて検出すればよい。つま
り、本実施例においての光電変換素子はリアルタイムに
入射する光の量を出力すると同時に、ある期問に入射し
た光の総量も出力する事もできる。
【0058】しかしながら、何等かの理由により光電変
換モードの期間が長くなったり、入射する光の照度が強
い場合、光の入射があるにもかかわらず電流が流れない
事がある。これは図3(c)のように、i層303内に
ホールが多数留まり、このホールのためi層303内の
ホールと再結合してしまうからである。この状態で光の
入射の状態が変化すると、電流が不安定に流れる事もあ
るが、再びリフレッシュモードにすればi層303のホ
ールは掃き出され、次の光電変換モードでは再び光に比
例した電流が流れる。
【0059】また、前述の説明において、リフレッシュ
モードでi層303内のホールを掃き出す場合、全ての
ホールを掃き出すのが理想的であるが、一部のホールを
引き出すだけでも効果はあり、前述と等しい電流が得ら
れ、問題はない。つまり、次の光電変換モードでの検出
機会において図3(c)の状態になっていなければよ
く、リフレッシュモードでのD電極のG電極に対する電
位、リフレッシュモードの期間及びn層304の注入阻
止層の特性を決めればよい。
【0060】また、更にリフレッシュモードにおいてi
層303への電子の注入は必要条件ではなく、D電極の
G電極に対する電位は負に限定されるものでもない。ホ
ールが多数i層303に留まっている場合には、たとえ
D電極のG電極に対する電位が正であっても、i層30
3内の電界はホールをD電極に導く方向に加わるからで
ある。n層304の注入阻止層の特性も同様に電子をi
層303に注入できる事が必要条件ではない。
【0061】図2に戻り、1画素の信号の読み出しにつ
いて述べる。先ず、スイッチングTFT82とリセット
用スイッチ90を一時的にオンにし、バイアス電源84
をリフレッシュモード時の電位に設定する。コンデンサ
80b,80cがリセットされた後に、バイアス電源8
4を光電変換モード時の電位に設定し、スイッチングT
FT82とリセット用スイッチ90を順次オフにする。
その後、X線を発生させて、被検体50に曝射する。シ
ンチレータ54が被検体50を透過してX線像を可視光
線像に変換し、光ダイオード80aは、その可視光線像
により導通状態になり、コンデンサ80bの電荷を放電
させる。スイッチングTFT82をオンにして、コンデ
ンサ80bとコンデンサ86を接続する。これにより、
コンデンサ80cの情報がコンデンサ86にも伝達され
る。プリアンプ88によりコンデンサ86の蓄積電荷に
よる電圧の増幅、もしくは点線で示されたコンデンサ8
9により電荷一電圧変換され、外部に出力される。
【0062】図4は、光検出器アレー58の構成単位の
等価回路図である。1つの素子は、光検出部80と電荷
の蓄積及び読み取りを制御するスイッチング薄膜トラン
ジスタ(TFT)82とからなり、一般には、ガラス基
板上にアモルファスシリコン(a−Si)により形成さ
れる。光検出部80は更に、光ダイオード80aとコン
デンサ80bの並列回路からなり、光電効果による電荷
を定電流源81として記述している。コンデンサ80b
は光ダイオード80aの寄生容量でも、光ダイオード8
0aのダイナミックレンジを改善する追加的なコンデン
サでもよい。光検出部80(光ダイオード80a)のカ
ソードは共通電極(D電極)であるバイアス配線Lbを
介してバイアス電源85に接続する。光検出部80(光
ダイオード80a)のアノードは、ゲート電極(G電
極)からスイッチングTFT82を介してコンデンサ8
6及び電荷読出し用プリアンプ88に接続する。プリア
ンプ88の入力はまた、リセット用スイッチ90及び信
号線バイアス電源91を介してアースに接続する。
【0063】先ず、スイッチングTFT82とリセット
用スイッチ90を一時的にオンにして、コンデンサ80
bをリセットし、スイッチングTFT82とリセット用
スイッチ90をオフにする。その後、X線を発生させ
て、被検体50に曝射する。シンチレータ54が被検体
50を透過してX線像を可視光線像に変換し、光ダイオ
ード80aは、その可視光線像により導通状態になり、
コンデンサ80bの電荷を放電させる。スイッチングT
FT82をオンにして、コンデンサ80bとコンデンサ
86を接続する。これにより、コンデンサ80bの放電
量の情報がコンデンサ86にも伝達される。プリアンプ
88によりコンデンサ86の蓄積電荷による電圧の増
幅、もしくは点線で示されたコンデンサ89により電荷
一電圧変換され、外部に出力される。
【0064】次に、図2、図4に示す光電変換素子を2
次元に拡張して構成した場合の光電変換動作を説明す
る。図5は、2次元配列の光電変換素子を具備する光検
出器アレー58の等価回路図である。2次元読み出し動
作は前記2種類の等価回路において同様であるので、図
5は、図4に示した等価回路を用いて現している。
【0065】光検出器アレー58は、2000×200
0〜4000×4000程度の画素から構成され、アレ
ー面積は200mm×200mm〜500mm×500
mm程度である。図3では、光検出器アレー58は40
96×4096の画素から構成され、アレー面積は43
0mm×430mmである。従って、1画素のサイズは
約105μm×105μmである。横方向に配置した4
096個の画素を1ブロックとし、4096個のブロッ
クを縦方向に配置して、2次元構成としている。
【0066】図5では、4096×4096画素からな
る光検出器アレーを1枚の基板で構成しているが、20
48×2048画素を持つ4枚の光検出器アレーを組み
合わせてもよいことは勿論である。この場合、4つの光
検出器アレーを組み付ける手間がかかるものの、各光検
出器アレーの歩留まりが向上するので、全体としても歩
留まりが向上するという利点がある。
【0067】図2、図4で説明したように、1画素は、
1つの光検出部80とスイッチングTFT82とからな
る。光電変換素子PD(1,1)〜(4096,409
6)は光検出部80に対応し、転送用スイッチSW
(1,1)〜(4096,4096)はスイッチングT
FT82に対応する。光電変換素子PD(m,n)のゲ
ート電極(G電極)は、対応するスイッチSW(m,
n)を介してその列に対する共通の列信号線Lcmに接
続する。例えば、第1列の光電変換素子PD(1,1)
〜(4096,1)は、第1の列信号線Lc1に接続す
る。各光電変換素子PD(m,n)の共通電極(D電
極)は全て、バイアス配線Lbを介してバイアス電源8
5に接続する。
【0068】同じ行のスイッチSW(m,n)の制御端
子は、共通の行選択線Lrnに接続する。例えば、第1
行のスイッチSW(1,1)〜(1,4096)は、行
選択線Lr1に接続する。行選択線Lr1〜4096
は、ラインセレクタ92を介して撮像制御器24に接続
する。
【0069】ラインセレクタ92は、撮像制御器24か
らの制御信号を解読し、どのラインの光電変換素子の信
号電荷を読み出すべきかを決定するアドレスデコーダ9
4と、アドレスデコーダ94の出力に従って開閉される
4096個のスイッチ素子96から構成される。この構
成により、任意のラインLrnに接続するスイッチSW
(m,n)に接続する光電変換素子PD(m,n)の信
号電荷を読み出すことができる。ラインセレクタ92
は、最も簡単な構成としては、単に液晶ディスプレイな
どに用いられているシフトレジスタによって構成しても
よい。
【0070】列信号線Lc1〜4096は、撮像制御器
24により制御される信号読出し回路100に接続す
る。信号読出し回路100で、102−1〜4096は
リセット用スイッチであり、それぞれ列信号線Lc1〜
4096をリセット基準電位101にリセットする。1
06−1〜4096は、それぞれ列信号線Lc1〜40
96からの信号電位を増幅するプリアンプ、108−1
〜4096はそれぞれプリアンプ106−1〜4096
の出力をサンプルホールドするサンプルホールド(S/
H)回路108−1〜4096の出力を時間軸上で多重
化するアナログ・マルチプレクサ、112はマルチプレ
クサ110のアナログ出力をディジタル化するA/D変
換器である。A/D変換器112の出力は画像処理器2
6に供給される。
【0071】図5に示す光検出器アレーでは、4096
×4096個の画素を列信号線Lc1〜4096により
4096個の列に分け、1行あたりの4096画素の信
号電荷を同時に読み出し、各列信号線Lc1〜409
6、プリアンプ106−1〜4096及びS/H回路1
08−1〜4096を介してアナログ・マルチプレクサ
110に転送し、ここで時間軸多重化して、順次、A/
D変換器112によりディジタル信号に変換する。
【0072】図5では、信号読出し回路100が、1つ
のA/D変換器112のみを具備するように図示されて
いるが、実際には4〜32系統で同時にA/D変換を実
行する。これは、アナログ信号帯域とA/D変換レート
を不必要に大きくすることなく、画像信号の読み取り時
間を短くすることが要求されるためである。信号電荷の
蓄積時間とA/D変換時間とは密接な関係にある。高速
にA/D変換を行なうと、アナログ回路の帯域が広くな
り所望のS/Nを達成することが難しくなるので、通常
は、A/D変換速度を不必要に速くすることなく、画像
信号の読み取り時間を短くすることが要求される。多く
のA/D変換器でマルチプレクサ110の出力をA/D
変換すればよいが、A/D変換器の数を増せば、それだ
け、コストが高くなる。よって、上述の点を考慮して適
当な数のA/D変換器を用いる。
【0073】X線の照射時間はおよそ10〜500ms
ecであるので、全画面の取り込み時間あるいは電荷蓄
積時間を100msecのオーダーあるいはやや短めに
することが適当である。
【0074】例えば、全画素を順次駆動して、100m
secで画像を取り込むためには、アナログ信号帯域を
50MHz程度にし、例えば、10MHzのサンプリン
グレートでA/D変換を行なうと、最低でも4系統のA
/D変換器が必要になる。本実施形態は、16系統で同
時にA/D変換を行なう。16系統のA/D変換器の出
力はそれぞれに対応する16系統の図示しないメモリ
(FIFOなど)に入力される。そのメモリを選択して
切り替えることにより、連続した1ラインの走査線にあ
たる画像データが画像処理器26に転送される。
【0075】図6はセンサ読み出しの概要を示すタイミ
ングチャートであり、図5と併せて1回のX線照射によ
り静止画撮像を行う場合の二次元駆動について述べる。
【0076】601は、X線への曝射要求制御信号、6
02はX線の曝射状態、603はセンサ内電流源81の
電流、604は行選択線Lrnの制御状態、605はA
D変換器112へのアナログ入力をそれぞれ模式的に現
している。
【0077】図2参照の等価回路センサでは、先ず、駆
動器62はバイアス配線をリフレッシュモード時のバイ
アス値Vrにし、全ての列信号配線Lc1〜4096
を、列信号配線Lcの初期バイアス値に初期化するため
にリセット基準電位101に接続し、全ての行選択配線
Lr1〜4096に正電圧Vghを印加する。すると、
SW(1,1)〜(4096,4096)がONし、全
ての光電変換素子のG電極はVbtに、D電極はVrに
リフレッシュされる。
【0078】その後、駆動器62はバイアス配線Lbを
光電変換時のバイアス値Vsにし、全ての列信号配線L
c1〜4096をリセット基準電位101から開放に
し、SW(1,1)〜(4096,4096)をオフに
するために全ての行選択配線Lr1〜4096に電圧V
g1を印加する。これにより、光電変換モードヘ移行す
る。
【0079】ここからは図2、図4参照のそれぞれの等
価回路センサに共通の動作であるので、同時に説明を加
える。バイアス配線を光電変換時のバイアス値Vsのま
ま、全ての列信号配線Lcをリセット基準電位101に
接続し、列信号線をリセットする。その後、行選択配線
Lr1に正電圧Vghを印加し、SW(1,1)〜
(1,4096)をオンとし、第1列の光電変換素子の
G電極をVbtにリセットする。次に行選択配線Lr1
を正電圧Vg1にしてSW(1,1)〜(1,409
6)をオフとする。行の選択を順次繰り返し、全ての画
素のリセットを行い撮影準備が完了する。以上の動作は
信号電荷の読み出し操作と同じであり、信号電荷を取り
込むか否かの差しかないので、このリセット操作を以後
「空読み」と呼ぶ。この空読み動作中で、行選択配線L
rを全て同時にVghにする事は可能であるが、この場
合では読み出し準備完了時に、信号配線電位がリセット
電圧Vbtから大きくずれることなり、高S/Nの信号
を得ることが難しい。また、前述の例では、行選択配線
Lrを1から4096ヘリセットしたが、撮像制御器2
4の設定に基づいた駆動器62の制御により任意の順番
でリセットを行うことが可能である。
【0080】空読み動作を繰り返して、X線の曝射要求
を待つ。曝射要求が発生すると、画像取得準備のため
に、再度空読み動作を行い、X線曝射に備える。画像取
得準備が整った時に、撮像制御機24の指示に従いX線
が曝射される。
【0081】X線曝射後、光電変換素子80の信号電荷
を読み出す。まず、光電変換素子アレーのある行(例え
ばLr1)に対する行選択配線LrにVghを印加し、
蓄積電荷信号を信号配線Lc1〜4096に出力する。
列信号配線Lc1〜4096から1列ずつ4096画素
分の信号を同時に読み出す。
【0082】次に、異なる行選択配線Lr(例えばLr
2)にVghを印加し、蓄積電荷信号を信号配線Lc1
〜4096に出力する。列信号配線Lc1〜4096か
ら1列ずつ4096画素分の信号を同時に読み出す。こ
の動作を4096の列信号配線に順次繰り返す事によ
り、すべての画像情報を読み出す。
【0083】上記動作中、各センサの電荷蓄積時間はリ
セット動作が完了した時、即ち空読み時のTFT82を
オフとしてから、次に電荷読み出しが行われるためにT
FT82がオンにするまでの間である。従って、各行選
線毎に蓄積時間・時刻が異なる。
【0084】X線画像を読み出した後、補正用画像を取
得する。これは、X線画像の補正に使用するためであ
り、高画質の画像を取得するために必要な補正データで
ある。基本的な画像取得方法はX線を曝射しない点以外
は同じである。電荷蓄積時間は、X線画像を読み出す際
と、補正画像を読み出す際とで同じにする。
【0085】また、高分解能の画像情報が必要でない場
合や画像データ取り迅速度を速くしたい場合には、すべ
ての画像情報を常に取り込む必要はなく、操作者21の
撮影方法の選択により、撮像制御器24は、間引き、画
素平均、領域抽出の駆動指示を駆動器62に設定する。
【0086】間引きを行うには、まず、行選択配線Lr
1を選択し、列信号配線Lcから信号を出力する際に、
例えばLc2n−1(n:自然数)のnを0から一つず
つ増加させるように1列の読み出しを行い、その後、行
を選択する際、行選択配線Lr2m−1(m:自然数)
のmを1から一つずつ増加させて、1行の信号を読み出
す事により行われる。この例では画素数を1/4に間引
いたことになるが、撮像制御器24の設定指示に従って
駆動器62は、1/9,1/16などに画素数を間引
く。
【0087】また、画素平均について、上述の動作中、
行選択配線Lr2mとLr2m+1とに同時にVghを
印加する事により、TFT2m,2nとTFT2m+
1,2nとが同時にターンオンし、列方向の2画素のア
ナログ加算を行う事が可能である。これは2画素の加算
に限ったものではなく、列信号配線方向の複数画素のア
ナログ加算を容易に行う事ができることを表している。
更に、行方向の加算については、A/D変換出力後に隣
り合う画素(Lc2nとLc2n+1)をディジタル加
算する事により、上述のアナログ加算と合わせて、2×
2の正方形画素の加算値を得る事ができる。これによ
り、照射されたX線を無駄にすることなく、高速にデー
タを読み出す事が可能である。その他、総画素数を減ら
して高速化を目指す方法として、画像の取込領域を制限
する方法がある。
【0088】これは、操作者21が必要な領域を操作者
インターフェース22から入力し、それに基づいて撮像
制御器24は駆動器62に指示を出し、駆動器62はデ
ータ取込範囲を変更して二次元検出器アレーを駆動す
る。
【0089】本実施形態では、高速取込モードでは10
24×1024の画素を30F/Sで取り込む。即ち、
2次元検出器アレーの全領域では4×4画素の加算処理
を行い、1/16に間引き、最も小さい範囲では102
4×1024の領域で間引きなしで撮像する。このよう
に撮像する事で、ディジタルズーム画像が得られる。
【0090】図7は、X線検出器52の撮像動作を含む
タイミングチャートである。図7を中心にX線検出器5
2の動作について説明する。701は操作者インターフ
ェース22に対する撮像要求信号、702は実X線曝射
状態、703は操作者21の指示に基づいた撮像制御器
24から駆動器62への撮影要求信号、704はX線検
出器52の撮影レディ信号、705はグリッド54の駆
動信号、706はX線検出器52内のパワー制御信号、
707はX線検出器の駆動状態(特に光検出器アレー5
8からの電荷読み出し動作)をそれぞれ現している。7
08は画像データの転送状態や、画像処理や表示の状態
を概念的に表している。
【0091】操作者21からの検出器準備要求または撮
影要求があるまで駆動器62は706に示すようにパワ
ー制御をオフ状態で待機する。具体的には、図5におい
て、行選択線Lr、列信号線Lc、バイアス配線Lbの
電位を図示しないスイッチにより同電位(特に信号GN
Dレベル)に保ち、光検出器アレー58にバイアスを印
加しない。更には、信号読出し回路100、ラインセレ
クタ92、バイアス電源84または85を含む電源を遮
断することにより、前記行選択線Lr、列信号線Lc、
バイアス配線Lbの電位をGND電位に保っても良い。
【0092】操作者21の操作者インターフェース22
に対する撮影準備の要求指示(701:1stSW)に
より、撮像制御器24はX線発生器40を撮影レディ状
態に遷移させるとともに、X線検出器52に対して撮影
準備状態へ移行させる指示を出す。指示を受けた駆動器
62は光検出器アレー58にバイアスを印加するととも
に、(リフレッシュ及び)空読みフレームFiを繰り返
す。要求指示は、例えば、X線発生装置への曝射要求S
Wの1stスイッチ(通常は管球のロータアップなどが
開始される。)や、X線検出器52が撮影準備のために
所定時間(数秒以上)を要する場合などは、X線検出撃
52の準備を開始するための指示である。この場合、操
作者21が、X線検出器52に対して意識的に撮影準備
の要求指示を出さなくても良い。即ち、操作者インター
フェース22に対して、患者情報、撮影情報などが入力
されたことをもって、撮像制御機24は検出器準備の要
求指示と解釈して、X線検出器52を検出器準備状態へ
移行させても良い。
【0093】検出器準備状態では、光電変換モードにお
いて、空読み後、光検出部80に暗電流が徐々に蓄積さ
れてコンデンサ80b(c)が飽和状態で保持されるこ
とを避けるため、(リフレッシュR及び)空読みフレー
ムFiを所定間隔で繰り返す。この操作者21からの撮
影準備要求が有りながら実際のX線曝射要求が発生して
いない期間に行う駆動、即ち、検出器準備状態に行う空
読みフレームFiを所定時間間隔T1で繰り返す駆動を
以後「アイドリング駆動」と呼び、アイドリング駆動を
行っている検出器準備状態の期間を「アイドリング駆動
期間」と呼ぶ。このアイドリング駆動期間は、どの程度
続くかが実使用上、未定義(未規定)のため、光検出器
アレー58(特にTFT82)に負荷のかかる読み出し
動作は極力少なくすることを考慮して、T1は通常の撮
影動作時よりも長く設定し、通常の読み出し駆動Frよ
りもTFT82のON時間の短いアイドリング専用空読
みフレームFiを行う。また、リフレッシュR動作が必
要なセンサの場合には、空読みフレームFi数回に対し
て1回リフレッシュR動作を行うようにする。
【0094】次に、X線検出器52を中心としたX線画
像取得について述べる。X線検出器52のX線画像取得
時の駆動は大きく二つの画像取得からなる。707に示
した通り、1つはX線画像取得駆動であり、残りは補正
用暗画像取得駆動である。それぞれの駆動は概ね同じで
あり、X線曝射が行われる動作が有るか否かが主な違い
である。更にそれぞれの駆動とも、撮像準備シーケン
ス、電荷蓄積(曝射ウインドウ)、画像読み出しの3つ
の部分から構成される。
【0095】以下順を追ってX線画像取得について述べ
る。操作者21から操作者インターフェース22に対す
る撮影要求指示(701:2ndSW)により、撮像制
御器24はX線発生器40とX線検出器52との同期を
取りながら撮影動作を制御する。撮影要求指示(70
1:2ndSW)に従いX線曝射要求信号703に示す
タイミングでX線検出器に対し、撮像要求信号をアサー
トする。駆動器は撮像要求信号に呼応して撮像駆動状態
707に示すように所定の撮像準備シーケンス駆動を行
う。
【0096】具体的には、リフレッシュが必要な場合は
リフレッシュを行い、そして、撮像シーケンスのための
電荷吐き出し空読みフレームFPを所定回数及び電荷蓄
積開始専用空読みフレームFPfを行って、電荷蓄積状
態(撮像ウインドウ:T4)に遷移する。その際、撮像
シーケンスのための電荷吐き出し空読みフレームFpの
回数及び時間間隔T2は、撮像制御機24から撮像要求
に先んじて予め設定された値に基づいて行う。これは操
作者21の要求により、操作性重視なのか画質重視なの
か、または撮像部位により自動的に最適な駆動を選択し
て切り替える。
【0097】通常は、曝射要求に対する応答性を向上さ
せるために、1ms程度の短時間で駆動する。曝射要求
から撮影準備完了までの期間(T3)は所用時間が短い
ことが実使用上要求されるので、そのために撮像準備シ
ーケンス電荷吐き出し空読みフレームFpを行う。さら
に、アイドリング駆動のいかなる状態からも曝射要求が
発生した場合は、即時に撮像準備シーケンス駆動に入る
ことにより曝射要求から撮影準備完了までの期間(T
3)を短くすることにより、操作性の向上を図る。
【0098】駆動器62は、検出器アレー58の撮像準
備を行うのと同期して、グリッド54を移動させ始め
る。これは実X線曝射702に同期してグリッドを最適
な移動状態で撮像を行うためである。この場合も、駆動
器62は撮像制御器により設定された、最適グリッド移
動開始タイミング、最適グリッド移動速度で動作する。
【0099】本実施形態では、グリッド54の動作によ
る振動を問題としているため、加速度の変化が小さくな
るようにグリッド54の始動を制御するとともに、振動
の影響を受けやすい電荷蓄積開始専用空読みフレームF
pfを行う際にはグリッド54は定速運動を行うように
制御することが望ましい。
【0100】X線検出器52の撮像準備が整った時点
で、駆動器62は撮像制御器24に対し、X線検出器レ
ディ信号704を返し、撮像制御器24はこの信号の遷
移を元にして、X線発生要求信号702としてX線発生
器40にアサートする。X線発生器40は、X線発生要
求信号702が与えられている間、X線を発生する。所
定X線量を発生したら撮像制御器24はX線発生要求信
号702をネゲートするとともにX線撮像要求信号70
3をネゲートすることによりX線検出器52へ画像取得
タイミングを通知する。このタイミングを元にして、駆
動器62は直ちにグリッド54を静止し、それまで待機
状態だった信号読出し回路100の動作を開始させる。
グリッド54静止時間及び信号読み出し回路100の安
定のための所定ウェイト時間後、駆動器62に基づいて
X線検出器アレー58から画像データを読み出して画像
処理器26に生画像を取得する。転送が完了すると駆動
器62は読み出し回路100を再び待機状態に遷移させ
る。
【0101】本実施形態では、グリッド54の動作によ
る振動を問題としているため、最も振動ノイズの影響を
受けやすいX線画像取得フレームFrxo駆動前にグリ
ッド54が(静止を含む)定速運動をしていることが望
ましい。更に、X線検出器52内に振動を測定するため
の振動センサを取り付けて、グリッドもしくはその他の
要因による振動が所定値以下に収まったことを確認した
後に、X線画像取得フレームFrxo駆動を開始しても
良い。
【0102】引き続き、X線検出器52は補正画像取得
する。即ち、先の撮像のための撮像シーケンスを繰り返
し、X線照射の無い暗画像を取得し、画像処理器26に
補正用暗画像を転送する。
【0103】この時、撮像シーケンスは撮影の度にX線
曝射時間など若干異なる可能性が有るが、それも含めて
全く同じ撮影シーケンスを再現して暗画像を取得するこ
とにより、より高画質な画像が得られる。但し、グリッ
ド54の動作はこの限りでなく、暗画像取得時には振動
の影響を抑えるために静止させておく。暗画像取得後、
画質に影響しない所定のタイミングでグリッド54の初
期化動作を行う。
【0104】図8は画像処理器26であり、画像データ
の流れを示している。801はデータパスを選択するマ
ルチプレクサ、802及び803はそれぞれX線画像用
及び暗画像用フレームメモリ、804はオフセット補正
回路、805はゲイン補正データ用フレームメモリ、8
06はゲイン補正用回路、807は欠陥補正回路、80
8はその他の画像処理回路を代表してそれぞれ現してい
る。
【0105】図7において、X線画像取得フレームFr
xoフレームで取得されたX線画像が、マルチプレクサ
801を経由してX線画像用フレームメモリ802に記
憶され、続いて補正画像取得フレームFrnoフレーム
で取得された補正画像が、同様にマルチプレクサ801
を経由し、暗略画像用フレームメモリ803に記憶され
る。暗画像の記憶完了から、オフセット補正回路804
によりオフセット補正(例えばFrxo−Frno)が
行われ、引き続き、予め取得されゲイン補正用フレーム
メモリに記憶してあるゲイン補正用データFgを用い
て、ゲイン補正回路806がゲイン補正(例えば、(F
rxo−Frno)/Fg)を行う。
【0106】引き続き、欠陥補正回路807に転送され
たデータは、不感画素や複数パネルで構成されたX線検
出器52のつなぎ目部位などに違和感を生じないように
画像を連続的に補間して、X線検出器52に由来するセ
ンサ依存の補正処理を完了する。更に、その他の画像処
理回路808にて、一般的な画像処理、例えば、階調処
理、周波数処理、強調処理などの処理を施した後、表示
制御機32に処理済データを転送して、モニタ30に撮
影画像を表示する。
【0107】本実施形態の第7図の専用フレームの駆動
を述べるにあたり、図9を用いて画像取得について再度
解説を加える。901−1,2,3,…はTFT用スイ
ッチ素子96−1,2,3,…の出力、902はプリア
ンプ106−nのアナログ出力、903はサンプルホー
ルド回路108−nの制御信号、904は列信号線Lc
のリセット用スイッチ102−nの制御信号をそれぞれ
現している。
【0108】まず、列信号線Lc−nをリセットしてお
き、信号電荷を列信号線Lc−nに出力可能な状態にし
ておく。次に、901−1をオンとして、行選択線Lr
−1を選択する。すると、電荷信号が列信号線Lc−n
に出力されプリアンプ出力902は受光線量に応じた出
力を出す。この信号出力が安定するまでの時間は、TF
T82の電荷転送能力(オン抵抗:数MΩ程度)、信号
線容量(コンデンサ86:数pF〜数十pF)などによ
って決まるが、本実施形態では、数10μs〜数100
μsの時間を要し、通常この期間TFTを導通状態とす
る。電荷転送の落ち着いた辺りでサンプルホールド回路
108−nを制御(903)して線量信号をサンプルホ
ールド回路108−nに取り込む。サンプルホールド以
降の取り込み系についてはここでは割愛する。
【0109】引き続き、行選択線Lr−2の電荷を読み
出すために、列信号線Lcをリセットする(904)。
リセットが完了するタイミングで、行選択線Lr−2を
選択する(901−2)。同様に線量に応じた電荷信号
が列信号では緯線Lc−nに出力される。以下、同様に
してLr−4096までの線量データを読み出す。空読
み動作では、上述の動作を、画像を取得しない場合に行
うことにより光検出器部80の電荷リセットを行うこと
になる。
【0110】図10は、電荷蓄積開始専用空読みフレー
ムFpf,X線画像取得フレームFrxo、補正画像取
得フレームFrnoを、図11はアイドリング専用空読
みフレームFiを、図12は撮像シーケンスのための電
荷吐き出し空読みフレームFpのTFT82の動作をそ
れぞれ示している。
【0111】X線画像取得フレームFrxoと補正画像
取得フレームFrnoとの駆動が同じであることは述べ
るまでも無いが、電荷蓄積開始専用空読みフレームFp
fでは、それぞれの行選択線のTFTがオフした後、そ
の行選択線Lrに接続された光検出器80の蓄積が開始
される。そのため、蓄積時間を各行間でそろえるために
は、必然的に画像取得フレームと電荷蓄積開始フレーム
とが同じ駆動であることを要する。
【0112】次に、アイドリング専用空読みフレームF
iでは、TFTのオン時間を短くするように駆動してい
る。図11では1ライン当たりの読み取り時間も半分に
している。これは、本実施例の場合、TFTのオン電圧
は12〜20Vであるのに対して、オフ電圧は−5V〜
GNDレベルであり、TFTのオン時間が長い方がTF
Tの閾値電圧が遷移し、TFT転送能力の性能劣化につ
ながる。
【0113】ここで、アイドリング駆動期間は実使用上
どれだけ続くかが不明であるため、出来るだけTFTの
オン時間が短い駆動が望ましい。図7で述べた通り、ア
イドリング専用空読みフレームFi間隔T1を長く(>
1秒)取ることは勿論、TFTのオン時間が短くなるよ
うにアイドリング専用空読みフレームFiでは通常撮影
駆動の半分の時間で駆動している。TFTのオン時間が
当然半分になっているが、転送される電荷は暗電流によ
るもののみのため、上述のような駆動でも特性上問題が
無い。参考までに図13に示したように、1ラインあた
りの時間は通常画像取得フレームと同じで、TFTのオ
ン時間のみが短くなるように駆動しても良い。また、リ
フレッシュR動作が必要なセンサの場合においても、暗
電流が蓄積されてセンサ飽和状態に達するまでには数分
から数十分の時間を要するので、アイドリング専用空読
みフレームFi複数回に対して1回の割合でリフレッシ
ュR動作を行えば良い。
【0114】撮像シーケンスのための電荷吐き出し空読
みフレームFPは、光検出部80内の電荷の吐き出しが
主な目的である点と、X線曝射までの時間を小さくする
ために、1ラインの駆動に要する時間は短く設定し(図
12では通常画像取得フレームの1/2)、電荷吐き出
しのためにTFTのオン時間は1ラインの駆動時間の全
体にわたるようにする。
【0115】以上説明したように、本実施形態によれ
ば、実使用上、規定が困難であるアイドリング駆動期間
が長く続いても、X線撮像装置(システム)の命短縮や
検出に関する諸特性の経年変化を抑止して信頼性の高い
撮像を実現することを可能がなる。
【0116】図14は、一般的なパーソナルユーザ端末
装置の内部構成を示す模式図である。図14において、
1200はコンピュータPCである。PC1200は、
CPU1201を備え、ROM1202またはハードデ
ィスク(HD)1211に記憶された、あるいはフレキ
シブルディスクドライブ(FD)1212より供給され
るデバイス制御ソフトウェアを実行し、システムバス1
204に接続される各デバイスを総括的に制御する。
【0117】上記PC1200のCPU1201、RO
M1202またはハードディスク(HD)1211に記
憶されたプログラムにより、本実施形態のX線撮像装置
(システム)を構成する各構成要素の機能が実現され
る。
【0118】1203はRAMで、CPU1201の主
メモリ、ワークエリア等として機能する。1205はキ
ーボードコントローラ(KBC)で、キーボード(K
B)1209や不図示のデバイス等からの指示入力を制
御する。
【0119】1206はCRTコントローラ(CRT
C)で、CRTディスプレイ(CRT)1210の表示
を制御する。1207はディスクコントローラ(DK
C)で、ブートプログラム(起動プログラム:パソコン
のハードやソフトの実行(動作)を開始するプログラ
ム)、複数のアプリケーション、編集ファイル、ユーザ
ファイルそしてネットワーク管理プログラム等を記憶す
るハードディスク(HD)1211、及びフレキシブル
ディスク(FD)1212とのアクセスを制御する。
【0120】1208はネットワークインタフエースカ
ード(NIC)で、LAN1220を介して、ネットワ
ークプリンタ、他のネットワーク機器、あるいは他のP
Cと双方向のデータのやり取りを行う。
【0121】本実施形態で説明したX線撮像方法の手順
は、コンピュータのRAMやROMなどに記憶されたプ
ログラムが動作することによって実現できる。このプロ
グラム及び当該プログラムを記録したコンピュータ読み
取り可能な記憶媒体は本発明の実施形態に含まれる。
【0122】具体的に、前記プログラムは、例えばCD
−ROMのような記録媒体に記録し、或いは各種伝送媒
体を介し、コンピュータに提供される。前記プログラム
を記録する記録媒体としては、CD−ROM以外に、フ
レキシブルディスク、ハードディスク、磁気テープ、光
磁気ディスク、不揮発性メモリカード等を用いることが
できる。他方、上記プログラムの伝送媒体としては、プ
ログラム情報を搬送波として伝搬させて供給するための
コンピュータネットワーク(LAN、インターネットの
等のWAN、無線通信ネットワーク等)システムにおけ
る通信媒体(光ファイバ等の有線回線や無線回線等)を
用いることができる。
【0123】また、コンピュータが供給されたプログラ
ムを実行することにより上述の実施形態の機能が実現さ
れるだけでなく、そのプログラムがコンピュータにおい
て稼働しているOS(オペレーティングシステム)ある
いは他のアプリケーションソフト等と共同して上述の実
施形態の機能が実現される場合や、供給されたプログラ
ムの処理の全てあるいは一部がコンピュータの機能拡張
ボードや機能拡張ユニットにより行われて上述の実施形
態の機能が実現される場合も、かかるプログラムは本発
明の実施形態に含まれる。
【0124】
【発明の効果】本発明の撮像装置及び撮像方法によれ
ば、実使用上、規定が困難であるアイドリング駆動期間
が長く続いても、装置の命短縮や検出に関する諸特性の
経年変化を抑止して信頼性の高い撮像を実現することが
できる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の一実施形態を示すX線撮像システムの
構成ブロック図である。
【図2】光検出器アレーの構成単位の等価回路図であ
る。
【図3】光検出部のデバイス動作について説明するため
の模式図である。
【図4】光検出器アレーの構成単位の等価回路図であ
る。
【図5】2次元配列の光電変換素子を具備する光検出器
アレーの等価回路図である。
【図6】センサ読み出しの概要を示すタイミングチャー
トである。
【図7】X線検出器の撮像動作を含むタイミングチャー
トである。
【図8】画像処理器の概略構成を示すブロック図であ
る。
【図9】専用フレームの駆動を説明するためのタイミン
グチャートである。
【図10】電荷蓄積開始専用空読みフレームFpf,X
線画像取得フレームFrxo、補正画像取得フレームF
rnoを示すタイミングチャートである。
【図11】アイドリング専用空読みフレームFiを示す
タイミングチャートである。
【図12】撮像シーケンスのための電荷吐き出し空読み
フレームFpのTFT82の動作を示すタイミングチャ
ートである。
【図13】1ラインあたりの時間は通常画像取得フレー
ムと同じとし、TFTのオン時間のみが短くなるように
駆動する一例を示すタイミングチャートである。
【図14】一般的なパーソナルユーザ端末装置の内部構
成を示す模式図である。
【符号の説明】
10:X線室 12:X線制御室 14:診断室 20:システム制御器 21:操作者 24:撮像制御器 26:画像処理器 30:モニタ 40:X線発生器 48:撮影用寝台 50:患者 52:X線検出器 54:グリッド 58:光検出器アレー 62:駆動器 80:光検出部 82:スイッチング薄膜トランジスタ(TFT) 84:バイアス電源 85:バイアス電凋 92:ラインセレクタ 100:信号読出し回路
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 FI テーマコート゛(参考) H04N 5/335 H01L 27/14 K Fターム(参考) 2H013 AB05 4C093 AA16 CA41 EA02 EB12 EB13 FA32 FA48 FA52 FC30 4M118 AA10 AB01 BA05 CA02 CA11 CB05 CB11 DB09 FB09 FB13 GA10 HA23 5C024 AX12 BX00 CX51 DX04 GX03

Claims (26)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 被写体像を撮像するための撮像領域と、 前記被写体像の撮像に関連する動作状態において、前記
    撮像領域に対して第1の時間間隔で制御を行い、前記被
    写体像の撮像に関連しない待機状態において、前記撮像
    領域に対して第2の時間間隔で制御を行う駆動手段とを
    含み、 前記第1の時間間隔と前記第2の時間間隔とが異なるこ
    とを特徴とする撮像装置。
  2. 【請求項2】 前記第2の時間間隔が前記第1の時間間
    隔より長いことを特徴とする請求項1に記載の撮像装
    置。
  3. 【請求項3】 被写体像を撮像するための撮像領域と、 前記被写体像の撮像に関連する動作状態において、前記
    撮像領域に対して第1の時間内で所定間隔毎に制御を行
    い、前記被写体像の撮像に関連しない待機状態におい
    て、前記撮像領域に対して第2の時間内で所定間隔毎に
    制御を行う駆動手段とを含み、 前記第1の時間と前記第2の時間とが異なることを特徴
    とする撮像装置。
  4. 【請求項4】 前記第2の時間が前記第1の時間より短
    いことを特徴とする請求項3に記載の撮像装置。
  5. 【請求項5】 被写体像を撮像するための撮像領域と、 前記被写体像の撮像に関連する動作状態において、前記
    撮像領域に対して第1の時間内で第1の時間間隔毎に制
    御を行い、前記被写体像の撮像に関連しない待機状態に
    おいて、前記撮像領域に対して第2の時間内で第2の時
    間間隔毎に制御を行う駆動手段とを含み、 前記第1の時間間隔と前記第2の時間間隔、及び前記第
    1の時間と前記第2の時間について、少なくともどちら
    か一方の前者と後者とが異なることを特徴とする撮像装
    置。
  6. 【請求項6】 前記第2の時間間隔が前記第1の時間間
    隔より長いことを特徴とする請求項5に記載の撮像装
    置。
  7. 【請求項7】 前記第2の時間が前記第1の時間より短
    いことを特徴とする請求項5又は6に記載の撮像装置。
  8. 【請求項8】 X線を曝射することにより、前記被写体
    像を撮像することを特徴とする請求項1〜7のいずれか
    1項に記載の撮像装置。
  9. 【請求項9】 所定の周期で2次元平面からなる1画面
    単位で駆動することを特徴とする請求項8に記載の撮像
    装置。
  10. 【請求項10】 前記駆動手段は、当該駆動手段内にお
    ける電荷のリセット動作を行うことを特徴とする請求項
    1〜9のいずれか1項に記載の撮像装置。
  11. 【請求項11】 前記駆動手段は、所定の列方向に画像
    電荷信号を読み出し、所定の行単位に所定の周期で駆動
    を行うことを特徴とする請求項1〜10のいずれか1項
    に記載の撮像装置。
  12. 【請求項12】 被写体像の撮像に関連する動作状態に
    おいて、前記被写体像を撮像するための撮像領域に対し
    て第1の時間間隔で制御を行うとともに、 前記被写体像の撮像に関連しない待機状態において、前
    記撮像領域に対して第2の時間間隔で制御を行い、 前記第1の時間間隔と前記第2の時間間隔とが異なるよ
    うに制御することを特徴とする撮像方法。
  13. 【請求項13】 前記第2の時間間隔が前記第1の時間
    間隔より長いことを特徴とする請求項12に記載の撮像
    方法。
  14. 【請求項14】 被写体像の撮像に関連する動作状態に
    おいて、前記被写体像を撮像するための撮像領域に対し
    て第1の時間内で所定間隔毎に制御を行うとともに、 前記被写体像の撮像に関連しない待機状態において、前
    記撮像領域に対して第2の時間内で所定間隔毎に制御を
    行い、 前記第1の時間と前記第2の時間とが異なるように制御
    することを特徴とする撮像方法。
  15. 【請求項15】 前記第2の時間が前記第1の時間より
    短いことを特徴とする請求項14に記載の撮像方法。
  16. 【請求項16】 被写体像の撮像に関連する動作状態に
    おいて、前記被写体像を撮像するための撮像領域に対し
    て第1の時間内で第1の時間間隔毎に制御を行うととも
    に、 前記被写体像の撮像に関連しない待機状態において、前
    記撮像領域に対して第2の時間内で第2の時間間隔毎に
    制御を行い、 前記第1の時間間隔と前記第2の時間間隔、及び前記第
    1の時間と前記第2の時間について、少なくともどちら
    か一方の前者と後者とが異なるように制御することを特
    徴とする撮像方法。
  17. 【請求項17】 前記第2の時間間隔が前記第1の時間
    間隔より長いことを特徴とする請求項16に記載の撮像
    方法。
  18. 【請求項18】 前記第2の時間が前記第1の時間より
    短いことを特徴とする請求項16又は17に記載の撮像
    方法。
  19. 【請求項19】 X線を曝射することにより、前記被写
    体像を撮像することを特徴とする請求項12〜18のい
    ずれか1項に記載の撮像方法。
  20. 【請求項20】 所定の周期で2次元平面からなる1画
    面単位で駆動することを特徴とする請求項19に記載の
    撮像方法。
  21. 【請求項21】 前記制御を行う駆動手段内における電
    荷のリセット動作を行うことを特徴とする請求項12〜
    20のいずれか1項に記載の撮像方法。
  22. 【請求項22】 所定の列方向に画像電荷信号を読み出
    し、所定の行単位に所定の周期で駆動を行うことを特徴
    とする請求項12〜21のいずれか1項に記載の撮像方
    法。
  23. 【請求項23】 請求項1〜11に記載の撮像装置を構
    成する各手段としてコンピュータを機能させるためのプ
    ログラムを格納したコンピュータ読み取り可能な記録媒
    体。
  24. 【請求項24】 請求項12〜22のいずれか1項に記
    載の撮像方法の処理手順をコンピュータに実行させるた
    めのプログラムを格納したコンピュータ読み取り可能な
    記録媒体。
  25. 【請求項25】 請求項1〜11に記載の撮像装置を構
    成する各手段としてコンピュータを機能させるためのプ
    ログラム。
  26. 【請求項26】 請求項12〜22のいずれか1項に記
    載の撮像方法の処理手順をコンピュータに実行させるた
    めのプログラム。
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