JP2003060229A - 半導体発光素子及びその製造方法 - Google Patents
半導体発光素子及びその製造方法Info
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 消費電力及び動作電圧の低い半導体発光素子
の低コスト化が困難であった。 【解決手段】 低抵抗のシリコンから成る基板１１の上
にＡｌxＢxＧａ1-x-yＮから成る第１の層１２ａとＡｌa
ＢbＧａi-a-bＮから成る第２の層１２ｂとを交互に複数
積層した複合層構造のバッファ層１２を設ける。バッフ
ァ層１２の上に窒化ガリウムから成るｎ形半導体層１
３、窒化ガリウムインジウムからなる活性層１４、窒化
ガリウムから成るｐ形半導体層１５を順次に形成する。
ｐ形半導体層１５の上にアノード電極１７を設け、基板
１１にカソード電極１８を設ける。
の低コスト化が困難であった。 【解決手段】 低抵抗のシリコンから成る基板１１の上
にＡｌxＢxＧａ1-x-yＮから成る第１の層１２ａとＡｌa
ＢbＧａi-a-bＮから成る第２の層１２ｂとを交互に複数
積層した複合層構造のバッファ層１２を設ける。バッフ
ァ層１２の上に窒化ガリウムから成るｎ形半導体層１
３、窒化ガリウムインジウムからなる活性層１４、窒化
ガリウムから成るｐ形半導体層１５を順次に形成する。
ｐ形半導体層１５の上にアノード電極１７を設け、基板
１１にカソード電極１８を設ける。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は窒化物系化合物半導
体を用いた半導体発光素子及びその製造方法に関する。
体を用いた半導体発光素子及びその製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】ＧａＮ（窒化ガリウム）、ＡｌＧａＮ
（窒化ガリウム アルミニウム）、ＩｎＧａＮ（窒化ガ
リウム インジウム）、ＡｌＩｎＧａＮ（窒化ガリウム
インジウム アルミニウム）等の窒化ガリウム系化合
物半導体を用いた例えば青色発光ダイオード等の半導体
発光素子は公知である。従来の典型的な発光素子は、サ
ファイアから成る絶縁性基板、この絶縁性基板の一方の
主面（上面）に形成された例えば日本の特開平４‐２９
７０２３号公報に開示されているＧａxＡｌ1-xＮ（但
し、ｘは０＜ｘ≦１の範囲の数値である。）から成るバ
ッファ層、このバッファ層の上にエピタキシャル成長に
よって形成された窒化ガリウム系化合物半導体（例えば
ＧａＮ）から成るｎ形半導体領域、このｎ形半導体領域
の上にエピタキシャル成長法によって形成された窒化ガ
リウム系化合物半導体（例えばＩｎＧａＮ）から成る活
性層、及びこの活性層の上にエピタキシャル成長法によ
って形成されたｐ形半導体領域を備えている。カソ−ド
電極はｎ形半導体領域に接続され、アノ−ド電極はｐ形
半導体領域に接続されている。
（窒化ガリウム アルミニウム）、ＩｎＧａＮ（窒化ガ
リウム インジウム）、ＡｌＩｎＧａＮ（窒化ガリウム
インジウム アルミニウム）等の窒化ガリウム系化合
物半導体を用いた例えば青色発光ダイオード等の半導体
発光素子は公知である。従来の典型的な発光素子は、サ
ファイアから成る絶縁性基板、この絶縁性基板の一方の
主面（上面）に形成された例えば日本の特開平４‐２９
７０２３号公報に開示されているＧａxＡｌ1-xＮ（但
し、ｘは０＜ｘ≦１の範囲の数値である。）から成るバ
ッファ層、このバッファ層の上にエピタキシャル成長に
よって形成された窒化ガリウム系化合物半導体（例えば
ＧａＮ）から成るｎ形半導体領域、このｎ形半導体領域
の上にエピタキシャル成長法によって形成された窒化ガ
リウム系化合物半導体（例えばＩｎＧａＮ）から成る活
性層、及びこの活性層の上にエピタキシャル成長法によ
って形成されたｐ形半導体領域を備えている。カソ−ド
電極はｎ形半導体領域に接続され、アノ−ド電極はｐ形
半導体領域に接続されている。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】ところで、発光素子
は、周知のように多数の素子の作り込まれたウエハをダ
イシング、スクライビング、劈開 (cleavage)等によっ
て切り出して製作される。この時、サファイアから成る
絶縁性基板は硬度が高いため、このダイシングを良好に
且つ生産性良く行うことが困難であった。また、サファ
イアは高価であるため、発光素子のコストが高くなっ
た。また、サファイアから成る基板は絶縁体であるた
め、カソ−ド電極を基板に形成することができなかっ
た。このため、ｎ形半導体領域の一部を露出させ、ここ
にカソ−ド電極を接続することが必要になり、半導体基
体の面積即ちチップ面積が比較的大きくなり、その分発
光素子のコストが高くなった。また、サファイア基板を
使用した従来の発光素子では、ｎ形半導体領域の垂直方
向のみならず、水平方向即ちサファイア基板の主面に沿
う方向にも電流が流れる。このｎ形半導体領域の水平方
向の電流が流れる部分の厚みは４〜５μｍ程度と極めて
薄いため、ｎ形半導体領域の水平方向の電流通路の抵抗
はかなり大きなものとなり、消費電力及び動作電圧の増
大を招いた。更に、このｎ形半導体領域のカソ−ド電極
の接続部分を露出させるために活性層及びｐ形半導体領
域をエッチングによって削り取ることが必要になり、エ
ッチングの精度を考慮してｎ形半導体領域は予め若干肉
厚に形成しておく必要があった。このためｎ形半導体領
域のエピタキシャル成長の時間が長くなり、生産性が低
かった。また、サファイア基板の代りにシリコンカーバ
イド（ＳｉＣ）から成る導電性基板を用いた発光素子が
知られている。この発光素子においては、カソ−ド電極
を導電性基板の下面に形成できる。このため、サファイ
ア基板を使用した発光素子に比べて、ＳｉＣ基板を使用
した発光素子は、チップ面積の縮小が図られること、劈
開によりウエハの分離が簡単化する等の利点はある。し
かし、ＳｉＣはサファイアよりも一段と高価であるため
発光素子の低コスト化が困難である。また、ＳｉＣ基板
の上にｎ形半導体領域を低抵抗接触させることが困難で
あり、この発光素子の消費電力及び動作電圧がサファイ
ア基板を使用した発光素子と同様に比較的高くなった。
は、周知のように多数の素子の作り込まれたウエハをダ
イシング、スクライビング、劈開 (cleavage)等によっ
て切り出して製作される。この時、サファイアから成る
絶縁性基板は硬度が高いため、このダイシングを良好に
且つ生産性良く行うことが困難であった。また、サファ
イアは高価であるため、発光素子のコストが高くなっ
た。また、サファイアから成る基板は絶縁体であるた
め、カソ−ド電極を基板に形成することができなかっ
た。このため、ｎ形半導体領域の一部を露出させ、ここ
にカソ−ド電極を接続することが必要になり、半導体基
体の面積即ちチップ面積が比較的大きくなり、その分発
光素子のコストが高くなった。また、サファイア基板を
使用した従来の発光素子では、ｎ形半導体領域の垂直方
向のみならず、水平方向即ちサファイア基板の主面に沿
う方向にも電流が流れる。このｎ形半導体領域の水平方
向の電流が流れる部分の厚みは４〜５μｍ程度と極めて
薄いため、ｎ形半導体領域の水平方向の電流通路の抵抗
はかなり大きなものとなり、消費電力及び動作電圧の増
大を招いた。更に、このｎ形半導体領域のカソ−ド電極
の接続部分を露出させるために活性層及びｐ形半導体領
域をエッチングによって削り取ることが必要になり、エ
ッチングの精度を考慮してｎ形半導体領域は予め若干肉
厚に形成しておく必要があった。このためｎ形半導体領
域のエピタキシャル成長の時間が長くなり、生産性が低
かった。また、サファイア基板の代りにシリコンカーバ
イド（ＳｉＣ）から成る導電性基板を用いた発光素子が
知られている。この発光素子においては、カソ−ド電極
を導電性基板の下面に形成できる。このため、サファイ
ア基板を使用した発光素子に比べて、ＳｉＣ基板を使用
した発光素子は、チップ面積の縮小が図られること、劈
開によりウエハの分離が簡単化する等の利点はある。し
かし、ＳｉＣはサファイアよりも一段と高価であるため
発光素子の低コスト化が困難である。また、ＳｉＣ基板
の上にｎ形半導体領域を低抵抗接触させることが困難で
あり、この発光素子の消費電力及び動作電圧がサファイ
ア基板を使用した発光素子と同様に比較的高くなった。
【０００４】そこで、本発明の目的は、生産性及び性能
の向上及びコストの低減を図ることができる半導体発光
素子及びその製造方法を提供することにある。
の向上及びコストの低減を図ることができる半導体発光
素子及びその製造方法を提供することにある。
【０００５】
【課題を解決するための手段】上記課題を解決し、上記
目的を達成するための本発明は、窒化物系化合物半導体
即ち窒化物をベ−スとした化合物半導体を含んでいる半
導体発光素子であって、不純物を含むシリコン又はシリ
コン化合物から成り且つ低い抵抗率を有している基板
と、前記基板の一方の主面上に配置されたバッファ層
と、発光機能を得るために前記バッファ層の上に配置さ
れた複数の窒化物系化合物半導体層を含んでいる半導体
領域と、前記半導体領域の表面上に配置された第１の電
極と、前記基板の他方の主面に配置された第２の電極と
を備えており、前記バッファ層は、ＡｌxＢyＧａ1-x-y
Ｎ（但し、ｘ、ｙは、０＜ｘ≦１、０≦ｙ＜１、ｘ＋ｙ
≦１を満足する数値である。）から成る第１の層とＡｌ
aＢbＧａ1-a-bＮ（但し、ａ、ｂは、０≦ａ＜１、０≦
ｂ＜１、ａ＋ｂ≦１を満足する数値である。）から成り
且つ前記第１の層よりも小さいバンドギャップを有して
いる第２の層との複合層から成り、前記第１の層と第２
の層の内の少なくとも一方にＢ（ボロン）が含まれてい
ることを特徴とする半導体発光素子に係わるものであ
る。
目的を達成するための本発明は、窒化物系化合物半導体
即ち窒化物をベ−スとした化合物半導体を含んでいる半
導体発光素子であって、不純物を含むシリコン又はシリ
コン化合物から成り且つ低い抵抗率を有している基板
と、前記基板の一方の主面上に配置されたバッファ層
と、発光機能を得るために前記バッファ層の上に配置さ
れた複数の窒化物系化合物半導体層を含んでいる半導体
領域と、前記半導体領域の表面上に配置された第１の電
極と、前記基板の他方の主面に配置された第２の電極と
を備えており、前記バッファ層は、ＡｌxＢyＧａ1-x-y
Ｎ（但し、ｘ、ｙは、０＜ｘ≦１、０≦ｙ＜１、ｘ＋ｙ
≦１を満足する数値である。）から成る第１の層とＡｌ
aＢbＧａ1-a-bＮ（但し、ａ、ｂは、０≦ａ＜１、０≦
ｂ＜１、ａ＋ｂ≦１を満足する数値である。）から成り
且つ前記第１の層よりも小さいバンドギャップを有して
いる第２の層との複合層から成り、前記第１の層と第２
の層の内の少なくとも一方にＢ（ボロン）が含まれてい
ることを特徴とする半導体発光素子に係わるものであ
る。
【０００６】なお、請求項２に示すように、前記バッフ
ァ層は、ＡｌxＢyＧａ1-x-yＮ（但し、ｘ、ｙは、０＜
ｘ≦１、０≦ｙ＜１、ｘ＋ｙ≦１を満足する数値であ
る。）から成る第１の層と、ＡｌaＢbＧａ1-a-bＮ（但
し、ａ、ｂは、０≦ａ＜１、０＜ｂ＜１、ａ＋ｂ≦１、
ｂ＞ｙを満足する数値である。）から成り且つ前記第１
の層よりも小さいバンドギャップを有している第２の層
との複合層から成ることが望ましい。また、請求項３に
示すように、前記バッファ層はＡｌxＢyＧａ1-x-yＮ
（但し、ｘ、ｙは、０＜ｘ≦１、０≦ｙ＜１、ｘ＋ｙ≦
１を満足する数値である。）から成る複数の第１の層
と、ＡｌaＢbＧａ1-a-bＮ（但し、ａ、ｂは、０≦ａ＜
１、０≦ｂ＜１、ａ＋ｂ≦１を満足する数値である。）
から成る複数の第２の層とを有し、前記第１及び第２の
層の内の少なくとも一方にＢが含まれており、前記第１
の層と前記第２の層とが交互に積層されていることが望
ましい。また、請求項４に示すように、前記バッファ層
における前記第１の層の厚みが０．５ｎｍ〜１０ｎｍ及
び前記第２の層の厚みが０．５ｎｍ〜３００ｎｍである
ことが望ましい。また、請求項５に示すように、前記バ
ッファ層における前記第１の層の厚みが０．５ｎｍ〜１
０ｎｍ及び前記第２の層の厚みが１０ｎｍ〜３００ｎｍ
であることが望ましい。また、請求項６に示すように、
前記第２の層はｎ形不純物としてシリコンを含むことが
望ましい。また、請求項７に示すように、前記基板の前
記バッファ層が配置されている側の主面は、ミラー指数
で示す結晶の面方位において（１１１）ジャスト面又は
（１１１）面から−４度から＋４度の範囲で傾いている
面であることが望ましい。また、請求項８に示すよう
に、前記半導体領域の前記複数の窒化物系化合物半導体
層のそれぞれは、ＧａＮ（窒化ガリウム）層、ＡｌＩｎ
Ｎ（窒化インジウムアルミニウム）層、ＡｌＧａＮ（窒
化ガリウム アルミニウム）層、ＩｎＧａＮ（窒化ガリ
ウム インジウム）層、及びＡｌＩｎＧａＮ（窒化ガリ
ウム インジウム アルミニウム）層から選択されたも
のであることが望ましい。また、請求項９に示すよう
に、前記半導体領域は、前記バッファ層の上に配置され
た窒化物系化合物半導体から成る第１の導電形の第１の
半導体層と、前記第１の半導体層の上に配置された窒化
物系化合物半導体から成る活性層と、前記活性層の上に
配置された窒化物系化合物半導体から成り且つ前記第１
の導電形と反対の導電形を有している第２の半導体層と
を備えていることが望ましい。また、請求項１０に示す
ように、不純物を含み且つ低い抵抗率を有しているシリ
コン又はシリコン化合物から成る基板を用意する工程
と、前記基板の上に気相成長法によってＡｌxＢyＧａ
1-x-yＮ（但し、ｘ、ｙは、０＜ｘ≦１、０≦ｙ＜１、
ｘ＋ｙ≦１を満足する数値である。）から成る第１の層
と、ＡｌaBbＧａ1-a -bＮ（但し、ａ、ｂは、０≦ａ＜
１、０≦ｂ＜１、ａ＋ｂ≦１、ｂ＞ｙを満足する数値で
ある。）から成り且つ前記第１の層よりも小さいバンド
ギャップを有している第２の層とを順次に形成し、前記
第１の層と前記第２の層との内の少なくとも一方にＢ
（ボロン）が含まれているバッファ層を得る工程と、前
記バッファ層の上に、発光機能を得るための複数の窒化
物系化合物半導体層から成る半導体領域を気相成長法に
よって形成する工程と、前記半導体領域の表面上に第１
の電極を形成し、前記基板の他方の主面に第２の電極を
形成する工程とによって半導体発光素子を製造すること
が望ましい。
ァ層は、ＡｌxＢyＧａ1-x-yＮ（但し、ｘ、ｙは、０＜
ｘ≦１、０≦ｙ＜１、ｘ＋ｙ≦１を満足する数値であ
る。）から成る第１の層と、ＡｌaＢbＧａ1-a-bＮ（但
し、ａ、ｂは、０≦ａ＜１、０＜ｂ＜１、ａ＋ｂ≦１、
ｂ＞ｙを満足する数値である。）から成り且つ前記第１
の層よりも小さいバンドギャップを有している第２の層
との複合層から成ることが望ましい。また、請求項３に
示すように、前記バッファ層はＡｌxＢyＧａ1-x-yＮ
（但し、ｘ、ｙは、０＜ｘ≦１、０≦ｙ＜１、ｘ＋ｙ≦
１を満足する数値である。）から成る複数の第１の層
と、ＡｌaＢbＧａ1-a-bＮ（但し、ａ、ｂは、０≦ａ＜
１、０≦ｂ＜１、ａ＋ｂ≦１を満足する数値である。）
から成る複数の第２の層とを有し、前記第１及び第２の
層の内の少なくとも一方にＢが含まれており、前記第１
の層と前記第２の層とが交互に積層されていることが望
ましい。また、請求項４に示すように、前記バッファ層
における前記第１の層の厚みが０．５ｎｍ〜１０ｎｍ及
び前記第２の層の厚みが０．５ｎｍ〜３００ｎｍである
ことが望ましい。また、請求項５に示すように、前記バ
ッファ層における前記第１の層の厚みが０．５ｎｍ〜１
０ｎｍ及び前記第２の層の厚みが１０ｎｍ〜３００ｎｍ
であることが望ましい。また、請求項６に示すように、
前記第２の層はｎ形不純物としてシリコンを含むことが
望ましい。また、請求項７に示すように、前記基板の前
記バッファ層が配置されている側の主面は、ミラー指数
で示す結晶の面方位において（１１１）ジャスト面又は
（１１１）面から−４度から＋４度の範囲で傾いている
面であることが望ましい。また、請求項８に示すよう
に、前記半導体領域の前記複数の窒化物系化合物半導体
層のそれぞれは、ＧａＮ（窒化ガリウム）層、ＡｌＩｎ
Ｎ（窒化インジウムアルミニウム）層、ＡｌＧａＮ（窒
化ガリウム アルミニウム）層、ＩｎＧａＮ（窒化ガリ
ウム インジウム）層、及びＡｌＩｎＧａＮ（窒化ガリ
ウム インジウム アルミニウム）層から選択されたも
のであることが望ましい。また、請求項９に示すよう
に、前記半導体領域は、前記バッファ層の上に配置され
た窒化物系化合物半導体から成る第１の導電形の第１の
半導体層と、前記第１の半導体層の上に配置された窒化
物系化合物半導体から成る活性層と、前記活性層の上に
配置された窒化物系化合物半導体から成り且つ前記第１
の導電形と反対の導電形を有している第２の半導体層と
を備えていることが望ましい。また、請求項１０に示す
ように、不純物を含み且つ低い抵抗率を有しているシリ
コン又はシリコン化合物から成る基板を用意する工程
と、前記基板の上に気相成長法によってＡｌxＢyＧａ
1-x-yＮ（但し、ｘ、ｙは、０＜ｘ≦１、０≦ｙ＜１、
ｘ＋ｙ≦１を満足する数値である。）から成る第１の層
と、ＡｌaBbＧａ1-a -bＮ（但し、ａ、ｂは、０≦ａ＜
１、０≦ｂ＜１、ａ＋ｂ≦１、ｂ＞ｙを満足する数値で
ある。）から成り且つ前記第１の層よりも小さいバンド
ギャップを有している第２の層とを順次に形成し、前記
第１の層と前記第２の層との内の少なくとも一方にＢ
（ボロン）が含まれているバッファ層を得る工程と、前
記バッファ層の上に、発光機能を得るための複数の窒化
物系化合物半導体層から成る半導体領域を気相成長法に
よって形成する工程と、前記半導体領域の表面上に第１
の電極を形成し、前記基板の他方の主面に第２の電極を
形成する工程とによって半導体発光素子を製造すること
が望ましい。
【０００７】
【発明の効果】本願請求項１の発明によれば次の効果が
得られる。 基板が比較的安価なシリコン又はシリコン化合物で
あるので、発光素子のコストを低減できる。 ＡｌxＢyＧａ1-x-yＮ（但し、ｘ、ｙは、０＜ｘ≦
１、０≦ｙ＜１、ｘ＋ｙ≦１を満足する数値である。）
から成る第１の層と、ＡｌaＢbＧａ1-a-bＮ（但し、
ａ、ｂは、０≦ａ＜１、０≦ｂ＜１、ａ＋ｂ≦１を満足
する数値である。）から成る第２の層との複合層から成
るバッファ層は、この上に形成する窒化物系化合物半導
体層の結晶性及び平坦性の改善に寄与する。即ち、Ａｌ
xＢyＧａ1- x-yＮ（但し、ｘ、ｙは、０＜ｘ≦１、０≦
ｙ＜１、ｘ＋ｙ≦１を満足する数値である。）から成る
第１の層と、ＡｌaＢbＧａ1-a-bＮ（但し、ａ、ｂは、
０≦ａ＜１、０≦ｂ＜１、ａ＋ｂ≦１を満足する数値で
ある。）から成る第２の層との複合層から成るバッファ
層は、シリコン又はシリコン化合物から成る基板の結晶
方位を良好に引き継ぐことができ、バッファ層の一方の
主面に発光機能を得るための窒化物系化合物半導体層を
結晶方位を揃えて良好に形成することができる。もし、
シリコン又はシリコン化合物から成る基板の一方の主面
に、ＧａＮ半導体層のみから成るバッファ層を形成した
場合、シリコンとＧａＮとは格子定数の差が大きい為、
このバッファ層の上面に平坦性に優れたＧａＮ系化合物
半導体領域を形成することができない。一方、本発明に
よれば、基板と窒化物系化合物半導体領域との間に、シ
リコン又はシリコン化合物から成る基板との格子定数差
が比較的小さいＡｌxＢyＧａ1-x-yＮ（但し、ｘ、ｙ
は、０＜ｘ≦１、０≦ｙ＜１、ｘ＋ｙ≦１を満足する数
値である。）から成る第１の層と、ＡｌaＢbＧａ1-a- b
Ｎ（但し、ａ、ｂは、０≦ａ＜１、０≦ｂ＜１、ａ＋ｂ
≦１を満足する数値である。）から成る第２の層との複
合層から成るバッファ層が介在しているため、窒化物系
化合物半導体領域の平坦性が良くなる。この結果、発光
特性が良好に得られる。 第１の層と第２の層との複合構造のバッファ層の熱
膨張係数は、シリコン又はこの化合物から成る基板の熱
膨張係数と窒化物系化合物から成る半導体領域の熱膨張
係数との中間の値を有する。従って、バッファ層は基板
と半導体領域との熱膨張係数の差に起因する歪の発生を
比較的良好に抑制する。本発明では、更に、バッファ層
を構成する第１の層と第２の層の内の少なくとも一方の
層にＢ（ボロン）が含まれている。Ｂ（ボロン）を含む
バッファ層は、Ｂ（ボロン）がまないバッファ層よりも
シリコン又はシリコン化合物から成る基板の熱膨張係数
に近い熱膨張係数を有する。このため、本発明のバッフ
ァ層によれば、シリコン又はシリコン化合物から成る基
板と発光機能を有する半導体領域との間の熱膨張係数差
に起因する半導体領域の歪を良好に防止できる。 第１及び第２の層の少なくとも一方にボロンを含め
ると、ボロンを含んだ層がボロンを含まない場合に比べ
て堅牢になり、クラックが発生し難くなる。 バッファ層１２が導電性を有するので、第１及び第
２の電極は互いに対向するように配置することができ
る。この結果第１及び第２の電極間の電流通路の抵抗値
を下げて消費電力及び動作電圧を小さくすることができ
る。請求項２の発明によればバッファ層を構成する第２
の層が窒化ボロン系化合物半導体、例えばＢＮ、ＢＧａ
Ｎ、ＡｌＢＮ、又はＡｌＢＧａＮから成るので、動作電
圧を良好に低減することができる。即ち、もし、第２の
層を窒化ボロン系化合物半導体ではない窒化物系化合物
半導体、例えばＧａＮ、又はＡｌＧａＮとし、第１の層
を窒化アルミニウムボロン系化合物半導体とした場合で
も基板との熱膨張係数差に起因する引っ張り歪の発生を
防止することができる。しかし、第２の層を窒化ボロン
系化合物半導体で構成すれば、基板との熱膨張係数差に
起因する半導体領域の歪の発生を防止することができる
と共に、基板のエネルギバンドと第２の層のエネルギバ
ンドとの間の不連続性を改善することができ、キャリア
がバッファ層を通過し易くなる。この結果、第１及び第
２の電極間の動作抵抗及び動作電圧を低減することが可
能になる。請求項３の発明によれば、シリコンとの格子
定数の差が比較的小さいＡｌxＢyＧａ1-x-yＮから成る
第１の層が、基板上に配置され、且つ第１の層がＡｌa
ＢbＧａ1-a-bＮから成る第２の層の相互間にも配置され
るので、バッファ層の平坦性が良くなり、このバッファ
層の上に形成される半導体領域の結晶性も良くなる。請
求項４の発明によれば、バッファ層の第１の層が量子力
学的なトンネル効果を生じる厚みに設定されているの
で、バッファ層の抵抗値の増大を抑えて発光素子の消費
電力及び動作電圧を低くすることができる。請求項５の
発明においては、第２の層の厚みが１０ｎｍ〜３００ｎ
ｍの範囲に制限されている。第２の層の厚みが１０nm以
上であれば、発光素子の動作時における第１及び第２の
電極間の抵抗及び電圧が比較的小さくなる。即ち、も
し、第２の層の厚みが１０nmよりも薄い時には、第２の
層の価電子帯と伝導帯とに離散的なエネルギー準位が発
生し、第２の層においてキャリアの伝導に関与するエネ
ルギー準位が見かけ上増大する。この結果、基板と第２
の層との間のエネルギバンドの不連続性が比較的大きく
なり、発光素子の動作時の第１及び第２の電極間の抵抗
及び電圧が比較的大きくなる。これに対し、第２の層の
厚みが１０nm以上になると、第２の層の価電子帯と伝導
帯とにおける離散的なエネルギー準位の発生が抑制さ
れ、第２の層におけるキャリアの伝導に関与するエネル
ギー準位の増大が抑制される。この結果、基板と第２の
層との間のエネルギバンドの不連続性の悪化が抑制さ
れ、発光素子の動作時の第１及び第２の電極間の抵抗及
び電圧が小さくなる。請求項６の発明によれば、第２の
層をｎ形半導体領域にすることができるのみでなく、第
２の層が不純物を含むために抵抗が小さくなり、第１及
び第２の電極間の抵抗及び電圧を小さくすることがで
き、電力損失の少ない発光素子を提供することができ
る。請求項７の発明によれば、基板の上にバッファ層及
び発光機能を有する半導体領域を良好に形成することが
でき、発光効率を高めることができる。即ち、基板の主
面の面方位を（１１１）ジャスト面又は（１１１）ジャ
スト面からのオフ角度が小さい面とすることによって、
バッファ層及び発光機能を有する半導体領域の結晶表面
の原子ステップ即ち原子レベルでのステップを無くすこ
と又は少なくすることができる。もし、（１１１）ジャ
スト面からのオフ角度の大きい主面上にバッファ層及び
発光機能を有する半導体領域を形成すると、これ等に原
子レベルで見て比較的大きいステップが生じる。エピタ
キシャル成長層が比較的厚い場合には多少のステップは
さほど問題にならないが、活性層のような数ｎｍオ−ダ
の厚みの薄い層を有する発光素子の場合には、発光素子
を通電状態とした時にステップの近傍に発光に寄与しな
い電流即ち無効電流が流れ、発光効率が低下する。これ
に対して、基板の主面を（１１１）ジャスト面又はオフ
角度の小さい面とすれば、ステップが小さくなり、無効
電流も少なくなり、発光効率が大きくなる。請求項８の
発明によれば、バッファ層上に発光機能を有する半導体
領域を良好に形成することができる。請求項９の発明に
よれば、活性層が反対導電形の２つの半導体層で挟まれ
た構造を有するため、発光特性の良好な半導体発光素子
を提供できる。請求項１０の発明によれば、特性の良い
半導体発光素子を安価且つ容易に形成することができ
る。
得られる。 基板が比較的安価なシリコン又はシリコン化合物で
あるので、発光素子のコストを低減できる。 ＡｌxＢyＧａ1-x-yＮ（但し、ｘ、ｙは、０＜ｘ≦
１、０≦ｙ＜１、ｘ＋ｙ≦１を満足する数値である。）
から成る第１の層と、ＡｌaＢbＧａ1-a-bＮ（但し、
ａ、ｂは、０≦ａ＜１、０≦ｂ＜１、ａ＋ｂ≦１を満足
する数値である。）から成る第２の層との複合層から成
るバッファ層は、この上に形成する窒化物系化合物半導
体層の結晶性及び平坦性の改善に寄与する。即ち、Ａｌ
xＢyＧａ1- x-yＮ（但し、ｘ、ｙは、０＜ｘ≦１、０≦
ｙ＜１、ｘ＋ｙ≦１を満足する数値である。）から成る
第１の層と、ＡｌaＢbＧａ1-a-bＮ（但し、ａ、ｂは、
０≦ａ＜１、０≦ｂ＜１、ａ＋ｂ≦１を満足する数値で
ある。）から成る第２の層との複合層から成るバッファ
層は、シリコン又はシリコン化合物から成る基板の結晶
方位を良好に引き継ぐことができ、バッファ層の一方の
主面に発光機能を得るための窒化物系化合物半導体層を
結晶方位を揃えて良好に形成することができる。もし、
シリコン又はシリコン化合物から成る基板の一方の主面
に、ＧａＮ半導体層のみから成るバッファ層を形成した
場合、シリコンとＧａＮとは格子定数の差が大きい為、
このバッファ層の上面に平坦性に優れたＧａＮ系化合物
半導体領域を形成することができない。一方、本発明に
よれば、基板と窒化物系化合物半導体領域との間に、シ
リコン又はシリコン化合物から成る基板との格子定数差
が比較的小さいＡｌxＢyＧａ1-x-yＮ（但し、ｘ、ｙ
は、０＜ｘ≦１、０≦ｙ＜１、ｘ＋ｙ≦１を満足する数
値である。）から成る第１の層と、ＡｌaＢbＧａ1-a- b
Ｎ（但し、ａ、ｂは、０≦ａ＜１、０≦ｂ＜１、ａ＋ｂ
≦１を満足する数値である。）から成る第２の層との複
合層から成るバッファ層が介在しているため、窒化物系
化合物半導体領域の平坦性が良くなる。この結果、発光
特性が良好に得られる。 第１の層と第２の層との複合構造のバッファ層の熱
膨張係数は、シリコン又はこの化合物から成る基板の熱
膨張係数と窒化物系化合物から成る半導体領域の熱膨張
係数との中間の値を有する。従って、バッファ層は基板
と半導体領域との熱膨張係数の差に起因する歪の発生を
比較的良好に抑制する。本発明では、更に、バッファ層
を構成する第１の層と第２の層の内の少なくとも一方の
層にＢ（ボロン）が含まれている。Ｂ（ボロン）を含む
バッファ層は、Ｂ（ボロン）がまないバッファ層よりも
シリコン又はシリコン化合物から成る基板の熱膨張係数
に近い熱膨張係数を有する。このため、本発明のバッフ
ァ層によれば、シリコン又はシリコン化合物から成る基
板と発光機能を有する半導体領域との間の熱膨張係数差
に起因する半導体領域の歪を良好に防止できる。 第１及び第２の層の少なくとも一方にボロンを含め
ると、ボロンを含んだ層がボロンを含まない場合に比べ
て堅牢になり、クラックが発生し難くなる。 バッファ層１２が導電性を有するので、第１及び第
２の電極は互いに対向するように配置することができ
る。この結果第１及び第２の電極間の電流通路の抵抗値
を下げて消費電力及び動作電圧を小さくすることができ
る。請求項２の発明によればバッファ層を構成する第２
の層が窒化ボロン系化合物半導体、例えばＢＮ、ＢＧａ
Ｎ、ＡｌＢＮ、又はＡｌＢＧａＮから成るので、動作電
圧を良好に低減することができる。即ち、もし、第２の
層を窒化ボロン系化合物半導体ではない窒化物系化合物
半導体、例えばＧａＮ、又はＡｌＧａＮとし、第１の層
を窒化アルミニウムボロン系化合物半導体とした場合で
も基板との熱膨張係数差に起因する引っ張り歪の発生を
防止することができる。しかし、第２の層を窒化ボロン
系化合物半導体で構成すれば、基板との熱膨張係数差に
起因する半導体領域の歪の発生を防止することができる
と共に、基板のエネルギバンドと第２の層のエネルギバ
ンドとの間の不連続性を改善することができ、キャリア
がバッファ層を通過し易くなる。この結果、第１及び第
２の電極間の動作抵抗及び動作電圧を低減することが可
能になる。請求項３の発明によれば、シリコンとの格子
定数の差が比較的小さいＡｌxＢyＧａ1-x-yＮから成る
第１の層が、基板上に配置され、且つ第１の層がＡｌa
ＢbＧａ1-a-bＮから成る第２の層の相互間にも配置され
るので、バッファ層の平坦性が良くなり、このバッファ
層の上に形成される半導体領域の結晶性も良くなる。請
求項４の発明によれば、バッファ層の第１の層が量子力
学的なトンネル効果を生じる厚みに設定されているの
で、バッファ層の抵抗値の増大を抑えて発光素子の消費
電力及び動作電圧を低くすることができる。請求項５の
発明においては、第２の層の厚みが１０ｎｍ〜３００ｎ
ｍの範囲に制限されている。第２の層の厚みが１０nm以
上であれば、発光素子の動作時における第１及び第２の
電極間の抵抗及び電圧が比較的小さくなる。即ち、も
し、第２の層の厚みが１０nmよりも薄い時には、第２の
層の価電子帯と伝導帯とに離散的なエネルギー準位が発
生し、第２の層においてキャリアの伝導に関与するエネ
ルギー準位が見かけ上増大する。この結果、基板と第２
の層との間のエネルギバンドの不連続性が比較的大きく
なり、発光素子の動作時の第１及び第２の電極間の抵抗
及び電圧が比較的大きくなる。これに対し、第２の層の
厚みが１０nm以上になると、第２の層の価電子帯と伝導
帯とにおける離散的なエネルギー準位の発生が抑制さ
れ、第２の層におけるキャリアの伝導に関与するエネル
ギー準位の増大が抑制される。この結果、基板と第２の
層との間のエネルギバンドの不連続性の悪化が抑制さ
れ、発光素子の動作時の第１及び第２の電極間の抵抗及
び電圧が小さくなる。請求項６の発明によれば、第２の
層をｎ形半導体領域にすることができるのみでなく、第
２の層が不純物を含むために抵抗が小さくなり、第１及
び第２の電極間の抵抗及び電圧を小さくすることがで
き、電力損失の少ない発光素子を提供することができ
る。請求項７の発明によれば、基板の上にバッファ層及
び発光機能を有する半導体領域を良好に形成することが
でき、発光効率を高めることができる。即ち、基板の主
面の面方位を（１１１）ジャスト面又は（１１１）ジャ
スト面からのオフ角度が小さい面とすることによって、
バッファ層及び発光機能を有する半導体領域の結晶表面
の原子ステップ即ち原子レベルでのステップを無くすこ
と又は少なくすることができる。もし、（１１１）ジャ
スト面からのオフ角度の大きい主面上にバッファ層及び
発光機能を有する半導体領域を形成すると、これ等に原
子レベルで見て比較的大きいステップが生じる。エピタ
キシャル成長層が比較的厚い場合には多少のステップは
さほど問題にならないが、活性層のような数ｎｍオ−ダ
の厚みの薄い層を有する発光素子の場合には、発光素子
を通電状態とした時にステップの近傍に発光に寄与しな
い電流即ち無効電流が流れ、発光効率が低下する。これ
に対して、基板の主面を（１１１）ジャスト面又はオフ
角度の小さい面とすれば、ステップが小さくなり、無効
電流も少なくなり、発光効率が大きくなる。請求項８の
発明によれば、バッファ層上に発光機能を有する半導体
領域を良好に形成することができる。請求項９の発明に
よれば、活性層が反対導電形の２つの半導体層で挟まれ
た構造を有するため、発光特性の良好な半導体発光素子
を提供できる。請求項１０の発明によれば、特性の良い
半導体発光素子を安価且つ容易に形成することができ
る。
【０００８】
【第１の実施形態】次に、図１及び図２を参照して本発
明の第１の実施形態に係わる半導体発光素子としての窒
化ガリウム系化合物青色発光ダイオードを説明する。
明の第１の実施形態に係わる半導体発光素子としての窒
化ガリウム系化合物青色発光ダイオードを説明する。
【０００９】図１及び図２に示す本発明の実施形態に従
う青色発光ダイオードは、発光機能を得るための複数の
窒化ガリウム系化合物半導体層から成る半導体領域１０
と、シリコン半導体から成るサブストレ−ト即ち基板１
１と、バッファ層１２とを有している。発光機能を有す
る半導体領域１０は、ＧａＮ（窒化ガリウム）から成る
第１の半導体層としてのｎ形半導体層１３、ｐ形のＩｎ
ＧａＮ（窒化ガリウムインジウム）から成る発光層即ち
活性層１４、及び第２の半導体層としてのＧａＮ（窒化
ガリウム）から成るｐ形半導体層１５とから成る。基板
１１とバッファ層１２と発光機能を有する半導体領域１
０との積層体から成る基体１６の一方の主面（上面）即
ちｐ形半導体層１５の表面上に第１の電極としてのアノ
ード電極１７が配置され、この基体１６の他方の主面
（下面）即ち基板１１の他方の主面に第２の電極として
のカソード電極１８が配置されている。バッファ層１
２、ｎ形半導体層１３、活性層１４、及びｐ形半導体層
１５は、基板１１の上に順次にそれぞれの結晶方位を揃
えてエピタキシャル成長させたものである。
う青色発光ダイオードは、発光機能を得るための複数の
窒化ガリウム系化合物半導体層から成る半導体領域１０
と、シリコン半導体から成るサブストレ−ト即ち基板１
１と、バッファ層１２とを有している。発光機能を有す
る半導体領域１０は、ＧａＮ（窒化ガリウム）から成る
第１の半導体層としてのｎ形半導体層１３、ｐ形のＩｎ
ＧａＮ（窒化ガリウムインジウム）から成る発光層即ち
活性層１４、及び第２の半導体層としてのＧａＮ（窒化
ガリウム）から成るｐ形半導体層１５とから成る。基板
１１とバッファ層１２と発光機能を有する半導体領域１
０との積層体から成る基体１６の一方の主面（上面）即
ちｐ形半導体層１５の表面上に第１の電極としてのアノ
ード電極１７が配置され、この基体１６の他方の主面
（下面）即ち基板１１の他方の主面に第２の電極として
のカソード電極１８が配置されている。バッファ層１
２、ｎ形半導体層１３、活性層１４、及びｐ形半導体層
１５は、基板１１の上に順次にそれぞれの結晶方位を揃
えてエピタキシャル成長させたものである。
【００１０】基板１１は、N形の導電形決定不純物とし
てＡs（砒素）を含むＮ+形シリコン単結晶から成る。こ
の基板１１のバッファ層１２が配置されている側の主面
１１ａは、ミラー指数で示す結晶の面方位において（１
１１）ジャスト面である。この基板１１の不純物濃度
は、５×１０18ｃｍ-3〜５×１０19ｃｍ-3程度であり、
この基板１１の抵抗率は０．０００１Ω・ｃｍ〜０．０
１Ω・ｃｍ程度である。比較的低い抵抗率を有する基板
１１はアノ−ド電極１７とカソード電極１８との間の電
流通路として機能する。また、基板１１は、比較的厚い
約３５０μｍの厚みを有し、ｐ形半導体層１５、活性層
１４及びｎ形半導体層１３から成る発光機能を有する半
導体領域１０及びバッファ層１２の支持体として機能す
る。
てＡs（砒素）を含むＮ+形シリコン単結晶から成る。こ
の基板１１のバッファ層１２が配置されている側の主面
１１ａは、ミラー指数で示す結晶の面方位において（１
１１）ジャスト面である。この基板１１の不純物濃度
は、５×１０18ｃｍ-3〜５×１０19ｃｍ-3程度であり、
この基板１１の抵抗率は０．０００１Ω・ｃｍ〜０．０
１Ω・ｃｍ程度である。比較的低い抵抗率を有する基板
１１はアノ−ド電極１７とカソード電極１８との間の電
流通路として機能する。また、基板１１は、比較的厚い
約３５０μｍの厚みを有し、ｐ形半導体層１５、活性層
１４及びｎ形半導体層１３から成る発光機能を有する半
導体領域１０及びバッファ層１２の支持体として機能す
る。
【００１１】基板１１の 一方の主面全体を被覆するよ
うに配置されたバッファ層１２は、複数の第１の層１２
ａと複数の第２の層１２ｂとが交互に積層された複合層
から成る。図１及び図２では、図示の都合上、バッファ
層１２が２つの第１の層１２ａと２つの第２の層１２b
とで示されているが実際には図３（Ｂ）の示すようにバ
ッファ層１２は１０個の第１の層１２ａと１０個の第２
の層１２ｂとを有する。
うに配置されたバッファ層１２は、複数の第１の層１２
ａと複数の第２の層１２ｂとが交互に積層された複合層
から成る。図１及び図２では、図示の都合上、バッファ
層１２が２つの第１の層１２ａと２つの第２の層１２b
とで示されているが実際には図３（Ｂ）の示すようにバ
ッファ層１２は１０個の第１の層１２ａと１０個の第２
の層１２ｂとを有する。
【００１２】第１の層１２ａは、
化学式 ＡｌxＢyＧａ1-x-yＮ
ここで、ｘ、ｙは、０＜ｘ≦１、０≦ｙ＜１、ｘ＋ｙ≦
１を満足する任意の数値、 で示すことができる材料で形成される。即ち、第１の層
１２ａは、ＡｌＮ（窒化アルミニウム）、ＡｌＧａＮ
（窒化ガリウム アルミニウム）、ＡｌＢＮ（窒化ボロ
ン アルミニウム）、及びＡｌＢＧａＮ（窒化ガリウム
ボロン アルミニウム）から選択されたもので形成さ
れる。図１及び図２の実施形態では、前記式のｘが０．
５、ｙが０とされた材料に相当するＡｌ0.5Ｇａ0.5Ｎが
第１の層１２ａに使用されている。第１の層１２ａは、
絶縁性を有する極薄い膜である。第１の層１２ａの格子
定数及び熱膨張係数は第２の層１２ｂよりもシリコン基
板１１に近い。
１を満足する任意の数値、 で示すことができる材料で形成される。即ち、第１の層
１２ａは、ＡｌＮ（窒化アルミニウム）、ＡｌＧａＮ
（窒化ガリウム アルミニウム）、ＡｌＢＮ（窒化ボロ
ン アルミニウム）、及びＡｌＢＧａＮ（窒化ガリウム
ボロン アルミニウム）から選択されたもので形成さ
れる。図１及び図２の実施形態では、前記式のｘが０．
５、ｙが０とされた材料に相当するＡｌ0.5Ｇａ0.5Ｎが
第１の層１２ａに使用されている。第１の層１２ａは、
絶縁性を有する極薄い膜である。第１の層１２ａの格子
定数及び熱膨張係数は第２の層１２ｂよりもシリコン基
板１１に近い。
【００１３】第２の層１２ｂは、
化学式 ＡｌaＢbＧａ1-a-bＮ
ここで、ａ、ｂは、０≦ａ＜１、０≦ｂ＜１、ａ＋ｂ≦
１を満足する任意の数値、 で示すことができる材料から成るｎ形半導体の薄い膜で
ある。即ち、第２の層１２ｂはＡｌ、Ｂ及びＧａから選
択された少なくとも１つの元素とＮとを含む層であり、
例えばＧａＮ、ＢＮ、ＡｌＮ、ＢＧａＮ、ＡｌＧａＮ、
ＡｌＢＮ及びＡｌＢＧａＮから選択されたもので形成さ
れる。図１及び図２の実施形態では、前記式のａが０、
ｂが０．３とされた材料に相当するＢ0.3Ｇａ0.7Ｎが第
２の層１２ｂに使用されている。第２の層１２ｂの価電
子帯と伝導帯との間のギャップ即ちバンドギャップが第
１の層１２ａのバンドギャップよりも大きい。第２の層
１２ｂの抵抗を小さくするために、Ａｌの割合ａを第１
の層１２ａのＡｌの割合ｘよりも小さい例えば０．８以
下、より好ましくは０．１以下に設定することが望まし
い。第２の層１２ｂは抵抗値の比較的小さい半導体とし
て機能し、第１の層１２ａの相互間の電気的接続機能を
有する。
１を満足する任意の数値、 で示すことができる材料から成るｎ形半導体の薄い膜で
ある。即ち、第２の層１２ｂはＡｌ、Ｂ及びＧａから選
択された少なくとも１つの元素とＮとを含む層であり、
例えばＧａＮ、ＢＮ、ＡｌＮ、ＢＧａＮ、ＡｌＧａＮ、
ＡｌＢＮ及びＡｌＢＧａＮから選択されたもので形成さ
れる。図１及び図２の実施形態では、前記式のａが０、
ｂが０．３とされた材料に相当するＢ0.3Ｇａ0.7Ｎが第
２の層１２ｂに使用されている。第２の層１２ｂの価電
子帯と伝導帯との間のギャップ即ちバンドギャップが第
１の層１２ａのバンドギャップよりも大きい。第２の層
１２ｂの抵抗を小さくするために、Ａｌの割合ａを第１
の層１２ａのＡｌの割合ｘよりも小さい例えば０．８以
下、より好ましくは０．１以下に設定することが望まし
い。第２の層１２ｂは抵抗値の比較的小さい半導体とし
て機能し、第１の層１２ａの相互間の電気的接続機能を
有する。
【００１４】バッファ層１２の第１の層１２ａの厚みT1
は、好ましくは０．５ｎｍ〜１０ｎｍ即ち５〜１００オ
ングストローム、より好ましくは１ｎｍ〜８ｎｍであ
る。第１の層１２ａの厚みが０．５ｎｍ未満の場合には
バッファ層１２の上面に形成されるｎ形半導体領域１３
の平坦性が良好に保てなくなる。第１の層１２ａの厚み
が１０ｎｍを超えると、量子力学的トンネル効果を良好
に得ることができなくなり、バッファ層１２の電気的抵
抗が増大する。
は、好ましくは０．５ｎｍ〜１０ｎｍ即ち５〜１００オ
ングストローム、より好ましくは１ｎｍ〜８ｎｍであ
る。第１の層１２ａの厚みが０．５ｎｍ未満の場合には
バッファ層１２の上面に形成されるｎ形半導体領域１３
の平坦性が良好に保てなくなる。第１の層１２ａの厚み
が１０ｎｍを超えると、量子力学的トンネル効果を良好
に得ることができなくなり、バッファ層１２の電気的抵
抗が増大する。
【００１５】第２の層１２ｂの厚みT2は、好ましくは
０．５ｎｍ〜３００ｎｍ即ち５〜３０００オングストロ
ームであり、より好ましくは１０ｎｍ〜３００ｎｍであ
る。第２の層１２ｂの厚みが０．５ｎｍ即ち５オングス
トローム未満の場合には、第２の層１２ｂの上に形成さ
れる一方の第１の層１１ａと第２の層１２ｂの下に形成
される他方の第１の層１１ａとの間の電気的接続が良好
に達成されず、バッファ層１２の電気的抵抗が増大す
る。第２の層１２ｂの厚みが３００ｎｍ即ち３０００オ
ングストロームを超えた場合には、格子定数及び熱膨張
係数が第２の層１２ｂよりもシリコン基板１１に近い第
１の層１１ａによるバッファ作用が相対的に小さくな
り、ｎ形半導体領域１３の平坦性が良好に保てなくな
る。
０．５ｎｍ〜３００ｎｍ即ち５〜３０００オングストロ
ームであり、より好ましくは１０ｎｍ〜３００ｎｍであ
る。第２の層１２ｂの厚みが０．５ｎｍ即ち５オングス
トローム未満の場合には、第２の層１２ｂの上に形成さ
れる一方の第１の層１１ａと第２の層１２ｂの下に形成
される他方の第１の層１１ａとの間の電気的接続が良好
に達成されず、バッファ層１２の電気的抵抗が増大す
る。第２の層１２ｂの厚みが３００ｎｍ即ち３０００オ
ングストロームを超えた場合には、格子定数及び熱膨張
係数が第２の層１２ｂよりもシリコン基板１１に近い第
１の層１１ａによるバッファ作用が相対的に小さくな
り、ｎ形半導体領域１３の平坦性が良好に保てなくな
る。
【００１６】図４は第２の層１２ｂの厚みＴ2と発光素
子の発光動作時におけるアノード電極１７とカソード電
極１８との間の電圧Ｖfとの関係を示す。この図５から
明らかなように、上記厚みＴ2が１０ｎｍよりも小さい
時には電圧Ｖfが約４Ｖよりも高くなる。これに対し
て、厚みＴ2が１０ｎｍ又はこれよりも大きい時には、
電圧Ｖfが４Ｖよりも小さくなる。第２の層１２ｂの厚
みＴ2が１０ｎｍ未満の時には、第２の層１２ｂにる第
１の層１２ａの相互間の電気的接続機能が低下すると共
に、シリコン基板１１と第２の層１２ｂとのエネルギバ
ンドの不連続性が大きくなる。即ち、第２の層１２ｂの
厚みが１０ｎｍよりも薄い時には、第２の層１２ｂの価
電子帯と伝導帯とに離散的なエネルギー準位が発生し、
第２の層１２ｂにおいてキャリアの伝導に関与するエネ
ルギー準位が見かけ上増大する。即ち、第１の層１２ａ
と第２の層１２ｂが超格子の状態になる。この結果、基
板１１と第２の層１２ｂとの間のエネルギバンドの不連
続性が比較的大きくなり、発光素子の動作時のアノード
電極１７とカソード電極１８との間の抵抗及び電圧Ｖf
が比較的大きくなる。これに対し、第２の層１２ｂの厚
みが１０ｎｍ以上になると、第２の層１２ｂの価電子帯
と伝導帯とにおける離散的なエネルギー準位の発生が抑
制され、第２の層１２ｂにおけるキャリアの伝導に関与
するエネルギー準位の増大が抑制される。即ち、第１の
層１２ａと第２の層１２ｂとが超格子の状態になること
が阻止される。この結果、基板１１と第２の層１２ｂと
の間のエネルギバンドの不連続性の悪化が抑制され、ア
ノード電極１７とカソード電極１８との間の抵抗及び電
圧Ｖfが低くなる。従って、この実施例の第１の層１２
ａの厚みＴ1が０．５ｎｍ、第２の層１２ｂの厚みＴ2が
３０ｎｍである。なお、この実施例では、第２の層１２
ｂにボロンが含まれているので、第２の層１２ｂが堅牢
になる。この結果、クラックの発生を防いで第２の層１
２ｂを厚く形成することができる。
子の発光動作時におけるアノード電極１７とカソード電
極１８との間の電圧Ｖfとの関係を示す。この図５から
明らかなように、上記厚みＴ2が１０ｎｍよりも小さい
時には電圧Ｖfが約４Ｖよりも高くなる。これに対し
て、厚みＴ2が１０ｎｍ又はこれよりも大きい時には、
電圧Ｖfが４Ｖよりも小さくなる。第２の層１２ｂの厚
みＴ2が１０ｎｍ未満の時には、第２の層１２ｂにる第
１の層１２ａの相互間の電気的接続機能が低下すると共
に、シリコン基板１１と第２の層１２ｂとのエネルギバ
ンドの不連続性が大きくなる。即ち、第２の層１２ｂの
厚みが１０ｎｍよりも薄い時には、第２の層１２ｂの価
電子帯と伝導帯とに離散的なエネルギー準位が発生し、
第２の層１２ｂにおいてキャリアの伝導に関与するエネ
ルギー準位が見かけ上増大する。即ち、第１の層１２ａ
と第２の層１２ｂが超格子の状態になる。この結果、基
板１１と第２の層１２ｂとの間のエネルギバンドの不連
続性が比較的大きくなり、発光素子の動作時のアノード
電極１７とカソード電極１８との間の抵抗及び電圧Ｖf
が比較的大きくなる。これに対し、第２の層１２ｂの厚
みが１０ｎｍ以上になると、第２の層１２ｂの価電子帯
と伝導帯とにおける離散的なエネルギー準位の発生が抑
制され、第２の層１２ｂにおけるキャリアの伝導に関与
するエネルギー準位の増大が抑制される。即ち、第１の
層１２ａと第２の層１２ｂとが超格子の状態になること
が阻止される。この結果、基板１１と第２の層１２ｂと
の間のエネルギバンドの不連続性の悪化が抑制され、ア
ノード電極１７とカソード電極１８との間の抵抗及び電
圧Ｖfが低くなる。従って、この実施例の第１の層１２
ａの厚みＴ1が０．５ｎｍ、第２の層１２ｂの厚みＴ2が
３０ｎｍである。なお、この実施例では、第２の層１２
ｂにボロンが含まれているので、第２の層１２ｂが堅牢
になる。この結果、クラックの発生を防いで第２の層１
２ｂを厚く形成することができる。
【００１７】次に、第１の層１２ａがＡｌ0.5Ｇａ
0.5Ｎ、第２の層１２ｂがＢ0.3Ｇａ0.7Ｎとされたバッ
ファ層１２を備えた発光素子の製造方法を説明する。
0.5Ｎ、第２の層１２ｂがＢ0.3Ｇａ0.7Ｎとされたバッ
ファ層１２を備えた発光素子の製造方法を説明する。
【００１８】まず、図３の（Ａ）に示すｎ形不純物が導
入されたｎ+形シリコン半導体から成る基板１１を用意
する。バッファ層１２を形成するためのシリコン基板１
１の一方の主面１１ａは、ミラー指数で示す結晶の面方
位において（１１１）ジャスト面、即ち正確な（１１
１）面である。しかし、図３において０で示す（１１
１）ジャスト面に対して−θ〜+θで示す範囲で基板１
１の主面１１ａを傾斜させることができる。−θ〜+θ
の範囲は−４°〜+４°であり、好ましくは−３°〜+３
°であり、より好ましくは−２°〜+２°である。
入されたｎ+形シリコン半導体から成る基板１１を用意
する。バッファ層１２を形成するためのシリコン基板１
１の一方の主面１１ａは、ミラー指数で示す結晶の面方
位において（１１１）ジャスト面、即ち正確な（１１
１）面である。しかし、図３において０で示す（１１
１）ジャスト面に対して−θ〜+θで示す範囲で基板１
１の主面１１ａを傾斜させることができる。−θ〜+θ
の範囲は−４°〜+４°であり、好ましくは−３°〜+３
°であり、より好ましくは−２°〜+２°である。
【００１９】図５は基板１１の主面１１ａの（１１１）
ジャスト面に対するオフ角度θと発光強度比との関係を
示す。ここでの発光強度比は、基板１１の主面１１ａが
（１１１）ジャスト面された発光素子を所定電流で駆動
した時の発光強度即ち発生光量Ｑ1と基板１１の主面１
１ａが（１１１）面を基準にして（１１２）面方向に角
度θだけ傾いた面にされた発光素子を所定電流で駆動し
た時の発光強度即ち発生光量Ｑ2との比Ｑ2／Ｑ1を示
す。この図５から明らかなように（１１１）面からのオ
フ角度θが−４°〜+４°の範囲で発光強度比Ｑ2／Ｑ1
が約０．０５以上となり、−３°〜+３°の範囲で発光
強度比Ｑ2／Ｑ1が約０．５以上となり、−２°〜+２°
の範囲で発光強度比Ｑ2／Ｑ1が０．８以上になる。ここ
で、発光強度比が大きいことは、発光素子の発光効率が
大きいことを意味する。シリコン基板１１の主面１１ａ
の結晶方位を、（１１１）ジャスト面又は（１１１）ジ
ャスト面からのオフ角度が小さい面とすることによっ
て、バッファ層１２及び発光機能を有する半導体領域１
０をエピタキシャル成長させる際の原子レベルでのステ
ップを無くすこと又は小さくすることができる。もし、
主面１１ａの結晶方位が（１１１）ジャスト面からのオ
フ角度が大きくなるように設定されている場合には、シ
リコン基板１１の主面１１ａ上にバッファ層１２及び発
光機能を有する半導体領域１０をエピタキシャル成長で
形成する時に、原子レベルで見て比較的大きいステップ
が生じる。エピタキシャル成長層が比較的厚い場合には
多少のステップはさほど問題にならないが、活性層１４
のように例えば２ｎｍのように薄い場合には、発光素子
を通電状態とした時にステップの近傍に発光に寄与しな
い電流即ち無効電流が流れ、発光効率が低下する。これ
に対して、シリコン基板１１の主面１１ａを（１１１）
ジャスト面又はオフ角度の小さい面とすれば、ステップ
が無くなるか又は小さくなり、無効電流も少なくなり、
発光効率が大きくなる。
ジャスト面に対するオフ角度θと発光強度比との関係を
示す。ここでの発光強度比は、基板１１の主面１１ａが
（１１１）ジャスト面された発光素子を所定電流で駆動
した時の発光強度即ち発生光量Ｑ1と基板１１の主面１
１ａが（１１１）面を基準にして（１１２）面方向に角
度θだけ傾いた面にされた発光素子を所定電流で駆動し
た時の発光強度即ち発生光量Ｑ2との比Ｑ2／Ｑ1を示
す。この図５から明らかなように（１１１）面からのオ
フ角度θが−４°〜+４°の範囲で発光強度比Ｑ2／Ｑ1
が約０．０５以上となり、−３°〜+３°の範囲で発光
強度比Ｑ2／Ｑ1が約０．５以上となり、−２°〜+２°
の範囲で発光強度比Ｑ2／Ｑ1が０．８以上になる。ここ
で、発光強度比が大きいことは、発光素子の発光効率が
大きいことを意味する。シリコン基板１１の主面１１ａ
の結晶方位を、（１１１）ジャスト面又は（１１１）ジ
ャスト面からのオフ角度が小さい面とすることによっ
て、バッファ層１２及び発光機能を有する半導体領域１
０をエピタキシャル成長させる際の原子レベルでのステ
ップを無くすこと又は小さくすることができる。もし、
主面１１ａの結晶方位が（１１１）ジャスト面からのオ
フ角度が大きくなるように設定されている場合には、シ
リコン基板１１の主面１１ａ上にバッファ層１２及び発
光機能を有する半導体領域１０をエピタキシャル成長で
形成する時に、原子レベルで見て比較的大きいステップ
が生じる。エピタキシャル成長層が比較的厚い場合には
多少のステップはさほど問題にならないが、活性層１４
のように例えば２ｎｍのように薄い場合には、発光素子
を通電状態とした時にステップの近傍に発光に寄与しな
い電流即ち無効電流が流れ、発光効率が低下する。これ
に対して、シリコン基板１１の主面１１ａを（１１１）
ジャスト面又はオフ角度の小さい面とすれば、ステップ
が無くなるか又は小さくなり、無効電流も少なくなり、
発光効率が大きくなる。
【００２０】次に、図３（Ｂ）に示すように基板１１の
主面１１ａ上にバッファ層１２を形成する。このバッフ
ァ層１２は、周知のＭＯＣＶＤ（Metal Organic Chem
icalVapor Deposition）即ち有機金属化学気相成長法
によってＡｌ0.5Ｇａ0.5Ｎから成る第１の層１２aとＢ
0.3Ｇａ0.7Ｎから成る第２の層１２ｂとを繰返して積層
することによって形成する。即ち、シリコン単結晶の基
板１１をＭＯＣＶＤ装置の反応室内に配置し、まず、サ
ーマルアニーリングを施して表面の酸化膜を除去する。
次に、反応室内にＴＭＡ（トリメチルアルミニウム）ガ
ス、ＴＭＧ（トリメチルガリウム）ガス、ＮＨ3（アン
モニア）ガスを約２７秒間供給して、基板１１の一方の
主面に厚さＴ1が約５ｎｍ即ち約５０オングストローム
のＡｌ0.5Ｇａ0.5Ｎから成る第１の層１２aを形成す
る。本実施例では基板１１の加熱温度を１０８０℃とし
た後に、ＴＭＡガスの流量即ちＡｌの供給量を約３１μ
ｍｏｌ／ｍｉｎ、ＴＭＧガスの流量を３１μｍｏｌ／ｍ
ｉｎ、ＮＨ3ガスの流量即ちＮＨ3の供給量を約０．１４
ｍｏｌ／ｍｉｎとした。続いて、ＴＭＡガスの供給を止
め、基板１１の加熱温度を１１２０℃まで下げ、しかる
後、ＴEB（トリエチルボロン）ガス、ＴＭＧガス、ＮＨ
3（アンモニア）ガス及びＳｉＨ4（シラン）ガスを約８
５秒間供給して、第１の層１２ａの上面に、厚さＴ2が
３０ｎｍ即ち３００オングストロームのｎ形のＢ0.3Ｇ
ａ0.7Ｎから成る第２の層１２ｂを形成する。ここで、
ＳｉＨ4ガスは形成膜中にｎ形不純物としてのＳｉを導
入するためのものである。本実施例では、ＴＥＢガスの
流量即ちボロンの供給量を７５μｍｏｌ／ｍｉｎ、ＴＭ
Ｇガスの流量即ちガリウムの供給量を６３μｍｏｌ／ｍ
ｉｎ、ＮＨ3ガスの流量即ちＮＨ3の供給量を約０．１４
ｍｏｌ／ｍｉｎ、ＳｉＨ4ガスの流量即ちＳｉの供給量
を約２１ｎｍｏｌ／ｍｉｎとした。本実施例では、上述
のＡｌ0.5Ｇａ0.5Ｎから成る第１の層１２ａとＢ0.3Ｇ
ａ0.7Ｎから成る第２の層１２ｂの形成を５０回繰り返
してＡｌ0.5Ｇａ0.5Ｎから成る第１の層１２ａとＢ0.3
Ｇａ0.7Ｎから成る第２の層１２ｂとが交互に１００層
積層されたバッファ層１２を形成する。勿論Ａｌ0.5Ｇ
ａ0.5Ｎから成る第１の層１２ａと、Ｂ0.3Ｇａ0.7Ｎか
ら成る第２の層１２ｂをそれぞれ２５層等の任意の数に
変えることもできる。
主面１１ａ上にバッファ層１２を形成する。このバッフ
ァ層１２は、周知のＭＯＣＶＤ（Metal Organic Chem
icalVapor Deposition）即ち有機金属化学気相成長法
によってＡｌ0.5Ｇａ0.5Ｎから成る第１の層１２aとＢ
0.3Ｇａ0.7Ｎから成る第２の層１２ｂとを繰返して積層
することによって形成する。即ち、シリコン単結晶の基
板１１をＭＯＣＶＤ装置の反応室内に配置し、まず、サ
ーマルアニーリングを施して表面の酸化膜を除去する。
次に、反応室内にＴＭＡ（トリメチルアルミニウム）ガ
ス、ＴＭＧ（トリメチルガリウム）ガス、ＮＨ3（アン
モニア）ガスを約２７秒間供給して、基板１１の一方の
主面に厚さＴ1が約５ｎｍ即ち約５０オングストローム
のＡｌ0.5Ｇａ0.5Ｎから成る第１の層１２aを形成す
る。本実施例では基板１１の加熱温度を１０８０℃とし
た後に、ＴＭＡガスの流量即ちＡｌの供給量を約３１μ
ｍｏｌ／ｍｉｎ、ＴＭＧガスの流量を３１μｍｏｌ／ｍ
ｉｎ、ＮＨ3ガスの流量即ちＮＨ3の供給量を約０．１４
ｍｏｌ／ｍｉｎとした。続いて、ＴＭＡガスの供給を止
め、基板１１の加熱温度を１１２０℃まで下げ、しかる
後、ＴEB（トリエチルボロン）ガス、ＴＭＧガス、ＮＨ
3（アンモニア）ガス及びＳｉＨ4（シラン）ガスを約８
５秒間供給して、第１の層１２ａの上面に、厚さＴ2が
３０ｎｍ即ち３００オングストロームのｎ形のＢ0.3Ｇ
ａ0.7Ｎから成る第２の層１２ｂを形成する。ここで、
ＳｉＨ4ガスは形成膜中にｎ形不純物としてのＳｉを導
入するためのものである。本実施例では、ＴＥＢガスの
流量即ちボロンの供給量を７５μｍｏｌ／ｍｉｎ、ＴＭ
Ｇガスの流量即ちガリウムの供給量を６３μｍｏｌ／ｍ
ｉｎ、ＮＨ3ガスの流量即ちＮＨ3の供給量を約０．１４
ｍｏｌ／ｍｉｎ、ＳｉＨ4ガスの流量即ちＳｉの供給量
を約２１ｎｍｏｌ／ｍｉｎとした。本実施例では、上述
のＡｌ0.5Ｇａ0.5Ｎから成る第１の層１２ａとＢ0.3Ｇ
ａ0.7Ｎから成る第２の層１２ｂの形成を５０回繰り返
してＡｌ0.5Ｇａ0.5Ｎから成る第１の層１２ａとＢ0.3
Ｇａ0.7Ｎから成る第２の層１２ｂとが交互に１００層
積層されたバッファ層１２を形成する。勿論Ａｌ0.5Ｇ
ａ0.5Ｎから成る第１の層１２ａと、Ｂ0.3Ｇａ0.7Ｎか
ら成る第２の層１２ｂをそれぞれ２５層等の任意の数に
変えることもできる。
【００２１】次に、バッファ層１２の上面に周知のＭＯ
ＣＶＤ法によってｎ形半導体層１３、活性層１４及びｐ
形半導体層１５を順次連続して形成する。即ち、上面に
バッファ層１２が形成された基板１１をＭＯＣＶＤ装置
の反応室内に配置して、反応室内にまずトリメチルガリ
ウムガス即ちＴＭＧガス、ＮＨ3（アンモニア）ガス、
ＳｉＨ4 （シラン）ガスを供給してバッファ層１２の上
面にｎ形半導体層１３を形成する。ここで、シランガス
はｎ形半導体層１３中にｎ形不純物としてのＳｉを導入
するためのものである。本実施例ではバッファ層１２が
形成された基板１１の加熱温度を１０４０℃とした後、
ＴＭＧガスの流量即ちＧａの供給量を約４．３μmol ／
min、ＮＨ3 ガスの流量即ちＮＨ3 の供給量を約５３．
６ｍmol ／min、シランガスの流量即ちＳｉの供給量を
約１．５ｎmol／minとした。また、本実施例では、ｎ形
半導体層１３の厚みを約０．２μｍとした。従来の一般
的発光ダイオードの場合には、ｎ形半導体層の厚みが約
４．０〜５．０μｍであるから、これに比べて図１の本
実施例のｎ形半導体層１３はかなり肉薄に形成されてい
る。また、ｎ形半導体層１３の不純物濃度は約３×１０
18ｃｍ-3であり、基板１１の不純物濃度よりは十分に低
い。尚、本実施例によればバッファ層１２が介在してい
るので、１０４０℃のような比較的高い温度でｎ形半導
体層１３を形成することが可能になる。
ＣＶＤ法によってｎ形半導体層１３、活性層１４及びｐ
形半導体層１５を順次連続して形成する。即ち、上面に
バッファ層１２が形成された基板１１をＭＯＣＶＤ装置
の反応室内に配置して、反応室内にまずトリメチルガリ
ウムガス即ちＴＭＧガス、ＮＨ3（アンモニア）ガス、
ＳｉＨ4 （シラン）ガスを供給してバッファ層１２の上
面にｎ形半導体層１３を形成する。ここで、シランガス
はｎ形半導体層１３中にｎ形不純物としてのＳｉを導入
するためのものである。本実施例ではバッファ層１２が
形成された基板１１の加熱温度を１０４０℃とした後、
ＴＭＧガスの流量即ちＧａの供給量を約４．３μmol ／
min、ＮＨ3 ガスの流量即ちＮＨ3 の供給量を約５３．
６ｍmol ／min、シランガスの流量即ちＳｉの供給量を
約１．５ｎmol／minとした。また、本実施例では、ｎ形
半導体層１３の厚みを約０．２μｍとした。従来の一般
的発光ダイオードの場合には、ｎ形半導体層の厚みが約
４．０〜５．０μｍであるから、これに比べて図１の本
実施例のｎ形半導体層１３はかなり肉薄に形成されてい
る。また、ｎ形半導体層１３の不純物濃度は約３×１０
18ｃｍ-3であり、基板１１の不純物濃度よりは十分に低
い。尚、本実施例によればバッファ層１２が介在してい
るので、１０４０℃のような比較的高い温度でｎ形半導
体層１３を形成することが可能になる。
【００２２】続いて、基板１１の加熱温度を８００℃と
し、反応室内にＴＭＧガス、アンモニアガスに加えてト
リメチルインジウムガス（以下、ＴＭＩガスという）と
ビスシクロペンタジェニルマグネシウムガス（以下、Ｃ
ｐ2 Ｍｇガスという。）を供給してｎ形半導体層１３の
上面にｐ形ＩｎＧａＮ（窒化インジウム ガリウム）か
ら成る活性層１４を形成する。ここで、Ｃｐ2 Ｍｇガス
は活性層１４中にｐ形導電形の不純物としてのＭｇ（マ
グネシウム）を導入するためのものである。本実施例で
は、ＴＭＧガスの流量を約１．１μmol ／min、ＮＨ3ガ
スの流量を約６７ｍmol ／min、ＴＭＩガスの流量即ち
Ｉｎの供給量を約４．５μmol ／min、Ｇｐ2 Ｍｇガス
の流量即ちＭｇの供給量を約１２ｎmol ／minとした。
また、活性層１４の厚みは約２０×１０-4μｍ即ち２０
オングストロ−ムとした。なお、活性層１４の不純物濃
度は約３×１０17ｃｍ-3である。
し、反応室内にＴＭＧガス、アンモニアガスに加えてト
リメチルインジウムガス（以下、ＴＭＩガスという）と
ビスシクロペンタジェニルマグネシウムガス（以下、Ｃ
ｐ2 Ｍｇガスという。）を供給してｎ形半導体層１３の
上面にｐ形ＩｎＧａＮ（窒化インジウム ガリウム）か
ら成る活性層１４を形成する。ここで、Ｃｐ2 Ｍｇガス
は活性層１４中にｐ形導電形の不純物としてのＭｇ（マ
グネシウム）を導入するためのものである。本実施例で
は、ＴＭＧガスの流量を約１．１μmol ／min、ＮＨ3ガ
スの流量を約６７ｍmol ／min、ＴＭＩガスの流量即ち
Ｉｎの供給量を約４．５μmol ／min、Ｇｐ2 Ｍｇガス
の流量即ちＭｇの供給量を約１２ｎmol ／minとした。
また、活性層１４の厚みは約２０×１０-4μｍ即ち２０
オングストロ−ムとした。なお、活性層１４の不純物濃
度は約３×１０17ｃｍ-3である。
【００２３】続いて、基板１１の加熱温度を１０４０℃
とし、反応室内にＴＭＧガス、アンモニアガス及びＣｐ
2 Ｍｇガスを供給して活性層１４の上面にｐ形ＧａＮ
（窒化ガリウム）から成るｐ形半導体層１５を形成す
る。本実施例では、この時のＴＭＧガスの流量を約４．
３μmol ／min、アンモニアガスの流量を約５３．６μm
ol／min、Ｃｐ2 Ｍｇガスの流量を約０．１２μmol ／m
inとした。また、ｐ形半導体層１５の厚みは約０．２μ
ｍとした。なお、ｐ形半導体層１５の不純物濃度は約３
×１０18ｃｍ-3である。
とし、反応室内にＴＭＧガス、アンモニアガス及びＣｐ
2 Ｍｇガスを供給して活性層１４の上面にｐ形ＧａＮ
（窒化ガリウム）から成るｐ形半導体層１５を形成す
る。本実施例では、この時のＴＭＧガスの流量を約４．
３μmol ／min、アンモニアガスの流量を約５３．６μm
ol／min、Ｃｐ2 Ｍｇガスの流量を約０．１２μmol ／m
inとした。また、ｐ形半導体層１５の厚みは約０．２μ
ｍとした。なお、ｐ形半導体層１５の不純物濃度は約３
×１０18ｃｍ-3である。
【００２４】上記のＭＯＣＶＤ成長方法によれば、シリ
コン単結晶から成る基板１１の結晶方位を良好に引き継
いでいるバッファ層１２を形成することができる。ま
た、バッファ層１２の結晶方位に対してｎ形半導体層１
３、活性層１４及びｐ形半導体層１５の結晶方位を揃え
ることができる。
コン単結晶から成る基板１１の結晶方位を良好に引き継
いでいるバッファ層１２を形成することができる。ま
た、バッファ層１２の結晶方位に対してｎ形半導体層１
３、活性層１４及びｐ形半導体層１５の結晶方位を揃え
ることができる。
【００２５】第１の電極としてのアノード電極１７は、
例えばニッケルと金を周知の真空蒸着法等によって半導
体基体１６の上面即ちｐ形半導体層１５の上面に付着さ
せることによって形成し、ｐ形半導体層１５の表面に低
抵抗接触させる。このアノード電極１７は図２に示すよ
うに円形の平面形状を有しており、半導体基体１６の上
面のほぼ中央に配置されている。半導体基体１６の上面
のうち、アノード電極１７の形成されていない領域１９
は、光取り出し領域として機能する。
例えばニッケルと金を周知の真空蒸着法等によって半導
体基体１６の上面即ちｐ形半導体層１５の上面に付着さ
せることによって形成し、ｐ形半導体層１５の表面に低
抵抗接触させる。このアノード電極１７は図２に示すよ
うに円形の平面形状を有しており、半導体基体１６の上
面のほぼ中央に配置されている。半導体基体１６の上面
のうち、アノード電極１７の形成されていない領域１９
は、光取り出し領域として機能する。
【００２６】第２の電極としてのカソード電極１８は、
ｎ形半導体層１３に形成せずに、例えばチタンとアルミ
ニウムを周知の真空蒸着法等によって基板１１の下面全
体に形成する。
ｎ形半導体層１３に形成せずに、例えばチタンとアルミ
ニウムを周知の真空蒸着法等によって基板１１の下面全
体に形成する。
【００２７】図１の青色発光ダイオードを外部装置に取
付ける時には、例えばカソード電極１８を回路基板等の
外部電極に対して半田又は導電性接着剤で固着し、アノ
ード電極１７を周知のワイヤボンディング方法によって
外部電極に対してワイヤで電気的に接続する。
付ける時には、例えばカソード電極１８を回路基板等の
外部電極に対して半田又は導電性接着剤で固着し、アノ
ード電極１７を周知のワイヤボンディング方法によって
外部電極に対してワイヤで電気的に接続する。
【００２８】本実施形態の青色発光ダイオードによれ
ば、次の効果が得られる。 （１） サファイアに比べて著しく低コストであり且つ
加工性も良いシリコンから成る基板１１を使用すること
ができるので、材料コスト及び生産コストの削減が可能
である。このため、ＧａＮ系発光ダイオードのコスト低
減が可能である。 （２） 基板１１の一方の主面に形成されたＡｌ0.5Ｇ
ａ0.5Ｎから成る第１の層１２ａの格子定数はシリコン
の格子定数とＧａＮの格子定数との間を有する。従っ
て、第１の層１２ａは、シリコンから成る基板１１の結
晶方位を良好に引き継ぐことができる。この結果、バッ
ファ層１２の一方の主面に、ｎ形半導体層１３、活性層
１４及びｐ形半導体層１５からなるＧａＮ系半導体領域
１０を結晶方位を揃えて良好に形成することができる。
このため、ＧａＮ系半導体領域１０の特性が良くなり、
発光特性も良くなる。 （３） 第１の層１２ａと第２の層１２ｂが複数積層さ
れて成るバッファ層１２を介して半導体領域１０を形成
すると、半導体領域１０の平坦性が良くなる。即ち、も
し、シリコンから成る基板１１の一方の主面に、ＧａＮ
半導体層のみによって構成されたバッファ層を形成した
場合、シリコンとＧａＮとは格子定数の差が大きいた
め、このバッファ層の上面に平坦性に優れたＧａＮ系半
導体領域を形成することはできない。これに対し、本実
施例では、基板１１とＧａＮ系半導体領域１０との間に
シリコンとの格子定数差が比較的小さいＡｌ0.5Ｇａ0.5
Ｎから成る第１の層１２ａが介在し、且つ第１の層１２
ａの相互間にＢ0.3Ｇａ0.7Ｎから成る第２の層１２ｂを
配置した複合構造のバッファ層１２が設けられている。
このため、バッファ層１２の上に平坦性及び結晶性の良
いＧａＮ系半導体領域１０を形成することができる。こ
の結果、ＧａＮ系半導体領域１０の発光特性が良くな
る。 （４） アノード電極１７とカソード電極１８とが対向
配置されているので、これ等の間に、順方向電圧を印加
すると、半導体基体１６の厚み方向（縦方向）に順方向
電流が流れる。このため、アノード電極１７とカソ−ド
電極１８と間の抵抗値及び電圧を下げることができ、発
光ダイオ−ドの消費電力を小さくすることが可能にな
る。 （５） バッファ層１２に含まれている複数の第１の層
１２ａのそれぞれが量子力学的なトンネル効果の生じる
厚さに設定されているので、バッファ層１２の抵抗の増
大を抑えることができる。 （６） 基板１１とＧａＮ系半導体領域１０との熱膨張
係数差に起因する歪みの発生を抑制できる。即ち、シリ
コンの熱膨張係数とＧａＮの熱膨張係数とは大きく相違
するため、両者を直接に積層すると熱膨張係数差に起因
する歪みが発生し易い。しかし、本実施例の第１の層１
２ａと第２の層１２ｂとの複合層から成るバッファ層１
２の熱膨張係数は基板１１の熱膨張係数とＧａＮ系半導
体領域１０の熱膨張係数との中間値を有する。このた
め、このバッファ層１２によって基板１１とＧａＮ半導
体領域１０との熱膨張係数の差に起因する歪みの発生を
抑制することができる。なお、バッファ層１２の第２の
層１２ｂにボロンが含まれているので、バッファ層１２
にボロンを含めない場合よりもバッファ層１２の熱膨張
係数をシリコン基板１１に近似させることができる。 （７）第２の層１２ｂにボロンが含まれており、且つ第
２の層１２ｂの厚みが比較的厚い３０ｎｍであるので、
基板１１のエネルギ−バンドと第２の層１２ｂのエネル
ギ−バンドとの不連続性が改善され、動作時におけるア
ノ−ド電極１９とカソ−ド電極１８との間の抵抗値及び
電圧が低くなる。 （８）第２の層１２ｂにボロンが含まれているので、第
２の層１２ｂがボロンを含まない場合に比べて堅牢にな
り、クラックの発生を防いで第２の層１２ｂを比較的厚
く形成することができる。 （９）従来のサファイア基板を使用した発光素子に比べ
てカソ−ド電極１８の形成が容易になる。即ち、従来の
サファイア基板を使用した発光素子の場合は、図１及び
図２のｐ形半導体領域１５及び活性層１４に相当するも
のの一部を除去してｎ形半導体領域１３の一部を露出さ
せ、この露出したｎ形半導体領域１３にカソ−ド電極を
接続することが必要になった。このため、従来の発光素
子は、カソ−ド電極が形成しにくいという欠点、及びカ
ソ−ド電極を形成するためにｎ形半導体領域の面積が大
きくなるという欠点があった。図１及び図２の発光素子
は上記欠点を有さない。 （１０）シリコン基板１１の主面１１ａの結晶方位を
（１１１）ジャスト面としたので、半導体領域１０にお
けるステップが少なくなり、無効電流が小さくなり、発
光効率が向上する。
ば、次の効果が得られる。 （１） サファイアに比べて著しく低コストであり且つ
加工性も良いシリコンから成る基板１１を使用すること
ができるので、材料コスト及び生産コストの削減が可能
である。このため、ＧａＮ系発光ダイオードのコスト低
減が可能である。 （２） 基板１１の一方の主面に形成されたＡｌ0.5Ｇ
ａ0.5Ｎから成る第１の層１２ａの格子定数はシリコン
の格子定数とＧａＮの格子定数との間を有する。従っ
て、第１の層１２ａは、シリコンから成る基板１１の結
晶方位を良好に引き継ぐことができる。この結果、バッ
ファ層１２の一方の主面に、ｎ形半導体層１３、活性層
１４及びｐ形半導体層１５からなるＧａＮ系半導体領域
１０を結晶方位を揃えて良好に形成することができる。
このため、ＧａＮ系半導体領域１０の特性が良くなり、
発光特性も良くなる。 （３） 第１の層１２ａと第２の層１２ｂが複数積層さ
れて成るバッファ層１２を介して半導体領域１０を形成
すると、半導体領域１０の平坦性が良くなる。即ち、も
し、シリコンから成る基板１１の一方の主面に、ＧａＮ
半導体層のみによって構成されたバッファ層を形成した
場合、シリコンとＧａＮとは格子定数の差が大きいた
め、このバッファ層の上面に平坦性に優れたＧａＮ系半
導体領域を形成することはできない。これに対し、本実
施例では、基板１１とＧａＮ系半導体領域１０との間に
シリコンとの格子定数差が比較的小さいＡｌ0.5Ｇａ0.5
Ｎから成る第１の層１２ａが介在し、且つ第１の層１２
ａの相互間にＢ0.3Ｇａ0.7Ｎから成る第２の層１２ｂを
配置した複合構造のバッファ層１２が設けられている。
このため、バッファ層１２の上に平坦性及び結晶性の良
いＧａＮ系半導体領域１０を形成することができる。こ
の結果、ＧａＮ系半導体領域１０の発光特性が良くな
る。 （４） アノード電極１７とカソード電極１８とが対向
配置されているので、これ等の間に、順方向電圧を印加
すると、半導体基体１６の厚み方向（縦方向）に順方向
電流が流れる。このため、アノード電極１７とカソ−ド
電極１８と間の抵抗値及び電圧を下げることができ、発
光ダイオ−ドの消費電力を小さくすることが可能にな
る。 （５） バッファ層１２に含まれている複数の第１の層
１２ａのそれぞれが量子力学的なトンネル効果の生じる
厚さに設定されているので、バッファ層１２の抵抗の増
大を抑えることができる。 （６） 基板１１とＧａＮ系半導体領域１０との熱膨張
係数差に起因する歪みの発生を抑制できる。即ち、シリ
コンの熱膨張係数とＧａＮの熱膨張係数とは大きく相違
するため、両者を直接に積層すると熱膨張係数差に起因
する歪みが発生し易い。しかし、本実施例の第１の層１
２ａと第２の層１２ｂとの複合層から成るバッファ層１
２の熱膨張係数は基板１１の熱膨張係数とＧａＮ系半導
体領域１０の熱膨張係数との中間値を有する。このた
め、このバッファ層１２によって基板１１とＧａＮ半導
体領域１０との熱膨張係数の差に起因する歪みの発生を
抑制することができる。なお、バッファ層１２の第２の
層１２ｂにボロンが含まれているので、バッファ層１２
にボロンを含めない場合よりもバッファ層１２の熱膨張
係数をシリコン基板１１に近似させることができる。 （７）第２の層１２ｂにボロンが含まれており、且つ第
２の層１２ｂの厚みが比較的厚い３０ｎｍであるので、
基板１１のエネルギ−バンドと第２の層１２ｂのエネル
ギ−バンドとの不連続性が改善され、動作時におけるア
ノ−ド電極１９とカソ−ド電極１８との間の抵抗値及び
電圧が低くなる。 （８）第２の層１２ｂにボロンが含まれているので、第
２の層１２ｂがボロンを含まない場合に比べて堅牢にな
り、クラックの発生を防いで第２の層１２ｂを比較的厚
く形成することができる。 （９）従来のサファイア基板を使用した発光素子に比べ
てカソ−ド電極１８の形成が容易になる。即ち、従来の
サファイア基板を使用した発光素子の場合は、図１及び
図２のｐ形半導体領域１５及び活性層１４に相当するも
のの一部を除去してｎ形半導体領域１３の一部を露出さ
せ、この露出したｎ形半導体領域１３にカソ−ド電極を
接続することが必要になった。このため、従来の発光素
子は、カソ−ド電極が形成しにくいという欠点、及びカ
ソ−ド電極を形成するためにｎ形半導体領域の面積が大
きくなるという欠点があった。図１及び図２の発光素子
は上記欠点を有さない。 （１０）シリコン基板１１の主面１１ａの結晶方位を
（１１１）ジャスト面としたので、半導体領域１０にお
けるステップが少なくなり、無効電流が小さくなり、発
光効率が向上する。
【００２９】
【第２の実施形態】次に、図６を参照して第２の実施形
態の半導体装置を説明する。但し、図６において図１と
実質的に同一の部分には同一の符号を付してその説明を
省略する。
態の半導体装置を説明する。但し、図６において図１と
実質的に同一の部分には同一の符号を付してその説明を
省略する。
【００３０】図６の半導体装置は、図１に示した発光ダ
イオ−ドのシリコン基板１１に別の半導体素子としての
トランジスタ２０を設けたものである。トランジスタ２
０は素子分離用のＰ形半導体領域２１の中に形成された
コレクタ領域Ｃとベ−ス領域Ｂとエミッタ領域Ｅとから
成る。このように、発光ダイオ−ドとトランジスタとを
複合化すると、これ等を含む回路装置の小型化及び低コ
スト化を図ることができる。
イオ−ドのシリコン基板１１に別の半導体素子としての
トランジスタ２０を設けたものである。トランジスタ２
０は素子分離用のＰ形半導体領域２１の中に形成された
コレクタ領域Ｃとベ−ス領域Ｂとエミッタ領域Ｅとから
成る。このように、発光ダイオ−ドとトランジスタとを
複合化すると、これ等を含む回路装置の小型化及び低コ
スト化を図ることができる。
【００３１】
【変形例】本発明は上述の実施形態に限定されるもので
なく、例えば次の変形が可能なものである。 （１） 基板１１を単結晶シリコン以外の多結晶シリコ
ン又はＳｉＣ等のシリコン化合物とすることができる。 （２） 半導体基体１６の各層の導電形を実施例と逆に
することができる。 （３） ｎ形半導体層１３、活性層１４及びｐ形半導層
１５のそれぞれを、複数の半導体層の組み合せで構成す
ることができる。 （４）ｎ形半導体層１３、活性層１４及びｐ形半導体層
１５のそれぞれの材料を、ＧａＮ（窒化ガリウム）、Ａ
ｌＩｎＮ（窒化インジウム アルミニウム）、ＡｌＧａ
Ｎ（窒化ガリウム アルミニウム）、ＩｎＧａＮ（窒化
ガリウム インジウム）、及びＡｌＩｎＧａＮ（窒化ガ
リウム インジウム アルミニウム）から選択された窒
化ガリウム系化合物半導体又は窒化インジウム系化合物
半導体とすることができる。 （５）ｎ形半導体層１３を省いてバッファ層１２の上に
ＧａＩｎＮから成る活性層１４を直接に接触させること
ができる。これにより、肉厚のＡｌＧａＮクラッド層を
介在させて活性層１４を形成する場合に比較して活性層
１４に加わる引っ張り応力が緩和される。このため、活
性層１４の結晶性が良好となり、発光素子の発光特性が
更に良好に得られる。 （６） アノ−ド電極１７の下にオ−ミックコンタクト
のためのＰ+形半導体層を設けることができる。 （７） アノ−ド電極１７を透明電極とすることができ
る。 （８） バッファ層１２の第１の層１２ａの数を第２の
層１２ｂよりも１層多くしてバッファ層１２の最上層を
第１の層１２ａとすることができる。また、逆に第２の
層１２ｂの数を第１の層１２ａの数より１層多くするこ
とができる。 （９） 第１の層１２ａ及び第２の層１２ｂは、これ等
の機能を阻害しない範囲で不純物を含むものであっても
よい。
なく、例えば次の変形が可能なものである。 （１） 基板１１を単結晶シリコン以外の多結晶シリコ
ン又はＳｉＣ等のシリコン化合物とすることができる。 （２） 半導体基体１６の各層の導電形を実施例と逆に
することができる。 （３） ｎ形半導体層１３、活性層１４及びｐ形半導層
１５のそれぞれを、複数の半導体層の組み合せで構成す
ることができる。 （４）ｎ形半導体層１３、活性層１４及びｐ形半導体層
１５のそれぞれの材料を、ＧａＮ（窒化ガリウム）、Ａ
ｌＩｎＮ（窒化インジウム アルミニウム）、ＡｌＧａ
Ｎ（窒化ガリウム アルミニウム）、ＩｎＧａＮ（窒化
ガリウム インジウム）、及びＡｌＩｎＧａＮ（窒化ガ
リウム インジウム アルミニウム）から選択された窒
化ガリウム系化合物半導体又は窒化インジウム系化合物
半導体とすることができる。 （５）ｎ形半導体層１３を省いてバッファ層１２の上に
ＧａＩｎＮから成る活性層１４を直接に接触させること
ができる。これにより、肉厚のＡｌＧａＮクラッド層を
介在させて活性層１４を形成する場合に比較して活性層
１４に加わる引っ張り応力が緩和される。このため、活
性層１４の結晶性が良好となり、発光素子の発光特性が
更に良好に得られる。 （６） アノ−ド電極１７の下にオ−ミックコンタクト
のためのＰ+形半導体層を設けることができる。 （７） アノ−ド電極１７を透明電極とすることができ
る。 （８） バッファ層１２の第１の層１２ａの数を第２の
層１２ｂよりも１層多くしてバッファ層１２の最上層を
第１の層１２ａとすることができる。また、逆に第２の
層１２ｂの数を第１の層１２ａの数より１層多くするこ
とができる。 （９） 第１の層１２ａ及び第２の層１２ｂは、これ等
の機能を阻害しない範囲で不純物を含むものであっても
よい。
【図１】本発明の第１の実施形態に従うの発光ダイオー
ドを示す中央縦断面図である。
ドを示す中央縦断面図である。
【図２】図１の発光ダイオードの斜視図である。
【図３】図１の発光ダイオ−ドの構造を製造工程順に拡
大して示す断面図である。
大して示す断面図である。
【図４】第２の層の厚みと順方向電圧との関係を示す図
である。
である。
【図５】シリコン基板の主面の（１１１）ジャスト面に
対するオフ角度と発光強度比との関係を示す図である。
対するオフ角度と発光強度比との関係を示す図である。
【図６】第２の実施形態の半導体装置を示す断面図であ
る。
る。
【符号の説明】
１０ ＧａＮ系半導体領域
１１ シリコン単結晶から成る基板
１２ バッファ層
１２ａ ＡｌxＢyＧａ1-x-yＮから成る第１の層
１２ｂ ＡｌaＢbＧａ1-aーbＮから成る第２の層
１３ ｎ形半導体層
１４ 活性層
１５ ｐ形半導体層
１６ 基体
１８ アノード電極
１９ カソード電極
─────────────────────────────────────────────────────
フロントページの続き
(72)発明者 柳原 将貴
埼玉県新座市北野三丁目６番３号 サンケ
ン電気株式会社内
(72)発明者 田中 良孝
埼玉県新座市北野三丁目６番３号 サンケ
ン電気株式会社内
Ｆターム(参考） 5F041 AA24 AA31 AA40 CA05 CA23
CA33 CA34 CA40 CA49 CA57
CA65 CB33
Claims (10)
- 【請求項１】 窒化物系化合物半導体を含んでいる半導
体発光素子であって、 不純物を含むシリコン又はシリコン化合物から成り且つ
低い抵抗率を有している基板と、 前記基板の一方の主面上に配置されたバッファ層と、 発光機能を得るために前記バッファ層の上に配置された
複数の窒化物系化合物半導体層を含んでいる半導体領域
と、 前記半導体領域の表面上に配置された第１の電極と、 前記基板の他方の主面に配置された第２の電極とを備え
ており、 前記バッファ層は、ＡlxＢyＧａ1-x-yＮ（但し、ｘ、ｙ
は、０＜ｘ≦１、０≦ｙ＜１、ｘ＋ｙ≦１を満足する数
値である。）から成る第１の層とＡｌaＢbＧａ 1-a-bＮ
（但し、ａ、ｂは、０≦ａ＜１、０≦ｂ＜１、ａ＋ｂ≦
１を満足する数値である。）から成り且つ前記第１の層
よりも小さいバンドギャップを有している第２の層との
複合層から成り、前記第１の層と第２の層の内の少なく
とも一方にＢ（ボロン）が含まれていることを特徴とす
る半導体発光素子。 - 【請求項２】 前記バッファ層は、ＡlxＢyＧａ1-x-yＮ
（但し、ｘ、ｙは、０＜ｘ≦１、０≦ｙ＜１、ｘ＋ｙ≦
１を満足する数値である。）から成る第１の層と、Ａla
ＢbＧａ1-a-bＮ（但し、ａ、ｂは、０≦ａ＜１、０＜ｂ
＜１、ａ＋ｂ≦１、ｂ＞ｙを満足する数値である。）か
ら成り且つ前記第１の層よりも小さいバンドギャップを
有している第２の層との複合層から成っている請求項１
記載の半導体発光素子。 - 【請求項３】 前記バッファ層はＡlxＢyＧａ1-x-yＮ
（但し、ｘ、ｙは、０＜ｘ≦１、０≦ｙ＜１、ｘ＋ｙ≦
１を満足する数値である。）から成る複数の第１の層
と、ＡlaＢbＧａ1-a-bＮ（但し、ａ、ｂは、０≦ａ＜
１、０≦ｂ＜１、ａ＋ｂ≦１を満足する数値である。）
から成る複数の第２の層とを有し、前記第１及び第２の
層の内の少なくとも一方にＢが含まれており、前記第１
の層と前記第２の層とが交互に積層されていることを特
徴とする請求項１記載の半導体発光素子。 - 【請求項４】 前記バッファ層における前記第１の層の
厚みが０．５ｎｍ〜１０ｎｍ及び前記第２の層の厚みが
０．５ｎｍ〜３００ｎｍであることを特徴とする請求項
１又は２又は３記載の半導体発光素子。 - 【請求項５】 前記バッファ層における前記第１の層の
厚みが０．５ｎｍ〜１０ｎｍ及び前記第２の層の厚みが
１０ｎｍ〜３００ｎｍであることを特徴とする請求項１
又は２又は３記載の半導体発光素子。 - 【請求項６】 前記第２の層はｎ形不純物としてシリコ
ンを含むことを特徴とする請求項１又は２又は３記載の
半導体発光素子。 - 【請求項７】 前記基板の前記バッファ層が配置されて
いる側の主面は、ミラー指数で示す結晶の面方位におい
て（１１１）ジャスト面又は（１１１）面から−４度か
ら＋４度の範囲で傾いている面であることを特徴とする
請求項１又は２又は３記載の半導体発光素子。 - 【請求項８】 前記半導体領域の前記複数の窒化物系化
合物半導体層のそれぞれは、ＧａＮ（窒化ガリウム）
層、ＡｌＩｎＮ（窒化インジウム アルミニウム）層、
ＡｌＧａＮ（窒化ガリウム アルミニウム）層、ＩｎＧ
ａＮ（窒化ガリウム インジウム）層、及びＡｌＩｎＧ
ａＮ（窒化ガリウム インジウム アルミニウム）層か
ら選択されたものであることを特徴とする請求項１又は
２又は３記載の半導体発光素子。 - 【請求項９】 前記半導体領域は、 前記バッファ層の上に配置された窒化物系化合物半導体
から成る第１の導電形の第１の半導体層と、 前記第１の半導体層の上に配置された窒化物系化合物半
導体から成る活性層と、 前記活性層の上に配置された窒化物系化合物半導体から
成り且つ前記第１の導電形と反対の導電形を有している
第２の半導体層とを備えていることを特徴とする請求項
１又は２又は３記載の半導体発光素子。 - 【請求項１０】 窒化物系化合物半導体を有する半導体
発光素子の製造方法であって、 不純物を含み且つ低い抵抗率を有しているシリコン又は
シリコン化合物から成る基板を用意する工程と、 前記基板の上に気相成長法によってＡｌxＢyＧａ1-x-y
Ｎ（但し、ｘ、ｙは、０＜ｘ≦１、０≦ｙ＜１、ｘ＋ｙ
≦１を満足する数値である。）から成る第１の層と、Ａ
ｌaＢbＧａ1-a-bＮ（但し、ａ、ｂは、０≦ａ＜１、０
≦ｂ＜１、ａ＋ｂ≦１、ｂ＞ｙを満足する数値であ
る。）から成り且つ前記第１の層よりも小さいバンドギ
ャップを有している第２の層とを順次に形成し、前記第
１の層と前記第２の層との内の少なくとも一方にＢ（ボ
ロン）が含まれているバッファ層を得る工程と、 前記バッファ層の上に、発光機能を得るための複数の窒
化物系化合物半導体層から成る半導体領域を気相成長法
によって形成する工程と、 前記半導体領域の表面上に第１の電極を形成し、前記基
板の他方の主面に第２の電極を形成する工程とを有する
ことを特徴とする半導体発光素子の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001248734A JP4058593B2 (ja) | 2001-08-20 | 2001-08-20 | 半導体発光素子 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001248734A JP4058593B2 (ja) | 2001-08-20 | 2001-08-20 | 半導体発光素子 |
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| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
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| JP4058593B2 JP4058593B2 (ja) | 2008-03-12 |
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Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2001248734A Expired - Fee Related JP4058593B2 (ja) | 2001-08-20 | 2001-08-20 | 半導体発光素子 |
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Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2005158846A (ja) * | 2003-11-21 | 2005-06-16 | Sanken Electric Co Ltd | 半導体素子形成用板状基体及びその製造方法 |
| JP2015050224A (ja) * | 2013-08-30 | 2015-03-16 | 学校法人東京理科大学 | Ｉｉｉ−ｖ族窒化物半導体、半導体発光素子、半導体発光装置、光触媒半導体素子、光触媒酸化還元反応装置および光電気化学反応実行方法 |
| CN116053372A (zh) * | 2023-04-03 | 2023-05-02 | 江西兆驰半导体有限公司 | 深紫外发光二极管外延片及其制备方法、led |
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- 2001-08-20 JP JP2001248734A patent/JP4058593B2/ja not_active Expired - Fee Related
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|---|---|---|---|---|
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| CN116053372A (zh) * | 2023-04-03 | 2023-05-02 | 江西兆驰半导体有限公司 | 深紫外发光二极管外延片及其制备方法、led |
| CN116053372B (zh) * | 2023-04-03 | 2023-06-02 | 江西兆驰半导体有限公司 | 深紫外发光二极管外延片及其制备方法、led |
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