JP2007103059A - コネクタ - Google Patents
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Abstract
【解決手段】 本発明の第1の実施形態のコネクタは、第1の端子と、第1の端子に接続された第2の端子と、第1の端子と第2の端子との間に設けられたサージ吸収回路とを備えている。サージ吸収回路は、(a)第1の端子に接続された一端を有する第1のインダクタと、(b)第1のインダクタの他端に接続された一端と第2の端子に接続された他端とを有しており、第1のインダクタと電磁気的に結合している第2のインダクタと、(c)第1のインダクタの他端および第2のインダクタの一端に接続された一端とグランド端子に接続された他端とを有するサージ吸収素子とを有している。
【選択図】 図1
Description
コネクタ。
図1は、本発明の第1の実施の形態に係るコネクタを示す一部破断斜視図である。コネクタ10は、外枠12、基板14、および、積層サージ吸収部品26を備えている。
図4は、第1の実施の形態のコネクタに適用可能な変形例1に係るサージ吸収回路を示す回路図である。図4に示すサージ吸収回路40Aは、サージ吸収回路40と同様の要素に加えて、更に第1の容量素子56を有している。
ただし、Leは浮遊誘導素子59のインダクタンスであり、KzLz≧Leである。上記(6)式を満たすようにCsを設定することによって、第1のサージ吸収素子46に浮遊容量素子54と浮遊誘導素子59とが含まれていても、サージ吸収回路40Aの入力インピーダンスZinを、サージ吸収回路40Aに接続される伝送線路の特性インピーダンスZoに整合させることができる。
図7は、第1の実施の形態のコネクタに適用可能な変形例2に係るサージ吸収回路を示す回路図である。図7に示すサージ吸収回路40Bは、第1のインダクタと第2のインダクタとが電磁気的に結合していない点において、変形例1のサージ吸収回路40Aと異なっている。サージ吸収回路40Bの他の構成は、変形例1のサージ吸収回路40Aと同一である。
図8は、本発明の第2の実施の形態に係るコネクタを示す一部破断斜視図である。コネクタ10Aは、基板14の代わりに基板14Aを備えており、積層サージ吸収部品26に代えて積層サージ吸収部品26Aを備えている点において第1の実施の形態のコネクタ10と異なっている。コネクタ10Aの他の構成は、コネクタ10と同様である。コネクタ10Aは、例えばUSBコネクタである。
図11は、第2の実施の形態のコネクタに適用可能な変形例1に係るサージ吸収回路を示す回路図である。図11に示すサージ吸収回路86Aは、サージ吸収回路86と同様の要素に加えて、更に第1の容量素子116および第2の容量素子118を有している。
ただし、Leは浮遊誘導素子のインダクタンスであり、KzLz≧Leである。上記(15)式を満たすようにCsを設定することによって、第1のサージ吸収素子92および第2のサージ吸収素子98に浮遊容量素子と浮遊誘導素子とが含まれていても、サージ吸収回路86Aの入力インピーダンスZinを、サージ吸収回路86のそれぞれの入出力端子に接続される伝送線路の特性インピーダンスZoの2倍のインピーダンスに整合させることができる。
図13は、第2の実施の形態のコネクタに適用可能な変形例2に係るサージ吸収回路を示す回路図である。図13に示すサージ吸収回路86Bは、第1のインダクタ88、第2のインダクタ90、第3のインダクタ94および第4のインダクタ96のそれぞれに代えて、第1のインダクタ120、第2のインダクタ122、第3のインダクタ124、および、第4のインダクタ126を有している点において、サージ吸収回路86と異なっている。第1のインダクタ120、第2のインダクタ122、第3のインダクタ124、および、第4のインダクタ126は、互いに電磁気的に結合している。
図15は、第2の実施の形態のコネクタに適用可能な変形例3に係るサージ吸収回路を示す回路図である。図15に示すサージ吸収回路86Cは、変形例2のサージ吸収回路86Bと同様の要素に加えて、更に第1の容量素子116および第2の容量素子118を有している。
ただし、Leは浮遊誘導素子のインダクタンスであり、KzLz≧Leである。上記(24)式を満たすようにCsを設定することによって、第1のサージ吸収素子92および第2のサージ吸収素子98に浮遊容量素子と浮遊誘導素子とが含まれていても、サージ吸収回路86Cの入力インピーダンスZinを、サージ吸収回路86Cのそれぞれの入出力端子に接続される伝送線路の特性インピーダンスZoの2倍のインピーダンスに整合させることができる。
図17は、第2の実施の形態のコネクタに適用可能な変形例4に係るサージ吸収回路を示す回路図である。図17に示すサージ吸収回路86Dは、第1のインダクタ88、第2のインダクタ90と、第3のインダクタ94、および第4のインダクタ96それぞれに代えて、第1のインダクタ140、第2のインダクタ142、第3のインダクタ144と、および第4のインダクタ146を有している点において、サージ吸収回路86Aと異なっている。サージ吸収回路86Dにおいては、第1のインダクタ140と第3のインダクタ144とが電磁気的に結合しており、第2のインダクタ142と第4のインダクタ146とが電磁気的に結合している。
図18は、第2の実施の形態のコネクタに適用可能な変形例5に係るサージ吸収回路を示す回路図である。図18に示すサージ吸収回路86Eは、第1のインダクタ、第2のインダクタ、第3のインダクタ、及び第4のインダクタが互いに電磁気的に結合されていない点において、サージ吸収回路40Aと異なっている。サージ吸収回路86Eの他の構成は、変形例1のサージ吸収回路86Aと同一である。
図19は、第1の実施の形態のコネクタにおける変形例1に係るサージ吸収回路用の積層サージ吸収部品を一部破断して示す斜視図である。図19に示す積層サージ吸収部品26は、略直方体の形状の積層体28と、第1の電極30と、第2の電極32と、第3の電極34、36とから構成されている。
次に、第1の実施の形態のコネクタにおける変形例2に係るサージ吸収回路40B用の積層サージ吸収部品ついて説明する。サージ吸収回路40B用の積層サージ吸収部品は、略直方体の積層体28Aの表面に、図19に示す積層サージ吸収部品26と同様に、第1の電極30、第2の電極32および第3の電極34,36が設けられてなるものである。
図22は、第2の実施の形態のコネクタにおける変形例1に係るサージ吸収回路用の積層サージ吸収部品を示す斜視図である。図22に示す積層サージ吸収部品26Aは、略直方体の形状の積層体74と、第1の電極76と、第2の電極77と、第3の電極78と、第4の電極79と、第5の電極80、81と、第6の電極82と、第7の電極83とから構成されている。
次に、第2の実施の形態のコネクタにおける変形例3に係るサージ吸収回路86C用の積層サージ吸収部品ついて説明する。サージ吸収回路86C用の積層サージ吸収部品は、略直方体の積層体74Aの表面に、図22に示す積層サージ吸収部品26Aと同様に、第1の電極76と、第2の電極77と、第3の電極78と、第4の電極79と、第5の電極80、81と、第6の電極82と、第7の電極83とが設けられてなるものである。
次に、第2の実施の形態の変形例4に係るサージ吸収回路86D用の積層サージ吸収部品ついて説明する。サージ吸収回路86D用の積層サージ吸収部品は、略直方体の積層体74Bの表面に、図22に示す積層サージ吸収部品26Aと同様に、第1の電極76と、第2の電極77と、第3の電極78と、第4の電極79と、第5の電極80、81と、第6の電極82と、第7の電極83とが設けられてなるものである。
次に、第2の実施の形態のコネクタにおける変形例5に係るサージ吸収回路86E用の積層サージ吸収部品ついて説明する。サージ吸収回路86E用の積層サージ吸収部品は、略直方体の積層体74Cの表面に、図22に示す積層サージ吸収部品26Aと同様に、第1の電極76と、第2の電極77と、第3の電極78と、第4の電極79と、第5の電極80、81と、第6の電極82と、第7の電極83とが設けられてなるものである。
Claims (9)
- 第1の端子と、
前記第1の端子に接続された第2の端子と、
前記第1の端子と前記第2の端子との間に設けられたサージ吸収回路と、
を備え、
前記サージ吸収回路は、
前記第1の端子に接続された一端を有する第1のインダクタと、
前記第1のインダクタの他端に接続された一端と前記第2の端子に接続された他端とを有しており、互いにインダクタンスを増加させるように前記第1のインダクタと電磁気的に結合している第2のインダクタと、
前記第1のインダクタの前記他端および前記第2のインダクタの前記一端に接続された一端とグランド端子に接続された他端とを有するサージ吸収素子と、
を有する、
コネクタ。 - 前記サージ吸収回路は、前記第1のインダクタの前記一端と前記第2のインダクタの前記他端との間に設けられた容量素子を更に有する、
請求項1に記載のコネクタ。 - 第1の端子と、
前記第1の端子に接続された第2の端子と、
前記第1の端子と前記第2の端子との間に設けられたサージ吸収回路と、
を備え、
前記サージ吸収回路は、
前記第1の端子に接続された一端を有する第1のインダクタと、
前記第1のインダクタの他端に接続された一端と前記第2の端子に接続された他端とを有する第2のインダクタと、
前記第1のインダクタの前記他端および前記第2のインダクタの前記一端に接続された一端とグランド端子に接続された他端とを有するサージ吸収素子と、
前記第1のインダクタの前記一端と前記第2のインダクタの前記他端との間に設けられた容量素子と、
を有する、
コネクタ。 - 第1の端子と、
前記第1の端子に接続された第2の端子と、
第3の端子と、
前記第3の端子に接続された第4の端子と、
前記第1の端子と前記第2の端子との間に設けられており、前記第3の端子と前記第4の端子との間に設けられたサージ吸収回路と、
を備え、
前記サージ吸収回路は、
前記第1の端子に接続された一端を有する第1のインダクタと、
前記第1のインダクタの他端に接続された一端と前記第2の端子に接続された他端とを有しており、互いにインダクタンスを増加させるように前記第1のインダクタと電磁気的に結合している第2のインダクタと、
前記第3の端子に接続された一端を有する第3のインダクタと、
前記第3のインダクタの他端に接続された一端と前記第4の端子に接続された他端とを有しており、互いにインダクタンスを増加させるように前記第3のインダクタと電磁気的に結合している第4のインダクタと、
前記第1のインダクタの前記他端および前記第2のインダクタの前記一端に接続された一端とグランド端子に接続された他端とを有する第1のサージ吸収素子と、
前記第3のインダクタの前記他端および前記第4のインダクタの前記一端に接続された一端と前記グランド端子に接続された他端とを有する第2のサージ吸収素子と、
を有する、
コネクタ。 - 第1の端子と、
前記第1の端子に接続された第2の端子と、
第3の端子と、
前記第3の端子に接続された第4の端子と、
前記第1の端子と前記第2の端子との間に設けられており、前記第3の端子と前記第4の端子との間に設けられたサージ吸収回路と、
を備え、
前記サージ吸収回路は、
前記第1の端子に接続された一端を有する第1のインダクタと、
前記第1のインダクタの他端に接続された一端と前記第2の端子に接続された他端とを有する第2のインダクタと、
前記第3の端子に接続された一端を有する第3のインダクタと、
前記第3のインダクタの他端に接続された一端と前記第4の端子に接続された他端とを有する第4のインダクタと、
前記第1のインダクタの前記他端および前記第2のインダクタの前記一端に接続された一端とグランド端子に接続された他端とを有する第1のサージ吸収素子と、
前記第3のインダクタの前記他端および前記第4のインダクタの前記一端に接続された一端と前記グランド端子に接続された他端とを有する第2のサージ吸収素子と、
を有し、
前記第1のインダクタ、前記第2のインダクタ、前記第3のインダクタ、および、前記第4のインダクタは、差動信号が印加された場合に互いにインダクタンスを増加させるように電磁気的に結合している、
コネクタ。 - 前記サージ吸収回路は、
前記第1のインダクタの前記一端と前記第2のインダクタの前記他端との間に設けられた第1の容量素子と、
前記第3のインダクタの前記一端と前記第4のインダクタの前記他端との間に設けられた第2の容量素子と、
を更に有する、
請求項4または5に記載のコネクタ。 - 第1の端子と、
前記第1の端子に接続された第2の端子と、
第3の端子と、
前記第3の端子に接続された第4の端子と、
前記第1の端子と前記第2の端子との間に設けられており、前記第3の端子と前記第4の端子との間に設けられたサージ吸収回路と、
を備え、
前記サージ吸収回路は、
前記第1の端子に接続された一端を有する第1のインダクタと、
前記第1のインダクタの他端に接続された一端と前記第2の端子に接続された他端とを有する第2のインダクタと、
前記第3の端子に接続された一端を有しており、差動信号が印加された場合に互いにインダクタンスを増加させるように前記第1のインダクタと電磁気的に結合している第3のインダクタと、
前記第3のインダクタの他端に接続された一端と前記第4の端子に接続された他端とを有しており、差動信号が印加された場合に互いにインダクタンスを増加させるように前記第2のインダクタと電磁気的に結合している第4のインダクタと、
前記第1のインダクタの前記他端および前記第2のインダクタの前記一端に接続された一端とグランド端子に接続された他端とを有する第1のサージ吸収素子と、
前記第3のインダクタの前記他端および前記第4のインダクタの前記一端に接続された一端と前記グランド端子に接続された他端とを有する第2のサージ吸収素子と、
前記第1のインダクタの前記一端と前記第2のインダクタの前記他端との間に設けられた第1の容量素子と、
前記第3のインダクタの前記一端と前記第4のインダクタの前記他端との間に設けられた第2の容量素子と、
を有する、
コネクタ。 - 第1の端子と、
前記第1の端子に接続された第2の端子と、
第3の端子と、
前記第3の端子に接続された第4の端子と、
前記第1の端子と前記第2の端子との間に設けられており、前記第3の端子と前記第4の端子との間に設けられたサージ吸収回路と、
を備え、
前記サージ吸収回路は、
前記第1の端子に接続された一端を有する第1のインダクタと、
前記第1のインダクタの他端に接続された一端と前記第2の端子に接続された他端とを有する第2のインダクタと、
前記第3の端子に接続された一端を有する第3のインダクタと、
前記第3のインダクタの他端に接続された一端と前記第4の端子に接続された他端とを有する第4のインダクタと、
前記第1のインダクタの前記他端および前記第2のインダクタの前記一端に接続された一端とグランド端子に接続された他端とを有する第1のサージ吸収素子と、
前記第3のインダクタの前記他端および前記第4のインダクタの前記一端に接続された一端と前記グランド端子に接続された他端とを有する第2のサージ吸収素子と、
前記第1のインダクタの前記一端と前記第2のインダクタの前記他端との間に設けられた第1の容量素子と、
前記第3のインダクタの前記一端と前記第4のインダクタの前記他端との間に設けられた第2の容量素子と、
を有する、
コネクタ。 - 前記サージ吸収回路が、内部及び表面に導体パターンを有する積層体によって構成されている、請求項1〜8の何れか一項記載のコネクタ。
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