JP4845455B2 - 薄膜作製装置及び薄膜作製方法 - Google Patents
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Description
(2)エッチング反応;M+Cl*→MCl(g)
(3)基板への吸着反応;MCl(g)→MCl(ad)
(4)成膜反応;MCl(ad)+Cl* →M+Cl2↑
ここで、Cl*はClのラジカルであることを、(g)はガス状態であることを、(ad)は吸着状態であることをそれぞれ表している。
t=V/QTP
で表すことができる。
Cl2→2Cl*
ここで、Cl*は塩素ラジカルを表す。
AlCl3→AlCl2→AlCl
AlCl3に塩素ラジカルCl*が作用することにより、
AlCl3+Cl*→AlCl2+Cl2↑の反応が生じてAlCl2となる(制御手段)。
また、AlCl2に塩素ラジカルCl*が作用することにより、
AlCl2+Cl*→AlCl+Cl2↑の反応が生じてAlClとなる(制御手段)。
NH3はガスプラズマ12により、
NH3→NH2+H*
の反応が生じて、即ち、NH2と水素ラジカルH*に解離されてNH2が生成される。
NH3+Cl*→NH2+HCl↑
の反応が生じて、即ち、塩素ラジカルCl*との反応によりNH2とHClとされてNH2が生成される。
AlCl2+NH2→AlN+2HCl↑
の反応が生じてAlN成分が基板3に成膜される。
AlCl+NH2+Cl*→AlN+2HCl↑
の反応が生じてAlN成分が基板3に成膜される。
AlCl+Cl*→Al+Cl2↑の反応が生じてAl成分となる。
また、AlCl2はプラズマ中で
AlCl2+AlCl2→2Al↓+Cl2↑の反応が生じてAl成分となる。
プラズマ分光器25での検出データに基づいてアンモニア(NH3)の供給と停止を繰り返すことにより、上記反応とAlNの生成反応とを交互に行い、AlとAlNの積層膜を基板3に作製することができる。
2 支持台
3 基板
4 ヒータ
5 冷媒流通手段
6 温度制御手段
7 天井板
8 プラズマアンテナ
9 整合器
10 電源
11 被エッチング部材
12 ガスプラズマ
14 ガスノズル
15 流量制御器
17 作用ガス
18 排出口
19 真空装置
20 圧力制御手段
21 ノズル
22 アンモニア(NH3)
25 プラズマ分光器
Claims (7)
- 基板が収容されるチャンバと、
基板が対向する位置におけるチャンバに設けられるAl製の被エッチング部材と、
チャンバの内部にハロゲンを含有する作用ガスを供給する作用ガス供給手段と、
チャンバの内部をプラズマ化して、作用ガスプラズマを発生させてハロゲンラジカルを生成し、流体の滞留時間を制御してハロゲンラジカルで被エッチング部材をエッチングすることにより被エッチング部材に含まれるAl成分とハロゲンXとからなる前駆体AlX3を生成するプラズマ発生手段と、
チャンバの内部に窒素と水素の化合物であるNH2を生成する生成手段と、
基板側の温度を被エッチング部材の温度よりも低くすると共に流体の滞留時間の制御により前駆体AlX3からAlX2の中間体生成する一方、生成手段で生成されたNH2とAlX2の反応により生じたAlN成分を基板側に成膜させる制御手段と
を備え、
前記生成手段は、アンモニア(NH 3 )とハロゲンラジカルとを反応させてNH 2 を生成する機能を有していることを特徴とする薄膜作製装置。 - 基板が収容されるチャンバと、
基板が対向する位置におけるチャンバに設けられるAl製の被エッチング部材と、
チャンバの内部にハロゲンを含有する作用ガスを供給する作用ガス供給手段と、
チャンバの内部をプラズマ化して、作用ガスプラズマを発生させてハロゲンラジカルを生成し、流体の滞留時間を制御してハロゲンラジカルで被エッチング部材をエッチングすることにより被エッチング部材に含まれるAl成分とハロゲンXとからなる前駆体AlX3を生成するプラズマ発生手段と、
チャンバの内部に窒素と水素の化合物であるNH2を生成する生成手段と、
基板側の温度を被エッチング部材の温度よりも低くすると共に流体の滞留時間の制御により前駆体AlX3からAlXの中間体生成する一方、生成手段で生成されたNH2とAlXとハロゲンラジカルとの反応により生じたAlN成分を基板側に成膜させる制御手段と
を備え、
前記生成手段は、アンモニア(NH 3 )とハロゲンラジカルとを反応させてNH 2 を生成する機能を有していることを特徴とする薄膜作製装置。 - 基板が収容されるチャンバと、
基板が対向する位置におけるチャンバに設けられるAl製の被エッチング部材と、
チャンバの内部にハロゲンを含有する作用ガスを供給する作用ガス供給手段と、
チャンバの内部をプラズマ化して、作用ガスプラズマを発生させてハロゲンラジカルを生成し、流体の滞留時間を制御してハロゲンラジカルで被エッチング部材をエッチングすることにより被エッチング部材に含まれるAl成分とハロゲンXとからなる前駆体AlX 3 を生成するプラズマ発生手段と、
チャンバの内部に窒素と水素の化合物であるNH 2 を生成する生成手段と、
基板側の温度を被エッチング部材の温度よりも低くすると共に流体の滞留時間の制御により前駆体AlX 3 からAlX 2 の中間体生成する一方、生成手段で生成されたNH 2 とAlX 2 の反応により生じたAlN成分を基板側に成膜させる制御手段と
を備え、
前記生成手段には、前駆体AlX3の状況に応じてNH2の量を調整する機能が備えられ、
前記制御手段には、NH2の量を所望状態に調整して基板にAl成分とAlN成分を混在させる機能が備えられている
ことを特徴とする薄膜作製装置。 - 基板が収容されるチャンバと、
基板が対向する位置におけるチャンバに設けられるAl製の被エッチング部材と、
チャンバの内部にハロゲンを含有する作用ガスを供給する作用ガス供給手段と、
チャンバの内部をプラズマ化して、作用ガスプラズマを発生させてハロゲンラジカルを生成し、流体の滞留時間を制御してハロゲンラジカルで被エッチング部材をエッチングすることにより被エッチング部材に含まれるAl成分とハロゲンXとからなる前駆体AlX 3 を生成するプラズマ発生手段と、
チャンバの内部に窒素と水素の化合物であるNH 2 を生成する生成手段と、
基板側の温度を被エッチング部材の温度よりも低くすると共に流体の滞留時間の制御により前駆体AlX 3 からAlXの中間体生成する一方、生成手段で生成されたNH 2 とAlXとハロゲンラジカルとの反応により生じたAlN成分を基板側に成膜させる制御手段と
を備え、
前記生成手段には、前駆体AlX 3 の状況に応じてNH 2 の量を調整する機能が備えられ、
前記制御手段には、NH 2 の量を所望状態に調整して基板にAl成分とAlN成分を混在させる機能が備えられている
ことを特徴とする薄膜作製装置。 - ハロゲンを含有する作用ガスをチャンバ内に供給すると共に、窒素と水素の化合物であるNH2を生成し、流体の滞留時間を制御して、ハロゲンラジカルによりAl製の被エッチング部材をエッチングして被エッチング部材に含まれるAl成分とハロゲンXとからなる前駆体AlX3を生成し、前駆体AlX3からAlX2の中間体生成する一方、NH2とAlX2の反応により生じたAlN成分を基板側に成膜させることを特徴とする薄膜作製方法。
- ハロゲンを含有する作用ガスをチャンバ内に供給すると共に、窒素と水素の化合物であるNH2を生成し、流体の滞留時間を制御して、ハロゲンラジカルによりAl製の被エッチング部材をエッチングして被エッチング部材に含まれるAl成分とハロゲンXとからなる前駆体AlX3を生成し、前駆体AlX3からAlXの中間体生成する一方、前記NH2と前記AlXとハロゲンラジカルとの反応により生じたAlN成分を基板側に成膜させることを特徴とする薄膜作製方法。
- 請求項5又は6に記載の薄膜作製方法において、
前駆体AlX3の状況に応じてNH2の量を調整して基板にAl成分とAlN成分を混在させて薄膜を作製することを特徴とする薄膜作製方法。
Priority Applications (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2005254156A JP4845455B2 (ja) | 2005-09-01 | 2005-09-01 | 薄膜作製装置及び薄膜作製方法 |
PCT/JP2006/317335 WO2007026876A1 (ja) | 2005-09-01 | 2006-09-01 | 薄膜作製装置及び薄膜作製方法 |
EP06797277A EP2196558A4 (en) | 2005-09-01 | 2006-09-01 | DEVICE AND METHOD FOR FORMING THIN LAYERS |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2005254156A JP4845455B2 (ja) | 2005-09-01 | 2005-09-01 | 薄膜作製装置及び薄膜作製方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2007067302A JP2007067302A (ja) | 2007-03-15 |
JP4845455B2 true JP4845455B2 (ja) | 2011-12-28 |
Family
ID=37808960
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2005254156A Expired - Fee Related JP4845455B2 (ja) | 2005-09-01 | 2005-09-01 | 薄膜作製装置及び薄膜作製方法 |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
EP (1) | EP2196558A4 (ja) |
JP (1) | JP4845455B2 (ja) |
WO (1) | WO2007026876A1 (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2018026509A1 (en) * | 2016-08-05 | 2018-02-08 | Applied Materials, Inc. | Aluminum fluoride mitigation by plasma treatment |
Family Cites Families (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH1129848A (ja) * | 1997-07-08 | 1999-02-02 | Showa Denko Kk | CrN被膜およびその形成方法 |
US6200893B1 (en) * | 1999-03-11 | 2001-03-13 | Genus, Inc | Radical-assisted sequential CVD |
JP3680029B2 (ja) * | 2001-08-08 | 2005-08-10 | 三菱重工業株式会社 | 金属薄膜の気相成長方法およびその気相成長装置 |
JP3771833B2 (ja) * | 2001-11-14 | 2006-04-26 | 三菱重工業株式会社 | ウエハ支持装置及び半導体製造装置 |
TWI253478B (en) * | 2001-11-14 | 2006-04-21 | Mitsubishi Heavy Ind Ltd | Barrier metal film production apparatus, barrier metal film production method, metal film production method, and metal film production apparatus |
JP3665031B2 (ja) * | 2002-02-21 | 2005-06-29 | 三菱重工業株式会社 | バリアメタル膜作製装置及びバリアメタル膜作製方法 |
JP3727878B2 (ja) | 2001-11-14 | 2005-12-21 | 三菱重工業株式会社 | 金属膜作製装置 |
US20030145790A1 (en) * | 2002-02-05 | 2003-08-07 | Hitoshi Sakamoto | Metal film production apparatus and metal film production method |
JP2003243387A (ja) * | 2002-02-20 | 2003-08-29 | Kansai Tlo Kk | シリコンウェハの窒化方法および窒化装置 |
JP3716240B2 (ja) * | 2002-08-23 | 2005-11-16 | 三菱重工業株式会社 | 酸化金属膜を作製する方法及び装置 |
-
2005
- 2005-09-01 JP JP2005254156A patent/JP4845455B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
2006
- 2006-09-01 EP EP06797277A patent/EP2196558A4/en not_active Withdrawn
- 2006-09-01 WO PCT/JP2006/317335 patent/WO2007026876A1/ja active Application Filing
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2018026509A1 (en) * | 2016-08-05 | 2018-02-08 | Applied Materials, Inc. | Aluminum fluoride mitigation by plasma treatment |
US10688538B2 (en) | 2016-08-05 | 2020-06-23 | Applied Materials, Inc. | Aluminum fluoride mitigation by plasma treatment |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
EP2196558A4 (en) | 2010-07-28 |
JP2007067302A (ja) | 2007-03-15 |
WO2007026876A1 (ja) | 2007-03-08 |
EP2196558A1 (en) | 2010-06-16 |
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A711 | Notification of change in applicant |
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RD03 | Notification of appointment of power of attorney |
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A131 | Notification of reasons for refusal |
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A711 | Notification of change in applicant |
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|
RD03 | Notification of appointment of power of attorney |
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|
RD04 | Notification of resignation of power of attorney |
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|
A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20090223 |
|
AA92 | Notification of invalidation |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971092 Effective date: 20090317 |
|
A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20090902 |
|
AA92 | Notification of invalidation |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971092 Effective date: 20090929 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20110302 |
|
A521 | Written amendment |
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TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
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A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
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A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
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FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20141021 Year of fee payment: 3 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
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R250 | Receipt of annual fees |
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LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |