JP2007088455A - リソグラフィ方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】オーバレイ特性のキャリブレーションにおいて、第1基板を、第1セットのテスト構造を用いて第1テスト露光シーケンスの露光(S1)しテスト構造を測定(S2)して第1セットの位置誤差データを得る。つぎに第1セットと同一の、第2セットのテスト構造を、第1コースと等しいが逆方向状態で移動させる第2コースを使って、第2テスト露光シーケンスの間、同一基板上に露光する(S3)。第2セットの構造を測定(S4)して、第2セットの誤差データを得る。これら2つのデータセットを使うことによって、ウェーハ冷却による影響を除去することができる。
【選択図】図10
Description
第1投影システムを含む第1リソグラフィ投影装置を用いて第1基板上に第1セットのテスト構造をプリントし、第1基板を第1投影システムに対して第1コース上を移動させて、第1セットのテスト構造の当該プリントを行う工程と、
第2投影システムを含む第2リソグラフィ投影装置を用いて第2基板上に第2セットのテスト構造をプリントし、第2基板を第2投影システムに対して第2コース上を移動させて、第2セットのテスト構造の当該プリントを行うものとし、第2コースは第1コースとは異なっている工程と、
第1セットのテスト構造内の第1セットの位置データを測定する工程と、
第2セットのテスト構造内の第2セットの位置データを測定する工程と、
第1および第2セットの位置データから第3セットの位置誤差データを計算する工程と、
第3セットの位置誤差データを使って1つ以上のリソグラフィ投影装置のキャリブレーションを行う工程と、
を含むリソグラフィ方法が提供されている。
第1投影システムを含む第1リソグラフィ投影装置を用いて第1基板上に第1セットのテスト構造をプリントし、第1基板を第1投影システムに対して第1コース上を移動させて、第1セットのテスト構造の当該プリントを行う工程と、
第1リソグラフィ投影装置を用いて第2基板上に第2セットのテスト構造をプリントし、第2基板を第1投影システムに対して第2コース上を移動させて、第2セットのテスト構造の当該プリントを行うものとし、第2コースは第1コースとは異なっている工程と、
第1セットのテスト構造内の第1セットのオーバレイデータを測定する工程と、
第2セットのテスト構造内の第2セットのオーバレイデータを測定する工程と、
第1および第2セットのオーバレイデータから第3セットの位置誤差データを計算する工程と、
第3セットの位置誤差データを使って第1リソグラフィ投影装置のキャリブレーションを行う工程と、
を含むリソグラフィ方法が提供されている。
第1テスト照射シーケンスにしたがって、第1リソグラフィ投影装置を用いて第1基板上に第1セットのテスト構造をプリントし、第1基板は、熱伝導特性の第1値および熱気化特性の第2値を有する工程と、
第2テスト照射シーケンスにしたがって、第2リソグラフィ投影装置を用いて第2基板上に第2セットのテスト構造をプリントし、第2基板は、熱伝導特性の第3値および熱気化特性の第4値を有する工程であって、第2テスト照射シーケンス、第3値、および第4値のうちの少なくとも1つは、それぞれ第1テスト照射シーケンス、第1値、および第2値とは異なっている工程と、
第1セットのテスト構造内の第1セットの位置データを測定する工程と、
第2セットのテスト構造内の第2セットの位置データを測定する工程と、
第1および第2セットの位置データから第3セットの位置誤差データを計算する工程と、
第3セットの位置誤差データを使って1つ以上のリソグラフィ投影装置のキャリブレーションを行う工程と、
を含むリソグラフィ方法が提供されている。
放射線ビームPB(たとえばUV放射線またはDUV放射線)を調整することができるように構成された照射システム(イルミネータ)ILと、
パターン形成デバイス(たとえばマスク)MAを支持することができるように構成され、また特定のパラメータに従ってパターン形成デバイスを正確に位置付けることができるように構成された第1位置決め装置PMに連結された支持構造体(たとえばマスクテーブル)MTと
基板(たとえばレジスト塗布ウェーハ)Wを保持することができるように構成され、また特定のパラメータに従って基板を正確に位置付けることができるように構成された第2位置決め装置PWに連結された基板テーブル(たとえばウェーハテーブル)WTと、
パターン形成デバイスMAによって放射線ビームPBに付けられたパターンを基板Wのターゲット部分C(たとえば1つ以上のダイを含む)上に投影することができるように構成された投影システム(たとえば屈折投影レンズシステム)PLと、
を含む。
基板上に第1セットのテスト構造をプリントし、基板を投影システムに対して第1コース上を移動させて、第1セットのテスト構造の当該プリントを行う工程と、
基板上に第2セットのテスト構造をプリントし、基板を投影システムに対して第2コース上を移動させて、第2セットのテスト構造の当該プリントを行うものとし、第2コースは第1コースとは異なっている工程と、
第1セットのテスト構造内の位置誤差を測定して、第1セットの位置誤差データを得る工程と、
第2セットのテスト構造内の位置誤差を測定して、第2セットの位置誤差データを得る工程と、
第1および第2セットの位置誤差データから第3セットの位置誤差データを計算する工程と、
第3セットの位置誤差データを使ってリソグラフィ投影装置のキャリブレーションを行う工程と、
を含む。
第1セットのテスト構造を基板上にプリントし、基板を投影システムに対して第1コース上を移動させて、第1セットのテスト構造の当該プリントを行う工程と、
第2セットのテスト構造を基板上にプリントし、基板を投影システムに対して第2コース上を移動させて、第2セットのテスト構造の当該プリントを行うものとし、第2コースは第1コースとは異なっている工程と、
第1セットのテスト構造内の位置誤差を測定して、第1セットの位置誤差データを得る工程と、
第2セットのテスト構造内の位置誤差を測定して、第2セットの位置誤差データを得る工程と、
第1および第2セットの位置誤差データから第3セットの位置誤差データを計算する工程と、
第3セットの位置誤差データを使ってリソグラフィ投影装置のキャリブレーションを行う工程と、
リソグラフィ装置を使って、基板上にデバイスパターンをプリントする工程と、
によってリソグラフィ投影装置のキャリブレーションを行う工程を
含む。
Claims (31)
- 第1投影システム(PL)を含む第1リソグラフィ投影装置を用いて第1基板(W)上に第1セットのテスト構造をプリント(S1)し、第1基板を第1投影システムに対して第1コース上を移動させて、第1セットのテスト構造の前記プリントを行う工程と、
第2投影システム(PL)を含む第2リソグラフィ投影装置を用いて第2基板(W)上に第2セットのテスト構造をプリント(S3)し、第2基板を第2投影システムに対して第2コース上を移動させて、第2セットのテスト構造の前記プリントを行うものとし、第2コースは第1コースとは異なっている工程と、
第1セットのテスト構造内の第1セットの位置データを測定する工程(S2)と、
第2セットのテスト構造内の第2セットの位置データを測定する工程(S4)と、
第1および第2セットの位置データから第3セットの位置誤差データを計算する工程(S5)と、
第3セットの位置誤差データを使って1つ以上のリソグラフィ投影装置のキャリブレーションを行う工程(S6)と、
を含むことを特徴とするリソグラフィ方法。 - 第1基板上の第1セットのターゲット部分(C)を選択する工程であって、第1セットのターゲット部分は第1セットの相対位置を有する工程と、
第2基板上の第2セットのターゲット部分(C)を選択する工程であって、第2セットのターゲット部分は第1セットの相対位置を有する工程と、
第1セットのテスト構造を第1セットのターゲット部分にプリントする工程(S1)と、
第2セットのテスト構造を第2セットのターゲット部分にプリントする工程(S3)と、
を含むことを特徴とする請求項1記載の方法。 - 第1セットのターゲット部分を第1順序でプリントする工程(S1)と、
第2セットのターゲット部分を第1順序の逆である第2順序でプリントする工程(S3)と、
を含むことを特徴とする請求項2記載の方法。 - 第1基板を第1投影システム(PL)に対して第1スキャン方向でスキャンすることによって、第1テスト構造を第1セットのターゲット部分のうちの第1ターゲット部分にプリントする工程(S1)と、
第2基板を第2投影システム(PL)に対して第1スキャン方向でスキャンすることによって、第2テスト構造を第2セットのターゲット部分のうちの第2ターゲット部分にプリントする工程(S3)と、
第1テスト構造および第2テスト構造について測定した位置データを比較することによって、第3セットの位置誤差データを計算する工程(S5)と、
を含むことを特徴とする請求項2または3記載の方法。 - 第1基板を第1投影システム(PL)に対して第1スキャン方向でスキャンすることによって、第1テスト構造を第1セットのターゲット部分のうちの第1ターゲット部分にプリントする工程(S1)と、
第2基板を第2投影システム(PL)に対して第2スキャン方向でスキャンすることによって、第2テスト構造を第2セットのターゲット部分のうちの第2ターゲット部分にプリントする工程(S3)であって、第2スキャン方向は第1スキャン方向と反対である工程と、
第1テスト構造および第2テスト構造について測定した位置データを比較することによって、第3セットの位置誤差データを計算する工程(S5)と、
を含むことを特徴とする請求項2または3記載の方法。 - 第3基板上の第3セットのターゲット部分を選択する工程であって、第3セットのターゲット部分は第1セットの相対位置を有する工程と、
第3セットのテスト構造を第3セットのターゲット部分にプリントする工程と、
第1順序の逆である第2順序で、かつ第1スキャン方向と反対である第3スキャン方向で第3セットのターゲット部分をプリントする工程と、
をさらに含むことを特徴とする請求項4記載の方法。 - 第1コースは蛇行順路を含み、当該蛇行順路に沿って第1基板が第1方向に移動され、また第2コースは蛇行順路を含み、当該蛇行順路に沿って第2基板が第1方向とは反対の第2方向に移動されることを特徴とする請求項1ないし6のいずれかに記載の方法。
- 第2コースは、第1コースの鏡像と実質的に同一であることを特徴とする請求項1ないし6のいずれかに記載の方法。
- 第2コースは、第1コースの180度回転と実質的に同一であることを特徴とする請求項1ないし6のいずれかに記載の方法。
- 前記第3セットの位置誤差データを計算する工程は、第1および第2セットの位置データ間の差を取得する工程を含むことを特徴とする請求項1ないし9のいずれかに記載の方法。
- 第1および第2セットのテスト構造のプリント工程(S1、S3)およびテスト構造の位置データの測定工程(S2、S4)をそれぞれ複数回繰り返して、第1および第2セットの位置データを得ることを特徴とする請求項1ないし10のいずれかに記載の方法。
- 第1基板および第2基板は、1つの同じ基板であることを特徴とする請求項1ないし11のいずれか記載の方法。
- 第1基板および第2基板は、2つ別々の基板であることを特徴とする請求項1ないし12のいずれか記載の方法。
- 前記第1セットの位置データを測定する工程(S2)は、オーバレイデータを測定する工程を含むことを特徴とする請求項1ないし13のいずれかに記載の方法。
- 第1リソグラフィ投影装置、第2リソグラフィ装置、および1つ以上のリソグラフィ投影装置は、液浸型のものであることを特徴とする請求項1ないし15のいずれかに記載の方法。
- 液浸液が、第1セットのテスト構造をプリント(S1)するときは投影システム(PL)と第1基板との間に供給され、また第2セットのテスト構造をプリント(S3)するときは投影システム(PL)と第2基板との間に供給され、第2基板を、液浸液に関して実質的に等しい気化特性を持つことができるように選択する工程を含むことを特徴とする請求項15記載の方法。
- 第1セットのテスト構造は、第1セットのプロセスパラメータを用いた第1コーティングプロセスを使って第1基板に塗布された第1トップコートを通ってプリント(S1)され、また第2セットのテスト構造は、第1コーティングプロセスを使って第2基板に塗布された第2トップコートを通ってプリント(S3)されることを特徴とする請求項16記載の方法。
- 第1基板と実質的に等しい熱伝導特性を持つことができるように第2基板を選択する工程を含むことを特徴とする請求項1ないし17のいずれかに記載の方法。
- 第1プロセスを使って第1基板および第2基板にレジスト層を塗布し、さらに第1セットのテスト構造を第1基板上のレジスト層にプリント(S1)し、また第2セットのテスト構造を第2基板上のレジスト層にプリント(S3)することを特徴とする請求項18記載の方法。
- 第1リソグラフィ投影装置および第2リソグラフィ投影装置は、1つの同じリソグラフィ投影装置であることを特徴とする請求項1ないし19のいずれかに記載の方法。
- 1つ以上のリソグラフィ装置は、第1リソグラフィ装置を含むことを特徴とする請求項1ないし20のいずれかに記載の方法。
- 1つ以上のキャリブレーション済みリソグラフィ投影装置を使って基板(W)上にデバイスパターンをプリントする工程を含むことを特徴とする請求項1ないし21のいずれかに記載の方法。
- 第1投影システム(PL)を含む第1リソグラフィ投影装置を用いて第1基板(W)上に第1セットのテスト構造をプリント(S1)し、第1基板を第1投影システムに対して第1コース上を移動させて、第1セットのテスト構造の前記プリントを行う工程と、
第1リソグラフィ投影装置を用いて第2基板(W)上に第2セットのテスト構造をプリント(S3)し、第2基板を第1投影システムに対して第2コース上を移動させて、第2セットのテスト構造の前記プリントを行うものとし、第2コースは第1コースとは異なっている工程と、
第1セットのテスト構造内の第1セットのオーバレイデータを測定する工程(S2)と、
第2セットのテスト構造内の第2セットのオーバレイデータを測定する工程(S4)と、
第1および第2セットのオーバレイデータから第3セットの位置誤差データを計算する工程(S5)と、
第3セットの位置誤差データを使って第1リソグラフィ投影装置のキャリブレーションを行う工程(S6)と、
を含むことを特徴とするリソグラフィ方法。 - 第1テスト露光シーケンスに従って第1リソグラフィ投影装置を用いて第1基板(W)上に第1セットのテスト構造をプリント(S1)し、第1基板は、熱伝導特性の第1値および熱気化特性の第2値を有する工程と、
第1テスト露光シーケンス、第1値、および第2値とはそれぞれ異なるように第2テスト露光シーケンス、第3値、および第4値のうちの少なくとも1つを選択する工程と、
第2テスト露光シーケンスに従って第2リソグラフィ投影装置を用いて第2基板(W)上に第2セットのテスト構造をプリント(S3)し、第2基板は、熱伝導特性の前記第3値および熱気化特性の前記第4値を有する工程と、
第1セットのテスト構造内の第1セットの位置データを測定する工程(S2)と、
第2セットのテスト構造内の第2セットの位置データを測定する工程(S4)と、
第1および第2セットの位置データから第3セットの位置誤差データを計算する工程(S5)と、
第3セットの位置誤差データを使って1つ以上のリソグラフィ投影装置のキャリブレーションを行う工程(S6)と、
を含むことを特徴とするリソグラフィ方法。 - 第1基板を第1熱負荷プロファイルおよび第1速度プロファイルの影響下におき、第1リソグラフィ投影装置の第1投影システムに対して第1コース上を移動させて、第1セットのテスト構造の前記プリント工程を行う工程と、
第1熱負荷プロファイルとは異なる第2熱負荷プロファイル、
第1コースとは異なる第2コース、および
第1速度プロファイルとは異なる第2速度プロファイル、
のうちの少なくとも1つを選択する工程と、
第2基板を第2熱負荷プロファイルおよび第2速度プロファイルの影響下におき、第2リソグラフィ投影装置の第2投影システムに対して第2コース上を移動させて、第2セットのテスト構造の前記プリント工程を行う工程と、
を含むことを特徴とする請求項24記載のリソグラフィ方法。 - 第1および第2コースが1つの同じコースであり、
第1テスト露光シーケンスの間、第1コースに沿って第1位置に第1熱負荷を加える工程と、
第2テスト露光シーケンスの間、第1位置に第1熱負荷を加える工程と、
第1基板および第2基板を逆方向に第1コースを移動させる工程と、
を含むことを特徴とする、コースコース請求項25記載のリソグラフィ方法。 - 第1基板上の第1セットのターゲット部分(C)を選択する工程であって、第1セットのターゲット部分は第1セットの相対位置を有する工程と、
第2基板上の第2セットのターゲット部分(C)を選択する工程であって、第2セットのターゲット部分は第1セットの相対位置を有する工程と、
第1露光シーケンスの間、第1セットのテスト構造を第1セットのターゲット部分にプリントする工程(S1)と、
第2テスト露光シーケンスの間、第2セットのテスト構造を第2セットのターゲット部分にプリントする工程(S3)と、
を含むことを特徴とする請求項24ないし26のいずれかに記載のリソグラフィ方法。 - 第1セットのプロセスパラメータ値を用いた第1コーティングプロセスにより第1基板をコーティングし、第2セットのプロセスパラメータ値を用いた第1コーティングプロセスにより第2基板にコーティングを施すことによって、
第1基板よりも第2基板から早く気化する液浸液と、
第1基板内よりも第2基板内で高くなる熱伝導と、
のうちの少なくとも1つを選択する工程
を含むことを特徴とする請求項24ないし27のいずれかに記載のリソグラフィ方法。 - 第1リソグラフィ投影装置および第2リソグラフィ投影装置は、1つの同じリソグラフィ投影装置であることを特徴とする請求項24ないし28のいずれかに記載のリソグラフィ方法。
- 1つ以上のリソグラフィ投影装置は、第1リソグラフィ装置を含むことを特徴とする請求項24ないし29のいずれかに記載のリソグラフィ方法。
- 第1基板および第2基板は、1つの同じ基板であることを特徴とする請求項24ないし30のいずれかに記載のリソグラフィ方法。
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