JP2007033154A - 赤外線検出器 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】基板1の薄肉部として形成されたメンブレンMaと赤外線検出素子として用いられる熱電対Tを備え、熱電対Tの温接点Thが、メンブレンMa上に形成され、熱電対Tの冷接Tcが、メンブレンMaの外側の基板1上に形成され、赤外線の受光により、熱電対Tの温接点Thと冷接点Tcの間に生じる温度差に伴った起電力に基づいて赤外線を検出する赤外線検出器であって、熱電対Tの近傍に、ヒータHが設けられ、熱電対Tの近傍のメンブレンMa上およびメンブレンMaの外側の基板1上に、それぞれ、温接点感温抵抗素子Shおよび冷接点感温抵抗素子Scが設けられてなる赤外線検出器10とする。
【選択図】 図1
Description
熱電対の冷接点の下側に赤外線放射体を設け、自己診断回路により赤外線放射体に電圧を印加して、熱電対からの熱起電力を検出している。これにより、熱電対が動作するかどうかを判断することができる。しかしながら、この赤外線検出器についても、製造途中のウェハ段階での動作確認はできず、最終のアッセンブリ状態にしないと赤外線検出器の出力特性の測定は困難である。また、冷接点の下側に絶縁膜を介して赤外線放射体を設けているため、追加工程が必要で、製造コストが増大してしまう。
(数1) 出力電圧={ゼーベック係数×(温接点温度−冷接点温度)}×熱電対組数
数式1のゼーベック係数は、熱電対Tの形状・構成材料・接合部等によって決まる値で、特に、構成材料の不純物濃度や接合部の形成状態の製造ロットばらつきによって変化する。このため、製造ロットばらつきによってゼーベック係数が変化すると、数式1に従って、赤外線検出器10,11の出力特性(出力電圧Vout、感度)も変化する。
1 基板
1a シリコン(Si)半導体基板
2,2a〜2c 絶縁膜
3 赤外線吸収膜
Ma,Mb メンブレン
T 熱電対
Th 温接点
Tc 冷接点
Tm 熱電対の材料(アルミニウム)
Tn 熱電対の材料(多結晶シリコン)
H,Ha ヒータ
Sh,Sha,Sh1〜Sh4 温接点感温抵抗素子
Sc 冷接点感温抵抗素子
Claims (12)
- 基板の薄肉部として形成されたメンブレンと赤外線検出素子として用いられる熱電対を備え、
前記熱電対の温接点が、前記メンブレン上に形成され、前記熱電対の冷接点が、前記メンブレンの外側の基板上に形成され、
赤外線の受光により、前記熱電対の温接点と冷接点の間に生じる温度差に伴った起電力に基づいて赤外線を検出する赤外線検出器であって、
前記熱電対の近傍に、ヒータが設けられ、
前記熱電対の近傍のメンブレン上およびメンブレンの外側の基板上に、それぞれ、温接点感温抵抗素子および冷接点感温抵抗素子が設けられてなることを特徴とする赤外線検出器。 - 前記基板が、シリコン(Si)半導体基板と、当該半導体基板上に設けられる絶縁膜とからなり、
前記メンブレンが、前記半導体基板を部分的にエッチング除去して形成される、前記絶縁膜からなることを特徴とする請求項1に記載の赤外線検出器。 - 前記熱電対が、
前記基板上において2つの異なる材料の膜が交互に複数組直列に延設され、前記2つの異なる材料の一つおきの接合部がそれぞれ前記温接点および冷接点となる、サーモパイルであることを特徴とする請求項1または2に記載の赤外線検出器。 - 赤外線吸収膜が、前記温接点を被覆するようにして、前記メンブレン上に形成されてなることを特徴とする請求項1乃至3のいずれか一項に記載の赤外線検出器。
- 前記ヒータが、前記メンブレン上に設けられてなることを特徴とする請求項1乃至4のいずれか一項に記載の赤外線検出器。
- 前記メンブレンの平面形状が、略正方形であり、
前記温接点が、前記略正方形の外周の近傍に配置され、
前記ヒータと前記温接点感温抵抗素子が、前記略正方形の中央部に配置されてなることを特徴とする請求項5に記載の赤外線検出器。 - 前記メンブレンの平面形状が、略正方形であり、
前記温接点が、前記略正方形の外周の近傍に配置され、
前記ヒータが、前記略正方形の中央部に配置され、
前記温接点感温抵抗素子が、前記温接点に隣接して配置されてなることを特徴とする請求項5に記載の赤外線検出器。 - 前記温接点が、4個以上あり、
前記略正方形の各辺の近傍に、少なくとも1個の前記温接点が配置され、
前記温接点感温抵抗素子が、4個あり、
前記各辺の近傍に配置された温接点に隣接して、前記温接点感温抵抗素子がそれぞれ配置されてなることを特徴とする請求項7に記載の赤外線検出器。 - 前記ヒータが、前記熱電対を構成する2つの異なる材料のいずれかからなることを特徴とする請求項1乃至8のいずれか一項に記載の赤外線検出器。
- 前記熱電対が、アルミニウムと多結晶シリコンで構成され、
前記ヒータが、多結晶シリコンからなることを特徴とする請求項9に記載の赤外線検出器。 - 前記温接点感温抵抗素子および冷接点感温抵抗素子が、前記熱電対を構成する2つの異なる材料のいずれかからなることを特徴とする請求項1乃至10のいずれか一項に記載の赤外線検出器。
- 前記熱電対が、アルミニウムと多結晶シリコンで構成され、
前記温接点感温抵抗素子および冷接点感温抵抗素子が、多結晶シリコンからなることを特徴とする請求項11に記載の赤外線検出器。
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Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2013040885A (ja) * | 2011-08-18 | 2013-02-28 | Ricoh Co Ltd | 温度測定装置およびゼーベック係数算出方法 |
WO2018151200A1 (ja) * | 2017-02-15 | 2018-08-23 | パナソニックIpマネジメント株式会社 | 赤外線センサチップと、これを用いた赤外線センサ |
Families Citing this family (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR100821127B1 (ko) * | 2006-09-28 | 2008-04-14 | 한국전자통신연구원 | 열전대를 구비하는 고전력 소자 및 그 제조방법 |
US7785002B2 (en) * | 2006-12-05 | 2010-08-31 | Delphi Technologies, Inc. | P-N junction based thermal detector |
US10237915B2 (en) * | 2011-08-09 | 2019-03-19 | Toyoko Kagaku Co., Ltd. | Heat treatment apparatus |
CN103245421B (zh) * | 2013-05-16 | 2015-06-10 | 江苏物联网研究发展中心 | 致热型mems热电堆红外探测器结构及其制备方法 |
GB2521475A (en) | 2013-12-22 | 2015-06-24 | Melexis Technologies Nv | Infrared thermal sensor with beam without thermocouple |
EP3086379B1 (en) * | 2015-04-24 | 2018-11-28 | STMicroelectronics Srl | Thermoelectric energy harvesting device |
GB2551397B (en) * | 2016-06-17 | 2020-03-25 | X Fab Semiconductor Foundries Gmbh | Thermopile Test Structure And Methods Employing Same |
CN111397746A (zh) * | 2020-04-15 | 2020-07-10 | 无锡物联网创新中心有限公司 | 一种自测试mems热电堆红外探测器 |
Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2000121432A (ja) * | 1998-10-14 | 2000-04-28 | Mitsubishi Materials Corp | 焦電型赤外線センサ |
JP2000131147A (ja) * | 1998-10-23 | 2000-05-12 | Mitsubishi Materials Corp | 赤外線センサ |
JP2000146686A (ja) * | 1997-01-27 | 2000-05-26 | Mitsubishi Electric Corp | 赤外線固体撮像素子 |
JP2002340678A (ja) * | 2001-05-17 | 2002-11-27 | Denso Corp | 赤外線センサ |
JP2004296959A (ja) * | 2003-03-28 | 2004-10-21 | Citizen Watch Co Ltd | 熱電素子性能評価装置および熱電素子の性能評価方法 |
Family Cites Families (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5393351A (en) * | 1993-01-13 | 1995-02-28 | The United States Of America As Represented By The Secretary Of Commerce | Multilayer film multijunction thermal converters |
JP3214203B2 (ja) | 1993-12-22 | 2001-10-02 | 日産自動車株式会社 | 赤外線検出装置 |
US6133572A (en) * | 1998-06-05 | 2000-10-17 | The United States Of America As Represented By The Administrator Of The National Aeronautics And Space Administration | Infrared detector system with controlled thermal conductance |
WO2000037895A1 (de) * | 1998-12-22 | 2000-06-29 | Sensirion Ag | Verfahren und sensor zur messung eines massenflusses |
US6300554B1 (en) * | 1999-09-09 | 2001-10-09 | Metrodyne Microsystem Corp. | Method of fabricating thermoelectric sensor and thermoelectric sensor device |
JP2001326367A (ja) * | 2000-05-12 | 2001-11-22 | Denso Corp | センサおよびその製造方法 |
JP2001330511A (ja) * | 2000-05-18 | 2001-11-30 | Murata Mfg Co Ltd | 赤外線センサ |
JP3658321B2 (ja) * | 2000-12-28 | 2005-06-08 | オムロン株式会社 | フローセンサ及びその製造方法 |
-
2005
- 2005-07-25 JP JP2005214863A patent/JP2007033154A/ja active Pending
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2006
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Patent Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2000146686A (ja) * | 1997-01-27 | 2000-05-26 | Mitsubishi Electric Corp | 赤外線固体撮像素子 |
JP2000121432A (ja) * | 1998-10-14 | 2000-04-28 | Mitsubishi Materials Corp | 焦電型赤外線センサ |
JP2000131147A (ja) * | 1998-10-23 | 2000-05-12 | Mitsubishi Materials Corp | 赤外線センサ |
JP2002340678A (ja) * | 2001-05-17 | 2002-11-27 | Denso Corp | 赤外線センサ |
JP2004296959A (ja) * | 2003-03-28 | 2004-10-21 | Citizen Watch Co Ltd | 熱電素子性能評価装置および熱電素子の性能評価方法 |
Cited By (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2013040885A (ja) * | 2011-08-18 | 2013-02-28 | Ricoh Co Ltd | 温度測定装置およびゼーベック係数算出方法 |
WO2018151200A1 (ja) * | 2017-02-15 | 2018-08-23 | パナソニックIpマネジメント株式会社 | 赤外線センサチップと、これを用いた赤外線センサ |
JPWO2018151200A1 (ja) * | 2017-02-15 | 2019-12-26 | パナソニックIpマネジメント株式会社 | 赤外線センサチップと、これを用いた赤外線センサ |
US10989603B2 (en) | 2017-02-15 | 2021-04-27 | Panasonic Intellectual Property Management Co., Ltd. | Infrared sensor chip, and infrared sensor employing same |
JP7117502B2 (ja) | 2017-02-15 | 2022-08-15 | パナソニックIpマネジメント株式会社 | 赤外線センサチップと、これを用いた赤外線センサ |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
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US20070034799A1 (en) | 2007-02-15 |
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