JP2007042898A - P型窒化ガリウム系化合物半導体の製造方法と窒化ガリウム系化合物半導体素子 - Google Patents
P型窒化ガリウム系化合物半導体の製造方法と窒化ガリウム系化合物半導体素子 Download PDFInfo
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Abstract
【解決手段】 製造方法は、P型不純物を含む窒化ガリウム系化合物半導体2が形成された導電性基板3を、電解液1に浸漬した状態で、前記導電性基板3を陽極として、陰極4との間に電流を流すことで、前記P型不純物を活性化させる。窒化ガリウム系化合物半導体素子は、前記の製造方法によって製造されたP型窒化ガリウム系化合物半導体を備える。
【選択図】 図1
Description
すなわち、導電性基板を陽極として、陰極との間に電流を流すと、電解液中の電解質から、導電性基板上の窒化ガリウム系化合物半導体に電子(e-)が供給され、供給された前記電子によって、P型不純物と水素との結合が解除されて、水素イオン(H+)が発生し、発生した水素イオンが、陰極との間の電位差によって前記半導体から放出されることで、半導体中の水素イオン濃度が減少して、P型不純物が脱水素されるものと考えられる。半導体から放出された水素イオンは陰極まで輸送され、陰極表面で電子を受け取って水素分子(H2)となる。
また、本発明の製造方法では、前記活性化処理を実施するために、少なくとも、導電性基板と陰極との間に直流電流を流すための直流電源と、前記導電性基板や電解液等を収容するための電解槽とがあればよい上、前記活性化処理は、常圧下で、しかも、電解液の沸点以下の、比較的、低温で実施できるため、処理装置のイニシャルコスト、およびランニングコストを抑制することができる。また、例えば、多数の導電性基板を、電解液中で、陰極と等距離に配設したりすることで、前記多数の導電性基板上の窒化ガリウム系化合物半導体を、一度に、ばらつきを生じることなく、ほぼ均一に活性化処理することもできる。
前記本発明の製造方法において、P型不純物を含む窒化ガリウム系化合物半導体が、前記半導体と格子定数が整合するホウ化ジルコニウム(ZrB2)の単結晶からなる導電性基板上に、気相成長法によって形成される場合には、その結晶品質を、向上することができる。そのため、活性化の工程を経て製造されるP型窒化ガリウム系化合物半導体の品質を、さらに良好なものとすることができる。
さらに、本発明の窒化ガリウム系化合物半導体素子は、前記本発明のP型窒化ガリウム系化合物半導体を含むため、その特性、例えば、発光素子であれば発光効率等に優れている。
導電性基板上に、P型不純物を含む窒化ガリウム系化合物半導体を形成する方法としては、有機金属化学気相成長法(MOCVD)等の、気相成長法が、好適に採用される。すなわち、導電性基板を所定の温度に維持しながら、窒化ガリウム系化合物、およびP型不純物のもとになる原料ガスを導入して、基板上の、前記窒化ガリウム系化合物半導体を形成するための下地上で化学反応させて、前記下地上に、所定の組成を有する窒化ガリウム系化合物と、P型不純物とを堆積させることで、P型不純物を含む窒化ガリウム系化合物半導体が形成される。なお、気相成長法としては、例えば、分子線エピタキシャル法(MBE)や、ハイドライト気相成長法(HVPE)等を採用することもできる。
前記電流値は、窒化ガリウム系化合物半導体2の組成や厚み、P型不純物の種類や添加量、電解液の種類や濃度等によって異なるので、一概には規定できないが、前記のように、導電性基板3の温度が半田等の融点を超えない範囲で電流値を調整し、その電流値によって、窒化ガリウム系化合物半導体2に添加したP型不純物のほぼ全量が脱水素されるように、電流を流す時間を設定して、活性化処理を行うのが好ましい。
図2を参照して、この例の発光素子は、前記導電性基板3の表面11上に、順に積層された、低温成長バッファ層12と、N型窒化ガリウム系化合物半導体層13と、中間層14と、発光層15と、第1のP型窒化ガリウム系化合物半導体層16と、第2のP型窒化ガリウム系化合物半導体層17と、第3のP型窒化ガリウム系化合物半導体層18とを備えている。第3のP型窒化ガリウム系化合物半導体層18の、積層方向と直交する表面19の一部には、電極パッド20が形成されている。また、前記中間層14、発光層15、第1のP型窒化ガリウム系化合物半導体層16、第2のP型窒化ガリウム系化合物半導体層17、および第3のP型窒化ガリウム系化合物半導体層18の一部を除去することで、N型窒化ガリウム系化合物半導体層13の、積層方向と直交する表面21の一部が露出されていると共に、露出された前記表面21に、電極パッド22が形成されている。
図1を参照して、前記積層体23を形成した後、導電性基板3の、積層体23を形成した面の反対面10に、電源6からの配線7を接続して、先に説明した活性化処理を行うと、前記積層体23のうち、第1〜第3のP型窒化ガリウム系化合物半導体層16〜18のもとになる、P型不純物を含む3層の窒化ガリウム系化合物半導体の層中のP型不純物が、先に説明したメカニズムによって脱水素されることで活性化されて、第1のP型窒化ガリウム系化合物半導体層16と、第2のP型窒化ガリウム系化合物半導体層17と、第3のP型窒化ガリウム系化合物半導体層18とが形成される。
本発明の製造方法によって、窒化ガリウム系化合物半導体中のP型不純物が活性化されることを確認するため、図3に示すように、ホウ化ジルコニウム(ZrB2)の単結晶によって形成された導電性基板3の表面11上に、前記MOCVD法によって、窒化ガリウム(GaN)からなる低温成長バッファ層24と、不純物を含まない窒化ガリウム(GaN)層25と、P型不純物を含む窒化ガリウム(GaN)層26とを積層して、窒化ガリウム系化合物半導体素子のモデルを作製した。
実施例2として、図2に示す層構成を有する発光素子を作製した。すなわち、まず、複数の発光素子を包含する大きさを有するウエハ状の導電性基板3を、MOCVDを実施するための装置のチャンバ内にセットし、前記導電性基板3の温度を1100℃に昇温して、表面11をサーマルエッチングした後、温度を400℃に維持しながら、前記チャンバ内に、トリメチルガリウム〔Ga(CH3)3〕とアンモニア(NH3)とを導入して、前記表面11上で化学反応させることによって、厚み20nmの低温成長バッファ層12を形成した。
そして、最後に、導電性基板3の温度を850℃に維持しながら、チャンバ内に、トリメチルガリウムと、アンモニアと、ビス(シクロペンタジエニル)マグネシウムとを導入して、前記窒化アルミニウム・ガリウム層の上で化学反応させることによって、第3のP型窒化ガリウム系化合物半導体層18のもとになる、厚み20nmの、P型不純物としてマグネシウムを含む窒化ガリウム(GaN)層を形成して、積層体23を形成した。
2 P型不純物を含む窒化ガリウム系化合物半導体
3 導電性基板
4 陰極
6 電源
7 配線
10 反対面
16 第1のP型窒化ガリウム系化合物半導体層
17 第2のP型窒化ガリウム系化合物半導体層
18 第3のP型窒化ガリウム系化合物半導体層
Claims (4)
- 導電性基板上に、P型不純物を含む窒化ガリウム系化合物半導体を形成する工程と、前記窒化ガリウム系化合物半導体が形成された導電性基板を電解液に浸漬した状態で、前記導電性基板を陽極として、前記電解液と接触させて配設された陰極との間に電流を流すことで、前記P型不純物を活性化させる工程とを含むことを特徴とするP型窒化ガリウム系化合物半導体の製造方法。
- 導電性基板として、ホウ化ジルコニウムの単結晶からなる導電性基板を用い、前記導電性基板上に、気相成長法によって、P型不純物を含む窒化ガリウム系化合物半導体を形成する請求項1記載のP型窒化ガリウム系化合物半導体の製造方法。
- 導電性基板の、窒化ガリウム系化合物半導体を形成した面以外の面に、電源からの配線を接続する請求項1または2記載のP型窒化ガリウム系化合物半導体の製造方法。
- 請求項1〜3のいずれかに記載の製造方法によって製造された、P型窒化ガリウム系化合物半導体を含むことを特徴とする窒化ガリウム系化合物半導体素子。
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