JP2007063651A - 薄膜作製装置及び薄膜作製方法 - Google Patents
薄膜作製装置及び薄膜作製方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2007063651A JP2007063651A JP2005254157A JP2005254157A JP2007063651A JP 2007063651 A JP2007063651 A JP 2007063651A JP 2005254157 A JP2005254157 A JP 2005254157A JP 2005254157 A JP2005254157 A JP 2005254157A JP 2007063651 A JP2007063651 A JP 2007063651A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- thin film
- halogen
- plasma
- gas
- chamber
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Images
Landscapes
- Electrodes Of Semiconductors (AREA)
- Chemical Vapour Deposition (AREA)
Abstract
【課題】 成膜が終了した際に残留するハロゲンラジカルの影響を抑制する。
【解決手段】 塩素を含有する作用ガス17をチャンバ1内に供給し、ClラジカルCl*によりAl製の被エッチング部材11をエッチングして被エッチング部材に含まれるAl成分とハロゲンClとからなる前駆体AlCl3を生成し、前駆体AlCl3のAl成分を基板3側に成膜させ、成膜後にプラズマを停止させると共にHeガスを流し続け、残留するClラジカルCl*を反応させて排出する。
【選択図】 図1
Description
(2)エッチング反応;M+Cl*→MCl(g)
(3)基板への吸着反応;MCl(g)→MCl(ad)
(4)成膜反応;MCl(ad)+Cl* →M+Cl2↑
ここで、Cl*はClのラジカルであることを、(g)はガス状態であることを、(ad)は吸着状態であることをそれぞれ表している。
t=V/QTP
で表すことができる。
Cl2→2Cl*
ここで、Cl*は塩素ラジカルを表す。
AlCl3→AlCl2→AlCl
AlCl3に塩素ラジカルCl*が作用することにより、
AlCl3+Cl*→AlCl2+Cl2↑の反応が生じてAlCl2となる。
また、AlCl2に塩素ラジカルCl*が作用することにより、
AlCl2+Cl*→AlCl+Cl2↑の反応が生じてAlClとなる。
更に、AlClに塩素ラジカルCl*が作用することにより、
AlCl+Cl*→Al+Cl2↑の反応が生じてAl成分となる。
Cl*+Cl*→Cl2↑+He
Cl2→2Cl*
ここで、Cl*は塩素ラジカルを表す。
AlCl2+AlCl2→2Al↓+Cl2↑の反応が生じてAlの薄膜が作製される。即ち、AlCl2のCl2成分同士が反応してAl成分が基板側に成膜され、前駆体AlX2のAl成分の薄膜が行われる。
AlCl2+Cl*→AlCl+Cl2↑の反応を生じさせてAlClとし、更に、AlClに塩素ラジカルCl*を作用させることにより、
AlCl+Cl*→Al+Cl2↑の反応を生じさせてAl成分とすることも可能である。
Cl2→2Cl*
ここで、Cl*は塩素ラジカルを表す。
AlCl+Cl*→Al+Cl2↑の反応が生じてAl成分とされ、Alの薄膜が作製される。
2 支持台
3 基板
4 ヒータ
5 冷媒流通手段
6 温度制御手段
7 天井板
8 プラズマアンテナ
9 整合器
10 電源
11 被エッチング部材
12 ガスプラズマ
14 ガスノズル
15 ガス噴出口
16 流量制御器
17 作用ガス
18 排出口
19 真空装置
20 圧力制御手段
21 ノズル
22 Arガス
25 プラズマ分光器
40 補給手段
41 開口部
42 ラジカル通路
43 励起室
44 プラズマアンテナ
45 整合器
46 電源
Claims (7)
- 基板が収容されるチャンバと、
基板が対向する位置におけるチャンバに設けられる金属製の被エッチング部材と、
チャンバの内部にハロゲンを含有する作用ガスを供給する作用ガス供給手段と、
成膜終了時にチャンバの内部に希ガスを供給する希ガス供給手段と、
チャンバの内部をプラズマ化して作用ガスプラズマを発生させ、ハロゲンラジカルを生成してハロゲンラジカルで被エッチング部材をエッチングすることにより被エッチング部材に含まれる金属成分とハロゲン成分とからなる前駆体を生成するプラズマ発生手段と、
基板側の温度を被エッチング部材の温度よりも低くして前駆体の金属成分を基板側に成膜させると共に、成膜終了後にプラズマを停止させて希ガス供給手段から希ガスをチャンバ内に供給して残留するハロゲンラジカルの影響を抑制する制御手段と
を備えたことを特徴とする薄膜作製装置。 - 請求項1に記載の薄膜作製装置において、
被エッチング部材はAl製であり、
プラズマ発生手段は、Al成分とハロゲンXとからなる前駆体AlX3を生成し、
制御手段は、流体の滞留時間を制御してAlX2及びAlXの中間体を介して前駆体AlX3のAl成分を基板側に成膜させる
ことを特徴とする薄膜作製装置。 - 請求項1または請求項2のいずれかに記載の薄膜作製装置において、
希ガス供給手段は、作用ガスのハロゲンを希釈する希ガスを供給するものであり、
制御手段には、成膜終了後にハロゲンの供給を停止すると共に希ガスの供給を継続する機能が備えられている
ことを特徴とする薄膜作製装置。 - 請求項1乃至請求項3のいずれか一項に記載の薄膜作製装置において、
希ガスはHeであることを特徴とする薄膜作製装置。 - 請求項1乃至請求項4のいずれか一項に記載の薄膜作製装置において、
作用ガスに含有されるハロゲンは塩素であることを特徴とする薄膜作製装置。 - ハロゲンを含有する作用ガスをチャンバ内に供給し、プラズマを発生させてハロゲンラジカルにより金属製の被エッチング部材をエッチングし、被エッチング部材に含まれる金属成分とハロゲンとからなる前駆体を生成し、前駆体の金属成分を基板側に成膜させ、成膜後にプラズマを停止させると共に希ガスを供給して残留するハロゲンラジカルの影響を抑制することを特徴とする薄膜作製方法。
- 請求項6に記載の薄膜作製方法において、
作用ガスに含有されるハロゲンは塩素であると共に希ガスはHeであり、Heを介在して残留する塩素ラジカル同士を反応させることで塩素ガスとして排出し、塩素ラジカルの影響を抑制することを特徴とする薄膜作製方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2005254157A JP4386873B2 (ja) | 2005-09-01 | 2005-09-01 | 薄膜作製装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2005254157A JP4386873B2 (ja) | 2005-09-01 | 2005-09-01 | 薄膜作製装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2007063651A true JP2007063651A (ja) | 2007-03-15 |
JP4386873B2 JP4386873B2 (ja) | 2009-12-16 |
Family
ID=37926179
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2005254157A Expired - Fee Related JP4386873B2 (ja) | 2005-09-01 | 2005-09-01 | 薄膜作製装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP4386873B2 (ja) |
-
2005
- 2005-09-01 JP JP2005254157A patent/JP4386873B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP4386873B2 (ja) | 2009-12-16 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US20100062181A1 (en) | Metal film production apparatus and metal film production method | |
JP4401340B2 (ja) | 薄膜作製装置及び薄膜作製方法 | |
JP4386873B2 (ja) | 薄膜作製装置 | |
JP4845455B2 (ja) | 薄膜作製装置及び薄膜作製方法 | |
KR100965400B1 (ko) | 플라스마를 이용한 박막 증착 방법 | |
JP4401338B2 (ja) | 薄膜作製装置及び薄膜作製方法 | |
JP4369860B2 (ja) | 金属系膜、金属系膜の作製方法、金属系膜作製装置、プラズマ処理方法及びエッチング装置 | |
JP3611320B2 (ja) | 金属膜作製装置及び金属膜作製方法 | |
JP4305819B2 (ja) | 金属膜作製装置及び金属膜作製方法 | |
JP3910957B2 (ja) | 金属膜作製装置及び金属膜作製方法 | |
JP3653038B2 (ja) | 金属膜作製方法及び金属膜作製装置 | |
JP3771865B2 (ja) | 金属膜作製装置及び金属膜作製方法 | |
JP4383418B2 (ja) | 薄膜作製装置及び薄膜作製方法 | |
JP2008081757A (ja) | 処理装置 | |
JP2004027352A (ja) | 金属膜作製装置及び金属膜作製方法 | |
JP4317156B2 (ja) | 金属膜作製装置 | |
JP3771864B2 (ja) | 金属膜作製装置及び金属膜作製方法 | |
JP3649687B2 (ja) | 金属膜作製装置及び金属膜作製方法 | |
JP4387333B2 (ja) | 真空処理装置 | |
JP2005320567A (ja) | 金属膜作製装置及び金属膜作製方法 | |
JP4397329B2 (ja) | 薄膜作製装置及び薄膜作製方法 | |
JP3872787B2 (ja) | 金属膜作製装置及び作製方法 | |
JP2007169676A (ja) | 薄膜作製装置及び薄膜作製方法 | |
JP2008081755A (ja) | 処理装置及び処理方法 | |
JP2008081756A (ja) | 半導体製造装置 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A711 | Notification of change in applicant |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A712 Effective date: 20070215 |
|
RD03 | Notification of appointment of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7423 Effective date: 20070307 |
|
A711 | Notification of change in applicant |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A711 Effective date: 20081125 |
|
RD03 | Notification of appointment of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7423 Effective date: 20081125 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20090611 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20090619 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20090804 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20090827 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20090924 |
|
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20090929 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20121009 Year of fee payment: 3 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20131009 Year of fee payment: 4 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |