KR100824760B1 - 리소그래피 방법 - Google Patents
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Abstract
침지 리소그래피 장치의 오버레이 성능의 캘리브레이션 시에, 정상 및 반전된(reversed) 뇌문들을 사용하여 실시된 노광으로부터 두 세트의 오버레이 데이터가 얻어진다. 이어서 두 데이터 세트는 웨이퍼 냉각으로 인한 효과를 제거하기 위해 사용될 수 있다.
Description
이하, 대응하는 참조 부호들이 대응하는 부분들을 나타내는 첨부된 개략적인 도면들을 참조하여, 단지 예시의 방식으로만 본 발명의 실시예들을 설명한다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 사용가능한 리소그래피 장치를 도시하고;
도 2 및 3은 리소그래피 투영 장치에 사용하기 위한 액체 공급 시스템을 도시하고;
도 4는 리소그래피 투영 장치에 사용하기 위한 또다른 액체 공급 시스템을 도시하고;
도 5는 리소그래피 투영 장치에 사용하기 위한 또다른 액체 공급 시스템을 도시하고;
도 6은 본 발명의 일 실시예를 실시하여 얻어진 제 1 세트의 오버레이 오차 데이터를 도시하고;
도 7은 본 발명의 실시예를 실시하여 얻어진 제 3 세트의 오버레이 오차 데이터를 도시하고;
도 8은 정상적인 뇌문 경로(normal meander path)를 도시하고;
도 9는 반대 방향으로 이동하는 뇌문 경로를 도시하고;
도 10은 본 발명에 따른 방법의 플로우 차트이다.
본 발명은 리소그래피 방법에 관한 것이다.
리소그래피 장치는 기판상에, 일반적으로는 기판의 타겟부상에 원하는 패턴을 적용시키는 기계이다. 리소그래피 장치는, 예를 들어 집적 회로(IC)의 제조시에 사용될 수 있다. 그 상황에서, 대안적으로 마스크 또는 레티클이라 칭하는 패터닝 디바이스가 IC의 개별층상에 형성될 회로 패턴을 생성하기 위해 사용될 수 있다. 이 패턴은 기판(예컨대, 실리콘 웨이퍼)상의 (예를 들어, 1개 또는 수개의 다이들의 부분을 포함하는) 타겟부상으로 전사(transfer)될 수 있다. 패턴의 전사는, 통상적으로 기판상에 제공된 방사선-감응재(레지스트)층상으로의 이미징(imaging)을 통해 수행된다. 일반적으로, 단일 기판은 연속하여 패터닝되는 인접한 타겟부들의 네트워크를 포함할 것이다. 공지된 리소그래피 장치는, 한번에 타겟부상에 전체 패턴을 노광함으로써 각각의 타겟부가 조사(irradiate)되는, 소위 스테퍼, 및 방사선 빔을 통해 주어진 방향("스캐닝"- 방향)으로 패턴을 스캐닝하는 한편, 이 방향과 평행 또는 역-평행하게 기판을 동기적으로 스캐닝함으로써 각각의 타겟부가 조사되는, 소위 스캐너를 포함한다. 또한, 기판상에 패턴을 임프린트(imprint)함으로써, 패터닝 디바이스로부터 기판으로 패턴을 전사할 수도 있다.
리소그래피 투영 장치에서, 투영 시스템의 최종 요소와 기판 사이의 공간을 채우기 위해 비교적 높은 굴절률을 가지는 액체(예를 들어, 물)에 리소그래피 투영 장치 내 기판을 침지(immerse)시키는 것이 제안되었다. 이것의 핵심은, 노광 방사선이 액체내에서 보다 짧은 파장을 가지기 때문에 보다 작은 피처들을 이미징할 수 있다는 것에 있다. (또한, 액체의 효과는, 상기 시스템의 유효 NA(numerical aperture)를 증가시키고 초점심도(depth of focus)를 증가시키는 것으로도 간주될 수 있다.) 고체 입자들(예를 들어, 석영)이 부유(suspend)되어 있는 물을 포함하는 다른 침지 액체들이 제안되었다.
하지만, 액체의 배스(bath)내에 기판 또는 기판과 기판 테이블을 담그는(submersing) 것(예를 들어, 본 명세서에서 전문이 인용참조되고 있는 미국 특허 제 4,509,852호 참조)은, 스캐닝 노광 동안 가속되어야만 하는 큰 몸체의 액체가 존재한다는 것을 의미한다. 이는 추가적인 또는 보다 강력한 모터들을 필요로 하며, 액체내에서의 난류(turbulence)는 바람직하지 않고 또한 예측할 수 없는 효과들을 초래할 수 있다.
제안된 해결책 중 하나는, 액체 공급 시스템이 기판의 국부적인 영역에만 그리고 투영 시스템의 최종 요소와 기판 사이에 액체를 제공하는 것이다(일반적으로, 기판은 투영 시스템의 최종 요소보다 큰 표면적을 가진다). 이렇게 배치시키기 위해서 제안된 한가지 방법이 PCT 특허 출원 제 WO 99/49504호에 개시되어 있으며, 그 전문이 본 명세서에서 인용참조되고 있다. 도 2 및 도 3에 예시된 바와 같이, 액체는 1이상의 유입구(IN)에 의하여, 바람직하게는 최종 요소에 대한 기판의 이동방향을 따라 기판상으로 공급되며, 투영 시스템 아래를 통과한 후에는 1이상의 유출구(OUT)에 의하여 제거된다. 즉, 기판이 -X 방향으로 요소의 밑에서 스캐닝되기 때문에, 액체는 상기 요소의 +X 쪽에서 공급되고 -X 쪽에서 취해진다(take up). 도 2는, 액체가 유입구(IN)를 통하여 공급되고 저압력원에 연결된 유출구(OUT)에 의하여 요소의 다른 쪽 상에서 취해지는 배치를 개략적으로 도시한다. 도 2의 예시에서, 액체는 최종 요소에 대한 기판의 이동 방향을 따라 공급되나, 반드시 이와 같을 필요는 없다. 최종 요소 주위에 위치된 유입구들 및 유출구들의 방위 및 개수는 다양할 수 있다. 다양한 방위의 일례에는, 양쪽에 유출구를 갖는 유입구의 4개의 세트들이 최종 요소 주위에 규칙적인 패턴으로 제공되는 도 3에 도시되어 있다.
모든 리소그래피 장치는 사용 전에 적어도 약간의 캘리브레이션을 필요로 하며, 장치의 해상도가 높을수록 일반적으로 장치로부터 가능한 한 가장 좋은 성능을 얻기 위해 더 많은 캘리브레이션 단계가 요구될 것이다. 리소그래피 장치의 중요한 성능 척도는 이의 오버레이 성능이며, 이는 기판 상의 기존 패턴에 대해 원하는 위치의 기판 상에 패턴을 이미징하는 장치의 능력을 측정한다. 오버레이 오차들은 다양한 원인들, 예를 들어 간섭계 위치 또는 대체 측정 시스템에서의 시스템적 오차로 인해 초래될 수 있다. 리소그래피 장치의 오버레이 성능을 캘리브레이션하기 위하여, 일반적으로 기판 전체를 가로질러 일련의 시험 구조들이 프린트되며, 시험 구조들의 위치가 측정된다. 시험 구조는 예를 들어, 그 위치가 장치 내에 제공된 정렬 툴을 사용하여 측정될 수 있도록 정렬 마커가 될 수 있거나, 박스-인-박스(box-in-box) 마커와 같은 오버레이 감응성 구조가 될 수 있으며, 이에 의해 오버레이 오차는 공지된 오프-라인 툴을 사용하여 직접 측정될 수 있다. 그 결과, 예를 들어 제품 노광(production exposure) 동안 기판을 위치시키는 경우 오버레이 오차를 오프셋으로서 사용함으로써 장치를 캘리브레이션하기 위해 사용될 수 있는 기판의 영역을 가로지르는 오버레이 오차의 맵(map)이 얻어진다.
(침지 또는 비침지에 대한) 리소그래피 장치에서, 기판에 접촉하는 모든 구성요소 및 유체의 온도는 같거나 안정하도록 매우 정밀하게(tightly) 제어된다. 그러나, 본 발명자들은 침지 리소그래피 장치, 즉 투영 시스템의 최종 요소 및 기판 사이의 공간의 적어도 일부가 고굴절율 액체로 충전된 리소그래피 장치에서, 기판 상에 잔류하는 고굴절율 액체의 증발과 관련된 기판 냉각 효과에 의해 일부 오버레이 오차들이 초래된다는 것을 깨달았다. 이들 오버레이 오차들은 위치 뿐 아니라 시험 노광 시퀀스(sequence)의 이력(history)에 좌우된다. 따라서, 통상적인 방법으로 측정된 오버레이 오차들이 장치를 캘리브레이션하기 위해 사용되면, 오버레이 오차들이 제거되지 않을 것이고 실로 악화될 수 있다.
따라서, 예를 들어 리소그래피 장치를 캘리브레이션하는 개선된 방법을 제공하는 것은 유리할 것이다.
본 발명의 한 측면에 따르면,
- 제 1 투영 시스템을 포함하는 제 1 리소그래피 투영 장치를 사용하여 제 1 기판 상에 제 1 세트의 시험 구조들을 프린트하는 단계로서, 상기 제 1 기판은 상기 제 1 세트의 시험 구조들을 프린트하기 위해 상기 제 1 투영 시스템에 대해 제 1 코스를 이동하는, 제 1 세트의 시험 구조들을 프린트하는 단계;
- 제 2 투영 시스템을 포함하는 제 2 리소그래피 투영 장치를 사용하여 제 2 기판 상에 제 2 세트의 시험 구조들을 프린트하는 단계로서, 상기 제 2 기판은 상기 제 2 세트의 시험 구조들을 프린트하기 위해 상기 제 2 투영 시스템에 대해 제 2 코스를 이동하고, 상기 제 2 코스는 상기 제 1 코스와 상이한, 제 2 세트의 시험 구조들을 프린트하는 단계;
- 상기 제 1 세트의 시험 구조들 내에서 제 1 세트의 위치 데이터를 측정하는 단계;
- 상기 제 2 세트의 시험 구조들 내에서 제 2 세트의 위치 데이터를 측정하는 단계;
- 상기 제 1 및 제 2 세트의 위치 데이터로부터 제 3 세트의 위치 오차 데이터를 계산하는 단계;
- 상기 제 3 세트의 위치 오차 데이터를 사용하여 하나 이상의 리소그래피 투영 장치를 캘리브레이션하는 단계를 포함하는 리소그래피 방법이 제공된다.
본 발명의 한 측면에 따르면,
제 1 투영 시스템을 포함하는 제 1 리소그래피 투영 장치를 사용하여 제 1 기판 상에 제 1 세트의 시험 구조들을 프린트하는 단계로서, 상기 제 1 기판은 상기 제 1 세트의 시험 구조들을 프린트하기 위해 상기 제 1 투영 시스템에 대해 제 1 코스를 이동하는, 제 1 세트의 시험 구조들을 프린트하는 단계;
제 1 리소그래피 투영 장치를 사용하여 제 2 기판 상에 제 2 세트의 시험 구조들을 프린트하는 단계로서, 상기 제 2 기판은 상기 제 2 세트의 시험 구조들을 프린트하기 위해 상기 제 1 투영 시스템에 대해 제 2 코스를 이동하고, 상기 제 2 코스는 상기 제 1 코스와 상이한, 제 2 세트의 시험 구조들을 프린트하는 단계;
상기 제 1 세트의 시험 구조들 내에서 제 1 세트의 오버레이 데이터를 측정하는 단계;
상기 제 2 세트의 시험 구조들 내에서 제 2 세트의 오버레이 데이터를 측정하는 단계;
상기 제 1 및 제 2 세트의 오버레이 데이터로부터 제 3 세트의 위치 오차 데이터를 계산하는 단계;
상기 제 3 세트의 위치 오차 데이터를 사용하여 제 1 리소그래피 투영 장치를 캘리브레이션하는 단계를 포함하는 리소그래피 방법이 제공된다.
본 발명의 한 측면에 따르면,
- 제 1 시험 노광 시퀀스에 따라 제 1 리소그래피 투영 장치를 사용하여 제 1 기판 상에 제 1 세트의 시험 구조들을 프린트하는 단계로서, 상기 제 1 기판은 열 전도 특성에 대한 제 1 값 및 열적 증발 특성에 대한 제 2 값을 가지는, 제 1 세트의 시험 구조들을 프린트하는 단계;
- 제 2 시험 노광 시퀀스에 따라 제 2 리소그래피 투영 장치를 사용하여 제 2 기판 상에 제 2 세트의 시험 구조들을 프린트하는 단계로서, 상기 제 2 기판은 열 전도 특성에 대한 제 3 값 및 열적 증발 특성에 대한 제 4 값을 가지고, 상기 제 2 시험 노광 시퀀스, 제 3 값 및 제 4 값 중 하나 이상은 각각 상기 제 1 시험 노광 시퀀스, 제 1 값 및 제 2 값과 상이한, 제 2 세트의 시험 구조들을 프린트하 는 단계;
- 상기 제 1 세트의 시험 구조들 내에서 제 1 세트의 위치 데이터를 측정하는 단계;
- 상기 제 2 세트의 시험 구조들 내에서 제 2 세트의 위치 데이터를 측정하는 단계;
- 상기 제 1 및 제 2 세트의 위치 데이터로부터 제 3 세트의 위치 오차 데이터를 계산하는 단계;
- 상기 제 3 세트의 위치 오차 데이터를 사용하여 하나 이상의 리소그래피 투영 장치를 캘리브레이션하는 단계를 포함하는 리소그래피 방법이 제공된다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에서 사용가능한 따른 리소그래피 장치를 개략적으로 도시한다. 상기 장치는:
- 방사선 빔(PB)(예를 들어, UV 방사선 또는 DUV 방사선)을 컨디셔닝하도록 구성된 조명시스템(일루미네이터)(IL);
- 패터닝 디바이스(예를 들어, 마스크)(MA)를 지지하도록 구성되고, 특정 파라미터들에 따라 패터닝 디바이스를 정확히 위치시키도록 구성된 제1위치설정기(PM)에 연결된 지지 구조체(예를 들어, 마스크 테이블)(MT);
- 기판(예를 들어, 레지스트-코팅된 웨이퍼)(W)을 잡아주도록 구성되고, 특정 파라미터들에 따라 기판을 정확히 위치시키도록 구성된 제2위치설정기(PW)에 연결된 기판 테이블(예를 들어, 웨이퍼 테이블)(WT); 및
- 기판(W)의 타겟부(예를 들어 1이상의 다이를 포함)(C)에 패터닝 디바이 스(MA)에 의하여 방사선 빔(PB)에 부여된 패턴을 투영하도록 구성된 투영시스템(예를 들어, 굴절 투영 렌즈 시스템)(PL)을 포함한다.
조명시스템은, 방사선의 지향, 성형 또는 조절을 위하여, 다양한 형태의 광학 구성요소들, 예컨대 굴절, 반사, 자기, 전자기, 정전기 또는 다른 형태의 광학 구성요소들, 또는 그 조합을 포함할 수 있다.
지지 구조체는, 패터닝 디바이스를 지지한다. 즉, 이의 중량을 견딘다. 이는 패터닝 디바이스의 방위, 리소그래피 장치의 디자인, 및 예를 들어 패터닝 디바이스가 진공 환경에서 유지되는지의 여부와 같은 다른 조건들에 의존하는 방식으로 패터닝 디바이스를 유지한다. 지지 구조체는 패터닝 디바이스를 유지하기 위해 기계적, 진공, 정전기, 또는 다른 클램핑 기술들을 이용할 수 있다. 지지 구조체는 예를 들어 필요에 따라 고정되거나 이동할 수 있는 프레임 또는 테이블일 수 있다. 지지 구조체는 패터닝 디바이스가, 예를 들어 투영시스템에 대해, 원하는 위치에 있을 것을 보장할 수 있다. 본 명세서의 "레티클" 또는 "마스크"라는 어떠한 용어의 사용도 "패터닝 디바이스"와 같은 좀 더 일반적인 용어와 동의어로도 간주될 수 있다.
본 명세서에서 사용되는 "패터닝 디바이스"라는 용어는, 예를 들어 기판의 타겟부에 패턴을 생성하기 위해서, 방사선 빔의 단면에 소정 패턴을 부여하는데 사용될 수 있는 임의의 디바이스를 의미하는 것으로 폭넓게 해석되어야 한다. 방사선 빔에 부여된 패턴은, 예를 들어, 상기 패턴이 위상-시프팅 피처(phase-shifting features)들 또는 소위 어시스트 피처(assist features)들을 포함하는 경우, 기판 의 타겟부내의 원하는 패턴과 정확히 일치하지 않을 수도 있다는 것을 유의한다. 일반적으로, 방사선 빔에 부여된 패턴은 집적 회로와 같이 타겟부에 생성될 디바이스내의 특정 기능층에 해당할 것이다.
패터닝 디바이스는 투과형 또는 반사형일 수 있다. 패터닝 디바이스의 예로는 마스크, 프로그래밍가능한 거울 어레이 및 프로그래밍가능한 LCD 패널을 포함한다. 마스크는 리소그래피 분야에서 잘 알려져 있으며, 바이너리형, 교번 위상-시프트형 및 감쇠 위상-시프트형과 같은 마스크 형태와 다양한 하이브리드 마스크 형태도 포함한다. 프로그래밍가능한 거울 어레이의 일례는 작은 거울들의 매트릭스 배치를 채택하며, 그 각각은 입사하는 방사선 빔을 상이한 방향으로 반사시키도록 개별적으로 기울어질 수 있다. 기울어진 거울들은 거울 매트릭스에 의해 반사되는 방사선 빔에 소정 패턴을 부여한다.
본 명세서에서 사용되는 "투영시스템"이라는 용어는, 사용되는 노광방사선에 대하여, 또는 침지 유체의 사용 또는 진공의 사용과 같은 다른 인자들에 대하여 적절하다면, 굴절, 반사, 카타디옵트릭, 자기, 전자기 및 정전기 광학 시스템들을 포함하는 임의의 타입의 투영시스템 또는 이의 임의의 조합을 내포하는 것으로서 폭넓게 해석되어야 한다. 본 명세서의 "투영 렌즈"라는 용어의 어떠한 사용도 "투영시스템"과 같은 좀 더 일반적인 용어와 동의어로도 간주될 수 있다.
본 명세서에 도시된 바와 같이, 상기 장치는 (예를 들어, 투과 마스크를 채택하는) 투과형이다. 선택적으로, 상기 장치는 (예를 들어, 상기 언급된 바와 같은 형태의 프로그래밍가능한 거울 어레이를 채택하거나, 반사 마스크를 채택하는) 반 사형이 될 수도 있다.
리소그래피 장치는 2개(듀얼 스테이지)이상의 기판 테이블(및/또는 2이상의 마스크 테이블들)을 갖는 형태로 구성될 수도 있다. 이러한 "다수 스테이지" 기계에서는 추가 테이블이 병행하여 사용될 수 있으며, 또는 1이상의 테이블이 노광에 사용되고 있는 동안 1이상의 테이블에서는 준비작업 단계가 수행될 수 있다.
도 1을 참조하면, 일루미네이터(IL)는 방사선 소스(S0)로부터 방사선 빔을 수용한다. 예를 들어, 상기 소스가 엑시머 레이저인 경우, 상기 소스 및 리소그래피 장치는 별도의 개체일 수도 있다. 이러한 경우, 상기 소스는 리소그래피 장치의 일부분을 형성하는 것으로 간주되지 않으며, 상기 방사선 빔은, 예를 들어 적절한 지향 거울 및/또는 빔 익스팬더를 포함하는 빔 전달 시스템(BD)의 도움으로, 소스(SO)로부터 일루미네이터(IL)로 통과된다. 다른 경우, 예를 들어 상기 소스가 수은 램프인 경우, 상기 소스는 리소그래피 장치의 통합부일 수 있다. 상기 소스(SO) 및 일루미네이터(IL)는, 필요하다면 빔 전달 시스템(BD)과 함께 방사선 시스템이라고도 칭해질 수 있다.
일루미네이터(IL)는 방사선 빔의 각도 세기 분포를 조정하는 조정기(AD)를 포함할 수도 있다. 일반적으로, 일루미네이터의 퓨필 평면내의 세기 분포의 적어도 외반경 및/또는 내반경 크기(통상적으로, 각각 σ-외측 및 σ-내측이라 함)가 조정될 수 있다. 또한, 일루미네이터(IL)는 인티그레이터(IN) 및 콘덴서(CO)와 같이 다양한 다른 구성요소들을 포함할 수 있다. 일루미네이터는 그 단면에 원하는 균일성과 세기 분포를 가지기 위해, 방사선의 빔을 컨디셔닝하는데 사용될 수 있다.
상기 방사선 빔(PB)은, 지지 구조체(예를 들어, 마스크 테이블(MT))상에 유지되어 있는 패터닝 디바이스(예를 들어, 마스크(MA))상에 입사되며, 패터닝 디바이스에 의해 패터닝된다. 마스크(MA)를 가로질렀으면, 상기 방사선 빔(PB)은 투영시스템(PS)을 통과하여 기판(W)의 타겟부(C)상에 상기 빔을 포커스한다. 침지 후드(IH)는 이하에서 더 설명되는 바와 같이, 투영 시스템(PL) 및 기판(W) 사이의 공간에 침지 액체를 공급한다.
제 2 위치설정기(PW) 및 위치 센서(IF), (예컨대, 간섭계 디바이스, 리니어 인코더 또는 용량성 센서)의 도움으로, 기판 테이블(WT)은, 예를 들어 방사선 빔(PB)의 경로내에 상이한 타겟부(C)들을 위치시키도록 정확하게 이동될 수 있다. 이와 유사하게, 제 1 위치설정기(PM) 및 또 다른 위치센서(도 1에 명확히 도시되지 않음)는, 예를 들어 마스크 라이브러리로부터의 기계적인 회수 후에, 또는 스캔하는 동안, 방사선 빔(DB)의 경로에 대해 마스크(MA)를 정확히 위치시키는데 사용될 수 있다. 일반적으로, 마스크 테이블(MT)의 이동은, 장-행정 모듈(long-stroke module)(개략 위치설정) 및 단-행정 모듈(short-stroke module)(미세 위치설정)의 도움을 받아 실현될 것이며, 이는 제 1 위치설정기(PM)의 일부분을 형성한다. 이와 유사하게, 기판 테이블(WT)의 이동도, 장-행정 모듈 및 단-행정 모듈을 이용하여 실현될 수 있으며, 이는 제 2 위치설정기(PW)의 일부분을 형성한다. (스캐너와는 대조적으로) 스테퍼의 경우, 상기 마스크 테이블(MT)은 단지 단-행정 액추에이터에만 연결되거나 고정될 수도 있다. 마스크(MA) 및 기판(W)은 마스크 정렬 마크(M1, M2) 및 기판 정렬 마크(P1, P2)를 이용하여 정렬될 수 있다. 비록, 예시된 기판 정 렬 마크들이 지정된 타겟부(dedicated target portion)들을 차지하지만, 그들은 타겟부들간의 공간들내에 위치될 수도 있다(이들은 스크라이브-레인 정렬 마크들(scribe-lane alignment marks)로 알려져 있다). 이와 유사하게, 마스크(MA)상에 1이상의 다이가 제공되는 상황들에서는, 마스크 정렬 마크들이 다이들 사이에 위치될 수도 있다.
서술된 장치는 다음의 모드들 중 1이상에 사용될 수 있다:
1. 스텝 모드에서, 마스크 테이블(MT) 및 기판 테이블(WT)은 기본적으로 정지상태로 유지되는 한편, 방사선 빔에 부여되는 전체 패턴은 한번에 타겟부(C)상에 투영된다(즉, 단일 정적 노광(single static exposure)). 이후, 기판 테이블(WT)은 다른 타겟부(C)가 노광될 수 있도록 X 및/또는 Y 방향으로 시프트된다. 스텝 모드에서, 노광 필드의 최대 크기는 단일 정적 노광시에 이미징되는 타겟부(C)의 크기를 제한한다.
2. 스캔 모드에서, 마스크 테이블(MT) 및 기판 테이블(WT)은, 방사선 빔에 부여되는 패턴이 타겟부(C)상에 투영되는 동안에 동기적으로 스캐닝(즉, 단일 동적 노광(single dynamic exposure))된다. 마스크 테이블(MT)에 대한 기판 테이블(WT)의 속도 및 방향은 확대(축소) 및 투영시스템(PL)의 이미지 반전 특성에 의하여 결정될 수 있다. 스캔 모드에서, 노광 필드의 최대 크기는 단일 동적 노광시 타겟부의 (스캐닝되지 않는 방향으로의) 폭을 제한하는 반면, 스캐닝 작동의 길이는 타겟부의 (스캐닝 방향으로의) 높이를 결정한다.
3. 또 다른 모드에서, 마스크 테이블(MT)은 프로그래밍가능한 패터닝 디바이 스를 유지하여 기본적으로 정지된 상태로 유지되며, 방사선 빔에 부여된 패턴이 타겟부(C)상에 투영되는 동안, 기판 테이블(WT)이 이동되거나 스캐닝된다. 이 모드에서는, 일반적으로 펄스화된 방사선 소스(pulsed radiation source)가 채용되며, 프로그래밍가능한 패터닝 디바이스는 기판 테이블(WT)이 각각 이동한 후, 또는 스캔동안의 연속 방사선 펄스들 사이에 필요에 따라 업데이트된다. 이 작동 모드는 상기 언급된 바와 같은 형태의 프로그래밍가능한 거울 어레이와 같은 프로그래밍가능한 패터닝 디바이스를 이용하는 마스크없는 리소그래피(maskless lithography)에 용이하게 적용될 수 있다.
또한, 상술된 모드들의 조합 및/또는 변형, 또는 완전히 다른 사용 모드들을 채용할 수 있다.
국부적인 액체 공급 시스템을 사용한 또다른 침지 리소그래피 해결책을 도 4에 도시한다. 액체는, 투영 시스템(PL)의 어느 한 쪽 상의 두 그루브(groove) 유입구(IN)에 의해 공급되며, 유입구(IN)의 외부로 방사상으로 배치되어 있는 다수의 개별 유출구(OUT)에 의해 제거된다. 유입구(IN) 및 유출구(OUT)는, 중심에 있으며 이를 통해 투영 빔이 투영되는 구멍(hole)을 갖는 플레이트 내에 배치될 수 있다. 액체는 투영 시스템(PL)의 한쪽 상의 한 그루브 유입구(IN)에 의해 공급되고, 투영 시스템(PL)의 다른 쪽 상의 다수의 개별 출구(OUT)에 의해 제거되어, 투영 시스템(PL) 및 기판(W) 사이에 액체 박막 흐름을 유발한다. 사용하는 유입구(IN) 및 유출구(OUT)를 어떻게 조합할 것인지의 선택은, 기판(W)의 이동 방향에 따라 결정 가능하다(유입구(IN) 및 유출구(OUT)의 다른 조합은 사용하지 않음(inactive)).
제안된 국부화된 액체 공급 시스템 해결책을 갖는 또다른 침지 리소그래피 해결책은, 투영 시스템의 최종 요소 및 기판 테이블 사이 공간 경계의 적어도 일부를 따라 연장되는 시일 부재를 액체 공급 시스템에 제공하는 것이다. 이러한 해결책은 도 5에 설명된다. 시일 부재는, Z 방향(광학 축 방향)으로 다소 상대적 이동이 가능하다 할지라도, XY 면에서는 투영 시스템에 대해 실질적으로 정적이다. 시일은 시일 부재 및 기판 표면 간에 형성된다.
도 5를 참조하여, 저장소(reservoir)(10)는 투영 시스템의 이미지 필드 주위의 기판에 비접촉 시일을 형성하여, 기판 표면 및 투영 시스템의 최종 요소 사이의 공간을 채우도록 액체를 한정한다. 저장소는, 투영 시스템(PL)의 최종 요소 하부에 위치되어 이를 둘러싸는 시일 부재(12)에 의해 형성된다. 액체는 투영 시스템 하부 및 시일 부재(12) 이내의 공간에 들어간다. 시일 부재(12)는 투영 시스템의 최종 요소의 약간 상부로 연장되어 있으며, 액체 수준은, 액체의 버퍼(buffer)가 제공되도록 최종 요소의 위로 올라간다. 시일 부재(12)는, 일 실시예에서, 상부 말단에, 투영 시스템 또는 이의 최종 요소의 형태에 꼭 맞는 내부 주변을 가지며, 예를 들어 원형(round)일 수 있다. 바닥에서, 내부 주변은 이미지 필드의 형태, 예를 들어 직사각형에 꼭 맞지만, 반드시 이와 같을 필요는 없다.
액체는 시일 부재(12)의 바닥 및 기판(W)의 표면 사이의 기체 시일(16)에 의해 저장소 내에 한정된다. 기체 시일은, 시일 부재(12) 및 기판 사이의 간극(gap)에 유입구(15)를 통해, 압력 하에 제공되고, 유출구(14)를 통해 추출되 는(extract), 기체, 예를 들어 공기, 합성 공기, 일실시예에서, N2 또는 불활성 기체에 의해 형성된다. 기체 유입구(15) 상의 과압(overpressure), 제 1 유출구(14) 상의 진공 수준 및 간극의 기하구조(geometry)는, 액체를 한정하는 내부로의 고속(high-velocity) 기체 흐름이 있도록 배치된다(arranged). 이러한 시스템은 전반적으로 본 명세서에 인용참조되어 있는 미국 특허 출원 제 10/705,783호에 개시된다.
본 발명은, 침지-형 리소그래피 투영 장치의 일부 오버레이 오차들이 열적 작용, 특히 기판이 침지 액체를 통해 노광된 후 타겟부 상에 남겨진 잔류 침지 액체, 예를 들어 물의 증발로 인한 기판의 냉각 때문이라는 것을 본 발명자들이 깨닫게 된 것과 관련 있다. 본 발명자들은, 이들 오차가, 리소그래피 장치 내의 몇가지 다른 시스템적인 오버레이 오차에서와 같이 위치 의존성일 뿐 아니라, 기판의 노광의 이력 - 선행 노광 동안 기판의 코스(경로 및 방향) 및 속도 - 에 좌우된다는 것을 깨달았다.
또한, 본 발명자들은 오차들이 또한 기판 처리동안 사용된 재료들에 좌우된다는 것을 깨달았다. 당업자가 알 수 있는 바와 같이, 패턴은 기판 상의 레지스트 층으로 전사된다(written). 열전도는 사용된 레지스트층에 좌우된다. 당업자가 알 수 있는 바와 같이, 이러한 레지스트층들은 다수의 처리들에서 탑코트(topcoat)로 코팅된다. 침지 액체(예를 들어 물)의 증발은 사용된 탑코트에 좌우된다. 따라서 리소그래피 장치를 캘리브레이션하는 것은 리소그래피 처리에 대해 또는 특정 처리 층에 대해 리소그래피 장치를 캘리브레이션하는 것으로서 이해될 수 있다.
기판의 노광 이력에 대한 오버레이 오차들의 의존성은, 열적 효과를 시뮬레이션하는 유한 요소 해석(finite element analysis)으로부터 얻어진 실험 데이터를 나타내는 도 6 및 7에 의해 확인된다. 특히, 도 6은 액체 공급 시스템 하에 기판이 통과함으로 인해, 특히 타겟부의 프린트 후 기판으로부터의 잔류 침지 액체(예를 들어 물)의 증발로 인해, 기판이 냉각되어 유발된 열적 효과에 기인하는 오버레이 오차 데이터를 도시한다. 데이터는, 웨이퍼의 왼쪽 바닥에서 시작하는 도 8에 도시된 바와 같은 일반적인 뇌문 스캔(meander scan)을 실시한 결과를 시뮬레이션한다. 웨이퍼의 오른쪽 최상부에서 시작하여 동일한 코스를 반대로(reverse) 따르는 도 9에 도시된 반전된(reversed) 뇌문 스캔을 시뮬레이팅하는 유사한 데이터 세트를 얻었다. 도 7은 이들 두 세트의 데이터를 뺀 결과를 도시하는데, 이로부터 상당한 변화가 관찰될 수 있으며, 웨이퍼 냉각과 관련된 오버레이 오차의 확인 및 이에 따른 개별 수정(correction)이 가능하다.
도 7로부터, 반대 방향으로 실시된 스캔으로부터 오버레이 오차 데이터를 얻음으로써, 열적 효과에 기인하며 노광 이력에 의존하는 오버레이 오차들을 확인하고, 이에 따라 다른 시스템적인 무작위 오차들로부터 분리할 수 있다고 결론지을 수 있다. 이어서 시스템적 오차들만을 사용하여 장치의 캘리브레이션을 수행하여, 정확도를 증가시킬 수 있다.
본 발명을 설명하기 위해 시뮬레이션된 데이터 대신 측정된 데이터를 또한 취할 수 있다는 것은 당업자에게 명백할 것이다. 일반적으로 뇌문 스캔은 쉽게 반 대로 될 수 있다는 것도 명백할 것이다. 뇌문 스캔은 반전된 뇌문 스캔과 마찬가지로 리소그래피 장치 내에 프로그래밍된다.
본 발명에 따른 방법의 플로우차트는 도 10에 주어진다. 제 1 기판은 제 1 시험 노광 시퀀스동안 제 1 세트의 시험 구조들로 노광되며, 제 1 코스를 따르고 제 1 속도 프로파일에 따라 이동한다. 시험 구조는 오버레이-감응성 마커(오버레이 마커)이다. 시험 구조들은 제 1 세트의 위치 데이터(이 경우에 위치 오차 데이터)를 얻기 위해 측정(S2)된다(다시 말해, 오버레이가 측정된다). 이어서, 바람직하게는 제 1 세트와 동일한 제 2 세트의 시험 구조들이 제 2 시험 노광 시퀀스 동안 동일한 기판 상에, 제 1 코스와 동일하되 반대 방향으로 이동하는(다시 말해, 속도(velocity) 프로파일이 상이한) 제 2 코스를 사용하여 노광된다(S3). 이어서 제 2 세트의 구조들은 제 2 세트의 오차 데이터를 얻기 위해 측정된다(S4).
특정 실시예에서, 제 1 시험 구조들은 미리 결정된 순서로 프린트된다 - 제 1 열(바닥)이 예를 들어 왼쪽에서 오른쪽으로 프린트되고 연이은 열들이 소위 뇌문 패턴을 형성하기 위해 교대되는 방향들로 프린트된다.
스캐너, 즉 각 타겟부가 프린트되지만 기판 및 패턴이 투영 렌즈에 대해 스캐닝되는 리소그래피 장치에서, 각 스캔의 시작시에 완전한 스캐닝 속도가 되고 타겟부들 사이에서 마스크(사용되는 경우)를 멈추고 반전시킬 필요성으로 인해, 연속되는 타겟부들이 반대 방향들로 스캐닝된다. 따라서 기판의 추가적인 이리저리(back-and-forth) 움직임은 뇌문 경로 상에 포개어진다(superimposed). 명료하도록, 이러한 움직임은 도 8 및 9에서 생략되었다.
제 2 세트의 시험 구조들을 노광하는 각 타겟부에 대해, 제 1 세트의 시험 구조들의 대응하는 타겟부에 대해서와 동일한 스캐닝 방향이 사용될 수 있다. 이는, 전체적인(전체 기판) 냉각 효과의 차단(isolation)을 돕도록 타겟부-이내(intra-target) 냉각 효과가 동일하게 보장한다. 선택적으로, 각 타겟부에 대한 스캐닝 방향은 전체 뇌문의 반전이 있거나 없이 제 1 및 제 2 시험 구조들 간에 반전될 수 있다. 노광 순서 및 스캔 방향에 대한 변화의 다양한 상이한 조합으로 다수 세트의 측정을 실시하여, 다양한 상이한 형태의 국부적 및 전체적 냉각 효과들에 대해 차단 및 이에 따른 보정(compensation)이 가능하다.
제 2 세트의 시험 구조들에 사용된 코스는, 이것이 동일한 경로를 따르지만 반대 방향(시간 반전, 다시 말해 이는 동일한 경로지만 속도 프로파일이 상이하다)이라는 점, 이것이 기판에 수직인 면에서 제 1 코스의 거울 이미지이라는 점, 또는 이것이 기판의 중심을 통과하는 축에 대한 제 1 코스의 회전이라는 점, 또는 이들의 조합이라는 점에서 반대가 될 수 있다. 이러한 경우들에서 바람직하게는 제 2 코스는 제 1 코스와 동일한 속도로 이동되어야 한다.
제 1 코스 및 제 2 코스는, 정확히 동일하게 하고, 동일한 방향이되 상이한 속도로 이동시키는 것도 가능하다는 것을 당업자는 알 것이다. 언급한 바와 같이, 코스가 취해지는 속도는 속도 프로파일라고 칭할 것이다. 제 2 코스에 대응하는 속도 프로파일은 예를 들어 제 1 코스에 대응하는 속도 프로파일의 반이 될 수 있다. 선택적으로, 몇가지 경우에서 제 2 코스동안 기판은 정지된다(halted). 이는 예를 들어 기판의 한 층을 통해 기판 표면을 따라 열 에너지의 전도가 예상되는 경우에 적용될 수 있다. 레지스트 층을 통한 열전도는 기판의 온도에 국부적으로 영향을 준다. 이는 중간 타겟부, 중간 타겟부의 왼쪽 상에 이웃하는 타겟부 및 중간 타겟부의 오른쪽 상에 이웃하는 타겟부를 사용하여 설명될 수 있다. 세 모든 타겟부들의 위치는 알려진다. 이어서 가장 오른쪽의 타겟부가 냉각되는데, 이의 표면 상의 액체가 증발되기 때문이다. 열전도는 중간 타겟부들이 또한 냉각되도록 한다. 냉각에 의해, 중간 타겟부들이 수축한다. 이는 가장 왼쪽의 타겟부의 위치가 이의 알려진 위치로부터 변화한다는 것을 의미하며, 이는 왼쪽 타겟부를 조명할 때 오버레이 오차를 유발한다.
기판 상의 제 1 타겟부 및 제 2 타겟부 간의 거리가 커질수록, 제 1 타겟부의 열 에너지가 제 2 타겟부까지 전달되기까지 시간이 길어진다. 이의 최상부 상에서, 더 큰 거리에서 영향이 더 작아지는데, 열 에너지가 기판의 더 큰 일부에 전부 전도될 것이고 따라서 기판의 더 큰 일부 상에 퍼질 것이기 때문이다.
제 1 및 제 2 세트의 시험 구조들의 노광 및 측정은 어느 한 순서로 실시될 수 있으며, 측정이 스탠드-얼론(stand-alone) 툴을 사용하거나 듀얼 스테이지 장치의 측정 스테이션에서 이루어질 경우 노광과 병행하여 측정이 이루어질 수 있다. 제 1 및 제 2 세트의 시험 구조들은 동일하거나 상이한 기판들 상에서 다수회 노광 및 측정될 수 있으며, 무작위 오차들의 효과를 감소시키기 위해 결과들이 평균 내어질 수 있다.
이어서, 제 1 및 제 2 오차 데이터는 제품 노광(S7)이 수행되기 전에 장치의 캘리브레이션(S6)에 사용될 수 있는 제 3 세트의 오차 데이터를 얻기 위하여 처 리(S5)된다. 제 3 데이터를 얻기 위한 제 1 및 제 2 데이터 세트의 처리는, 원하는 정확한 열적 오버레이 오차들 형태에 따라, 두 데이터 세트의 단순한 빼기 또는 보다 복잡한 계산이 될 수 있다.
본 발명의 일실시예에서, 제 1 시험 노광 시퀀스동안의 제 1 기판 및 제 2 시험 노광 시퀀스동안의 제 2 기판의 열전도 특성은 상이하다. 두 레지스트층들 모두를 적용하기 위해 사용된 처리의 처리 파라미터 값들을 변화시킴으로써 제 2 기판에 제 1 기판과 상이한 레지스트층을 제공할 수 있다. 일반적으로 변화되는 파라미터들은 레지스트 층 두께 및 레지스트 층 재료의 전도도이다. 스핀 코팅이라 불리는 코팅 처리에 의해 제 1 및 제 2 기판들에 레지스트 층들이 적용된다. 이러한 처리의 처리 파라미터들은 예를 들어 사용된 재료들, 레지스트 재료의 점도, 기판의 회전 속도, 적용될 때의 코팅의 온도 및 경화(curing) 시간이다.
본 발명의 일 실시예에서, 제 1 세트의 시험 구조들은 제 1 시험 노광 시퀀스동안 리소그래피 장치를 사용하여 제 1 기판 상에 프린트된다. 제 2 세트의 시험 구조들은 제 1 노광 시퀀스와 동일한 제 2 시험 노광 시퀀스동안 리소그래피 장치를 사용하여 제 2 기판 상에 프린트된다. 즉, 두 시험 노광 시퀀스들 모두에서 따르는 코스 및 속도 프로파일과 열적 부하 프로파일은 동일하다. 그러나, 제 1 기판의 열적 증발 특성들은 제 2 기판의 열적 증발 특성들과 상이하다. 이는 상이한 탑코트(topcoats)들을 적용함으로써 달성될 수 있다. 탑코트는, 방사선이 광활성층인 레지스트 층에 도달하기 전에 통과하는 기판 상의 코팅이다. 탑코트는 코팅 처리에 의해 적용된다. 이러한 처리의 처리 파라미터들은 예를 들어 사용된 재료, 탑코트 재료의 점도, 적용될 때의 코팅의 온도 및 경화 시간이다. 하나 이상의 처리 파라미터 값들을 변화시킴으로써, 탑코트 (및 이에 따라 기판)의 열적 증발 특성들을 변화시킬 수 있다.
본 발명의 일 실시예에서, 제 1 세트의 시험 구조들은 제 1 시험 노광 시퀀스동안 리소그래피 장치를 사용하여 제 1 기판 상에 프린트된다. 제 1 시험 노광 시퀀스동안, 제 1 코스 및 제 1 속도 프로파일을 따른다. 제 2 세트의 시험 구조들은 제 1 코스 및 제 1 속도 프로파일을 또한 따르는 제 2 시험 노광 시퀀스동안 리소그래피 장치를 사용하여 제 2 기판 상에 프린트된다. 그러나, 제 1 코스동안 침지 액체는 제 2 코스동안에서보다 약간 더 따뜻하다(예를 들어 0.1 또는 0.01 ℃). 다시 말해 상이한 열적 부하(load) 프로파일을 따른다. 따라서, 기판은 제 1 시험 노광 시퀀스 이후 침지 액체의 증발동안에 제 2 시험 노광 시퀀스 이후 침지 액체의 증발동안 보다 덜 냉각될 것이다. 이는, 기판으로부터 더 따뜻한 액체를 증발시키는 것은 더 차가운 액체를 증발시키는 것보다 열이 적게 요구되기 때문이다. 다시 말해, 제 2 시험 노광 시퀀스 이후 기판으로부터 액체를 증발시키는 동안에 다량의 열적 에너지가 사용된다. 제 1 및 제 2 시험 노광 시퀀스 이후 오버레이 오차들이 측정 및 감산된다. 제 1 및 제 2 시험 노광 시퀀스들 이후 사용된 열 에너지 차이가 계산된다. 또한 감산된 오버레이 오차들을 열 에너지 차이로 나누어 줌으로써, 열 에너지에 대한 오버레이 오차의 미분계수(derivative)가 계산된다. 기판으로부터 모든 액체를 증발시키기 위해 요구되는 열 에너지의 총량의 추정값을 상기 미분계수와 곱함으로써, 액체를 증발시켜 유발된 총 오버레이 오차에 대한 추정값 이 얻어진다. 물론, 오버레이 오차 및 증발 간의 관계에 대한 다른 모델들이 사용될 수 있거나, 레지스트 층을 통한 열 전도와 같은 다른 열적 효과들을 포함하는 더 복잡화된 모델들이 사용될 수 있다.
시험 구조가 또한 정렬 마크가 될 수 있다는 것은 당업자에게 이해될 것이다. 정렬 마크 프린트 동안, 이는 원하는 프린트된 위치를 갖는다. 측정된 위치로부터 원하는 프린트된 위치(다시 말해 선험적 정보(a priori information))를 빼냄(subtracting)으로써 오버레이 오차가 결정된다. 따라서, 제 1 세트의 오차 데이터를 얻기 위해 및 유사하게 제 2 세트의 오차 데이터를 얻기 위해 정렬 마크들의 위치 측정들이 사용될 수 있다. 제 2 세트의 시험 구조들 중 하나의 제 1의 원하는 프린트된 위치에 대응하는 측정된 정렬 마크 위치는 또한, 제 1 세트의 시험 구조들의 제 1의 원하는 프린트된 위치에 대응하는 측정된 정렬 마크 위치들로부터 직접 감산될 수 있다는 것이 또한 이해될 것이다. 이 결과로부터, 오버레이 오차들과 관련된 웨이퍼 냉각은 확인 및 수정될 수 있다.
유럽 특허 출원 제 03257072.3호에서는, 트윈 또는 듀얼 스테이지 침지 리소그래피 장치의 아이디어가 개시되어 있다. 이러한 장치에는 기판을 지지하는 2개의 테이블들이 제공된다. 침지 액체가 없는 제 1 위치의 테이블을 이용하여 레벨링 측정들이 수행되며, 침지 액체가 존재하는 제 2 위치의 테이블을 이용하여 노광이 수행된다. 선택적으로, 레벨링 측정은 침지 액체가 존재하는 제 1 위치의 테이블을 이용하여 수행되고, 노광은 침지 액체가 또한 존재하는 제 2 위치의 테이블을 이용하여 수행된다. 선택적으로, 침지 리소그래피 장치는 하나의 테이블만을 갖는다. 이 방법은 비-침지 리소그래피 장치에도 적용될 수 있다.
당업자는, 제 1 세트의 시험 구조들이 제 1 리소그래피 투영 장치 상에서 프린트(S1)될 수 있고, 제 2 세트의 시험 구조들이 제 2 리소그래피 투영 장치를 사용하여 프린트(S3)될 수 있 있으며, 실제 캘리브레이션(S6)이 제 3 리소그래피 투영 장치 또는 일련의 투영 장치에 적용될 수 있다는 것을 알 것이다. 이 경우, 상이한 리소그래피 투영 장치 간의 오버레이 차이들은 사전에 캘리브레이션되고, 상이한 리소그래피 투영 장치는 바람직하게는 동일한 브랜드 및 타입이 된다.
상이한 실시예가 상이한 장점을 갖는다는 것은 당업자에게 명백할 것이다. 두개의 상이한 리소그래피 투영 장치 상에서 프린트하는 대신에 하나의 동일한 리소그래피 투영 장치를 사용하여 제 1 세트의 시험 구조들과 제 2 세트의 시험 구조들을 프린트하는 장점은, 두 리소그래피 투영 장치 간의 비 캘리브레이션된 오버레이 차이들과 같은 기계 대 기계의 차이가 작용하지 못한다는 것이다. 제 1 및 제 2 세트의 시험 구조들을 프린트하기 위하여 실제 사용된 리소그래피 투영 장치를 캘리브레이션하는 장점은, 기계 대 기계 차이가 또한 작용하지 못한다는 것이다. 제 1 및 제 2 세트의 시험 구조들을 프린트하기 위해 하나의 동일한 기판을 사용하는 장점은, 국부적 팽창 특성이 주로 기판 재료에 좌우되며 이 위의 층에 좌우되지 않는 기판들에 대해 기판의 국부적 팽창 특성이 동일하다는 것이다. 기준(reference) 마크들을 갖는 이 층은, 제 1 세트의 시험 구조들이 프린트되는 제 2 층 아래의 제 1 층이다. 제 1 세트의 시험 구조들의 위치들을 판독(reading)한 후, 제 2 세트의 시험 구조들을 제 3 층에 프린트한다. 선택적으로 제 3층을 적용하기 전에 제 2 층 이 제거된다. 리소그래피 장치의 성능이 시간(경과(drifts))에 따라 변하는 경우, 두개의 상이한 기판을 사용하고 서로 직후에 제 1 및 제 2 세트의 시험 구조들을 프린트하는 것이 유리할 수 있다. 이러한 방법에서, 두 세트의 시험 구조들 간의 시간 차이는, 제 1 및 제 2 세트의 시험 구조들을 프린트하기 위해 하나의 동일한 기판을 사용하는 경우보다 더 작고, 따라서 경과의 영향이 최소화된다.
본 명세서에서는, IC의 제조에 있어서 리소그래피 장치의 특정 사용예에 대하여 언급되지만, 본 명세서에서 서술된 리소그래피 장치는 집적 광학 시스템, 자기 도메인 메모리용 유도 및 검출 패턴, 평판 디스플레이, 액정 디스플레이(LCD), 박막 자기 헤드 등의 제조와 같이 다른 응용예들을 가질 수도 있음을 이해하여야 한다. 당업자라면, 이러한 대안적인 적용예와 관련하여, 본 명세서의 "웨이퍼" 또는 "다이"와 같은 용어의 어떠한 사용도 각각 "기판" 또는 "타겟부"와 같은 좀 더 일반적인 용어와 동의어로 간주될 수도 있음을 이해할 것이다. 본 명세서에서 언급되는 기판은, 노광 전후에, 예를 들어 트랙(전형적으로, 기판에 레지스트층을 도포하고 노광된 레지스트를 현상하는 툴), 메트롤로지 툴 및/또는 검사툴에서 처리될 수 있다. 적용가능하다면, 이러한 기판 처리 툴과 다른 기판 처리 툴에 본 명세서의 기재내용이 적용될 수 있다. 또한, 예를 들어 다층 IC를 생성하기 위하여 기판이 한번 이상 처리될 수 있으므로, 본 명세서에 사용되는 기판이라는 용어는 이미 여러번 처리된 층들을 포함한 기판을 칭할 수도 있다.
본 명세서에서 사용되는 "방사선" 및 "빔"이란 용어는 (예를 들어, 파장이 약 365, 248, 193, 157 또는 126㎚인) 자외(UV)방사선을 포함하는 모든 타입의 전 자기 방사선을 포괄한다.
본 명세서가 허용하는 "렌즈"라는 용어는, 굴절 및 반사 광학 구성요소들을 포함하는 다양한 타입의 광학 구성요소들 중 어느 하나 또는 그 조합을 나타낼 수 있다.
이상, 본 발명의 특정 실시예들이 상기 기재되었지만, 본 발명은 서술된 것과 다르게 실시될 수도 있다는 것을 이해할 수 있을 것이다. 예를 들어, 적용가능하다면 본 발명은 상기에 개시된 바와 같은 방법을 설명하는 기계-판독가능한 명령어들의 1이상의 시퀀스들을 포함하는 컴퓨터 프로그램, 또는 이러한 컴퓨터 프로그램이 저장되는 데이터 저장 매체(예컨대, 반도체 메모리, 자기 또는 광학 디스크)의 형태를 취할 수도 있다.
본 발명은 임의의 침지 리소그래피 장치, 특히 상기된 형태들(그러나 배타적이지 않음)에 적용될 수 있다. 본 장치에 사용된 침지 액체는 원하는 특성 및 사용된 노광 방사선의 파장에 따라 상이한 조성을 가질 수 있다. 193nm의 노광 파장의 경우, 초순수 또는 수계 조성물이 사용될 수 있으며, 이러한 이유로 침지 액체는 때때로 물로 칭해지며 친수성, 소수성, 습도 등과 같은 물과 관련 있는 용어가 사용될 수 있다. 그러나, 본 발명의 실시예는 다른 형태의 액체에 사용될 수 있으며 이 경우 이러한 물-관련 용어들은 사용된 침지 액체와 관련있는 등가 용어로 대체되는 것으로 고려되어야 함을 이해해야 한다.
상기 서술내용은 예시를 위한 것이지, 제한하려는 것이 아니다. 따라서, 당업자라면, 하기에 설명되는 청구항들의 범위를 벗어나지 않고 서술된 본 발명에 대 한 변형예가 행해질 수도 있음을 이해할 수 있을 것이다.
간단한 요약
본 발명은 다음 요약에 의해 요약될 수 있다.
1. 투영 시스템을 갖는 리소그래피 투영 장치의 캘리브레이션 방법에 있어서,
기판 상에 제 1 세트의 시험 구조들을 프린트하는 단계로서, 상기 기판은 상기 제 1 세트의 시험 구조들을 프린트하기 위해 투영 시스템에 대해 제 1 코스를 이동하는, 제 1 세트의 시험 구조들을 프린트하는 단계;
기판 상에 제 2 세트의 시험 구조들을 프린트하는 단계로서, 상기 기판은 상기 제 2 세트의 시험 구조들을 프린트하기 위해 투영 시스템에 대해 2 코스를 이동하고, 상기 제 2 코스는 상기 제 1 코스와 상이한, 제 2 세트의 시험 구조들을 프린트하는 단계;
상기 제 1 세트의 시험 구조들 내에서 위치 오차들을 측정하여 제 1 세트의 위치 오차 데이터를 얻는 단계;
상기 제 2 세트의 시험 구조들 내에서 위치 오차들을 측정하여 제 2 세트의 위치 오차 데이터를 얻는 단계;
상기 제 1 및 제 2 세트의 위치 오차 데이터로부터 제 3 세트의 위치 오차 데이터를 계산하는 단계;
상기 제 3 세트의 위치 오차 데이터를 사용하여 리소그래피 투영 장치를 캘 리브레이션하는 단계를 포함하는 방법.
2. 상기 1.의 방법에 있어서,
제 1 및 제 2 시험 구조들은 상기 기판 상의 다수의 열들 내에 배치된 일련의 타겟부들 내에 프린트되고, 상기 제 1 시험 구조들은 상기 타겟부들을 미리 결정된 순서로 프린트함으로써 프린트되고, 상기 제 2 시험 구조들은 상기 타겟부들을 미리 결정된 순서의 반대의 순서로 프린트함으로써 프린트되는 것을 특징으로 하는 방법.
3. 상기 2.의 방법에 있어서,
각 타겟부는 타겟부로부터 타겟부까지 상이할 수 있는 개별 스캔 방향으로 상기 투영 시스템에 대해 상기 기판을 스캐닝함으로써 프린트되고, 각 타겟부에 대해 제 1 및 제 2 시험 구조들을 프린트하기 위하여 동일한 스캔 방향이 사용되는 것을 특징으로 하는 방법.
4. 상기 2.의 방법에 있어서,
각 타겟부는 타겟부로부터 타겟부까지 상이할 수 있는 개별 스캔 방향으로 상기 투영 시스템에 대해 상기 기판을 스캐닝함으로써 프린트되고, 각 타겟부에 대해 제 1 및 제 2 시험 구조들을 프린트하기 위하여 반대되는 스캔 방향들이 사용되는 것을 특징으로 하는 방법.
5. 상기 3.의 방법에 있어서,
상기 제 1 및 제 2 세트의 시험 구조들을 프린트하기 위해 사용된 스캐닝 방향들에 반대되는 개별 스캐닝 방향들을 사용하여, 미리 결정된 순서의 반대 순서로 상기 타겟부들 각각 상에 제 3 세트의 시험 구조들을 프린트하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 방법.
6. 상기 1.의 방법에 있어서,
상기 제 1 코스는 제 1 기판이 제 1 방향으로 이동하는 뇌문 경로를 포함하고, 상기 제 2 코스는 제 2 기판이 상기 제 1 방향과 반대되는 제 2 방향으로 이동하는 뇌문 경로를 포함하는 것을 특징으로 하는 방법.
7. 상기 1.의 방법에 있어서,
상기 제 2 코스는 상기 제 1 코스의 거울 이미지와 실질적으로 동일한 것을 특징으로 하는 방법.
8. 상기 1.의 방법에 있어서,
상기 제 2 코스는 상기 제 1 코스의 180°회전과 실질적으로 동일한 것을 특징으로 하는 방법.
9. 상기 1.의 방법에 있어서,
상기 제 3 세트의 위치 오차 데이터를 계산하는 것은, 상기 제 1 및 제 2 세트의 위치 오차 데이터 간의 차이를 취하는 것을 포함하는 것을 특징으로 하는 방법.
10. 상기 1.의 방법에 있어서,
상기 제 1 및 제 2 세트의 시험 구조들의 프린트 및 이의 위치 오차의 측정은 각각, 제 1 및 제 2 세트의 위치 오차 데이터들을 얻기 위하여 다수회 반복되는 것을 특징으로 하는 방법.
11. 상기 1.의 방법에 있어서,
상기 제 1 및 제 2 시험 구조들은 동일한 기판 상에 프린트되는 것을 특징으로 하는 방법.
12. 상기 1.의 방법에 있어서,
상기 제 1 및 제 2 시험 구조들은 상이한 기판들 상에 프린트되는 것을 특징으로 하는 방법.
13. 상기 1.의 방법에 있어서,
상기 리소그래피 투영 장치는 침지 형태인 것을 특징으로 하는 방법.
14. 상기 1.의 방법에 있어서,
상기 제 1 및 제 2 세트의 위치 오차 데이터는 오버레이 오차 데이터 세트인 것을 특징으로 하는 방법.
15. 기판 상에 제 1 세트의 시험 구조들을 프린트하되, 상기 기판은 상기 제 1 세트의 시험 구조들을 프린트하는 투영 시스템에 대해 제 1 코스를 이동하고;
기판 상에 제 2 세트의 시험 구조들을 프린트하되, 상기 기판은 상기 제 2 세트의 시험 구조들을 프린트하는 투영 시스템에 대해 제 2 코스를 이동하고, 상기 제 2 코스는 상기 제 1 코스와 상이하고;
제 1 세트의 위치 오차 데이터를 얻기 위해 제 1 세트의 시험 구조들 내에서 위치 오차들을 측정하고;
제 2 세트의 위치 오차 데이터를 얻기 위해 제 2 세트의 시험 구조들 내에서 위치 오차들을 측정하고;
제 1 및 제 2 세트의 위치 오차 데이터로부터 제 3 세트의 위치 오차 데이터를 계산하고;
상기 제 3 세트의 위치 오차 데이터를 사용하여 리소그래피 투영 장치를 캘리브레이션하고;
기판들 상에 디바이스 패턴들을 프린트하기 위해 상기 리소그래피 장치를 사용함으로써 리소그래피 투영 장치를 캘리브레이션하는 단계를 포함하는, 투영 시스템을 갖는 리소그래피 투영을 이용하는 디바이스 제조 방법.
16. 상기 15.의 방법에 있어서,
상기 제 1 및 제 2 시험 구조들은 상기 기판 상의 다수의 열들 내에 배치된 일련의 타겟부들 내에 프린트되고,
상기 제 1 시험 구조들은 상기 타겟부들을 미리 결정된 순서로 프린트함으로써 프린트되고 상기 제 2 시험 구조들은 상기 타겟부들을 상기 미리 결정된 순서와 반대되는 순서로 프린트함으로써 프린트되는 것을 특징으로 하는 방법.
17. 상기 16.의 방법에 있어서,
각 타겟부는 타겟부로부터 타겟부까지 상이할 수 있는 개별 스캔 방향으로 상기 투영 시스템에 대해 상기 기판을 스캐닝함으로써 프린트되고, 각 타겟부에 대해 상기 제 1 및 제 2 시험 구조들을 프린트하기 위하여 동일한 스캔 방향들이 사용되는 것을 특징으로 하는 방법.
18. 상기 16.의 방법에 있어서,
각 타겟부는 타겟부로부터 타겟부까지 상이할 수 있는 개별 스캔 방향으로 상기 투영 시스템에 대해 상기 기판을 스캐닝함으로써 프린트되고, 각 타겟부에 대해 상기 제 1 및 제 2 시험 구조들을 프린트하기 위하여 반대되는 스캔 방향들이 사용되는 것을 특징으로 하는 방법.
19. 상기 17.의 방법에 있어서,
제 3 세트의 시험 구조들을 상기 타겟부들 각각 상에 미리 결정된 순서와 반대되는 순서로 상기 제 1 및 제 2 세트의 시험 구조들을 프린트하기 위해 사용된 스캐닝 방향과 반대되는 개별 스캐닝 방향들을 사용하여 프린트하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 방법.
20. 상기 15.의 방법에 있어서,
상기 제 3 세트의 위치 오차 데이터를 계산하는 것은, 상기 제 1 및 제 2 세트의 위치 오차 데이터 간의 차이를 취하는 것을 포함하는 것을 특징으로 하는 방법.
21. 상기 15.의 방법에 있어서,
상기 제 1 및 제 2 세트의 시험 구조들의 프린트 및 이의 위치 오차들의 측정은 각각, 제 1 및 제 2 세트의 위치 오차 데이터들을 얻기 위하여 다수회 반복되는 것을 특징으로 하는 방법.
22. 상기 15.의 방법에 있어서,
상기 제 1 및 제 2 시험 구조들은 동일한 기판 상에 프린트되는 것을 특징으로 하는 방법.
23. 상기 15.의 방법에 있어서,
상기 제 1 및 제 2 시험 구조들은 상이한 기판들 상에 프린트되는 것을 특징으로 하는 방법.
24. 상기 15.의 방법에 있어서,
상기 리소그래피 투영 장치는 침지 형태인 것을 특징으로 하는 방법.
25. 상기 15.의 방법에 있어서,
상기 제 1 및 제 2 세트의 위치 오차 데이터는 오버레이 오차 데이터 세트인 것을 특징으로 하는 방법.
본 발명에 의하면, 침지 리소그래피 장치의 오버레이 성능의 캘리브레이션 시에, 정상 및 반전된(reversed) 뇌문들을 사용하여 실시된 노광으로부터 두 세트의 오버레이 데이터가 얻어진다. 이어서 두 데이터 세트는 웨이퍼 냉각으로 인한 효과를 제거하기 위해 사용될 수 있다.
Claims (31)
- - 제 1 투영 시스템(PL)을 포함하는 제 1 리소그래피 투영 장치를 사용하여 제 1 기판(W) 상에 제 1 세트의 시험 구조들을 프린트하는 단계로서, 상기 제 1 기판은 상기 제 1 세트의 시험 구조들을 프린트하기 위해 상기 제 1 투영 시스템에 대해 제 1 코스를 이동하는, 제 1 세트의 시험 구조들을 프린트(S1)하는 단계;- 제 2 투영 시스템(PL)을 포함하는 제 2 리소그래피 투영 장치를 사용하여 제 2 기판(W) 상에 제 2 세트의 시험 구조들을 프린트하는 단계로서, 상기 제 2 기판은 상기 제 2 세트의 시험 구조들을 프린트하기 위해 상기 제 2 투영 시스템에 대해 제 2 코스를 이동하고, 상기 제 2 코스는 상기 제 1 코스와 상이한, 제 2 세트의 시험 구조들을 프린트(S3)하는 단계;- 상기 제 1 세트의 시험 구조들 내에서 제 1 세트의 위치 데이터를 측정(S2)하는 단계;- 상기 제 2 세트의 시험 구조들 내에서 제 2 세트의 위치 데이터를 측정(S4)하는 단계;- 상기 제 1 및 제 2 세트의 위치 데이터로부터 제 3 세트의 위치 오차 데이터를 계산(S5)하는 단계;- 상기 제 3 세트의 위치 오차 데이터를 사용하여 하나 이상의 리소그래피 투영 장치를 캘리브레이션(S6)하는 단계를 포함하는 리소그래피 방법.
- 제 1항에 있어서,- 제 1 세트의 타겟부들이 제 1 세트의 상대(relative) 위치들을 갖는 상기 제 1 기판 상에서 상기 제 1 세트의 타겟부들(C)을 선택하는 단계;- 제 2 세트의 타겟부들이 제 1 세트의 상대 위치들을 갖는 상기 제 2 기판 상에서 상기 제 2 세트의 타겟부들(C)을 선택하는 단계;- 상기 제 1 세트의 타겟부들 내에 상기 제 1 세트의 시험 구조들을 프린트(S1)하는 단계;- 상기 제 2 세트의 타겟부들 내에 상기 제 2 세트의 시험 구조들을 프린트(S3)하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 방법.
- 제 2항에 있어서,- 상기 제 1 세트의 타겟부들을 제 1 순서로 프린트(S1)하는 단계;- 상기 제 2 세트의 타겟부들을 제 1 순서와 반대되는 제 2 순서로 프린트(S3)하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 방법.
- 제 2항 또는 제 3항에 있어서,- 상기 제 1 기판을 상기 제 1 투영 시스템(PL)에 대해 제 1 스캔 방향으로 스캐닝함으로써 제 1 세트의 타겟부들 내의 제 1 타겟부 내에 제 1 시험 구조를 프린트(S1)하는 단계;- 상기 제 2 기판을 상기 제 2 투영 시스템(PL)에 대해 상기 제 1 스캔 방향 으로 스캐닝함으로써 제 2 세트의 타겟부들 내의 제 2 타겟부 내에 제 2 시험 구조를 프린트(S3)하는 단계;- 상기 제 1 시험 구조 및 상기 제 2 시험 구조에 대해 측정된 위치 데이터를 비교함으로써 제 3 세트의 위치 오차 데이터를 계산(S5)하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 방법.
- 제 2항 또는 제 3항에 있어서,- 상기 제 1 기판을 상기 제 1 투영 시스템(PL)에 대해 제 1 스캔 방향으로 스캐닝함으로써 제 1 세트의 타겟부들 내의 제 1 타겟부 내에 제 1 시험 구조를 프린트(S1)하는 단계;- 상기 제 2 기판을 제 2 스캔 방향이 상기 제 1 스캔 방향에 반대되는 상기 제 2 투영 시스템(PL)에 대해 상기 제 2 스캔 방향으로 스캐닝함으로써 제 2 세트의 타겟부들 내의 제 2 타겟부 내에 제 2 시험 구조를 프린트(S3)하는 단계;- 상기 제 1 시험 구조 및 상기 제 2 시험 구조에 대해 측정된 위치 데이터를 비교함으로써 제 3 세트의 위치 오차 데이터를 계산(S5)하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 방법.
- 제 4항에 있어서,- 제 3 세트의 타겟부들이 상기 제 1 세트의 상대 위치들을 갖는 제 3 기판 상에서 제 3 세트의 타겟부들을 선택하는 단계;- 상기 제 3 세트의 타겟부들 내에 제 3 세트의 시험 구조들을 프린트하는 단계;- 상기 제 3 세트의 타겟부들을 상기 제 1 순서와 반대되는 상기 제 2 순서로 제 1 스캔 방향에 반대되는 제 3 스캔 방향으로 프린트하는 단계를 제 더 포함하는 것을 특징으로 하는 방법.
- 제 1항 내지 제 3항 중의 어느 한 항에 있어서,상기 제 1 코스는 상기 제 1 기판이 제 1 방향으로 이동하는 뇌문 경로를 포함하고, 상기 제 2 코스는 상기 제 2 기판이 상기 제 1 방향에 반대되는 제 2 방향으로 이동하는 뇌문 경로를 포함하는 것을 특징으로 하는 방법.
- 제 1항 내지 제 3항 중의 어느 한 항에 있어서,상기 제 2 코스는 상기 제 1 코스의 거울 이미지와 실질적으로 동일한 것을 특징으로 하는 방법.
- 제 1항 내지 제 3항 중의 어느 한 항에 있어서,상기 제 2 코스는 상기 제 1 코스의 180°회전과 실질적으로 동일한 것을 특징으로 하는 방법.
- 제 1항 내지 제 3항 중의 어느 한 항에 있어서,상기 제 3 세트의 위치 오차 데이터를 계산하는 것은, 상기 제 1 및 제 2 세트의 위치 데이터 간의 차이를 취하는 것을 포함하는 것을 특징으로 하는 방법.
- 제 1항 내지 제 3항 중의 어느 한 항에 있어서,상기 제 1 및 제 2 세트의 시험 구조의 프린트(S1, S3) 및 이의 위치 데이터의 측정(S2, S4)은 각각, 제 1 및 제 2 세트의 위치 데이터를 얻기 위하여 다수회 반복되는 것을 특징으로 하는 방법.
- 제 1항 내지 제 3항 중의 어느 한 항에 있어서,상기 제 1 기판 및 제 2 기판은 하나의 동일한 기판을 구성하는 것을 특징으로 하는 방법.
- 제 1항 내지 제 3항 중의 어느 한 항에 있어서,상기 제 1 기판 및 제 2 기판은 두개의 개별 기판들인 것을 특징으로 하는 방법.
- 제 1항 내지 제 3항 중의 어느 한 항에 있어서,제 1 세트의 위치 데이터를 측정(S2)하는 것은 오버레이 데이터를 측정하는 것을 포함하는 것을 특징으로 하는 방법.
- 제 1항 내지 제 3항 중의 어느 한 항에 있어서,상기 제 1 리소그래피 투영 장치, 상기 제 2 리소그래피 장치, 및 상기 하나 이상의 리소그래피 투영 장치는 침지형으로 되는 것을 특징으로 하는 방법.
- 제 15항에 있어서,침지 액체가, 상기 제 1 세트의 시험 구조들을 프린트(S1) 할 때는 투영 시스템(PL) 및 제 1 기판 사이에, 상기 제 2 세트의 시험 구조들을 프린트(S3) 할 때는 투영 시스템(PL) 및 제 2 기판 사이에 제공되고, 상기 제 2 기판을 상기 침지 액체와 관련하여 실질적으로 동일한 증발 특성을 갖도록 선택하는 것을 포함하는 것을 특징으로 하는 방법.
- 제 16항에 있어서,상기 제 1 세트의 시험 구조들은 제 1 세트의 처리 파라미터들을 갖는 제 1 코팅 처리를 사용하여 제 1 기판에 적용되는 제 1 탑코트를 통해 프린트(S1) 되고, 상기 제 2 세트의 시험 구조들은 상기 제 1 코팅 처리를 사용하여 제 2 기판에 적용되는 제 2 탑코트를 통해 프린트(S3) 되는 것을 특징으로 하는 방법.
- 제 1항 내지 제 3항 중의 어느 한 항에 있어서,상기 제 1 기판과 실질적으로 동일한 열전도 특성을 갖도록 상기 제 2 기판을 선택하는 것을 포함하는 것을 특징으로 하는 방법.
- 제 18항에 있어서,상기 제 1 처리는 상기 제 1 기판 및 제 2 기판에 레지스트층을 적용하기 위하여 사용되고, 상기 제 1 세트의 시험 구조들은 상기 제 1 기판 상의 레지스트 층 내에 프린트(S1) 되고, 상기 제 2 세트의 시험 구조들은 상기 제 2 기판 상의 레지스트 층 내에 프린트(S3) 되는 것을 특징으로 하는 방법.
- 제 1항 내지 제 3항 중의 어느 한 항에 있어서,상기 제 1 리소그래피 투영 장치 및 상기 제 2 리소그래피 투영 장치는 하나의 동일한 리소그래피 투영 장치를 구성하는 것을 특징으로 하는 방법.
- 제 1항 내지 제 3항 중의 어느 한 항에 있어서,상기 하나 이상의 리소그래피 장치는 상기 제 1 리소그래피 장치를 포함하는 것을 특징으로 하는 방법.
- 제 1항 내지 제 3항 중의 어느 한 항에 있어서,기판(W) 상에 디바이스 패턴을 프린트하기 위해 하나 이상의 캘리브레이션된 리소그래피 투영 장치를 사용하는 것을 포함하는 방법.
- - 제 1 투영 시스템(PL)을 포함하는 제 1 리소그래피 투영 장치를 사용하여 제 1 기판(W) 상에 제 1 세트의 시험 구조들을 프린트하는 단계로서, 상기 제 1 기판은 상기 제 1 세트의 시험 구조들을 프린트하기 위해 상기 제 1 투영 시스템에 대해 제 1 코스를 이동하는, 제 1 세트의 시험 구조들을 프린트(S1)하는 단계;- 제 1 리소그래피 투영 장치를 사용하여 제 2 기판(W) 상에 제 2 세트의 시험 구조들을 프린트하는 단계로서, 상기 제 2 기판은 상기 제 2 세트의 시험 구조들을 프린트하기 위해 상기 제 1 투영 시스템에 대해 제 2 코스를 이동하고, 상기 제 2 코스는 상기 제 1 코스와 상이한, 제 2 세트의 시험 구조들을 프린트(S3)하는 단계;- 상기 제 1 세트의 시험 구조들 내에서 제 1 세트의 오버레이 데이터를 측정(S2)하는 단계;- 상기 제 2 세트의 시험 구조들 내에서 제 2 세트의 오버레이 데이터를 측정(S4)하는 단계;- 상기 제 1 및 제 2 세트의 오버레이 데이터로부터 제 3 세트의 위치 오차 데이터를 계산(S5)하는 단계;- 상기 제 3 세트의 위치 오차 데이터를 사용하여 제 1 리소그래피 투영 장치를 캘리브레이션(S6)하는 단계를 포함하는 리소그래피 방법.
- - 제 1 시험 노광 시퀀스에 따라 제 1 리소그래피 투영 장치를 사용하여 제 1 기판 상(W)에 제 1 세트의 시험 구조들을 프린트하는 단계로서, 상기 제 1 기판은 열 전도 특성에 대한 제 1 값 및 열 증발 특성에 대한 제 2 값을 가지는, 제 1 세트의 시험 구조들을 프린트(S1)하는 단계;- 제 1 시험 노광 시퀀스, 제 1 값 및 제 2 값 각각과 상이하도록 제 2 시험 노광 시퀀스, 제 3 값 및 제 4 값 중 하나 이상을 선택하는 단계;- 제 2 시험 노광 시퀀스에 따라 제 2 리소그래피 투영 장치를 사용하여 제 2 기판(W) 상에 제 2 세트의 시험 구조들을 프린트하는 단계로서, 상기 제 2 기판은 열 전도 특성에 대한 제 3 값 및 열 증발 특성에 대한 제 4 값을 가지는, 제 2 세트의 시험 구조들을 프린트(S3)하는 단계;- 상기 제 1 세트의 시험 구조들 내에서 제 1 세트의 위치 데이터를 측정(S2)하는 단계;- 상기 제 2 세트의 시험 구조들 내에서 제 2 세트의 위치 데이터를 측정(S4)하는 단계;- 상기 제 1 및 제 2 세트의 위치 데이터로부터 제 3 세트의 위치 오차 데이터를 계산(S5)하는 단계;- 상기 제 3 세트의 위치 오차 데이터를 사용하여 하나 이상의 리소그래피 투영 장치를 캘리브레이션(S6)하는 단계를 포함하는 리소그래피 방법.
- 제 24항에 있어서,- 상기 제 1 세트의 시험 구조들을 프린트하는 상기 제 1 리소그래피 투영 장치의 제 1 투영 시스템에 대한 제 1 코스를 이동하기 위해, 상기 제 1 기판을 제 1 열적 부하(thermal load) 프로파일 및 제 1 속도 프로파일에 종속시키는 단계;- · 상기 제 1 열적 부하 프로파일과 상이한 제 2 열적 부하 프로파일,·상기 제 1 코스와 상이한 제 2 코스,·상기 제 1 속도 프로파일과 상이한 제 2 속도 프로파일 중 하나 이상을 선택하는 단계;- 상기 제 2 세트의 시험 구조들을 프린트하는 상기 제 2 리소그래피 투영 장치의 제 2 투영 시스템에 대한 상기 제 2 코스를 이동하기 위해 상기 제 2 기판을 상기 제 2 열적 부하 프로파일 및 제 2 속도 프로파일에 종속시키는 단계를 포함하는 리소그래피 방법.
- 제 25항에 있어서,상기 제 1 및 제 2 코스는 하나의 동일한 코스를 구성하고,- 상기 제 1 시험 노광 시퀀스동안 상기 제 1 코스를 따라 제 1 위치에 제 1 열적 부하를 적용하고;- 상기 제 2 시험 노광 시퀀스동안 상기 제 1 위치에 상기 제 1 열적 부하를 적용하고;- 제 1 코스를 반대 방향들로 이동하는 상기 제 1 기판 및 상기 제 2 기판을 갖는 것을 포함하는 것을 특징으로 하는 방법.
- 제 24항 내지 제 26항 중의 어느 한 항에 있어서,- 제 1 세트의 상대 위치들을 갖는 제 1 세트의 타겟부들(C)을 상기 제 1 기 판 상에서 선택하는 단계;- 제 1 세트의 상대 위치들을 갖는 제 2 세트의 타겟부들(C)을 상기 제 2 기판 상에서 선택하는 단계;- 상기 제 1 노광 시퀀스동안 상기 제 1 세트의 타겟부들 내에 상기 제 1 세트의 시험 구조들을 프린트(S1)하는 단계;- 상기 제 2 시험 노광 시퀀스동안 상기 제 2 세트의 타겟부들 내에 상기 제 2 세트의 시험 구조들을 프린트(S3)하는 단계를 포함하는 리소그래피 방법.
- 제 24항 내지 제 26항 중의 어느 한 항에 있어서,- 제 1 세트의 처리 파라미터 값들을 갖는 제 1 코팅 처리를 사용하여 제 1 기판을 코팅하고 제 2 세트의 처리 파라미터 값들을 갖는 상기 제 1 코팅 처리를 사용하여 제 2 기판에 코트(coat)을 도포함으로써- 상기 제 1 기판으로부터 보다 상기 제 2 기판으로부터 더 빨리 증발하는 침지 액체 및- 제 1 기판 내에서보다 상기 제 2 기판 내에서 더 높은 열 전도도 중 하나 이상을 선택하는 것을 특징으로 하는 방법.
- 제 24항 내지 제 26항 중 어느 한 항에 있어서,상기 제 1 리소그래피 투영 장치 및 상기 제 2 리소그래피 투영 장치는 하나의 동일한 리소그래피 투영 장치를 구성하는 것을 특징으로 하는 방법.
- 제 24항 내지 제 26항 중 어느 한 항에 있어서,상기 하나 이상의 리소그래피 장치는 상기 제 1 리소그래피 장치를 포함하는 것을 특징으로 하는 방법.
- 제 24항 내지 제 26항 중의 어느 한 항에 있어서,상기 제 1 기판 및 상기 제 2 기판은 하나의 동일한 기판을 구성하는 것을 특징으로 하는 방법.
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