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Families Citing this family (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2009302206A (ja) 2008-06-11 2009-12-24 Canon Inc 露光パラメータの決定方法、露光パラメータを決定するためのプログラム、露光方法及びデバイス製造方法
JP5215812B2 (ja) * 2008-10-29 2013-06-19 キヤノン株式会社 照明条件の決定方法、プログラム、露光方法及びデバイス製造方法
JP2011049232A (ja) * 2009-08-25 2011-03-10 Renesas Electronics Corp 露光装置、露光方法及び半導体装置の製造方法
JP5574749B2 (ja) * 2010-02-24 2014-08-20 キヤノン株式会社 露光条件及びマスクパターンのうち少なくとも一方を決定する決定方法及びプログラム、情報処理装置
JP5835968B2 (ja) * 2011-07-05 2015-12-24 キヤノン株式会社 決定方法、プログラム及び露光方法
JP5656905B2 (ja) * 2012-04-06 2015-01-21 キヤノン株式会社 決定方法、プログラム及び情報処理装置
JP6108693B2 (ja) * 2012-06-08 2017-04-05 キヤノン株式会社 パターン作成方法
US8815498B2 (en) * 2012-08-22 2014-08-26 Nanya Technology Corp. Method of forming tight-pitched pattern
CN109683447B (zh) * 2019-02-18 2021-01-22 中国科学院微电子研究所 一种光源掩模协同优化初始光源的确定方法及装置
CN111367148B (zh) * 2020-04-10 2022-04-12 联合微电子中心有限责任公司 曲线图形光学邻近修正方法
CN111694227B (zh) * 2020-06-03 2023-03-21 长沙麓邦光电科技有限公司 光控系统及方法

Family Cites Families (27)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3330648B2 (ja) 1992-10-06 2002-09-30 富士通株式会社 光源形状の最適化方法
US5465220A (en) 1992-06-02 1995-11-07 Fujitsu Limited Optical exposure method
US5705299A (en) * 1992-12-16 1998-01-06 Texas Instruments Incorporated Large die photolithography
US5591958A (en) * 1993-06-14 1997-01-07 Nikon Corporation Scanning exposure method and apparatus
KR100346448B1 (ko) * 1994-12-29 2002-11-23 주식회사 하이닉스반도체 반도체소자용노광마스크
US5680588A (en) 1995-06-06 1997-10-21 International Business Machines Corporation Method and system for optimizing illumination in an optical photolithography projection imaging system
US5723233A (en) * 1996-02-27 1998-03-03 Lsi Logic Corporation Optical proximity correction method and apparatus
US6453452B1 (en) * 1997-12-12 2002-09-17 Numerical Technologies, Inc. Method and apparatus for data hierarchy maintenance in a system for mask description
US6128067A (en) * 1998-04-28 2000-10-03 Kabushiki Kaisha Toshiba Correcting method and correcting system for mask pattern
JP3718058B2 (ja) * 1998-06-17 2005-11-16 株式会社ルネサステクノロジ 半導体集積回路装置の製造方法
SE517345C2 (sv) * 1999-01-18 2002-05-28 Micronic Laser Systems Ab Metod och system för tillverkande av stora skärmpaneler med förbättrad precision
TW552561B (en) 2000-09-12 2003-09-11 Asml Masktools Bv Method and apparatus for fast aerial image simulation
JP2002134396A (ja) 2000-10-25 2002-05-10 Sony Corp 半導体装置の製造方法および半導体パターン自動調節装置
JP2002190443A (ja) * 2000-12-20 2002-07-05 Hitachi Ltd 露光方法およびその露光システム
JP4436029B2 (ja) 2001-02-13 2010-03-24 株式会社ニコン 投影光学系の製造方法及び調整方法、露光装置及びその製造方法、デバイス製造方法、並びにコンピュータシステム
TW591694B (en) 2001-02-13 2004-06-11 Nikon Corp Specification determining method, making method and adjusting method of projection optical system, exposure apparatus and making method thereof, and computer system
JP2002319539A (ja) 2001-02-13 2002-10-31 Nikon Corp 仕様決定方法及びコンピュータシステム
JP4266079B2 (ja) 2001-04-09 2009-05-20 株式会社東芝 原版とその作製方法及びその原版を用いた露光方法
AU2002253574A1 (en) * 2001-04-24 2002-11-11 Canon Kabushiki Kaisha Exposure method and apparatus
TWI252516B (en) * 2002-03-12 2006-04-01 Toshiba Corp Determination method of process parameter and method for determining at least one of process parameter and design rule
JP3913151B2 (ja) * 2002-09-10 2007-05-09 キヤノン株式会社 露光装置のパラメータの値を最適化する方法及びシステム、露光装置及び露光方法
EP1467252A1 (en) * 2003-04-07 2004-10-13 ASML Netherlands B.V. Device manufacturing method and mask set for use in the method
US7026106B2 (en) 2003-04-09 2006-04-11 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. Exposure method for the contact hole
KR20050121728A (ko) 2003-04-16 2005-12-27 가부시키가이샤 니콘 패턴 결정 방법 및 시스템, 마스크의 제조 방법, 결상 성능조정 방법, 노광 방법 및 장치, 그리고 프로그램 및 정보기록 매체
US7355673B2 (en) 2003-06-30 2008-04-08 Asml Masktools B.V. Method, program product and apparatus of simultaneous optimization for NA-Sigma exposure settings and scattering bars OPC using a device layout
JP4599048B2 (ja) 2003-10-02 2010-12-15 川崎マイクロエレクトロニクス株式会社 半導体集積回路のレイアウト構造、半導体集積回路のレイアウト方法、およびフォトマスク
JP4351928B2 (ja) * 2004-02-23 2009-10-28 株式会社東芝 マスクデータの補正方法、フォトマスクの製造方法及びマスクデータの補正プログラム

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