JPH10209493A - 窒化ガリウム系化合物半導体及び素子の製造方法 - Google Patents
窒化ガリウム系化合物半導体及び素子の製造方法Info
- Publication number
- JPH10209493A JPH10209493A JP9019748A JP1974897A JPH10209493A JP H10209493 A JPH10209493 A JP H10209493A JP 9019748 A JP9019748 A JP 9019748A JP 1974897 A JP1974897 A JP 1974897A JP H10209493 A JPH10209493 A JP H10209493A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- layer
- electrode
- compound semiconductor
- gallium nitride
- heat treatment
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Abstract
(57)【要約】
【課題】GaN 系化合物半導体のｐ型低抵抗化と電極の合
金化における特性を良好とすること。 【解決手段】GaN のｎ+ 層１３、ｎ型GaN のクラッド層
１４、発光層１５、Mgの添加されたAlGaN のクラッド層
１６、Mgの添加されたGaN のコンタクト層１７、透光性
電極１８Ａ、電極１８Ｂを有する発光素子の製法におい
て、ｎ+ 層１３の上側にある層の一部をエッチングし
て、ｎ+ 層１３の表面を露出させ、コンタクト層１７上
に透光性電極１８Ａを形成し、ｎ+ 層１３の露出面に電
極１８Ｂを形成し、少なくとも酸素を含むガス中におい
て、５００〜６００℃の範囲で熱処理し、ｐ型低抵抗化
と合金化処理を同時に行う。低い温度でも極めて良好な
低抵抗が得られる。
金化における特性を良好とすること。 【解決手段】GaN のｎ+ 層１３、ｎ型GaN のクラッド層
１４、発光層１５、Mgの添加されたAlGaN のクラッド層
１６、Mgの添加されたGaN のコンタクト層１７、透光性
電極１８Ａ、電極１８Ｂを有する発光素子の製法におい
て、ｎ+ 層１３の上側にある層の一部をエッチングし
て、ｎ+ 層１３の表面を露出させ、コンタクト層１７上
に透光性電極１８Ａを形成し、ｎ+ 層１３の露出面に電
極１８Ｂを形成し、少なくとも酸素を含むガス中におい
て、５００〜６００℃の範囲で熱処理し、ｐ型低抵抗化
と合金化処理を同時に行う。低い温度でも極めて良好な
低抵抗が得られる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は低抵抗なｐ型窒化ガリウ
ム系化合物半導体及びその半導体と電極とを有する素子
の製造方法に関する。
ム系化合物半導体及びその半導体と電極とを有する素子
の製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来、窒化ガリウム系化合物半導体はｐ
型不純物を添加しただけでは、低抵抗のｐ型伝導は得ら
れない。そこで、ｐ型不純物を添加した後に電子線照射
を利用したｐ型低抵抗化（特開平２−２５７６７９
号）、熱アニールによるｐ型抵抗化（特開平５−１８３
１８９号）、又、このｐ型低抵抗化の熱アニールを電極
形成時の合金化と同一工程で行う（特開平８−５１２３
５号）ことが提案されている。
型不純物を添加しただけでは、低抵抗のｐ型伝導は得ら
れない。そこで、ｐ型不純物を添加した後に電子線照射
を利用したｐ型低抵抗化（特開平２−２５７６７９
号）、熱アニールによるｐ型抵抗化（特開平５−１８３
１８９号）、又、このｐ型低抵抗化の熱アニールを電極
形成時の合金化と同一工程で行う（特開平８−５１２３
５号）ことが提案されている。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】ところが、特開平５−
１８３１８９号公報に記載された熱アニールによる方法
では、図２に示すように、飽和した低抵抗値が得られる
実用温度は７００℃以上が必要である。この半導体の電
極には以前より主としてアルミニウムが用いられている
が、７００℃以上の温度で電極の合金化を行うと、アル
ミニウムが溶解しボール状に凝縮したり、表面状態が悪
化したりし、電極の接触抵抗の増大、ワイヤーボンディ
ング不良を引き起こす。
１８３１８９号公報に記載された熱アニールによる方法
では、図２に示すように、飽和した低抵抗値が得られる
実用温度は７００℃以上が必要である。この半導体の電
極には以前より主としてアルミニウムが用いられている
が、７００℃以上の温度で電極の合金化を行うと、アル
ミニウムが溶解しボール状に凝縮したり、表面状態が悪
化したりし、電極の接触抵抗の増大、ワイヤーボンディ
ング不良を引き起こす。
【０００４】従って、電極の合金化のための熱処理は、
５００〜６００℃の比較的低温で行う必要がある。一
方、ｐ型低抵抗化の熱処理は、５００〜６００℃の範囲
では、十分に低抵抗値が得られない。このため、ｐ型低
抵抗化の熱処理工程と、電極の合金化の熱処理工程とを
別工程とする必要があった。
５００〜６００℃の比較的低温で行う必要がある。一
方、ｐ型低抵抗化の熱処理は、５００〜６００℃の範囲
では、十分に低抵抗値が得られない。このため、ｐ型低
抵抗化の熱処理工程と、電極の合金化の熱処理工程とを
別工程とする必要があった。
【０００５】一方において、特開平８−５１２３５号公
報においては、４００〜８００℃の範囲の熱処理によ
り、ｐ型低抵抗化と電極の合金化の処理を同時に行うこ
とが提案されている。しかし、電極の合金化が良好に行
われる低温領域では、ｐ型低抵抗化が十分ではなく、ｐ
型低抵抗化が十分に行われる高温領域では、電極の合金
化が良好に行われず、接触抵抗が大きくなったりオーミ
ック性が良くないという問題がある。
報においては、４００〜８００℃の範囲の熱処理によ
り、ｐ型低抵抗化と電極の合金化の処理を同時に行うこ
とが提案されている。しかし、電極の合金化が良好に行
われる低温領域では、ｐ型低抵抗化が十分ではなく、ｐ
型低抵抗化が十分に行われる高温領域では、電極の合金
化が良好に行われず、接触抵抗が大きくなったりオーミ
ック性が良くないという問題がある。
【０００６】そこで、本発明の目的は、窒化ガリウム系
化合物半導体のｐ型低抵抗化において、飽和した低抵抗
値がより低温において実現できるようにすることであ
る。又、他の目的は、ｐ型低抵抗化をより低温で実現可
能とすることで、ｐ型低抵抗化と電極の合金化のための
熱処理工程を同一工程としても、十分なｐ型低抵抗化と
接触抵抗の小さなオーミック性の良好な電極を得ること
ができるようにすることである。
化合物半導体のｐ型低抵抗化において、飽和した低抵抗
値がより低温において実現できるようにすることであ
る。又、他の目的は、ｐ型低抵抗化をより低温で実現可
能とすることで、ｐ型低抵抗化と電極の合金化のための
熱処理工程を同一工程としても、十分なｐ型低抵抗化と
接触抵抗の小さなオーミック性の良好な電極を得ること
ができるようにすることである。
【０００７】
【課題を解決するための手段】第１の発明は、ｐ型窒化
ガリウム系化合物半導体を製造する方法において、ｐ型
不純物の添加された窒化ガリウム系化合物半導体を少な
くとも酸素を含むガス中において、熱処理することを特
徴とする。又、第２の発明は、ｐ型窒化ガリウム系化合
物半導体層とその半導体層に対する電極とを有する素子
の製造方法において、ｐ型不純物の添加された窒化ガリ
ウム系化合物半導体層を形成し、この窒化ガリウム系化
合物半導体層上に電極を形成し、その電極の形成された
窒化ガリウム系化合物半導体層を少なくとも酸素を含む
ガス中において、熱処理することを特徴とする。さら
に、第３の発明は、ｐ型窒化ガリウム系化合物半導体層
と、ｎ型窒化ガリウム系化合物半導体層とを有する素子
の製造方法において、ｐ型不純物の添加された窒化ガリ
ウム系化合物半導体層に第１電極を形成し、ｎ型窒化ガ
リウム系化合物半導体層に第２電極を形成した後、少な
くとも酸素を含むガス中において、熱処理することを特
徴とする。尚、窒化ガリウム系化合物半導体とは、GaN
を基礎として、Gaの一部をIn、Al等の３族元素と置換し
た化合物である。一例として、一般式、(AlxGa1-x)yIn
1-yN(0 ≦x ≦1,0 ≦y ≦1)の４元系の窒化ガリウム系
化合物半導体で表すことができる。
ガリウム系化合物半導体を製造する方法において、ｐ型
不純物の添加された窒化ガリウム系化合物半導体を少な
くとも酸素を含むガス中において、熱処理することを特
徴とする。又、第２の発明は、ｐ型窒化ガリウム系化合
物半導体層とその半導体層に対する電極とを有する素子
の製造方法において、ｐ型不純物の添加された窒化ガリ
ウム系化合物半導体層を形成し、この窒化ガリウム系化
合物半導体層上に電極を形成し、その電極の形成された
窒化ガリウム系化合物半導体層を少なくとも酸素を含む
ガス中において、熱処理することを特徴とする。さら
に、第３の発明は、ｐ型窒化ガリウム系化合物半導体層
と、ｎ型窒化ガリウム系化合物半導体層とを有する素子
の製造方法において、ｐ型不純物の添加された窒化ガリ
ウム系化合物半導体層に第１電極を形成し、ｎ型窒化ガ
リウム系化合物半導体層に第２電極を形成した後、少な
くとも酸素を含むガス中において、熱処理することを特
徴とする。尚、窒化ガリウム系化合物半導体とは、GaN
を基礎として、Gaの一部をIn、Al等の３族元素と置換し
た化合物である。一例として、一般式、(AlxGa1-x)yIn
1-yN(0 ≦x ≦1,0 ≦y ≦1)の４元系の窒化ガリウム系
化合物半導体で表すことができる。
【０００８】又、上記の全発明において、酸素を含むガ
スとしては、O2、O3、CO、CO2 、NO、N2O 、NO2 、又
は、H2O の少なくとも１種又はこれらの混合ガスを用い
ることができる。又は、O2、O3、CO、CO2 、NO、N2O 、
NO2 、又は、H2O の少なくとも１種と不活性ガスとの混
合ガス、又は、O2、O3、CO、CO2 、NO、N2O 、NO2 、又
は、H2O の混合ガスと不活性ガスとの混合ガスを用いる
ことができる。要するに酸素を含むガスは、酸素原子、
酸素原子を有する分子のガスの意味である。
スとしては、O2、O3、CO、CO2 、NO、N2O 、NO2 、又
は、H2O の少なくとも１種又はこれらの混合ガスを用い
ることができる。又は、O2、O3、CO、CO2 、NO、N2O 、
NO2 、又は、H2O の少なくとも１種と不活性ガスとの混
合ガス、又は、O2、O3、CO、CO2 、NO、N2O 、NO2 、又
は、H2O の混合ガスと不活性ガスとの混合ガスを用いる
ことができる。要するに酸素を含むガスは、酸素原子、
酸素原子を有する分子のガスの意味である。
【０００９】熱処理時の雰囲気の圧力は、熱処理温度に
おいて、窒化ガリウム系化合物半導体が熱分解しない圧
力以上であれば良い。酸素を含むガスは、O2ガスだけを
用いた場合には、窒化ガリウム系化合物半導体の分解圧
以上の圧力で導入すれば良く、他の不活性ガスと混合し
た状態で用いた場合には、全ガスを窒化ガリウム系化合
物半導体の分解圧以上の圧力とし、O2ガスは全ガスに対
して１０-6程度以上の割合を有しておれば十分である。
要するに、酸素を含むガスは、後述する理由により極微
量存在すれば十分である。尚、酸素を含むガスの導入量
の上限値は、ｐ型低抵抗化及び電極合金化の特性から
は、特に、制限されるものではない。要は、製造が可能
である範囲まで使用できる。
おいて、窒化ガリウム系化合物半導体が熱分解しない圧
力以上であれば良い。酸素を含むガスは、O2ガスだけを
用いた場合には、窒化ガリウム系化合物半導体の分解圧
以上の圧力で導入すれば良く、他の不活性ガスと混合し
た状態で用いた場合には、全ガスを窒化ガリウム系化合
物半導体の分解圧以上の圧力とし、O2ガスは全ガスに対
して１０-6程度以上の割合を有しておれば十分である。
要するに、酸素を含むガスは、後述する理由により極微
量存在すれば十分である。尚、酸素を含むガスの導入量
の上限値は、ｐ型低抵抗化及び電極合金化の特性から
は、特に、制限されるものではない。要は、製造が可能
である範囲まで使用できる。
【００１０】又、熱処理に関しては、最も望ましくは、
５００〜６００℃である。後述するように、５００℃以
上の温度で、抵抗率が完全に飽和した低抵抗のｐ型窒化
ガリウム系化合物半導体を得ることができる。又、６０
０℃以下の温度において、電極の合金化処理を良好に行
うことができる。又、望ましい温度範囲は、４５０〜６
５０℃、４００〜６００℃、４００〜７００℃である。
温度が低い程、ｐ型抵抗率が大きくなり、温度が高い程
電極の特性が悪くなると共に結晶の熱劣化を生ずる可能
性がある。
５００〜６００℃である。後述するように、５００℃以
上の温度で、抵抗率が完全に飽和した低抵抗のｐ型窒化
ガリウム系化合物半導体を得ることができる。又、６０
０℃以下の温度において、電極の合金化処理を良好に行
うことができる。又、望ましい温度範囲は、４５０〜６
５０℃、４００〜６００℃、４００〜７００℃である。
温度が低い程、ｐ型抵抗率が大きくなり、温度が高い程
電極の特性が悪くなると共に結晶の熱劣化を生ずる可能
性がある。
【００１１】又、第１電極は、コバルト(Co)合金、又は
パラジウム(Pd)、又はパラジウム(Pd)合金から成り、透
光性並びにオーミック特性を有する金属層を有すること
が望ましい。この場合において、コバルト(Co)合金から
成る金属層は、コバルト(Co)から成る第１の金属層と該
第１の金属層上に積層された金(Au)から成る第２の金属
層、若しくは金(Au)から成る第１の金属層と該第１の金
属層上に積層されたコバルト(Co)から成る第２の金属
層、又はコバルト(Co)と金(Au)との合金層が、熱処理に
より合金化された層である。又は、コバルト(Co)合金か
ら成る金属層は、コバルト(Co)から成る第１の金属層
と、該第１の金属層上に積層された２族元素から成る第
２の金属層と、該第２の金属層上に積層された金(Au)か
ら成る第３の金属層とが、熱処理により合金化された層
である。さらに、パラジウム(Pd)合金から成る金属層
は、パラジウム(Pd)から成る第１の金属層と、該第１の
金属層上に積層された金(Au)から成る第２の金属層、若
しくは金(Au)から第１の金属層と、該第１の金属層上に
積層されたパラジウム(Pd)から成る第２の金属層とが、
熱処理により合金化された層である。又、第１電極とし
て、ニッケル(Ni)から成る第１の金属層とその上の金(A
u)から成る第２の金属層とが熱処理により合金化された
層とすることも可能である。上記の第１電極の材料は、
ｐ型窒化ガリウム系化合物半導体に対する接触抵抗、発
光パターン、特性の経年変化、接合強度、オーミック性
の観点から、それらの特性が良好となる観点から選択さ
れた。
パラジウム(Pd)、又はパラジウム(Pd)合金から成り、透
光性並びにオーミック特性を有する金属層を有すること
が望ましい。この場合において、コバルト(Co)合金から
成る金属層は、コバルト(Co)から成る第１の金属層と該
第１の金属層上に積層された金(Au)から成る第２の金属
層、若しくは金(Au)から成る第１の金属層と該第１の金
属層上に積層されたコバルト(Co)から成る第２の金属
層、又はコバルト(Co)と金(Au)との合金層が、熱処理に
より合金化された層である。又は、コバルト(Co)合金か
ら成る金属層は、コバルト(Co)から成る第１の金属層
と、該第１の金属層上に積層された２族元素から成る第
２の金属層と、該第２の金属層上に積層された金(Au)か
ら成る第３の金属層とが、熱処理により合金化された層
である。さらに、パラジウム(Pd)合金から成る金属層
は、パラジウム(Pd)から成る第１の金属層と、該第１の
金属層上に積層された金(Au)から成る第２の金属層、若
しくは金(Au)から第１の金属層と、該第１の金属層上に
積層されたパラジウム(Pd)から成る第２の金属層とが、
熱処理により合金化された層である。又、第１電極とし
て、ニッケル(Ni)から成る第１の金属層とその上の金(A
u)から成る第２の金属層とが熱処理により合金化された
層とすることも可能である。上記の第１電極の材料は、
ｐ型窒化ガリウム系化合物半導体に対する接触抵抗、発
光パターン、特性の経年変化、接合強度、オーミック性
の観点から、それらの特性が良好となる観点から選択さ
れた。
【００１２】又、第２電極はアルミニウム(Al)、又は、
アルミニウム合金から成ることが望ましい。これは、ｎ
型窒化ガリウム系化合物半導体に対する接触抵抗、オー
ミック性の点から選択された。
アルミニウム合金から成ることが望ましい。これは、ｎ
型窒化ガリウム系化合物半導体に対する接触抵抗、オー
ミック性の点から選択された。
【００１３】
【発明の作用及び効果】請求項１の発明においては、熱
処理の雰囲気ガスに、酸素を含むガスを用いた結果、よ
り低温においてｐ型低抵抗の窒化ガリウム系化合物半導
体を得ることができた。後述するように、５００℃以上
で抵抗値が低い状態で飽和した。又、約４００℃から抵
抗値の減少傾向が見られ、４５０℃においては、抵抗値
は、４００℃の場合の約１／２程度の値に減少した。
処理の雰囲気ガスに、酸素を含むガスを用いた結果、よ
り低温においてｐ型低抵抗の窒化ガリウム系化合物半導
体を得ることができた。後述するように、５００℃以上
で抵抗値が低い状態で飽和した。又、約４００℃から抵
抗値の減少傾向が見られ、４５０℃においては、抵抗値
は、４００℃の場合の約１／２程度の値に減少した。
【００１４】請求項２、３においては、上記のようによ
り低温において、実用上用いることができる抵抗値の低
い飽和が得られるので、ｐ型化のための熱処理と、電極
の合金化のための熱処理とを同一工程で、実施できる。
この結果、素子の製造工程が簡略化される。又、低温で
熱処理できる結果、素子への熱劣化が緩和される。
り低温において、実用上用いることができる抵抗値の低
い飽和が得られるので、ｐ型化のための熱処理と、電極
の合金化のための熱処理とを同一工程で、実施できる。
この結果、素子の製造工程が簡略化される。又、低温で
熱処理できる結果、素子への熱劣化が緩和される。
【００１５】酸素を含むガス中で熱処理する場合には、
より低温で低抵抗化する理由として、本願発明者らは次
のように考えた。即ち、窒化ガリウム系化合物半導体が
Mg等のｐ型不純物を添加しただけでは、ｐ型低抵抗が得
られない理由として、ｐ型不純物原子と水素原子とが結
合しているために、ｐ型不純物原子がアクセプタとして
機能しないと考えられるている。そこで、このｐ型不純
物原子と結合している水素原子を外に取り出せば、アク
セプタとして機能すると考えられる。そのために、酸素
を含むガス中で熱処理をすることで、酸素が水素原子と
の解離を触媒的に促進させ、その結果、より低温から抵
抗率の低下が見られると考えられる。
より低温で低抵抗化する理由として、本願発明者らは次
のように考えた。即ち、窒化ガリウム系化合物半導体が
Mg等のｐ型不純物を添加しただけでは、ｐ型低抵抗が得
られない理由として、ｐ型不純物原子と水素原子とが結
合しているために、ｐ型不純物原子がアクセプタとして
機能しないと考えられるている。そこで、このｐ型不純
物原子と結合している水素原子を外に取り出せば、アク
セプタとして機能すると考えられる。そのために、酸素
を含むガス中で熱処理をすることで、酸素が水素原子と
の解離を触媒的に促進させ、その結果、より低温から抵
抗率の低下が見られると考えられる。
【００１６】
【発明の実施の形態】以下、本発明を具体的な実施例に
基づいて説明する。なお本発明は下記実施例に限定され
るものではない。 ｐ型低抵抗化方法の実施例 図１に示す構造の試料を多数準備した。試料は、サファ
イア基板１上に、順次、５０ｎｍのAlN バッファ層２、
膜厚約４．０μｍ、電子濃度２×１０18/cm3、シリコン
濃度４×１０18/cm3のシリコン(Si)ドープGaN から成る
n-GnN 層３、マグネシウム(Mg)濃度５×１０19/cm3のp-
GaN 層４が形成されたものである。
基づいて説明する。なお本発明は下記実施例に限定され
るものではない。 ｐ型低抵抗化方法の実施例 図１に示す構造の試料を多数準備した。試料は、サファ
イア基板１上に、順次、５０ｎｍのAlN バッファ層２、
膜厚約４．０μｍ、電子濃度２×１０18/cm3、シリコン
濃度４×１０18/cm3のシリコン(Si)ドープGaN から成る
n-GnN 層３、マグネシウム(Mg)濃度５×１０19/cm3のp-
GaN 層４が形成されたものである。
【００１７】この試料の製造方法は、後述する発光素子
の製造方法と同様に、有機金属気相成長法（以下ＭＯＶ
ＰＥ）による気相成長により製造された。用いられたガ
スは、アンモニア(NH3) 、キャリアガス(H2,N2) 、トリ
メチルガリウム(Ga(CH3)3)（以下「TMG 」と記す）、ト
リメチルアルミニウム(Al(CH3)3)（以下「TMA 」と記
す）、シラン(SiH4)と、シクロペンタジエニルマグネシ
ウム(Mg(C5H5)2) （以下「CP2Mg 」と記す）である。
の製造方法と同様に、有機金属気相成長法（以下ＭＯＶ
ＰＥ）による気相成長により製造された。用いられたガ
スは、アンモニア(NH3) 、キャリアガス(H2,N2) 、トリ
メチルガリウム(Ga(CH3)3)（以下「TMG 」と記す）、ト
リメチルアルミニウム(Al(CH3)3)（以下「TMA 」と記
す）、シラン(SiH4)と、シクロペンタジエニルマグネシ
ウム(Mg(C5H5)2) （以下「CP2Mg 」と記す）である。
【００１８】まず、有機洗浄及び熱処理により洗浄した
ａ面を主面とした単結晶のサファイア基板１をＭＯＶＰ
Ｅ装置の反応室に載置されたサセプタに装着する。次
に、常圧でH2を流速２liter/分で約３０分間反応室に流
しながら温度１１００℃でサファイア基板１をベーキン
グした。
ａ面を主面とした単結晶のサファイア基板１をＭＯＶＰ
Ｅ装置の反応室に載置されたサセプタに装着する。次
に、常圧でH2を流速２liter/分で約３０分間反応室に流
しながら温度１１００℃でサファイア基板１をベーキン
グした。
【００１９】次に、温度を４００℃まで低下させて、H2
を２０liter/分、NH3 を１０liter/分、TMA を１．８×
１０-5モル／分で約１．５分間供給してAlN のバッファ
層２を約５０ｎｍの厚さに形成した。
を２０liter/分、NH3 を１０liter/分、TMA を１．８×
１０-5モル／分で約１．５分間供給してAlN のバッファ
層２を約５０ｎｍの厚さに形成した。
【００２０】次に、サファイア基板１の温度を１１５０
℃に保持し、H2を２０liter/分、NH3 を１０liter/分、
TMG を１．７×１０-4モル／分、H2ガスにより０．８６
ｐｐｍに希釈されたシランを２０×１０-8モル／分で４
０分間供給し、膜厚約４．０μｍ、電子濃度２×１０18
/cm3、シリコン濃度４×１０18/cm3のn-GaN 層３を形成
した。
℃に保持し、H2を２０liter/分、NH3 を１０liter/分、
TMG を１．７×１０-4モル／分、H2ガスにより０．８６
ｐｐｍに希釈されたシランを２０×１０-8モル／分で４
０分間供給し、膜厚約４．０μｍ、電子濃度２×１０18
/cm3、シリコン濃度４×１０18/cm3のn-GaN 層３を形成
した。
【００２１】次に、サファイア基板１の温度を１１００
℃に保持し、N2又はH2を１０liter/分、NH3 を１０lite
r/分、TMG を１．７×１０-4モル／分、CP2Mg を２×１
０-5モル／分で４０分間供給して、膜厚約４．０μｍ、
マグネシウム(Mg)濃度５×１０19/cm3のp-GaN 層４を形
成した。
℃に保持し、N2又はH2を１０liter/分、NH3 を１０lite
r/分、TMG を１．７×１０-4モル／分、CP2Mg を２×１
０-5モル／分で４０分間供給して、膜厚約４．０μｍ、
マグネシウム(Mg)濃度５×１０19/cm3のp-GaN 層４を形
成した。
【００２２】このような試料を多数準備して、１気圧の
酸素ガス雰囲気中（O2のみ存在) において各温度におい
て熱処理を２０分間実施した。この時のp-GaN 層４に針
電極を立てて８Ｖの電圧を印加した時に流れる電流値と
熱処理温度との関係を測定した。一方、比較例として、
従来のように、１気圧の窒素ガス雰囲気中(N2 のみ存
在) で同様に熱処理した試料について、同様に電流値と
熱処理温度との関係を測定した。抵抗値を算出し、熱処
理温度と抵抗値の関係を図２に示す。
酸素ガス雰囲気中（O2のみ存在) において各温度におい
て熱処理を２０分間実施した。この時のp-GaN 層４に針
電極を立てて８Ｖの電圧を印加した時に流れる電流値と
熱処理温度との関係を測定した。一方、比較例として、
従来のように、１気圧の窒素ガス雰囲気中(N2 のみ存
在) で同様に熱処理した試料について、同様に電流値と
熱処理温度との関係を測定した。抵抗値を算出し、熱処
理温度と抵抗値の関係を図２に示す。
【００２３】図２から次のことが理解される。１）酸素
雰囲気で熱処理しても、窒素雰囲気で熱処理しても、抵
抗低下率（熱処理前抵抗値／熱処理後抵抗値）は共に10
4 である。即ち、熱処理により低下する抵抗率の飽和値
に差は見られない。２）酸素雰囲気で熱処理した方が、
窒素雰囲気で熱処理する場合に比べて、より低い温度か
ら低い抵抗値の飽和が得られる。３）酸素雰囲気で熱処
理した方が、窒素雰囲気で熱処理する場合に比べて、熱
処理温度に対する抵抗率の変化が急激である。４）酸素
雰囲気での熱処理では、５００℃において低い抵抗値の
飽和が得られるが、窒素雰囲気での熱処理では、５００
℃において抵抗変化率は10程度である。よって、５００
℃において、酸素雰囲気での熱処理の方が、窒素雰囲気
での熱処理よりも103 倍だけ抵抗率が小さくなってい
る。５）４００℃での熱処理では、酸素雰囲気でも窒素
雰囲気でも抵抗率の低下はほとんどみられず、その温度
以上の熱処理で抵抗率の低下が見られる。
雰囲気で熱処理しても、窒素雰囲気で熱処理しても、抵
抗低下率（熱処理前抵抗値／熱処理後抵抗値）は共に10
4 である。即ち、熱処理により低下する抵抗率の飽和値
に差は見られない。２）酸素雰囲気で熱処理した方が、
窒素雰囲気で熱処理する場合に比べて、より低い温度か
ら低い抵抗値の飽和が得られる。３）酸素雰囲気で熱処
理した方が、窒素雰囲気で熱処理する場合に比べて、熱
処理温度に対する抵抗率の変化が急激である。４）酸素
雰囲気での熱処理では、５００℃において低い抵抗値の
飽和が得られるが、窒素雰囲気での熱処理では、５００
℃において抵抗変化率は10程度である。よって、５００
℃において、酸素雰囲気での熱処理の方が、窒素雰囲気
での熱処理よりも103 倍だけ抵抗率が小さくなってい
る。５）４００℃での熱処理では、酸素雰囲気でも窒素
雰囲気でも抵抗率の低下はほとんどみられず、その温度
以上の熱処理で抵抗率の低下が見られる。
【００２４】以上のことから、酸素雰囲気中では４００
℃以上の温度で熱処理をすることで抵抗率を低下させる
ことができ、望ましくは、５００℃以上での熱処理によ
り、完全に低い抵抗値の飽和を得ることができる。
℃以上の温度で熱処理をすることで抵抗率を低下させる
ことができ、望ましくは、５００℃以上での熱処理によ
り、完全に低い抵抗値の飽和を得ることができる。
【００２５】次に、酸素ガスの圧力と抵抗率との関係を
測定した。温度８００℃において、酸素ガスの各圧力に
おいて、熱処理をした後、p-GaN 層４に針電極を立てて
８Ｖの電圧を印加した時に流れる電流値と酸素ガス圧力
との関係を測定した結果を図３に示す。
測定した。温度８００℃において、酸素ガスの各圧力に
おいて、熱処理をした後、p-GaN 層４に針電極を立てて
８Ｖの電圧を印加した時に流れる電流値と酸素ガス圧力
との関係を測定した結果を図３に示す。
【００２６】この測定結果から次のことが理解される。
１）酸素ガス圧力が３〜３０Pa程度の範囲において、抵
抗値の急激な低下が見られる。２）酸素ガス圧力が約１
００Pa以上において、低い抵抗値の飽和が得られる。
１）酸素ガス圧力が３〜３０Pa程度の範囲において、抵
抗値の急激な低下が見られる。２）酸素ガス圧力が約１
００Pa以上において、低い抵抗値の飽和が得られる。
【００２７】以上のことから、酸素が抵抗値を効果的に
低下させるのに寄与していることが理解される。酸素ガ
ス圧力は３Pa以上あれば抵抗率の低下に効果があり、望
ましくは、３０Pa以上、さらに望ましくは１００Paであ
る。
低下させるのに寄与していることが理解される。酸素ガ
ス圧力は３Pa以上あれば抵抗率の低下に効果があり、望
ましくは、３０Pa以上、さらに望ましくは１００Paであ
る。
【００２８】次に、温度６００℃で、酸素ガスと窒素ガ
スとの混合ガス雰囲気（１気圧）で熱処理をした場合の
酸素ガス分圧に対する抵抗値の変化特性を上述と同様に
して測定した。比較のために酸素ガスだけで熱処理した
場合の圧力と抵抗値の変化特性も合わせて測定した。そ
の結果を図４に示す。酸素ガス分圧が約１０Pa以上にお
いて、低い抵抗率が得られていることが分かる。又、３
０Pa以上において、完全には、１００Pa以上において、
抵抗値は飽和していることが分かる。このことから、酸
素ガスと他のガスとの混合ガスを用いる場合には、抵抗
値の低下に効果がある酸素ガスの分圧は１０Pa以上、望
ましくは３０Pa以上、更に望ましくは１００Pa以上であ
る。
スとの混合ガス雰囲気（１気圧）で熱処理をした場合の
酸素ガス分圧に対する抵抗値の変化特性を上述と同様に
して測定した。比較のために酸素ガスだけで熱処理した
場合の圧力と抵抗値の変化特性も合わせて測定した。そ
の結果を図４に示す。酸素ガス分圧が約１０Pa以上にお
いて、低い抵抗率が得られていることが分かる。又、３
０Pa以上において、完全には、１００Pa以上において、
抵抗値は飽和していることが分かる。このことから、酸
素ガスと他のガスとの混合ガスを用いる場合には、抵抗
値の低下に効果がある酸素ガスの分圧は１０Pa以上、望
ましくは３０Pa以上、更に望ましくは１００Pa以上であ
る。
【００２９】上記の全ての特性に関し、(AlxGa1-x)yIn
1-yN(0 ≦x,ｙ≦1)の窒化ガリウム系化合物半導体にMg
をドープした層についても同様な結果が得られた。酸素
は、Mgと結合したH 原子を取り除き、Mg原子を活性化さ
せるものと解釈される。よって、Mgと結合したH 原子と
結合し得る酸素(0) 原子を含むガスであれば、純粋ガス
の他、他のガス、例えば、不活性ガス等との混合ガスで
も同様な効果を奏する。
1-yN(0 ≦x,ｙ≦1)の窒化ガリウム系化合物半導体にMg
をドープした層についても同様な結果が得られた。酸素
は、Mgと結合したH 原子を取り除き、Mg原子を活性化さ
せるものと解釈される。よって、Mgと結合したH 原子と
結合し得る酸素(0) 原子を含むガスであれば、純粋ガス
の他、他のガス、例えば、不活性ガス等との混合ガスで
も同様な効果を奏する。
【００３０】次に、上記のｐ型低抵抗化法を用いた発光
素子の製造方法について説明する。図５はサファイア基
板１の上に形成されたGaN 系化合物半導体で形成された
発光素子１００の模式的な構成断面図である。サファイ
ア基板１０の上に AlNから成るバッファ層１２が設けら
れ、その上にシリコン(Si)ドープGaN から成る高キャリ
ア濃度ｎ+ 層１３が形成されている。この高キャリア濃
度ｎ+ 層１３の上に厚さシリコン(Si)ドープｎ型GaN か
ら成るクラッド層１４が形成されている。
素子の製造方法について説明する。図５はサファイア基
板１の上に形成されたGaN 系化合物半導体で形成された
発光素子１００の模式的な構成断面図である。サファイ
ア基板１０の上に AlNから成るバッファ層１２が設けら
れ、その上にシリコン(Si)ドープGaN から成る高キャリ
ア濃度ｎ+ 層１３が形成されている。この高キャリア濃
度ｎ+ 層１３の上に厚さシリコン(Si)ドープｎ型GaN か
ら成るクラッド層１４が形成されている。
【００３１】そして、クラッド層１４の上に厚さ３５Å
のGaN から成るバリア層１５１と厚さ３５ÅのIn0.20Ga
0.80N から成る井戸層１５２で構成された多重量子井戸
構造（ＭＱＷ）の発光層５が形成されている。バリア層
１５１は６層、井戸層１５２は５層である。発光層１５
の上にはｐ型Al0.15Ga0.95N から成るクラッド層１６が
形成されている。さらに、クラッド層１６の上にはｐ型
GaN から成るコンタクト層１７が形成されている。
のGaN から成るバリア層１５１と厚さ３５ÅのIn0.20Ga
0.80N から成る井戸層１５２で構成された多重量子井戸
構造（ＭＱＷ）の発光層５が形成されている。バリア層
１５１は６層、井戸層１５２は５層である。発光層１５
の上にはｐ型Al0.15Ga0.95N から成るクラッド層１６が
形成されている。さらに、クラッド層１６の上にはｐ型
GaN から成るコンタクト層１７が形成されている。
【００３２】又、コンタクト層１７の上には金属蒸着に
よる透光性の電極１８Ａが、ｎ+ 層３の上に電極１８Ｂ
が形成されている。透光性の電極１８Ａは、コンタクト
層１７に接合する厚さ４０Åのコバルト(Co)と、コバル
ト(Co)に接合する厚さ６０Å金(Au)などの後述の金属元
素とで構成されている。電極１８Ｂは厚さ２００Åのバ
ナジウム(V) と厚さ１．８μｍのアルミニウム(Al)又は
アルミニウム合金で構成されている。
よる透光性の電極１８Ａが、ｎ+ 層３の上に電極１８Ｂ
が形成されている。透光性の電極１８Ａは、コンタクト
層１７に接合する厚さ４０Åのコバルト(Co)と、コバル
ト(Co)に接合する厚さ６０Å金(Au)などの後述の金属元
素とで構成されている。電極１８Ｂは厚さ２００Åのバ
ナジウム(V) と厚さ１．８μｍのアルミニウム(Al)又は
アルミニウム合金で構成されている。
【００３３】次に、この発光素子１００の製造方法につ
いて説明する。上記発光素子１００は、有機金属気相成
長法（以下ＭＯＶＰＥ）による気相成長により製造され
た。用いられたガスは、アンモニア(NH3) 、キャリアガ
ス(H2,N2) 、TMG 、TMA 、トリメチルインジウム(In(CH
3)3)（以下「TMI 」と記す）、シラン(SiH4)とCP2Mg で
ある。
いて説明する。上記発光素子１００は、有機金属気相成
長法（以下ＭＯＶＰＥ）による気相成長により製造され
た。用いられたガスは、アンモニア(NH3) 、キャリアガ
ス(H2,N2) 、TMG 、TMA 、トリメチルインジウム(In(CH
3)3)（以下「TMI 」と記す）、シラン(SiH4)とCP2Mg で
ある。
【００３４】まず、有機洗浄及び熱処理により洗浄した
ａ面を主面とした単結晶のサファイア基板１０をＭＯＶ
ＰＥ装置の反応室に載置されたサセプタに装着する。次
に、常圧でH2を流速２liter/分で約３０分間反応室に流
しながら温度１１００℃でサファイア基板１０をベーキ
ングした。
ａ面を主面とした単結晶のサファイア基板１０をＭＯＶ
ＰＥ装置の反応室に載置されたサセプタに装着する。次
に、常圧でH2を流速２liter/分で約３０分間反応室に流
しながら温度１１００℃でサファイア基板１０をベーキ
ングした。
【００３５】次に、温度を４００℃まで低下させて、H2
を２０liter/分、NH3 を１０liter/分、TMA を１．８×
１０-5モル／分で約１分間供給してAlN のバッファ層１
２を約２５ｎｍの厚さに形成した。次に、サファイア基
板１０の温度を１１５０℃に保持し、H2を２０liter/
分、NH3 を１０liter/分、TMG を１．７×１０-4モル／
分、H2ガスにより０．８６ｐｐｍに希釈されたシランを
２０×１０-8モル／分で４０分間供給し、膜厚約４．０
μｍ、電子濃度２×１０18/cm3、シリコン濃度４×１０
18/cm3のGaN から成る高キャリア濃度ｎ+ 層１３を形成
した。
を２０liter/分、NH3 を１０liter/分、TMA を１．８×
１０-5モル／分で約１分間供給してAlN のバッファ層１
２を約２５ｎｍの厚さに形成した。次に、サファイア基
板１０の温度を１１５０℃に保持し、H2を２０liter/
分、NH3 を１０liter/分、TMG を１．７×１０-4モル／
分、H2ガスにより０．８６ｐｐｍに希釈されたシランを
２０×１０-8モル／分で４０分間供給し、膜厚約４．０
μｍ、電子濃度２×１０18/cm3、シリコン濃度４×１０
18/cm3のGaN から成る高キャリア濃度ｎ+ 層１３を形成
した。
【００３６】次に、サファイア基板１０の温度を１１５
０℃に保持し、N2又はH2を１０liter/分、NH3 を１０li
ter/分、TMG を１．１２×１０-4モル／分、TMA を０．
４７×１０-4モル／分、H2ガスにより０．８６ｐｐｍに
希釈されたシランを５×１０ -9モル／分で６０分間供給
して、膜厚約０．５μｍ、電子濃度１×１０18/cm3、シ
リコン濃度２×１０18/cm3のGaN から成るクラッド層１
４を形成した。
０℃に保持し、N2又はH2を１０liter/分、NH3 を１０li
ter/分、TMG を１．１２×１０-4モル／分、TMA を０．
４７×１０-4モル／分、H2ガスにより０．８６ｐｐｍに
希釈されたシランを５×１０ -9モル／分で６０分間供給
して、膜厚約０．５μｍ、電子濃度１×１０18/cm3、シ
リコン濃度２×１０18/cm3のGaN から成るクラッド層１
４を形成した。
【００３７】上記のクラッド層１４を形成した後、続い
て、N2又はH2を２０liter/分、NH3を１０liter/分、TMG
を２．０×１０-4モル／分で１分間供給して、膜厚約
３５ÅのGaN から成るバリア層１５１を形成した。次
に、N2又はH2、NH3 の供給量を一定として、TMG を７．
２×１０-5モル／分、TMI を０．１９×１０-4モル／分
で１分間供給して、膜厚約３５ÅのIn0.20Ga0.80N から
成る井戸層１５２を形成した。さらに、バリア層１５１
と井戸層１５２を同一条件で５周期形成し、その上にGa
N から成るバリア層１５１を形成した。このようにして
５周期のＭＱＷ構造の発光層１５を形成した。
て、N2又はH2を２０liter/分、NH3を１０liter/分、TMG
を２．０×１０-4モル／分で１分間供給して、膜厚約
３５ÅのGaN から成るバリア層１５１を形成した。次
に、N2又はH2、NH3 の供給量を一定として、TMG を７．
２×１０-5モル／分、TMI を０．１９×１０-4モル／分
で１分間供給して、膜厚約３５ÅのIn0.20Ga0.80N から
成る井戸層１５２を形成した。さらに、バリア層１５１
と井戸層１５２を同一条件で５周期形成し、その上にGa
N から成るバリア層１５１を形成した。このようにして
５周期のＭＱＷ構造の発光層１５を形成した。
【００３８】次に、サファイア基板１０の温度を１１０
０℃に保持し、N2又はH2を１０liter/分、NH3 を１０li
ter/分、TMG を１．０×１０-4モル／分、TMA を１．０
×１０-4モル／分、CP2Mg を２×１０-5モル／分で３分
間供給して、膜厚約５０ｎｍ、マグネシウム(Mg)濃度５
×１０19/cm3のマグネシウム(Mg)をドープしたｐ型Al
0.15Ga0.85N から成るクラッド層７１を形成した。
０℃に保持し、N2又はH2を１０liter/分、NH3 を１０li
ter/分、TMG を１．０×１０-4モル／分、TMA を１．０
×１０-4モル／分、CP2Mg を２×１０-5モル／分で３分
間供給して、膜厚約５０ｎｍ、マグネシウム(Mg)濃度５
×１０19/cm3のマグネシウム(Mg)をドープしたｐ型Al
0.15Ga0.85N から成るクラッド層７１を形成した。
【００３９】次に、サファイア基板１０の温度を１１０
０℃に保持し、N2又はH2を２０liter/分、NH3 を１０li
ter/分、TMG を１．１２×１０-4モル／分、CP2Mg を２
×１０-5モル／分で３０秒間供給して、膜厚約１００ｎ
ｍ、マグネシウム(Mg)濃度５×１０19/cm3のマグネシウ
ム(Mg)をドープしたｐ型GaN から成るコンタクト層１７
を形成した。
０℃に保持し、N2又はH2を２０liter/分、NH3 を１０li
ter/分、TMG を１．１２×１０-4モル／分、CP2Mg を２
×１０-5モル／分で３０秒間供給して、膜厚約１００ｎ
ｍ、マグネシウム(Mg)濃度５×１０19/cm3のマグネシウ
ム(Mg)をドープしたｐ型GaN から成るコンタクト層１７
を形成した。
【００４０】次に、コンタクト層１７の上にSiO2から成
るエッチングマスクを形成し、所定領域のマスクを除去
して、マスクで覆われていない部分のコンタクト層１
７、クラッド層１６、発光層１５、クラッド層１４、ｎ
+ 層１３の一部を塩素を含むガスによる反応性イオンエ
ッチングによりエッチングして、ｎ+ 層１３の表面を露
出させた。次に、以下の手順で、ｎ+ 層１３に対する電
極（第２電極）１８Ｂとコンタクト層１７に対する透光
性の電極（第１電極）１８Ａを形成した。
るエッチングマスクを形成し、所定領域のマスクを除去
して、マスクで覆われていない部分のコンタクト層１
７、クラッド層１６、発光層１５、クラッド層１４、ｎ
+ 層１３の一部を塩素を含むガスによる反応性イオンエ
ッチングによりエッチングして、ｎ+ 層１３の表面を露
出させた。次に、以下の手順で、ｎ+ 層１３に対する電
極（第２電極）１８Ｂとコンタクト層１７に対する透光
性の電極（第１電極）１８Ａを形成した。
【００４１】(1)SiO2 マスクを残した状態で、フォトレ
ジストの塗布、フォトリソグラフにより所定領域に窓を
形成して、１０-6Torrオーダ以下の高真空にて厚さ２０
０Åのバナジウム(V) と厚さ１．８μｍのアルミニウム
(Al)を蒸着した。次に、フォトレジスト及びSiO2マスク
を除去する。 (2) 次に、表面上にフォトレジスト１９を一様に塗布し
て、フォトリソグラフィにより、コンタクト層１７の上
の電極形成部分のフォトレジスト１９を除去して、図６
に示すように窓部１９Ａを形成する。 (3) 蒸着装置にて、露出させたコンタクト層１７の上
に、１０-6Torrオーダ以下の高真空にてコバルト(Co)か
ら成る第一金属層８１を15Å成膜し、続いて、第１金属
層８１の上に金(Au)から成る第２金属層８２を60Å成膜
する。 (4) 次に、試料を蒸着装置から取り出し、リフトオフ法
によりフォトレジスト１９上に堆積したCoとAuとを除去
し、コンタクト層１７に対する透光性の電極１８Ａを形
成する。 (5) 次に、透光性の電極１８Ａ上の一部にボンディング
用の電極パッド２０を形成するために、フォトレジスト
を一様に塗布して、その電極パッドの形成部分のフォト
レジストに窓を開ける。次に、コバルト(Co)もしくはニ
ッケル(Ni)と金(Au)、アルミニウム(Al)、又は、それら
の合金を膜厚1.5 μｍ程度に、蒸着により成膜させ、
(4) の工程と同様に、リフトオフ法により、フォトレジ
スト上に蒸着により堆積したCoもしくはNiとAu、Al、又
はそれらの合金から成る膜を除去して、電極パッド２０
を形成する。 (7) その後、試料雰囲気を真空ポンプで排気し、O2ガス
を供給して圧力１００Paとし、その状態で雰囲気温度を
約550 ℃にして、３分程度、加熱し、コンタクト層１
７、クラッド層１６をｐ型低抵抗化すると共にコンタク
ト層１７と第１金属層８１と第２金属層８２との合金化
処理、電極１８Ｂとｎ+ 層１３との合金化処理を行っ
た。
ジストの塗布、フォトリソグラフにより所定領域に窓を
形成して、１０-6Torrオーダ以下の高真空にて厚さ２０
０Åのバナジウム(V) と厚さ１．８μｍのアルミニウム
(Al)を蒸着した。次に、フォトレジスト及びSiO2マスク
を除去する。 (2) 次に、表面上にフォトレジスト１９を一様に塗布し
て、フォトリソグラフィにより、コンタクト層１７の上
の電極形成部分のフォトレジスト１９を除去して、図６
に示すように窓部１９Ａを形成する。 (3) 蒸着装置にて、露出させたコンタクト層１７の上
に、１０-6Torrオーダ以下の高真空にてコバルト(Co)か
ら成る第一金属層８１を15Å成膜し、続いて、第１金属
層８１の上に金(Au)から成る第２金属層８２を60Å成膜
する。 (4) 次に、試料を蒸着装置から取り出し、リフトオフ法
によりフォトレジスト１９上に堆積したCoとAuとを除去
し、コンタクト層１７に対する透光性の電極１８Ａを形
成する。 (5) 次に、透光性の電極１８Ａ上の一部にボンディング
用の電極パッド２０を形成するために、フォトレジスト
を一様に塗布して、その電極パッドの形成部分のフォト
レジストに窓を開ける。次に、コバルト(Co)もしくはニ
ッケル(Ni)と金(Au)、アルミニウム(Al)、又は、それら
の合金を膜厚1.5 μｍ程度に、蒸着により成膜させ、
(4) の工程と同様に、リフトオフ法により、フォトレジ
スト上に蒸着により堆積したCoもしくはNiとAu、Al、又
はそれらの合金から成る膜を除去して、電極パッド２０
を形成する。 (7) その後、試料雰囲気を真空ポンプで排気し、O2ガス
を供給して圧力１００Paとし、その状態で雰囲気温度を
約550 ℃にして、３分程度、加熱し、コンタクト層１
７、クラッド層１６をｐ型低抵抗化すると共にコンタク
ト層１７と第１金属層８１と第２金属層８２との合金化
処理、電極１８Ｂとｎ+ 層１３との合金化処理を行っ
た。
【００４２】この熱処理により、コンタクト層１７の比
抵抗は１Ωcm、クラッド層１６の比抵抗は０．７１Ωcm
となった。この加熱処理は５００〜６００℃の範囲が最
も望ましい。その温度範囲であれば、ｐ型層は、抵抗値
の十分低い飽和域にあり、且つ、上記の電極１８Ａ，１
８Ｂにおける合金化が最も良質に行われ、電極の接触抵
抗が小さくなり、オーミック性が改善され、透光性の電
極１８Ａの酸化が防止され、発光パターンのむらがな
く、発光パターンに関する経年変化をなくすることがで
きる。尚、加熱処理は、特性が少し悪くなるが４５０〜
６５０℃で使用可能であり、４００〜７００℃の範囲で
も可能な場合もある。電極の合金化処理の観点から言え
ば、400 ℃未満で熱処理されると電極はオーミック特性
を示さず、700 ℃より高い温度で熱処理されるとｐ型層
は依然として十分低い抵抗値を示しているが、電極の接
触抵抗が増加し、表面モフォロジーが悪化してしまい、
後工程であるワイヤーボンディング不良の原因にもな
る。このため、 400℃〜 700℃の範囲内で熱処理するの
が望ましい。
抵抗は１Ωcm、クラッド層１６の比抵抗は０．７１Ωcm
となった。この加熱処理は５００〜６００℃の範囲が最
も望ましい。その温度範囲であれば、ｐ型層は、抵抗値
の十分低い飽和域にあり、且つ、上記の電極１８Ａ，１
８Ｂにおける合金化が最も良質に行われ、電極の接触抵
抗が小さくなり、オーミック性が改善され、透光性の電
極１８Ａの酸化が防止され、発光パターンのむらがな
く、発光パターンに関する経年変化をなくすることがで
きる。尚、加熱処理は、特性が少し悪くなるが４５０〜
６５０℃で使用可能であり、４００〜７００℃の範囲で
も可能な場合もある。電極の合金化処理の観点から言え
ば、400 ℃未満で熱処理されると電極はオーミック特性
を示さず、700 ℃より高い温度で熱処理されるとｐ型層
は依然として十分低い抵抗値を示しているが、電極の接
触抵抗が増加し、表面モフォロジーが悪化してしまい、
後工程であるワイヤーボンディング不良の原因にもな
る。このため、 400℃〜 700℃の範囲内で熱処理するの
が望ましい。
【００４３】N2ガスに対して１％のO2ガスを含ませ、そ
のO2ガスの分圧を１００Paとした雰囲気中での熱処理を
行ったが同様な効果が得られた。又、ｐ型低抵抗化方法
において述べた熱処理の雰囲気ガスは、そのまま、電極
１８Ａ、１８Ｂにおける合金化においても有効に作用す
る。よって、純粋な酸素ガスの他、O2にN2,He,Ne,Ar,Kr
のうちの１種以上を加えたガスが利用可能であり、圧力
及びO2の分圧は、上述したｐ型低抵抗化に最適な範囲で
全て利用可能である。
のO2ガスの分圧を１００Paとした雰囲気中での熱処理を
行ったが同様な効果が得られた。又、ｐ型低抵抗化方法
において述べた熱処理の雰囲気ガスは、そのまま、電極
１８Ａ、１８Ｂにおける合金化においても有効に作用す
る。よって、純粋な酸素ガスの他、O2にN2,He,Ne,Ar,Kr
のうちの１種以上を加えたガスが利用可能であり、圧力
及びO2の分圧は、上述したｐ型低抵抗化に最適な範囲で
全て利用可能である。
【００４４】コバルト(Co)、金(Au)の積層後に上記の加
熱処理をした結果、コバルト(Co)から成る第１金属層８
１上の第２金属層８２の金(Au)が、第１金属層８１を通
してコンタクト層１７の中に拡散され、コンタクト層１
７のGaN と合金状態を形成する。
熱処理をした結果、コバルト(Co)から成る第１金属層８
１上の第２金属層８２の金(Au)が、第１金属層８１を通
してコンタクト層１７の中に拡散され、コンタクト層１
７のGaN と合金状態を形成する。
【００４５】このようにして形成された発光素子１００
に対して20mAの電流を流したとき、3.5Vの駆動電圧が得
られ、接触抵抗が十分に小さいことが確認された。又、
透光性電極１８Ａはコンタクト層１７上の全面に均一に
形成され、良好な表面状態が得られた。又、透光性電極
１８Ａは、コバルト(Co)から成る第１金属層８１上に第
２金属層８２が積層されるので、コバルト(Co)の酸化を
阻止し、コバルト(Co)の酸化による発光パターンの変化
や透光性の低下や接触抵抗の増加を防止することができ
る。又、透光性電極１８Ａは、仕事関数の大きいコバル
ト(Co)を含む合金であるので、良好なオーミック特性が
得られる。この電極１８Ａに対して高温高湿度雰囲気下
で経時試験を行ったところ、1000時間経過後においても
初期の発光パターン及び駆動電圧を安定して維持するこ
とができた。
に対して20mAの電流を流したとき、3.5Vの駆動電圧が得
られ、接触抵抗が十分に小さいことが確認された。又、
透光性電極１８Ａはコンタクト層１７上の全面に均一に
形成され、良好な表面状態が得られた。又、透光性電極
１８Ａは、コバルト(Co)から成る第１金属層８１上に第
２金属層８２が積層されるので、コバルト(Co)の酸化を
阻止し、コバルト(Co)の酸化による発光パターンの変化
や透光性の低下や接触抵抗の増加を防止することができ
る。又、透光性電極１８Ａは、仕事関数の大きいコバル
ト(Co)を含む合金であるので、良好なオーミック特性が
得られる。この電極１８Ａに対して高温高湿度雰囲気下
で経時試験を行ったところ、1000時間経過後においても
初期の発光パターン及び駆動電圧を安定して維持するこ
とができた。
【００４６】又、透光性電極１８Ａは他に各種の材料の
組み合わせが可能である。例えば、第１金属層８１を厚
さ４０Åの金(Au)で、第２金属層８２を厚さ６０Åのコ
バルト(Co)としても良い。又、厚さ１００Åのコバルト
(Co)と金(Au)の合金から成る第１金属層８１だけを形成
して良い。さらに、厚さ２０Åのコバルト(Co)から成る
第１金属層８１を形成し、その上に厚さ２０Åのマグネ
シウム(Mg)から成る第２金属層８２を形成し、その上に
厚さ６０Åの金(Au)から成る第３金属層を形成し、透光
性電極を３層構造に形成しても良い。これらの構造の透
光性電極１８Ａを有する発光素子１００に対して、上述
した温度、雰囲気ガスで熱処理をした。これら全て、透
光性電極１８Ａに対して20mAの電流を流したときも同様
な結果が得られた。
組み合わせが可能である。例えば、第１金属層８１を厚
さ４０Åの金(Au)で、第２金属層８２を厚さ６０Åのコ
バルト(Co)としても良い。又、厚さ１００Åのコバルト
(Co)と金(Au)の合金から成る第１金属層８１だけを形成
して良い。さらに、厚さ２０Åのコバルト(Co)から成る
第１金属層８１を形成し、その上に厚さ２０Åのマグネ
シウム(Mg)から成る第２金属層８２を形成し、その上に
厚さ６０Åの金(Au)から成る第３金属層を形成し、透光
性電極を３層構造に形成しても良い。これらの構造の透
光性電極１８Ａを有する発光素子１００に対して、上述
した温度、雰囲気ガスで熱処理をした。これら全て、透
光性電極１８Ａに対して20mAの電流を流したときも同様
な結果が得られた。
【００４７】又、上記の全ての発光素子１００について
高温高湿雰囲気中において1000時間の連続駆動試験を行
った。全て1000時間経過後も駆動電圧に変化もなく、発
光パターンの変化も見られず、光学的にも電気的にも経
時的に安定した特性が得られた。
高温高湿雰囲気中において1000時間の連続駆動試験を行
った。全て1000時間経過後も駆動電圧に変化もなく、発
光パターンの変化も見られず、光学的にも電気的にも経
時的に安定した特性が得られた。
【００４８】尚、上記の金属層のマグネシウム(Mg)は、
これに代えて、ベリリウム(Be)、カルシウム(Ca)、スト
ロンチウム(Sr)、バリウム(Ba)、亜鉛(Zn)、カドミウム
(Cd)などの２族元素を用いてもよい。
これに代えて、ベリリウム(Be)、カルシウム(Ca)、スト
ロンチウム(Sr)、バリウム(Ba)、亜鉛(Zn)、カドミウム
(Cd)などの２族元素を用いてもよい。
【００４９】その他、透光性電極１８Ａをパラジウム(P
d)と金(Au)合金で構成しても良い。第１金属層８１とし
て膜厚40Åのパラジウム(Pd)をコンタクト層１７上に形
成し、その第１金属層８１上に膜厚60Åの金(Au)から成
る第２金属層８２を形成し、上述した条件下で合金化処
理を行うことにより、経時的に安定した発光パターン及
び4V未満の低駆動電圧が得られた。透光性電極１８Ａ
は、仕事関数の大きいパラジウム(Pd)の合金であるの
で、良好なオーミック特性が得られた。
d)と金(Au)合金で構成しても良い。第１金属層８１とし
て膜厚40Åのパラジウム(Pd)をコンタクト層１７上に形
成し、その第１金属層８１上に膜厚60Åの金(Au)から成
る第２金属層８２を形成し、上述した条件下で合金化処
理を行うことにより、経時的に安定した発光パターン及
び4V未満の低駆動電圧が得られた。透光性電極１８Ａ
は、仕事関数の大きいパラジウム(Pd)の合金であるの
で、良好なオーミック特性が得られた。
【００５０】又、第１金属層８１として膜厚40Åの金(A
u)をコンタクト層１７上に形成し、その第１金属層８１
上に膜厚60Åのパラジウム(Pd)から成る第２金属層８２
を形成し、上述した条件下で合金化処理を行っても、経
時的に安定した発光パターン及び４ｖ未満の低駆動電圧
が得られた。又、1000時間経過後も駆動電圧に変化もな
く、発光パターンの変化も見られず、光学的にも経時的
にも安定した特性が得られた。
u)をコンタクト層１７上に形成し、その第１金属層８１
上に膜厚60Åのパラジウム(Pd)から成る第２金属層８２
を形成し、上述した条件下で合金化処理を行っても、経
時的に安定した発光パターン及び４ｖ未満の低駆動電圧
が得られた。又、1000時間経過後も駆動電圧に変化もな
く、発光パターンの変化も見られず、光学的にも経時的
にも安定した特性が得られた。
【００５１】又、上記実施例において、透光性電極１８
ＡはNi、Auを積層して上記の条件で合金化しても良い。
この場合にも、電極の駆動電圧は４Ｖ未満で、発光パタ
ーンの良好な発光素子が得られた。
ＡはNi、Auを積層して上記の条件で合金化しても良い。
この場合にも、電極の駆動電圧は４Ｖ未満で、発光パタ
ーンの良好な発光素子が得られた。
【００５２】発光素子１００の発光層１５はＭＱＷ構造
としたが、ＳＱＷやIn0.2Ga0.8N 等から成る単層、その
他、任意の混晶の４元、３元系のAlInGaN としても良
い。又、ｐ型不純物としてMgを用いたがベリリウム(B
e)、亜鉛(Zn)等の４族元素を用いることができる。
としたが、ＳＱＷやIn0.2Ga0.8N 等から成る単層、その
他、任意の混晶の４元、３元系のAlInGaN としても良
い。又、ｐ型不純物としてMgを用いたがベリリウム(B
e)、亜鉛(Zn)等の４族元素を用いることができる。
【００５３】上記実施例は透光性電極を有する発光ダイ
オードについて説明したが、本発明がレーザダイオード
（ＬＤ）、受光素子、その他の窒化ガリウム系化合物半
導体素子の展開が予想される高温デバイスやパワーデバ
イス等の電子デバイスにも適用できる。
オードについて説明したが、本発明がレーザダイオード
（ＬＤ）、受光素子、その他の窒化ガリウム系化合物半
導体素子の展開が予想される高温デバイスやパワーデバ
イス等の電子デバイスにも適用できる。
【図１】本発明のｐ型低抵抗化方法に係る試料の構造を
示した断面図。
示した断面図。
【図２】本発明のｐ型低抵抗化方法において得られた試
料の熱処理温度に対する抵抗変化の特性を示した特性
図。
料の熱処理温度に対する抵抗変化の特性を示した特性
図。
【図３】本発明のｐ型低抵抗化方法において得られた試
料の熱処理時の酸素ガス圧力に対する抵抗変化の特性を
示した特性図。
料の熱処理時の酸素ガス圧力に対する抵抗変化の特性を
示した特性図。
【図４】本発明のｐ型低抵抗化方法において得られた試
料の酸素ガス分圧に対する抵抗変化の特性を、純粋な酸
素ガス雰囲気中で熱処理した試料の抵抗変化の特性と比
較した特性図。
料の酸素ガス分圧に対する抵抗変化の特性を、純粋な酸
素ガス雰囲気中で熱処理した試料の抵抗変化の特性と比
較した特性図。
【図５】本発明の製造方法に係る発光素子の構成を示し
た断面図。
た断面図。
【図６】発光素子の電極形成方法を示した断面図。
１…サファイア基板 ２…バッファ層 ３…ｎ+ 層 ４…ｐ層 １０…サファイア基板 １２…バッファ層 １３…ｎ+ 層 １４…クラッド層 １５…発光層 １６…クラッド層 １７…コンタクト層 １８Ａ、１８Ｂ…電極 １９Ａ…窓部 ８１…第１金属層 ８２…第２金属層 １００…発光素子
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 柴田 直樹 愛知県西春日井郡春日町大字落合字長畑１ 番地 豊田合成株式会社内 (72)発明者 伊藤 潤 愛知県西春日井郡春日町大字落合字長畑１ 番地 豊田合成株式会社内
Claims (5)
- 【請求項１】ｐ型窒化ガリウム系化合物半導体を製造す
る方法において、 ｐ型不純物の添加された窒化ガリウム系化合物半導体を
少なくとも酸素を含むガス中において、熱処理すること
を特徴とする窒化ガリウム系化合物半導体の製造方法。 - 【請求項２】ｐ型窒化ガリウム系化合物半導体層と電極
とを有する素子の製造方法において、 ｐ型不純物の添加された窒化ガリウム系化合物半導体層
を形成し、 この窒化ガリウム系化合物半導体層上に電極を形成し、 前記電極の形成された窒化ガリウム系化合物半導体層を
少なくとも酸素を含むガス中において、熱処理すること
を特徴とする窒化ガリウム系化合物半導体素子の製造方
法。 - 【請求項３】ｐ型窒化ガリウム系化合物半導体層と、ｎ
型窒化ガリウム系化合物半導体層とそれぞれの層に対す
る電極を有する素子の製造方法において、 前記ｐ型不純物の添加された窒化ガリウム系化合物半導
体層に第１電極を形成し、前記ｎ型窒化ガリウム系化合
物半導体層に第２電極を形成した後、 少なくとも酸素を含むガス中において、熱処理すること
を特徴とする窒化ガリウム系化合物半導体素子の製造方
法。 - 【請求項４】前記酸素を含むガスは、O2、O3、CO、C
O2 、NO、N2O 、 NO2、又は、H2O の少なくとも１種又は
これらの混合ガス、又は、これらのガスと不活性ガスと
の混合ガスであることを特徴とする請求項１乃至請求項
３のいずれか１項に記載の製造方法。 - 【請求項５】前記熱処理は４００℃以上の温度で行われ
ることを特徴とする請求項１乃至請求項４のいずれか１
項に記載の製造方法。
Priority Applications (14)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1974897A JP3344257B2 (ja) | 1997-01-17 | 1997-01-17 | 窒化ガリウム系化合物半導体及び素子の製造方法 |
| US08/979,346 US6291840B1 (en) | 1996-11-29 | 1997-11-26 | GaN related compound semiconductor light-emitting device |
| EP97120894A EP0845818B1 (en) | 1996-11-29 | 1997-11-28 | GaN related compound semiconductor device and process for producing the same |
| DE69718999T DE69718999T2 (de) | 1996-11-29 | 1997-11-28 | Halbleitervorrichtung auf Basis einer Galliumnitrid-Halbleiterverbindung und Verfahren zu ihrer Herstellung |
| EP02013739A EP1251567A3 (en) | 1996-11-29 | 1997-11-28 | GaN related compound semiconductor and process for producing the same |
| CNB971297134A CN1150632C (zh) | 1996-11-29 | 1997-11-29 | 氮化镓基化合物半导体器件及其制作方法 |
| CNB031587666A CN1271681C (zh) | 1996-11-29 | 1997-11-29 | 氮化镓基化合物半导体器件的制作方法 |
| KR1019970065761A KR100338452B1 (ko) | 1996-11-29 | 1997-11-29 | Gan계 화합물 반도체 발광장치 |
| TW086118064A TW362292B (en) | 1996-11-29 | 1997-11-29 | GaN related compound semiconductor and process for producing the same |
| KR1020000050363A KR100416170B1 (ko) | 1996-11-29 | 2000-08-29 | Ｇａｎ계 화합물 반도체 장치의 제조방법 |
| US09/819,622 US6500689B2 (en) | 1996-11-29 | 2001-03-29 | Process for producing GaN related compound semiconductor |
| KR1020020001855A KR100436102B1 (ko) | 1996-11-29 | 2002-01-12 | ＧａＮ계 화합물 반도체 발광장치의 제조방법 |
| US10/053,570 US6573117B2 (en) | 1996-11-29 | 2002-01-24 | GaN related compound semiconductor and process for producing the same |
| KR10-2003-0067658A KR100456656B1 (ko) | 1996-11-29 | 2003-09-30 | ＧａＮ계 화합물 반도체의 제조방법 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1974897A JP3344257B2 (ja) | 1997-01-17 | 1997-01-17 | 窒化ガリウム系化合物半導体及び素子の製造方法 |
Related Child Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2002144923A Division JP2003051613A (ja) | 2002-05-20 | 2002-05-20 | 窒化ガリウム系化合物半導体及び素子の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH10209493A true JPH10209493A (ja) | 1998-08-07 |
| JP3344257B2 JP3344257B2 (ja) | 2002-11-11 |
Family
ID=12007973
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1974897A Expired - Fee Related JP3344257B2 (ja) | 1996-11-29 | 1997-01-17 | 窒化ガリウム系化合物半導体及び素子の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3344257B2 (ja) |
Cited By (12)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH10341039A (ja) * | 1997-04-10 | 1998-12-22 | Toshiba Corp | 半導体発光素子およびその製造方法 |
| US6287947B1 (en) | 1999-06-08 | 2001-09-11 | Lumileds Lighting, U.S. Llc | Method of forming transparent contacts to a p-type GaN layer |
| US6500689B2 (en) * | 1996-11-29 | 2002-12-31 | Toyoda Gosei Co., Ltd. | Process for producing GaN related compound semiconductor |
| US6521999B1 (en) | 1999-06-28 | 2003-02-18 | Toyoda Gosei Co. Ltd. | Transparent electrode film and group III nitride semiconductor device |
| US6649440B1 (en) | 1999-06-08 | 2003-11-18 | Lumileds Lighting U.S., Llc | Aluminum indium gallium nitride-based LED having thick epitaxial layer for improved light extraction |
| US6777805B2 (en) | 2000-03-31 | 2004-08-17 | Toyoda Gosei Co., Ltd. | Group-III nitride compound semiconductor device |
| US6800501B2 (en) | 1997-05-08 | 2004-10-05 | Showa Denko K.K. | Electrode for light-emitting semiconductor devices and method of producing the electrode |
| JP2006222225A (ja) * | 2005-02-09 | 2006-08-24 | Sony Corp | ｐ型窒化物半導体の製造方法および半導体素子の製造方法 |
| US7101780B2 (en) | 2001-06-04 | 2006-09-05 | Toyoda Gosei Co., Ltd. | Method for manufacturing Group-III nitride compound semiconductor device |
| JP2007080996A (ja) * | 2005-09-13 | 2007-03-29 | Sony Corp | ＧａＮ系半導体発光素子及びその製造方法 |
| US7229493B2 (en) | 2002-01-31 | 2007-06-12 | Sumitomo Chemical Company, Limited | 3-5 group compound semiconductor, process for producing the same, and compound semiconductor element using the same |
| JP2009135181A (ja) * | 2007-11-29 | 2009-06-18 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体装置の製造方法 |
Families Citing this family (22)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US8207547B2 (en) | 2009-06-10 | 2012-06-26 | Brudgelux, Inc. | Thin-film LED with P and N contacts electrically isolated from the substrate |
| US8525221B2 (en) | 2009-11-25 | 2013-09-03 | Toshiba Techno Center, Inc. | LED with improved injection efficiency |
| US8395165B2 (en) | 2011-07-08 | 2013-03-12 | Bridelux, Inc. | Laterally contacted blue LED with superlattice current spreading layer |
| US20130026480A1 (en) | 2011-07-25 | 2013-01-31 | Bridgelux, Inc. | Nucleation of Aluminum Nitride on a Silicon Substrate Using an Ammonia Preflow |
| US8916906B2 (en) | 2011-07-29 | 2014-12-23 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Boron-containing buffer layer for growing gallium nitride on silicon |
| US9142743B2 (en) | 2011-08-02 | 2015-09-22 | Kabushiki Kaisha Toshiba | High temperature gold-free wafer bonding for light emitting diodes |
| US8865565B2 (en) | 2011-08-02 | 2014-10-21 | Kabushiki Kaisha Toshiba | LED having a low defect N-type layer that has grown on a silicon substrate |
| US9012939B2 (en) | 2011-08-02 | 2015-04-21 | Kabushiki Kaisha Toshiba | N-type gallium-nitride layer having multiple conductive intervening layers |
| US9343641B2 (en) | 2011-08-02 | 2016-05-17 | Manutius Ip, Inc. | Non-reactive barrier metal for eutectic bonding process |
| US20130032810A1 (en) | 2011-08-03 | 2013-02-07 | Bridgelux, Inc. | Led on silicon substrate using zinc-sulfide as buffer layer |
| US8564010B2 (en) | 2011-08-04 | 2013-10-22 | Toshiba Techno Center Inc. | Distributed current blocking structures for light emitting diodes |
| US8624482B2 (en) | 2011-09-01 | 2014-01-07 | Toshiba Techno Center Inc. | Distributed bragg reflector for reflecting light of multiple wavelengths from an LED |
| US8669585B1 (en) | 2011-09-03 | 2014-03-11 | Toshiba Techno Center Inc. | LED that has bounding silicon-doped regions on either side of a strain release layer |
| US8558247B2 (en) | 2011-09-06 | 2013-10-15 | Toshiba Techno Center Inc. | GaN LEDs with improved area and method for making the same |
| US8686430B2 (en) | 2011-09-07 | 2014-04-01 | Toshiba Techno Center Inc. | Buffer layer for GaN-on-Si LED |
| US8664679B2 (en) | 2011-09-29 | 2014-03-04 | Toshiba Techno Center Inc. | Light emitting devices having light coupling layers with recessed electrodes |
| US9012921B2 (en) | 2011-09-29 | 2015-04-21 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Light emitting devices having light coupling layers |
| US9178114B2 (en) | 2011-09-29 | 2015-11-03 | Manutius Ip, Inc. | P-type doping layers for use with light emitting devices |
| US8698163B2 (en) | 2011-09-29 | 2014-04-15 | Toshiba Techno Center Inc. | P-type doping layers for use with light emitting devices |
| US20130082274A1 (en) | 2011-09-29 | 2013-04-04 | Bridgelux, Inc. | Light emitting devices having dislocation density maintaining buffer layers |
| US8581267B2 (en) | 2011-11-09 | 2013-11-12 | Toshiba Techno Center Inc. | Series connected segmented LED |
| JP6070526B2 (ja) | 2013-12-11 | 2017-02-01 | 豊田合成株式会社 | 半導体装置の製造方法 |
Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH06188455A (ja) * | 1992-12-18 | 1994-07-08 | Daido Steel Co Ltd | 半導体光電素子に対するｉｔｏ膜形成方法 |
| JPH08102550A (ja) * | 1994-09-30 | 1996-04-16 | Rohm Co Ltd | 半導体発光素子 |
| JPH10135515A (ja) * | 1996-11-02 | 1998-05-22 | Toyoda Gosei Co Ltd | ３族窒化物半導体の電極形成方法 |
| JPH10173222A (ja) * | 1996-12-06 | 1998-06-26 | Rohm Co Ltd | 半導体発光素子の製法 |
-
1997
- 1997-01-17 JP JP1974897A patent/JP3344257B2/ja not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH06188455A (ja) * | 1992-12-18 | 1994-07-08 | Daido Steel Co Ltd | 半導体光電素子に対するｉｔｏ膜形成方法 |
| JPH08102550A (ja) * | 1994-09-30 | 1996-04-16 | Rohm Co Ltd | 半導体発光素子 |
| JPH10135515A (ja) * | 1996-11-02 | 1998-05-22 | Toyoda Gosei Co Ltd | ３族窒化物半導体の電極形成方法 |
| JPH10173222A (ja) * | 1996-12-06 | 1998-06-26 | Rohm Co Ltd | 半導体発光素子の製法 |
Cited By (20)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6500689B2 (en) * | 1996-11-29 | 2002-12-31 | Toyoda Gosei Co., Ltd. | Process for producing GaN related compound semiconductor |
| US6573117B2 (en) | 1996-11-29 | 2003-06-03 | Toyoda Gosei Co., Ltd. | GaN related compound semiconductor and process for producing the same |
| JPH10341039A (ja) * | 1997-04-10 | 1998-12-22 | Toshiba Corp | 半導体発光素子およびその製造方法 |
| US7057210B2 (en) | 1997-05-08 | 2006-06-06 | Showa Denko K.K. | Electrode for light-emitting semiconductor devices and method of producing the electrode |
| US6800501B2 (en) | 1997-05-08 | 2004-10-05 | Showa Denko K.K. | Electrode for light-emitting semiconductor devices and method of producing the electrode |
| US6649440B1 (en) | 1999-06-08 | 2003-11-18 | Lumileds Lighting U.S., Llc | Aluminum indium gallium nitride-based LED having thick epitaxial layer for improved light extraction |
| US6287947B1 (en) | 1999-06-08 | 2001-09-11 | Lumileds Lighting, U.S. Llc | Method of forming transparent contacts to a p-type GaN layer |
| DE10017758B4 (de) * | 1999-06-08 | 2007-02-08 | LumiLeds Lighting, U.S., LLC, San Jose | Verfahren zum Bilden von transparenten Kontakten an einer p-Typ-GaN-Schicht |
| US6521999B1 (en) | 1999-06-28 | 2003-02-18 | Toyoda Gosei Co. Ltd. | Transparent electrode film and group III nitride semiconductor device |
| US6867058B2 (en) | 1999-06-28 | 2005-03-15 | Toyoda Gosei Co., Ltd. | Transparent electrode film and group III nitride semiconductor device |
| US6777805B2 (en) | 2000-03-31 | 2004-08-17 | Toyoda Gosei Co., Ltd. | Group-III nitride compound semiconductor device |
| US7042089B2 (en) | 2000-03-31 | 2006-05-09 | Toyoda Gosei Co., Ltd. | Group III nitride compound semiconductor device |
| US7101780B2 (en) | 2001-06-04 | 2006-09-05 | Toyoda Gosei Co., Ltd. | Method for manufacturing Group-III nitride compound semiconductor device |
| US7229493B2 (en) | 2002-01-31 | 2007-06-12 | Sumitomo Chemical Company, Limited | 3-5 group compound semiconductor, process for producing the same, and compound semiconductor element using the same |
| JP2006222225A (ja) * | 2005-02-09 | 2006-08-24 | Sony Corp | ｐ型窒化物半導体の製造方法および半導体素子の製造方法 |
| JP2007080996A (ja) * | 2005-09-13 | 2007-03-29 | Sony Corp | ＧａＮ系半導体発光素子及びその製造方法 |
| US8993992B2 (en) | 2005-09-13 | 2015-03-31 | Sony Corporation | GaN based semiconductor light-emitting device and method for producing same |
| US10050177B2 (en) | 2005-09-13 | 2018-08-14 | Sony Corporation | GaN based semiconductor light-emitting device and method for producing same |
| JP2009135181A (ja) * | 2007-11-29 | 2009-06-18 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体装置の製造方法 |
| US7678597B2 (en) | 2007-11-29 | 2010-03-16 | Mitsubishi Electric Corporation | Method of manufacturing semiconductor device including gallium-nitride semiconductor structure and a palladium contact |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP3344257B2 (ja) | 2002-11-11 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP3344257B2 (ja) | 窒化ガリウム系化合物半導体及び素子の製造方法 | |
| US6500689B2 (en) | Process for producing GaN related compound semiconductor | |
| JP3794876B2 (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JP3606015B2 (ja) | ３族窒化物半導体素子の製造方法 | |
| US6521999B1 (en) | Transparent electrode film and group III nitride semiconductor device | |
| JPH11220168A (ja) | 窒化ガリウム系化合物半導体素子及びその製造方法 | |
| JP2001274459A (ja) | Ｉｉｉ族窒化物系化合物半導体素子および電極形成方法 | |
| JP2000286448A (ja) | Ｉｉｉ族窒化物系化合物半導体発光素子 | |
| JP3509514B2 (ja) | 窒化ガリウム系化合物半導体の製造方法 | |
| JP5579435B2 (ja) | 窒化物系半導体装置およびその製造方法 | |
| JPH11220169A (ja) | 窒化ガリウム系化合物半導体素子及びその製造方法 | |
| US6365923B1 (en) | Nitride semiconductor light-emitting element and process for production thereof | |
| JP3557791B2 (ja) | ３族窒化物半導体の電極及びその電極を有した素子 | |
| JPH10229219A (ja) | 窒化ガリウム系化合物半導体素子 | |
| JP3555419B2 (ja) | 窒化ガリウム系化合物半導体の電極形成方法及び素子の製造方法 | |
| JP3836245B2 (ja) | 窒化ガリウム系化合物半導体素子 | |
| JP3522610B2 (ja) | ｐ型窒化物半導体の製造方法 | |
| JP3776538B2 (ja) | 半導体発光素子およびその製法 | |
| JP2003051613A (ja) | 窒化ガリウム系化合物半導体及び素子の製造方法 | |
| JPH10303458A (ja) | 窒化ガリウム系化合物半導体素子 | |
| JP2004363401A (ja) | 半導体素子の製造方法 | |
| JP3303718B2 (ja) | 窒化ガリウム系化合物半導体素子 | |
| JPWO2008153065A1 (ja) | 半導体発光素子及びその製造方法 | |
| JP2000091631A (ja) | 窒化ガリウム系化合物半導体発光素子 | |
| KR20000001665A (ko) | 청색 발광 소자 및 그 제조방법 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20080830 Year of fee payment: 6 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20080830 Year of fee payment: 6 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090830 Year of fee payment: 7 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100830 Year of fee payment: 8 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100830 Year of fee payment: 8 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110830 Year of fee payment: 9 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110830 Year of fee payment: 9 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120830 Year of fee payment: 10 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130830 Year of fee payment: 11 |
|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |