CN1896877B - 决定方法及曝光方法 - Google Patents

Abstract

提供分辨力良好的曝光方法。所述曝光方法使用来自光源的光和光学系统、在被曝光体上曝光包含第一以及第二图形的标线片图形，其特征在于，具有取得与所述第一图形、和具有在所述第二图形中被使用的可能性的多种代表图形有关的信息的步骤；和对于所述第一图形以及所述多种代表图形，设定所述光源以及所述光学系统的至少一个的曝光参数、或者所述图形的大小或形状的步骤。

Description

决定方法及曝光方法 

技术领域

本发明一般涉及曝光方法，特别涉及曝光装置的曝光条件以及标线片(reticule)(或掩模)图形的最优化。本发明适合于用于曝光半导体存储器的图形的曝光条件以及标线片图形的最优化。 

背景技术

通过投影光学系统在晶片等上曝光标线片图形的投影曝光装置一直被使用，且越来越要求实现分辨力高的曝光的曝光装置。为提高分辨力，曝光条件或标线片图形的最优化十分重要。标线片图形的最优化，例如通过光学接近修正(Optical Proximity Correction：OPC)来进行。另外，已知为有效进行最优化，现实中不进行曝光而使用模拟或者模拟器(例如参照特开2002-319539号公报、特开2002-324752号公报、特开平06-120119号公报、特开平08-335552号公报、特开2002-184688号公报)。 

DRAM或SRAM等半导体存储器，包含RAM中作为进行存储的区域的存储单元及其外围电路。一般，为曝光条件以及标线片图形的最优化，需要图形整体的信息，还需要图形中要进行最优化的位置以及该位置的(余量(margin)或者尺寸等的)目标值的信息。因此，即使给出实际设备或者芯片的图形信息，仅此也不能进行最优化。而且，对于光刻工程师来说，外围电路的图形信息多为黑盒，难以取得实际设备整体的图形全部的信息。再有，在实际设备整体的图形上最优化的位置无数，为最优化需花费时间，不现实。因此，以往在曝光半导体存储器的图形的场合，仅对于存储单元的图形进行曝光条件或标线片图形的最优化(例如参照特开2005-26701号公报、D.Flagello et.al.，“Optical Lithography in the sub-50nm regime”，Proc.SPIE，vol.5377，(2003))，不对实际设备整体进行最优化。 

但是，使用仅对存储单元最优化的曝光条件或者标线片图形，有可能发生外围电路的图形加工不良、不一定能提高芯片整体的平均的分辨力。 

发明内容

本发明提供分辨力良好的曝光参数的决定方法及曝光方法。 

作为本发明的一个侧面的一种曝光参数以及标线片图形的决定方法，所述方法决定使用来自光源的光和光学系统在被曝光体上曝光所述标线片图形的像时的曝光参数以及所述标线片图形，该决定方法的特征在于，具有：取得半导体存储器的电路图形的功能单位图形和代表所述电路图形的外围电路图形的代表图形的信息，通过进行所述功能单位图形及所述代表图形的光学像计算，决定所述光源以及用于在所述被曝光体上形成所述功能单位图形和所述外围电路图形的所述光学系统中的至少一方的曝光参数以及所述标线片图形的大小或形状的步骤。使用所述方法决定的曝光参数在被曝光体上曝光标线片图形的像的曝光方法也构成本发明的一个侧面。通过计算机执行上述方法的程序也构成本发明的一个侧面。 

通过下面参照附图说明的优选实施例会明了本发明的进一步的目的或者其他的特征。 

根据本发明，可以提供分辨力良好的曝光方法。 

附图说明

图1的(a)是表示DRAM的存储单元1单元的典型的图形的平面图。图1的(b)是表示SRAM的存储单元1单元的存储单元的典型的图形的平面图。 

图2是表示突出存储单元的现有的最优化的概略图。 

图3是DRAM的芯片整体照片。 

图4的(a)到(c)是在本发明的一个实施例中使用的基本图形组的平面图。 

图5的(a)到(c)是在本发明的一个实施例中使用的基本图形组的平面图。 

图6的(a)以及(b)是在本发明的一个实施例中使用的危险图 

形组的平面图。 

图7的(a)以及(b)是在本发明的一个实施例中使用的危险图形组的平面图。 

图8是说明本发明的第一实施例的最优化算法的流程图。 

图9的(a)到(h)是表示有效光源形状和偏振光状态的平面图。 

图10的(a)到(d)是几个图形和对它们的评价点的平面图。 

图11是说明本发明的第二实施例的最优化算法的流程图。 

具体实施方式

下面参照附图说明本发明的几个实施例。 

【第一实施例】 

下面参照图8，说明本发明的第一实施例的曝光条件以及标线片图形的最优化。这里，图8是本实施例的最优化算法的流程图。这样的算法，例如作为通过计算机执行的程序实现。 

如上所述，为最优化，需要图形的信息、图形中最优化对象部分的信息、最优化的目标值的信息。 

首先，在选择要最优化的设备的功能单位图形的同时指定最优化对象部分(步骤1002)。接着，在最优化对象部分上加上代表图形(基本图形和危险图形)以及模型库OPC抽取图形(步骤1004)。 

这样，在本实施例中，作为图形的信息使用标线片图形中的设备的功能单位图形和代表图形的信息。这里，标线片图形由设备的功能单位图形和外围电路图形组成。 

功能单位图形是存储单元、标准单元、宏单元等的图形。在本实施例中，设想一定能够得到功能单位图形，功能单位图形是最优化的主要对象。一般，如图1所示，存储单元即使在DRAM、SRAM等任一个存储器中为了微细化而在纵横方向的布局也极端不同。这里，图1是DRAM以及SRAM的存储单元的典型的图形的概略图。因此，在仅对存储单元进行曝光条件和标线片图形的最优化的场合，如图2所示，对于所设计的存储单元图形施行OPC，用XY非对称的有效光 源形状进行照明。这里，图2是表示突出存储单元的现有的最优化方法的概略图。通过这样的最优化，可以得到图2所示的抗蚀剂图像。 

外围电路图形，如图3所示的DRAM芯片的照片那样，是在存储单元的外围配置的图形。外围电路图形，或纵横图形同等存在，或孤立图形存在等，具有和存储单元不同的布局。外围电路图形，光刻工程师也多不知晓。 

在本实施例中，用具有在其中使用的可能性的代表图形来代表外围电路图形。代表图形兼作模型库OPC抽取图形，包含成为外围电路图形的基础的基本图形、和在外围电路图形中的分辨难度高的危险图形。基本图形和危险图形在本最优化系统中事先安装。基本图形和危险图形决定图4以及图5所示的基本形状，从与设备图形的尺寸的匹配性考虑，设定要使用的图形的详细参数。 

基本图形根据设备而在外围电路图形中具有特征，需要指定在最优化中使用的图形和尺寸。图4以及图5表示基本图形组。它们也可以作为模型库OPC抽取图形使用。在图4以及图5中，光源的波长λ用193nm代表，NA用0.85代表。 

图4的(a)到(c)表示在Y方向上延伸的、测定配线宽度的三种基本图形10到10B。 

图4(a)是作为线条-间隙(L&S)图形的基本图形10的平面图。各线图形12具有长度L(＞2·(λ/NA)＝454nm)和宽度W，L&S图形具有间距P、根数N。基本图形10是固定L、W以及N而使P变化。 

图4(b)是固定长度L、宽度W的孤立图形12的L而使W变化的基本图形10A的平面图。 

图4(c)是和图4(a)同样的作为线条-间隙(L&S)图形的基本图形10B的平面图。各线图形12具有长度L(＞2·(λ/NA)＝454nm)和宽度W，L&S图形具有间距P、根数N。基本图形10B是固定L、占空因数(＝W/(P-W))为1而使W变化。 

图5的(a)到(c)表示测定配线宽度的三种基本图形10C到 10E。 

图5(a)是具有在X方向延伸的、仅离开间隙G的一对线条-间隙(L&S)图形16的基本图形10C的平面图。各L&S图形16的各线图形14，具有长度L(＞2·(λ/NA)＝454nm)和宽度W，各L&S图形16具有间距P以及根数N。基本图形10C是固定L、W、P以及N而使G变化。另外，基本图形10C对于其组，取W、P以及N为参数。 

图5(b)是在一对L&S图形16a之间插入在Y方向延伸的线图形18的基本图形10D的平面图。各L&S图形16a的各线图形14a，具有长度L1(＞2·(λ/NA)＝454nm)和宽度W1，各L&S图形16a具有间距P以及根数N。线图形18具有长度L2(＝(P·N)+1000nm)、宽度W2，并从一对L&S图形16a向上下仅突出500nm到2·(λ/NA)。图形16a和图形18的距离为G。基本图形10D是固定L1、L2、W1、W2、P而使G变化。另外，基本图形10D，对其组取L1、W1、W2、P、N为参数。 

图5(c)是具有在X方向延伸的、仅离开间隙G的一对线条-间隙(L&S)图形16b以及16c的基本图形10E的平面图。图形16b以及16c具有相同的线图形14b和相同的间距P，但是图形16b的根数多。具体说，在与图形16b的间隙对应的位置上配置图形16c。各线图形14b具有长度L(＞2·(λ/NA)＝454nm)以及宽度W。另外，图形16b的根数为N。基本图形10E是固定L、W、P以及N而使G变化。另外，基本图形10E对于其组，取W、P以及N为参数。 

危险图形指定最优化中使用的图形和尺寸。危险图形在确认过去的实例以及在最优化的设备中存在这一事实的基础上指定。因为危险图形在特殊形状下有使曝光条件或者标线片图形成为特殊的可能。图6以及图7表示危险图形组。它们也可以作为模型库OPC抽取图形使用。 

图6(a)以及图6(b)表示测定特殊线端的两种危险图形20以及20A。 

图6(a)所示的危险图形20，在具有X方向的宽度W1以及Y方向的宽度W3的中空矩形图形22内，包含以长度L、宽度W4在Y方向延伸的线图形24。图形22和图形24的X方向的距离为W2、Y方向的距离为G。危险图形20是固定L、W1到W4而使G变化。另外，危险图形20对于其组，取W1到W4为参数。 

图6(b)所示的危险图形20A，在具有长度L1以及宽度W1、在Y方向延伸的一对线图形26之间，配置有具有长度L2以及宽度W4、在Y方向延伸的、在Y方向仅离开距离G的一对线图形28。线图形26和线图形28的距离为W2。危险图形20A是固定L1、L2、W1、W2以及W4而使G变化。另外，危险图形20A对于其组，取L1、L2、W1、W2以及W4为参数。 

图7(a)是表示测定角的危险图形20B的平面图。危险图形20B由中空矩形图形22a构成，中空矩形图形22a规定一边长度L的中空正方形，具有XY方向的宽度均为W。满足0.3·(λ/NA)＜W＜1·(λ/NA)，即68nm＜W＜227nm、W＜L＜10W。危险图形20B，从角这样的图形上的特殊性考虑孤立地代表，以弯成圆形为对象。 

图7(b)表示作为小岛状图形的危险图形20C的平面图。危险图形20C具有中空矩形图形22b和在其中空部配置的矩形图形24a。图形22b在XY方向的宽度均为Z。图形22b和图形24a的距离在XY方向均为W。图形24a具有Y方向长度L1和X方向长度L2。满足0.3·(λ/NA)＜W＜1·(λ/NA)，即68nm＜W＜227nm，且满足L1＜L2。W是参数。满足Z＞2·(λ/NA)＝454nm。 

再次返回图8。接着对各图形设定最优化的目标值(步骤1006)。作为例子，选择设备功能单位图形的设计数据和最优化后的计算图形形成(転写)结果的尺寸差、以及各种光刻余量(曝光余量，聚焦余量等)。另外选择代表图形的设计数据和最优化后的计算图形形成结果的尺寸差、以及各种光刻余量(曝光余量，聚焦余量等)。对应于图形的重要度而对于每一图形变更目标值。 

接着对于设备的功能单位图形和代表图形双方进行最优化(步骤 1008)。最优化基本使用光学像计算结果。光刻计算假定无象差，OPC在光学像基础上进行。因此作为曝光装置的参数，有透镜的数值孔径(NA)、波长、象差、照明光学系统的二维形状及其强度分布、以及其偏振光状态。关于波长，有激光的色散(E95)、波长稍不同的二波长曝光方式。在二波长曝光方式中，从激光器发生数pm波长不同的光。如果波长不同，则由于投影光学系统的色象差使得标线片图形的晶片上的成像点在图形的焦点深度(DOF)相当不同。光学像成为该成像点不同的两个光学像的合成，但是该成像点有两个，因此对于聚焦偏差的光学像的变化变小。从显影上来说DOF扩大。缺点是，即使在最好的聚焦中光学像也比单一波长差。 

使用通过以上的参数形成的光学像而曝光抗蚀剂，但是如果用一样的值(阈值)计算光学像，则发生和图形形成抗蚀剂图像不一致的地方。这点是由于在抗蚀剂上部和下部散焦不同、通过PEB而进行酸扩散、显影过程中由于抗蚀剂的曝光量(酸发生量)的分布使得抗蚀剂的溶解状态不同等引起的。因此，对应于图形边缘的光学像的倾斜等，通过使阈值变化来提高计算值和实验值的一致性。这些从一部分基本图形的实验结果和光学像结果的对应关系来决定。 

在本实施例的步骤1008，首先进行NA、波长、照明条件的最优化，接着进行象差的最优化。 

首先，在NA的最优化中，对于NA从曝光装置的最大值开始最优化。这是因为NA除DOF外对于图形形成而言越高越理想。因为波长分布(E95)、二波长曝光方式使像质(对比度)变差，所以除后面表示的特殊的最优化的情况外，把波长分布(E95)取最小值、不使用二波长曝光方式作为初始值， 

对于照明以下面的两种方式进行最优化。第一方式以典型的有效光源形状作为基础进行最优化。在有效光源形状中，有圆形、环带(图9(a)到(c))、二重极(图9(d)及(e))、四重极(图9(f)及(g))、多重极等。它们对于许多设备图形是有效的。因此，把这些有效光源形状作为标准在曝光装置中设定。 

本方式可以使用衍射光栅得到任意的有效光源形状。这样的方式称为AFIS(Advanced Flexible Illumination System，高级弹性照明系统)。AFIS对于各有效光源形状使用照明光学系统的变焦功能能够进行相似形状的变更。开口部分的照度不均匀，具有分布。该分布有时在曝光装置之间有差别，但在这里是处理在设计上存在的平均分布。开口形状及其照度分布相当于最终三维地表现照明的强度分布，并不是对其进行位映射而是对其进行函数化。函数由多种参数构成，把其参数作为最优化的指标。 

对于照明而言，在照度之外还有偏振光这样的物理量。下面说明偏振光。偏振光分为在由从透镜射出的光线和向抗蚀剂的折射入射光/反射光形成的平面上与曝光光的电场平行的和垂直的两种。前者称为TM偏振光、X偏振光、径向偏振光等。后者称为TE偏振光、Y偏振光、切向偏振光等。因为光学像的对比度是后者一方高，所以在最优化中使用后者。具体说，在中心有开口的圆形照明的场合，对于一种图形方向，设定图9(a)所示那样的偏振光成为Y偏振光的状态，在中心无开口的场合，设定图9(c)以及(g)所示那样的切向偏振光。但是，在限定偏振光的场合，因为有时发生图形变形，所以也把均匀混合双方偏振光的无偏振光作为最优化的对象。 

由此，可以用使用AFIS的函数的参数而表现的三维形状和三种偏振光状态(中心有开口的圆形照明的Y偏振光、中心无开口的照明的切向偏振光、无偏振光)的组合来表现照明状态。计算以这一状态指定的光刻余量等，谋求照明的最优化。因为最优化的对象图形有多个，所以各自的图形越过(clear)目标值的共同区域成为解。 

本方式在使用的曝光装置可设定的范围内求解。由此，可以在算出解之后立即执行，另外，通过限定决定照明特性的参数数目而能够缩短求解的处理时间。再有，因为是在曝光装置的大体标准功能内，所以可以最大限度抽取照度或者其均匀性。 

在第二方式中，把圆形的照明区域细分，如图9(h)所示，计算在各细分的部分指定的图形的尺寸差或者光刻余量。把照明的各部 位在晶片上的成像中为不相干作为前提。偏振光考虑各部位的径向和切向照明。如图10(a)到(d)所示，在照明的各部位计算两个偏振光指定的图形的尺寸差或者光刻余量。这里，图10(a)到(d)是几个图形和对它们的评价点(用线段表示)的平面图。评价项目以DOF、EL、对比度、MEF(Mask Error Factor，掩模误差因子)等进行。把这些在全照明区域中进行，并制作在何处使用何种偏振光是良好这样的映射表。对此，通过选择越过指定的光刻余量值的，实现照明的最优化。在结果中有可能存在非常特殊的情况，但是，在本方式中目标是算出计算上的理想值，实际使用的有效光源形状是考虑各种显示情况而决定。 

再次返回图8，对于最优化的设备的功能单位图形以及代表图形，判断是否存在满足在步骤1006设定的目标值的共同的解(步骤1010)。在解不存在的场合，判断是否多次执行最优化(步骤1012)。 

在没有多次执行最优化的场合，进行代表图形的再选择，或者变更与图形设计数据的忠实性、光刻余量等的目标值，再次进行最优化(步骤1014)。在进行再选择的场合返回步骤1002，在变更目标值的场合返回步骤1006。 

在变更目标值的场合(步骤1014、1006)，在DOF不够的场合减小NA或者使用二波长曝光方式再次进行最优化。但是，在曝光余量同时也未达到的场合，因为通过上述的对策而更加恶化，所以不执行这样的对策而中止最优化，设定错误标志。因为E95是微妙的调整，所以不怎么使光刻余量变化，对于图形匹配的调整有效。即使在进行这样的调整、多次进行再次最优化的情况下解也不存在的场合，中止最优化，设定错误标志(步骤1020)。 

另一方面，在解不存在时(步骤1010)、多次进行最优化的场合(步骤1012)，前进到步骤1016。在步骤1016，在最优化指定图形是存储单元的场合，没有存储单元和基本图形组的共同解，但是判断是否存在各自的单独解。在单独解存在的场合，分割存储单元和外围电路后提示曝光的方法，各自单独地从最初重新进行最优化(步骤 1018)。因为这点是特殊的，所以作为选项对待。如果单独解不存在，则中止最优化，设定错误标志(步骤1020)。 

另一方面，在解存在的场合(步骤1010)，通常不可能对于解的全部参数仅存在单一值，在各参数中存在解的宽度。以该背景为基础，对于照明最优化的两种方式的每一种，从上位开始提示多个解(步骤1022)。 

其后，如果仅是AFIS的场合，则区分使用已有的数据库以现状曝光装置的照明就可以的和不可以的(步骤1024)。接着判断是否制作新的AFIS(步骤1026)。在判断为要制作新的AFIS的场合(步骤1026)，就那样做(步骤1028)，在判断为不要制作新的AFIS的场合(步骤1026)，测定实际的曝光装置的照明状态(形状、强度分布)，判断是否通过位映射表取入使用(步骤1030)。通过把实际的曝光装置的状态导入系统中，能够提高使用该曝光装置时的解的精度。如判断为使用(步骤1030)，则取得数据(步骤1032)。在步骤1028、步骤1030中为否的场合，在步骤1032后进行象差的最优化时，选择是重视失真进行还是重视与设计数据的尺寸差、光刻余量进行(步骤1034)。 

象差可以通过驱动或者变形投影光学系统的几个透镜来进行调整。另外，在反射折射系统中也可以使用镜面的驱动。作为象差给与图形化的影响，可分为最优化对象图形的“图形形成忠实性、光刻余量”和“失真”两种。用简单的表述的话，是分辨力和重合精度。它们因为在象差调整上调整象差项目不同所以最好分开。前者在对象差进行泽尔尼克展开时影响全部项，后者强烈依赖第一项和第二项。 

在重视“失真调整”的场合(步骤1034)，进行象差调整功能和扫描调整，以使最接近目的失真数据(包含理想光栅)(步骤1036)。然后，对于NA、照明、波长中最适合的多个最优解的每一个，选择最接近目标失真的解(步骤1038)。 

在重视“最优化对象图形的图形形成忠实性、确保光刻余量”的场合(步骤1034)，前进到下一步骤1040。在步骤1040，使用现状的 曝光装置的象差数据、以及通过曝光装置的象差调整功能重新规定的几种象差，对于NA、照明、波长中最优的多个最优解的每一个，计算目的图形形成忠实性和光刻余量。然后，选择这些最优的解(步骤1042)。 

在这种方式中不进行重复作业，唯一地从“基于NA、照明、波长的多个最优解”和“多个象差设定”的组合中求最优解(步骤1044)。在取双方的平衡的场合，使用在照明、NA、波长的最优化中使用的“对于设备的功能单位图形和基本图形双方的最优化引擎”。然后进行“图形形成忠实性、光刻余量”和“失真”的目标值的输入，把象差调整功能范围内的象差作为变量，能够得到最优的照明和象差的解。但是，因为在使用本技术的水平的曝光装置中象差量小，所以结果的差也小。因此，从处理时间这一点考虑，到此为止的最优化一般效率差，如上所述选择任何两极都是有效的。 

最后，作为选项取得几个项目的计算结果，进行掌握最优化曝光条件中的整体的图形形成状况的辅助(步骤1046)。第一项目是对于线宽度固定而使间距变化的一维图形、各种线端等的二维图形、线条-间隙的任意组合图形的尺寸或者光刻余量。第二项目是在上述图形、以及曝光最优化中使用的设备的功能单位图形、代表图形等的处理窗口。 

【第二实施例】 

在第一实施例中说明的代表图形是代表例，因为在外围电路图形中存在非常特殊的图形，所以在第一实施例的代表图形中存在其不好分辨的可能性。下面参照图11说明避免这样的问题的方法。这里，图11是本发明的第二实施例的最优化算法的流程图。 

到步骤1022与第一实施例相同。在步骤1022后，对于各自的曝光条件，在芯片整体或者一部分重要区域进行称为光刻验证的作业(步骤1102)。光刻验证首先，进行对于使用的曝光条件的OPC处理，对于该图形进行高速的光学计算。接着，计算抗蚀剂的二维形状和设计值的尺寸差、曝光余量、聚焦余量等，在没有一定余量的位置设置 错误标志。该位置有时称为热点。 

这里，判断是否存在热点(步骤1104)。如果没有热点(步骤1104)，则转移到图8的步骤1024。另一方面，如果有热点(步骤1104)，则判断是否是规定次数NG(步骤1106)。在最初的NG的场合(步骤1106)，从库中自动或者手动选择该图形自身、或者与该图形类似的基本图形、危险图形，向基本图形组追加(步骤1108)，根据情况，从基本图形组中删除不适当的图形。其后，返回步骤1004，再次实现最优化。在时间允许的条件下进行减少这样的热点的处理，把热点抑制到完全没有或者极少数。在第二次及以后的NG的场合(步骤1106)，判断NG是否是规定次数(步骤1110)，如果NG未到规定次数，则返回步骤1006，变更条件。另一方面，如果达到规定次数，则设立错误标志，结束最优化处理(步骤1112)。 

【第三实施例】 

存在在其他曝光装置中使用在某曝光装置中使用了的标线片的场合。该场合要求在晶片上形成和以往大体同样的图形。一般，对于标线片进行了OPC处理，其规格依赖于以前的曝光装置的特性。然后，因为在曝光装置中存在装置间的特性，所以即使使用相同的OPC规格的标线片，如果曝光装置不同，则在晶片上也不能形成相同图形的可能性高。 

最优化的基本方法和第一实施例相同。但是，在本实施例中，在步骤1002和1004，向系统输入最优化的设备功能单位图形的标线片图形数据(附以OPC)及其在晶片上的图形形成(patterning)结果。在第一实施例中从各种最优化指标中选择任意的指标(步骤1006)，但是在这里，把和输入的晶片上的形成图形的尺寸差作为最优化指标。 

另外，关于步骤1008，在曝光装置的最优化中使用的参数的初始值仅NA和第一实施例不同，使用以前的曝光装置的NA。作为特殊的例子，在稍微使图形晕映时能够得到良好的图形的一致性的场合，(1)降低NA、(2)使用二波长曝光方式、(3)使用波长分布(E95)。 

在决定最优曝光条件后，和第一实施例相同，把基本图形等的光 刻状况作为选项输出(步骤1046)，但是在该实施例中，要重视下述的点。在标线片的随机逻辑图形中存在已有的OPC，但是要考虑和最优化的照明中的OPC的差。为掌握这点，对于模型库OPC抽取图形，在存在图形形成结果的场合，事先输入该结果和设计数据，显示对于设计数据的计算结果和实验结果的差。 

在不存在图形形成结果的场合，计算确认在已有曝光装置中使用了的曝光条件和在新的曝光装置中最优化了的曝光条件下的模型库OPC抽取图形的尺寸差异。由此，能够粗略掌握新曝光条件中的随机逻辑部图形形成状况。在系统中安装有模型库OPC抽取图形。但是，最好对于其各种图形，制作包含使参数变化的图形的标线片，在已有曝光装置中实验形成这些图形后输入系统。然后，对于实验形成的图形算出计算结果，比较两者。 

【第四实施例】 

规定代表图形的形状的参数是由作为对象的设备的节点等来决定，但是关于更加适合作为对象的设备的参数的设定、以及自动设定，提出建议。有设计·规则·检查器(Design Rule Checker：DRC)这样的EDA工具。它是对于全芯片的设计数据检查配线系统的L&S、间距、面积等的工具。统计处理这些检查结果，则能够求芯片中的间距等的存在频度分布。从这里得到最小值或者最经常使用的值等的信息后，选择适合该信息的图形，则能够设定更加适合作为对象的设备的参数。此外，如果把基本图形、危险图形的形状编入DRC的规则中，则能够从其频度结果自动设定规定形状的参数。 

上述是设计数据存在的场合。但是，在设计数据不存在、仅标线片存在的场合，推定设计值。该推定例如通过以适当的曝光条件在晶片台上投影标线片、用晶片台上的光学像传感器测定标线片的代表性部位的光学像、使切片级中的二维图形矩形化来进行。然后，对其进行DRC处理。 

Claims (10)

1.一种曝光参数以及标线片图形的决定方法，所述方法决定使用来自光源的光和光学系统在被曝光体上曝光所述标线片图形的像时的曝光参数以及所述标线片图形，该决定方法的特征在于，具有：

取得半导体存储器的电路图形的功能单位图形和代表所述电路图形的外围电路图形的代表图形的信息，通过进行所述功能单位图形及所述代表图形的光学像计算，决定所述光源以及所述光学系统中的至少一方的曝光参数以及用于在所述被曝光体上形成所述功能单位图形和所述外围电路图形的所述标线片图形的大小或形状的步骤。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述代表图形包含成为所述代表图形的基础的基本图形和所述代表图形中比所述基本图形难以分辨的危险图形。

3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，进一步具有：

选择所述半导体存储器的电路图形整个区域或者特定区域的步骤，

采用由所述决定步骤临时决定的曝光参数，评价由所述选择步骤选择了的区域的分辨力的步骤，和

根据所述评价步骤的评价，进行所述代表图形的再选择，执行所述决定步骤，从而重新决定所述曝光参数的步骤。

4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，

所述方法使用于具有所述光学系统的第一曝光装置，

所述方法具有：在与所述第一曝光装置不同的第二曝光装置中为了分辨所述标线片图形而部分地变更所述标线片图形的大小或形状的场合，进一步取得所述第二曝光装置中的所述标线片的实际曝光结果的步骤。

5.根据权利要求4所述的方法，其特征在于，进一步具有：

根据在所述决定步骤中决定了的所述曝光参数，在所述第一曝光装置中模拟曝光了所述标线片的场合的曝光结果的步骤，和

根据所述实际曝光结果和所述模拟结果，取得由所述第一曝光装置以及与所述第一曝光装置不同的第二曝光装置对于所述标线片图形的分辨性能的信息。

6.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，进一步具有：

使用设计·规则·检查器来测定所述外围电路图形的步骤，和

根据通过所述测定步骤得到的测定结果而生成所述代表图形的步骤。

7.根据权利要求6所述的方法，其特征在于，

进一步具有从实际曝光了所述标线片的结果类推所述外围电路图形的步骤，

所述测定步骤是对于所述类推的所述外围电路图形进行。

8.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述代表图形包含多种图形。

9.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述决定步骤中，在所述光源以及所述光学系统可实际设定的参数的范围内，决定曝光参数。

10.一种曝光方法，所述方法使用来自光源的光和光学系统在被曝光体上曝光标线片图形的像，该曝光方法的特征在于，具有：

设定由权利要求1至9的任一项所述的方法所决定的曝光参数的步骤；和

在该设定中，在被曝光体上曝光所述标线片图形的像的步骤。

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