JP2007081152A - 半導体装置 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】 ヒューズ配線1において、ヒューズ開口部3の周縁に位置する部分からその端部をヒューズ配線層の直近の上層又は下層の配線層と電気的に接続するビアホール2までの間に腐食原因物質の侵入を遅延させる侵入経路の延長構造を設けた。
【選択図】 図1
Description
図17は、従来の半導体装置のヒューズ部に沿った断面を示す図であり、ヒューズ端部がビアホールを介してヒューズ配線層より下層の配線に接続するスタック構造を示している。また、図18は、図17と同様に、従来の他の構成の半導体装置におけるヒューズ部に沿った断面を示す図であり、ヒューズ端部がビアホールを介してヒューズ配線層より上層のパッド層の配線112に接続し、さらに配線112を介してヒューズ配線層より下層の配線に接続した構造を示している。
図1は、この発明の実施の形態1による半導体装置のヒューズ部の構成を示す上面図であり、腐食を遅延させる構造としてヒューズ開口部からヒューズ配線1端部のビアホール2までのヒューズ配線長を直線的に延長した構造を示している。ヒューズ回路は、所望のヒューズ配線1を確実に切断する等のLTの切断マージンを十分確保するヒューズ開口部の面積を有していなければならない。
(1)温度加速性:活性化エネルギとmに相関する。
(2)温度加速性:湿度とmに相関する。
この実施の形態2は、腐食を遅延させる構造として複数のビアホールを介してヒューズ配線端部とスタック部を接続したものである。
この実施の形態3は、腐食を遅延させる構造としてヒューズ開口部からヒューズ配線の端部(スタック部との接続部)までのヒューズ配線を歪曲させて配線長を長くしたものである。
Claims (7)
- ヒューズ配線を備えた半導体装置において、前記ヒューズ配線は、開口部を横切るように配置され、前記開口部の周縁に位置する部分からその端部をヒューズ配線層の直近の上層又は下層の配線層と電気的に接続する電気的接続部までの間に腐食原因物質の侵入を遅延させる侵入経路の延長構造を有することを特徴とする半導体装置。
- ヒューズ配線は、開口部の周縁に位置する部分からその端部における電気的接続部までの配線長を、半導体装置のレイアウト制限における最小寸法の複数倍の長さにしたことを特徴とする請求項1記載の半導体装置。
- ヒューズ配線は、端部における電気的接続部をヒューズ配線の長手方向及び/又はその直交方向に複数個設けたことを特徴とする請求項1又は請求項2記載の半導体装置。
- 複数個の電気的接続部のうちのいずれか又はその全てをヒューズ配線層の直近の上層又は下層の配線層よりさらに上層又は下層の配線層にも電気的に接続したことを特徴とする請求項3記載の半導体装置。
- ヒューズ配線は、開口部の周縁に位置する部分からその端部における電気的接続部までの配線を歪曲させて配線長を延長したことを特徴とする請求項1から請求項4のうちのいずれか1項記載の半導体装置。
- ヒューズ配線は、開口部の周縁に位置する部分からその端部における電気的接続部までの配線を渦巻き状にして配線長を延長したことを特徴とする請求項1から請求項4のうちのいずれか1項記載の半導体装置。
- ヒューズ配線は、開口部の周縁に位置する部分からその端部における電気的接続部までの配線を蛇行状にして配線長を延長したことを特徴とする請求項1から請求項4のうちのいずれか1項記載の半導体装置。
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2005
- 2005-09-14 JP JP2005267353A patent/JP2007081152A/ja active Pending
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