JP2007088018A5 - - Google Patents

Download PDF

Info

Publication number
JP2007088018A5
JP2007088018A5 JP2005271745A JP2005271745A JP2007088018A5 JP 2007088018 A5 JP2007088018 A5 JP 2007088018A5 JP 2005271745 A JP2005271745 A JP 2005271745A JP 2005271745 A JP2005271745 A JP 2005271745A JP 2007088018 A5 JP2007088018 A5 JP 2007088018A5
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
interlayer insulating
insulating film
film
forming
semiconductor device
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP2005271745A
Other languages
English (en)
Japanese (ja)
Other versions
JP2007088018A (ja
Filing date
Publication date
Application filed filed Critical
Priority to JP2005271745A priority Critical patent/JP2007088018A/ja
Priority claimed from JP2005271745A external-priority patent/JP2007088018A/ja
Publication of JP2007088018A publication Critical patent/JP2007088018A/ja
Publication of JP2007088018A5 publication Critical patent/JP2007088018A5/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

JP2005271745A 2005-09-20 2005-09-20 半導体装置およびその製造方法 Pending JP2007088018A (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2005271745A JP2007088018A (ja) 2005-09-20 2005-09-20 半導体装置およびその製造方法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2005271745A JP2007088018A (ja) 2005-09-20 2005-09-20 半導体装置およびその製造方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2007088018A JP2007088018A (ja) 2007-04-05
JP2007088018A5 true JP2007088018A5 (https=) 2008-10-23

Family

ID=37974739

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2005271745A Pending JP2007088018A (ja) 2005-09-20 2005-09-20 半導体装置およびその製造方法

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP2007088018A (https=)

Families Citing this family (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2009170729A (ja) * 2008-01-17 2009-07-30 Spansion Llc 半導体装置の製造方法
JP6084946B2 (ja) * 2014-03-27 2017-02-22 サイプレス セミコンダクター コーポレーション 半導体装置の製造方法

Family Cites Families (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH118234A (ja) * 1997-06-17 1999-01-12 Rohm Co Ltd 半導体装置
JPH11317451A (ja) * 1998-05-07 1999-11-16 Mitsubishi Electric Corp 半導体装置およびその製造方法
JP2000174123A (ja) * 1998-12-09 2000-06-23 Nec Corp 半導体装置及びその製造方法
JP3837258B2 (ja) * 1999-07-13 2006-10-25 三洋電機株式会社 不揮発性半導体記憶装置とその製造方法
JP2000269328A (ja) * 1999-03-16 2000-09-29 Toshiba Corp 半導体装置及びその製造方法
JP2000353757A (ja) * 1999-06-10 2000-12-19 Mitsubishi Electric Corp 不揮発性半導体記憶装置およびその製造方法
JP4031158B2 (ja) * 1999-09-27 2008-01-09 株式会社東芝 半導体装置
JP2002110932A (ja) * 2000-09-28 2002-04-12 Toshiba Corp 半導体装置及びその製造方法
JP2003297956A (ja) * 2002-04-04 2003-10-17 Toshiba Corp 半導体記憶装置及びその製造方法

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR102003591B1 (ko) 주기적 처리를 사용하는 선택적 막 퇴적을 위한 방법 및 장치
KR101100428B1 (ko) ＳＲＯ(Ｓｉｌｉｃｏｎ Ｒｉｃｈ Ｏｘｉｄｅ) 및 이를적용한 반도체 소자의 제조방법
TWI525671B (zh) 半導體元件與其形成方法
TWI698916B (zh) Vnand拉伸厚teos氧化物
JP2009530871A5 (https=)
JP2009010351A5 (https=)
JP2017501591A5 (https=)
JP2003142579A5 (https=)
JP2012502411A5 (https=)
JP2007529112A5 (https=)
JP2011238900A5 (https=)
JP2015002193A5 (https=)
CN110998887A (zh) 具有氮氧化硅的磁性穿隧接面封装层
JP2008519459A (ja) アルミノシリケート前駆体から形成された低いｋの誘電体の層
KR100596794B1 (ko) 반도체 소자의 금속 배선 형성방법
JP2001210724A5 (https=)
JP2009117821A5 (https=)
TW200421543A (en) Semiconductor device and method for manufacturing the semiconductor device
TWI767964B (zh) 後段介電質蝕刻用之選擇性沉積方法
JP2007088018A5 (https=)
CN105830210B (zh) 作为用于先进互连的介电封顶阻挡层的含金属膜
CN108364953B (zh) 三维存储器件及其制作过程的器件保护方法
JP2009021556A (ja) ナノチューブを使用してエア・ギャップを形成するための方法
JP4335932B2 (ja) 半導体装置製造およびその製造方法
CN105448884B (zh) 介质层结构、其制备方法及半导体器件