JP2007080949A - Ｓｏｉウエーハの製造方法 - Google Patents

Abstract

【課題】ＳＯＩ層と絶縁体との界面の界面準位密度を低減するＳＯＩウエーハの製造方法を提供する。
【解決手段】本発明は、少なくとも、絶縁体上にＳＯＩ層を形成したＳＯＩウエーハを製造する方法であって、前記ＳＯＩウエーハを、ＳＯＩ層を形成した後に、ＣＮ⁻を含む薬液で処理することを特徴とするＳＯＩウエーハの製造方法を提供する。そして、本発明のＳＯＩウエーハの製造方法では、例えば、前記ＣＮ⁻を含む薬液を、ＫＣＮ水溶液とすることができる。
【選択図】なし

Description

本発明は、絶縁体上にシリコン薄膜（ＳＯＩ層）を形成したＳＯＩ（Ｓｉｌｉｃｏｎ Ｏｎ Ｉｎｓｕｌａｔｏｒ）ウエーハの製造方法に関するものであり、特に、ＳＯＩ層と絶縁体との界面の界面準位密度を低減するＳＯＩウエーハの製造方法に関する。

近年、デバイス用基板として、ＳＯＩウエーハが広く利用されてきている。このようなＳＯＩウエーハの製造方法としては、例えば、２枚のウエーハ同士を貼り合わせる貼り合わせ法や１枚のシリコンウエーハ内に酸素を注入して埋め込み酸化膜（ＢＯＸ（Ｂｕｒｉｅｄ ＯＸｉｄｅ）膜）で仕切られたシリコン薄膜を形成するＳＩＭＯＸ（Ｓｅｐａｒａｔｉｏｎ ｂｙ ＩＭｐｌａｎｔｅｄ ＯＸｙｇｅｎ）法などが知られている。

貼り合わせ法では、例えばシリコンからなるボンドウエーハとベースウエーハのうちの少なくとも一方の表面に熱酸化膜を形成した後、この形成した酸化膜を介して２枚のウエーハの表面を密着させる。次に結合熱処理を施すことによって密着面の結合力を高め、その後に片方のシリコンウエーハ（ボンドウエーハ）を研磨等により薄膜化することによってＳＯＩ層として、ＳＯＩウエーハを製造できる。

また、ＳＩＭＯＸ法では、鏡面研磨等が施されたシリコンウエーハの一方の主面からウエーハ内部に酸素イオンを注入し、酸素イオン注入層を形成する。その後、例えば不活性ガス雰囲気下１３００℃以上の温度で熱処理し、ウエーハ内部に形成された酸素イオン注入層から埋め込み酸化膜を形成する。これにより、一枚のウエーハから絶縁体上にシリコン薄膜を形成したＳＯＩウエーハを製造できる。

一方、このようにデバイス用基板としてＳＯＩウエーハが利用されるようになってくると、シリコン薄膜と絶縁体との界面、例えばＳＯＩ層/ＢＯＸ膜界面の界面準位密度が非常に重要となってくる。従来の界面準位密度の議論は主にゲート酸化膜/シリコン基板界面で議論されてきたが、近年利用されているＳＯＩウエーハでは、ＳＯＩ層/ＢＯＸ膜界面も重要となる。ＳＯＩ層がより薄くなり、ＳＯＩ層全体が空乏化するようになってくるとき、ＳＯＩ層／ＢＯＸ膜界面準位密度（以下、界面準位密度という）が増加すると、キャリア移動度の低下等の問題が発生する。この界面準位密度は、近年報告されているＰｓｅｕｄｏ−ＭＯＳＦＥＴにて評価されるが、デバイスの高集積化や低消費電力化などの高性能化に伴い、ＳＯＩ層の薄膜化がますます進むものと考えられる。そのため、実際のデバイスでは、ＳＯＩ層すべてが空乏化され動作することも起こってきており、界面準位密度の低減は一層重要となっている（例えば特許文献１、２及び非特許文献１、２、３参照）。

特開２００１−６０６７６号公報 特開２００１−２６７３８４号公報 S. Cristoleveanu et al., "A Review of the Pseudo-MOS Transistor in SOI Wafers: Operation, Parameter Extraction, and Applications", IEEE Trans. Electron Dev., vol. 47, 1018 (2000). H. J. Hovel, "Si film electrical characterization in SOI substrates by HgFET technique", Solid-State Electronics, vol. 47, 1311 (2003). M. L. Reed and J. D. Plummer, "Chemistry of Si-SiO2 interface trap annealing", J. Appl. Phys., vol. 63, 5776 (1988).

本発明は、ＳＯＩ層と絶縁体との界面の界面準位密度を低減するＳＯＩウエーハの製造方法を提供することを目的とする。

上記目的を達成するため、本発明は、少なくとも、絶縁体上にＳＯＩ層を形成したＳＯＩウエーハを製造する方法であって、前記ＳＯＩウエーハを、ＳＯＩ層を形成した後に、ＣＮ⁻を含む薬液で処理することを特徴とするＳＯＩウエーハの製造方法を提供する（請求項１）。
そして、例えば、前記ＣＮ⁻を含む薬液を、ＫＣＮ水溶液とすることができる（請求項２）。

このように、ＳＯＩウエーハを、ＳＯＩ層を形成した後に、ＣＮ⁻を含む薬液で処理すれば、それまでに行なった熱処理工程やその他のＳＯＩウエーハ製造工程において増加した界面準位密度を低減でき、キャリア移動度の高いＳＯＩ層を有するＳＯＩウエーハを製造できる。特に、ＫＣＮ水溶液で処理すれば、簡単かつ確実に界面準位密度を低減できる。

また、本発明のＳＯＩウエーハの製造方法では、前記ＣＮ⁻を含む薬液で処理するＳＯＩウエーハを、少なくとも、ボンドウエーハとベースウエーハを絶縁膜を介して密着させ、該密着させたボンドウエーハとベースウエーハに結合熱処理を施して結合した後、前記ボンドウエーハを薄膜化して絶縁体となる絶縁膜の上にＳＯＩ層を形成することで、作製することができる（請求項３）。

あるいは、前記ＣＮ⁻を含む薬液で処理するＳＯＩウエーハを、少なくとも、ボンドウエーハと絶縁性支持基板となるベースウエーハを直接又は絶縁膜を介して密着させ、該密着させたボンドウエーハとベースウエーハに結合熱処理を施して結合した後、前記ボンドウエーハを薄膜化して絶縁体となる絶縁性支持基板上にＳＯＩ層を形成することで、作製することもできる（請求項４）。

あるいは、前記ＣＮ⁻を含む薬液で処理するＳＯＩウエーハを、少なくとも、ボンドウエーハとなるシリコンウエーハの一方の主面から水素イオン、希ガスイオンあるいはこれらの混合ガスイオンを注入してウエーハ内部にイオン注入層を形成し、該ボンドウエーハのイオン注入された側の主面とベースウエーハとを、直接若しくは絶縁膜を介して密着させた後、前記ボンドウエーハを前記イオン注入層で剥離して絶縁体の上にＳＯＩ層を形成することで、作製することもできる（請求項５）。

ＳＯＩウエーハを、このようなイオン注入剥離法等の貼り合わせ法により製造する場合、高温で行なわれる結合熱処理、剥離熱処理等の熱処理により界面準位密度が増加する場合があるが、本発明によればこのようにして増加した界面準位密度を最後に行なうＣＮ⁻を含む薬液での処理によって好適に低減できる。

また、本発明のＳＯＩウエーハの製造方法では、前記ＣＮ⁻を含む薬液で処理するＳＯＩウエーハを、少なくとも、シリコンウエーハの一方の主面から酸素イオンを注入して酸素イオン注入層を形成した後、該シリコンウエーハに前記酸素イオン注入層を埋め込み酸化膜に変える酸化膜形成熱処理を行い、絶縁体となる埋め込み酸化膜上にＳＯＩ層を形成することで、作製することができる（請求項６）。

ＳＯＩウエーハを、このようなＳＩＭＯＸ法により製造する場合、酸素イオン注入とそれに続いて高温で行なわれる埋め込み酸化膜形成熱処理等により界面準位密度が増加する場合があるが、本発明によればこのようにして増加した界面準位密度を最後に行なうＣＮ⁻を含む薬液での処理によって好適に低減できる。

以上説明したように、本発明のＳＯＩウエーハの製造方法では、ＳＯＩ層を形成した後に、ＣＮ⁻を含む薬液で処理することで、それまでに行なった熱処理工程やその他のＳＯＩウエーハ製造工程において増加した界面準位密度を低減でき、キャリア移動度の高いシリコン活性層を有するＳＯＩウエーハを製造できる。

以下、本発明について詳述する。
前述のように、デバイス用基板として近年利用されているＳＯＩウエーハにおいて、ＳＯＩ層/ＢＯＸ膜界面等の界面準位密度の低減は重要である。
しかし、この界面準位密度の制御は、ＳＯＩウエーハ製造工程の複雑さなども影響し非常に難しかった。
そこで本発明者らは、このような複雑なＳＯＩウエーハ製造工程においても界面準位密度を制御し、界面準位密度の低いＳＯＩウエーハを製造できる方法を検討したところ、たとえばＳＩＭＯＸ法であれば、酸素イオン注入層の形成工程とそれに続く高温での埋め込み酸化膜形成熱処理工程などの熱処理工程の影響でＳＯＩ層/ＢＯＸ膜界面のＤｉｔ（界面準位密度）が増加する可能性があり、一方の貼り合わせＳＯＩウエーハにしても、例えば２枚のウエーハを密着させた後での熱処理条件の影響により、ＳＯＩ層/ＢＯＸ膜間のＤｉｔが増加する可能性がある。

このようにＳＩＭＯＸ法や貼り合わせ法等の各種ＳＯＩウエーハ製造工程は、種々の熱処理工程を必要とする。このために、ＳＯＩウエーハ製造工程中でＳＯＩ層/ＢＯＸ膜界面の界面準位が増加することがある。
この対策として、Ｄｉｔ低減に有効な製造条件を探索することや、水素などのフォーミングガスを用いた処理を行うことなどが考えられる。しかしながら、Ｄｉｔ低減のために有効な条件が仮にあったとしても、SOIウエーハを製造する上で、この条件を満たす工程が必ずしも採用できるわけではない。また、水素などのフォーミングガスを用いた処理を行ったとしても、この処理はこれにつづく高温熱処理により効果が低減する可能性もあった。
そこで、本発明者らは、上記課題を解決するため、ＳＯＩウエーハを、ＳＯＩ層を形成した後に、ＣＮ⁻を含む薬液で処理すれば、それまでに行なった熱処理工程やその他のＳＯＩウエーハ製造工程において増加した界面準位密度を低減でき、キャリア移動度の高いシリコン活性層を有するＳＯＩウエーハを製造できることに想到し、本発明を完成させた。

以下では、本発明の実施の形態について、添付した図面に基づいて具体的に説明するが、本発明はこれに限定されるものではない。
先ず、ＳＯＩウエーハのＳＯＩ層を形成する工程について説明する。
図１は本発明に従うＳＯＩウエーハの製造方法であって貼り合わせ法を用いる場合の一例を示す工程図である。

まず、ボンドウエーハとベースウエーハとを用意する（工程１Ａ）。ボンドウエーハはＳＯＩ層とするためシリコンウエーハであり、ベースウエーハはシリコンからなるものであってもよいし、石英、アルミナ等からなる絶縁性ウエーハであってもよい。

次に、これらのウエーハを常温で密着させる（工程１Ｂ）。密着させる際には、例えば２枚のウエーハの一方あるいは両方の表面に熱酸化膜等の絶縁膜を形成して、それを介して貼り合わせる。ベースウエーハが絶縁性支持基板となる絶縁性ウエーハであれば、ボンドウエーハに酸化膜等の絶縁膜を形成してそれを介して貼り合わせるか直接貼り合わせてもよい。

次に、密着させたボンドウエーハとベースウエーハに結合熱処理を施して強固に結合する（工程１Ｃ）。この結合熱処理は例えば水素雰囲気下１２００℃程度の温度で行なうことができる。

次に、ボンドウエーハを薄膜化する（工程１Ｄ）。この薄膜化は、エッチング処理、研磨処理等の従来法により行なうことができる。
これらの工程により、絶縁体上にＳＯＩ層を形成したＳＯＩウエーハを作製できる。

次に、図２は本発明に従うＳＯＩウエーハの製造方法であって貼り合わせ法の一種であるイオン注入剥離法を用いる場合の一例を示す工程図である。
まず、ボンドウエーハとベースウエーハとを用意する（工程２Ａ）。ボンドウエーハはＳＯＩ層とするためシリコンウエーハであり、ベースウエーハはシリコンからなるものであってもよいし、石英、アルミナ等からなる絶縁性ウエーハであってもよい。

次に、ボンドウエーハの内部にイオン注入層を形成する（工程２Ｂ）。より具体的には、ボンドウエーハの一方の主面から水素イオン、希ガスイオンあるいはこれらの混合ガスイオンを注入する。これにより、ボンドウエーハの内部にイオンの平均進入深さにおいて表面に平行なイオン注入層を形成することができる。この際、ボンドウエーハのイオン注入面には、チャネリング防止のため、あらかじめ薄い酸化膜を形成しておいてもよい。尚、この時のイオン注入層の深さは、最終的に形成されるＳＯＩ層の厚さに反映される。従って、注入エネルギー等を制御してイオン注入することにより、ＳＯＩ層の厚さを制御できる。

次に、ボンドウエーハのイオン注入された側の主面とベースウエーハとを、直接若しくは絶縁膜を介して密着させる（工程２Ｃ）。密着させる際には、例えば２枚のウエーハの一方あるいは両方の表面に熱酸化膜等の絶縁膜を形成して、それを介して貼り合わせる。ベースウエーハが絶縁性支持基板となる絶縁性ウエーハであれば、ボンドウエーハに酸化膜等の絶縁膜を形成してそれを介して貼り合わせるか直接貼り合わせてもよい。

次に、ボンドウエーハをイオン注入層で剥離し、ボンドウエーハを薄膜化する（工程２Ｄ）。例えば、不活性ガス雰囲気下約５００℃以上の温度で熱処理を加えれば、結晶の再配列と気泡の凝集とによって、ボンドウエーハをイオン注入層で剥離することができ、その一部をベースウエーハに転写してＳＯＩ層を形成することができる。

次に、密着させたボンドウエーハとベースウエーハに結合熱処理を施して強固に結合する（工程２Ｅ）。この結合熱処理は例えば水素雰囲気下１２００℃程度の温度で行なうことができる。
これらの工程によっても、絶縁体上にＳＯＩ層を形成したＳＯＩウエーハを作製できる。

次に、図３は本発明に従うＳＯＩウエーハの製造方法であってＳＩＭＯＸ法を用いる場合の一例を示す工程図である。

まず、シリコンウエーハを用意し（工程３Ａ）、このシリコンウエーハを５００℃程度に加熱し、一方の主面から酸素イオンを所定の深さにイオン注入して酸素イオン注入層を形成する（工程３Ｂ）。イオン注入条件としては例えば、注入エネルギーは一般的に広く用いられている１５０〜２００ｋｅＶ程度とでき、また酸素ドーズ量は、高ドーズ条件であれば１〜２×１０^１８／ｃｍ^２程度とすれば良く、低ドーズ条件であれば２〜４×１０^１７／ｃｍ^２程度に制御すれば良い。このとき、必要に応じて、酸素イオンの注入を２回以上に分割して行うこともできる。

酸素イオン注入後、例えば酸素を１％以下含むアルゴンガス等の不活性ガス雰囲気下１３００℃以上の温度で埋め込み酸化膜形成熱処理を行うことにより、酸素イオン注入層から埋め込み酸化膜を形成する（工程３Ｃ）。熱処理時間は例えば３〜６時間行なえばよい。

また、必要に応じて、工程３Ｃの埋め込み酸化膜形成熱処理の後、該形成した埋め込み酸化膜を厚くするＩＴＯＸ（Ｉｎｔｅｒｎａｌ Ｔｈｅｒｍａｌ ＯＸｉｄａｔｉｏｎ：内部酸化）熱処理を行なってもよい（工程３Ｄ）。
具体的には、例えば酸素を数十％程度含むアルゴンガス等の不活性ガス雰囲気下１３００℃以上で数時間の熱処理を行うことによって、雰囲気から基板中に導入される酸素により埋め込み酸化膜を成長させて厚膜化することができる。このＩＴＯＸ熱処理により、埋め込み酸化膜の絶縁耐圧が向上し、さらにＳＯＩ層／ＢＯＸ膜の界面の平坦度等が改善され、またＳＯＩ層表面の表面粗さも改善されるという効果が得られる。また、ＩＴＯＸ熱処理を行なうとＳＯＩ層表面に酸化膜が成長することによりＳＯＩ層が消費され、それによって薄膜のＳＯＩ層が得られるという利点も持ち合わせている。
これらの工程により、一枚のシリコンウエーハから、絶縁体上にＳＯＩ層を形成したＳＯＩウエーハを作製できる。

このような各種熱処理を含む製造工程（図１の工程１Ａ−１Ｄ、図２の工程２Ａ−２Ｅ、図３の工程３Ａ−３Ｄ）により作製されたＳＯＩウエーハは、ＳＯＩ層／ＢＯＸ膜界面の界面準位密度が増加し、電子移動度が減少している場合がある。通常のＳＯＩウエーハにおいては、界面準位密度（Ｄｉｔ）は５×１０^１１ｃｍ^−２ｅＶ^−１前後であり、電子移動度は６５０ｃｍ^２Ｖ^−１ｓ^−１前後であるが、ＳＯＩウエーハの作製条件によっては、Ｄｉｔは５×１０^１２ｃｍ^−２ｅＶ^−１、電子移動度は５５０ｃｍ^２Ｖ^−１ｓ^−１前後となる場合がある。これは、ＳＯＩウエーハ作製条件によっては、ＳＯＩ層／ＢＯＸ膜界面にシリコンのダングリングボンドが過剰に存在する等して、界面状態が通常のＳＯＩウエーハと比べて良くないことを示している。

そこで、ＳＯＩウエーハを、ＳＯＩ層を形成した後に、ＣＮ⁻を含む薬液で処理する（図１の工程１Ｅ、図２の工程２Ｆ、図３の工程３Ｅ）。これによって、界面の過剰なダングリングボンドが終端される等して界面状態が改善され、界面準位密度を低減できる。したがって、このような製造工程により、界面準位密度が低く電子等のキャリア移動度の高いＳＯＩ層を有するＳＯＩウエーハを製造できる。
特に、界面準位密度が増加して５×１０^１２ｃｍ^−２ｅＶ^−１より高い値となったとしても、図１の工程１Ｅ、図２の工程２Ｆ、図３の工程３ＥのＣＮ⁻を含む薬液での処理を行なうことにより、界面準位密度を５×１０^１１ｃｍ^−２ｅＶ^−１以下の値に改善することができ、これによってキャリア移動度を改善することができる。

ここで、ＣＮ⁻を含む薬液としては、例えば、ＭＯＳデバイスのゲート酸化膜/シリコン基板界面の界面準位密度を低減するために用いることが提案されている、ＫＣＮ水溶液を挙げることができる（例えば、特開平１０−７４７５３号公報、「Decrease in gap states at ultrathin SiO₂/Si interfaces by crown-ether cyanide treatment, H. Kobayashi, A. Asano, M. Takahashi, K. Yoneda, and Y. Todokoro, Appl. Phys. Lett., 77 (2000) 4392-4394.」、「Studies on interface states at ultrathin SiO2/Si(100) interfaces by means of x-ray photoelectron spectroscopy under biases and their passivation by cyanide treatment, H. Kobayashi, A. Asano, S. Asada, T. Kubota, Y. Yamashita, K. Yoneda, Y., J. Appl. Phys. , 83 (2998) 2098-2103.」等参照）。特に、クラウンエーテルを含むＫＣＮ水溶液を用いると、Ｋ^＋イオンが、クラウンエーテルで捕獲されるので、ＳＯＩウエーハに付着するＫ^＋イオンが少なくなり、製造するＳＯＩウエーハをより清浄に保つことができる。

なお、上記のような貼り合わせ法又はＳＩＭＯＸ法、又はその他の方法により作製されたＳＯＩウエーハのＳＯＩ層／ＢＯＸ膜界面の界面準位密度及び電子移動度は、前述のＰｓｅｕｄｏ−ＭＯＳＦＥＴにより評価することができる。図４はその測定の説明図である。このように、支持基板３、埋め込み酸化膜２、シリコン活性層１が順次積層された構造を有するＳＯＩウエーハ１０に対して、シリコン活性層１の表面にソース電極Ｓとドレイン電極Ｄを取り付け、支持基板３の表面に金属電極４を形成し、ゲート電極Ｇを取り付けて測定を行なう。

以下、本発明の実施例により本発明をさらに詳細に説明するが、本発明がこれに限定されないことは言うまでもない。
（実施例１）
試料として導電型がＰ型で直径２００ｍｍ、面方位（１００）のシリコンウエーハから図１〜図３に示した方法によりＳＯＩウエーハをそれぞれ作製した。なお、このＰ型ウエーハのドーパントはボロンである。また、ＳＯＩ層/ＢＯＸ膜厚さは、１００／１４５ｎｍ程度のものである。
上記ＳＯＩウエーハの製造工程において、ＳＯＩ層を形成した後、従来のＰｓｅｕｄｏ−ＭＯＳＦＥＴによる方法によりＳＯＩ層/ＢＯＸ膜界面の界面準位密度と電子移動度を評価したところ、Ｄｉｔが５×１０^１２ｃｍ^−２ｅＶ^−１以上、電子移動度が５５０ｃｍ^２Ｖ^−１ｓ^−１前後と界面状態が悪いウエーハが見つかった。

そこで、このＳＯＩウエーハを、クラウンエーテルを含むＫＣＮ水溶液に約２分間浸漬し、アセトン、エタノール、純水でリンスした。
そして、再度ＳＯＩ層/ＢＯＸ膜界面の界面準位密度と電子移動度を評価したところ、Ｄｉｔが５×１０^１１ｃｍ^−２ｅＶ^−１以下、電子移動度が６５０ｃｍ^２Ｖ^−１ｓ^−１前後となり、界面の状態が大幅に改善された。

尚、クラウンエーテルを含むＫＣＮ水溶液は、次のように作製した。先ず、キシレン中に０．２モルの１８−クラウン−６（Ｃ_１２Ｈ_２４Ｏ_６）を溶解し、その溶液を０．１モルＫＣＮ水溶液に加え、よくかき混ぜた。それから、３０分間静置し、水層から分離したキシレン溶液を分液漏斗で取り除いた。これにより、クラウンエーテルを含むＫＣＮ水溶液を作製した。

このように、本発明のＳＯＩウエーハの製造方法によれば、ＳＯＩ層/ＢＯＸ膜界面の界面状態を改善し、界面準位密度を低減でき、キャリア移動度の高いＳＯＩ層を有するＳＯＩウエーハを製造できる。

なお、本発明は、上記実施形態に限定されるものではない。上記実施形態は、例示であり、本発明の特許請求の範囲に記載された技術的思想と実質的に同一な構成を有し、同様な作用効果を奏するものは、いかなるものであっても本発明の技術的範囲に包含される。
例えば、上記実施例では貼り合わせ法やＳＩＭＯＸ法により作製したＳＯＩウエーハについて説明したが、本発明のＳＯＩウエーハの製造方法はＳＯＩ構造を有するＳＯＩウエーハのその他の方法であっても適用し得るものである。

本発明に従うＳＯＩウエーハの製造方法であって貼り合わせ法を用いる場合の一例を示す工程図である。 本発明に従うＳＯＩウエーハの製造方法であってイオン注入剥離法を用いる場合の一例を示す工程図である。 本発明に従うＳＯＩウエーハの製造方法であってＳＩＭＯＸ法を用いる場合の一例を示す工程図である。 Ｐｓｅｕｄｏ―ＭＯＳＦＥＴによるＳＯＩウエーハの測定の説明図である。

符号の説明

１…シリコン活性層、 ２…埋め込み酸化膜、 ３…支持基板、 ４…金属電極、
１０…ＳＯＩウエーハ、
Ｓ…ソース電極、 Ｄ…ドレイン電極、 Ｇ…ゲート電極。

Claims (6)

1. 少なくとも、絶縁体上にＳＯＩ層を形成したＳＯＩウエーハを製造する方法であって、前記ＳＯＩウエーハを、ＳＯＩ層を形成した後に、ＣＮ⁻を含む薬液で処理することを特徴とするＳＯＩウエーハの製造方法。
2. 前記ＣＮ⁻を含む薬液を、ＫＣＮ水溶液とすることを特徴とする請求項１に記載のＳＯＩウエーハの製造方法。
3. 前記ＣＮ⁻を含む薬液で処理するＳＯＩウエーハを、少なくとも、ボンドウエーハとベースウエーハを絶縁膜を介して密着させ、該密着させたボンドウエーハとベースウエーハに結合熱処理を施して結合した後、前記ボンドウエーハを薄膜化して絶縁体となる絶縁膜の上にＳＯＩ層を形成することで、作製することを特徴とする請求項１又は請求項２に記載のＳＯＩウエーハの製造方法。
4. 前記ＣＮ⁻を含む薬液で処理するＳＯＩウエーハを、少なくとも、ボンドウエーハと絶縁性支持基板となるベースウエーハを直接又は絶縁膜を介して密着させ、該密着させたボンドウエーハとベースウエーハに結合熱処理を施して結合した後、前記ボンドウエーハを薄膜化して絶縁体となる絶縁性支持基板上にＳＯＩ層を形成することで、作製することを特徴とする請求項１又は請求項２に記載のＳＯＩウエーハの製造方法。
5. 前記ＣＮ⁻を含む薬液で処理するＳＯＩウエーハを、少なくとも、ボンドウエーハとなるシリコンウエーハの一方の主面から水素イオン、希ガスイオンあるいはこれらの混合ガスイオンを注入してウエーハ内部にイオン注入層を形成し、該ボンドウエーハのイオン注入された側の主面とベースウエーハとを、直接若しくは絶縁膜を介して密着させた後、前記ボンドウエーハを前記イオン注入層で剥離して絶縁体の上にＳＯＩ層を形成することで、作製することを特徴とする請求項１又は請求項２に記載のＳＯＩウエーハの製造方法。
6. 前記ＣＮ⁻を含む薬液で処理するＳＯＩウエーハを、少なくとも、シリコンウエーハの一方の主面から酸素イオンを注入して酸素イオン注入層を形成した後、該シリコンウエーハに前記酸素イオン注入層を埋め込み酸化膜に変える酸化膜形成熱処理を行い、絶縁体となる埋め込み酸化膜上にＳＯＩ層を形成することで、作製することを特徴とする請求項１又は請求項２に記載のＳＯＩウエーハの製造方法。

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