JP7116757B2 - ウエハレベル欠陥の転写性を予測する装置および方法 - Google Patents
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Description
本出願は、2014年5月6日に出願した米国仮出願第61/988,909号、および2014年9月23日に出願した米国仮出願第62/054,185号の優先権を主張するアブドゥラフマン セズジナー(Abdurrahman Sezginer)らが2015年5月1日に出願した先の米国特許出願第14/702,336号の優先権を主張するものであり、一部継続出願である。これらの出願は、あらゆる目的のために全体が参照により本明細書に組み込まれる。
本発明のいくつかの実施形態は、較正マスクから再現されるマスクの近距離場(近接場)に基づいてリソグラフィモデルを較正する技法を提供し、この較正されたモデルは、後で、モデル使用の実施形態に関してさらに後述される欠陥検出または他の目的の間に使用することができる。そのような較正プロセスは、設計データベースに基づいている較正プロセスなどの他の技法と比較してより正確なリソグラフィモデルになる。設計データベースの手法は、設計データベース中の幾何学的形状が製造されるマスク上のパターンを正確に表すと仮定するが、典型的には、これは事実と異なる。他の較正技法は、製造されるマスクのパターンおよび材料は予め選択された3次元プロファイルおよび1セットの材料特性の説明によって正確に表すことができるという仮定を行う。対照的に、本明細書中に記載されるようないくつかの較正の実施形態は、リソグラフィモデルを正確に較正するように実際のレチクルから再現されるマスクの近距離場を利用することによってこれらのモデリングの不完全性を回避する。
特定のプロセスのための最終的な較正済みのリソグラフィ/レジストのモデルが得られた後、そのようなモデルは、そのようなマスクを用いてウエハを製造する前に(例えば、現像後またはエッチング後に)マスクから正確なウエハ平面のレジスト画像を生成するのに使用することができる。これらのレジスト画像は、高い忠実度でおよび異なる焦点および露光の設定によって任意の検査パターンについてウエハ画像を人が査定することを可能にする。この評価プロセスはウエハ製造前に行うことができるので、評価および欠陥検出のサイクルはかなり短縮することができる。
Claims (14)
- フォトリソグラフィのレチクルを評価する方法であって、
テストレチクルの複数のパターンエリアの各々から、レチクルの画像をウエハ上へ投影する際に使用される開口数と同じ開口数であって、0.5未満の開口数を有するレンズを用いて複数の画像を取得するステップと、
リソグラフィモデルを前記複数の画像に基づいて再現されたレチクル近接場に適用して複数のテストウエハ画像をシミュレートし、互いに異なるプロセス条件下でシミュレートされた複数のテストウエハ画像を互いに比較して、ウエハパターンの差が閾値よりも大きい場合、当該ウエハパターンを欠陥とみなすステップと、
を含むことを特徴とする方法。 - 請求項1に記載の方法であって、取得した前記画像は、異なるイメージング条件で取得される少なくとも3つの反射画像を含み、前記異なるイメージング条件が、異なる焦点設定、異なる結像系の瞳形状、または異なる照明構成を含み、前記異なる照明構成が、異なるソース強度分布と偏光設定の少なくともいずれかを含むことを特徴とする方法。
- 請求項1に記載の方法であって、取得した前記画像は、異なるイメージング条件で取得される少なくとも3つの透過画像を含み、前記異なるイメージング条件が、異なる焦点設定、異なる結像系の瞳形状、または異なる照明構成を含み、前記異なる照明構成が、異なるソース強度分布と偏光設定の少なくともいずれかを含むことを特徴とする方法。
- 請求項1に記載の方法であって、さらに、
リソグラフィモデルを前記テストレチクルについての前記レチクル近接場に適用して、複数のテストウエハ画像をシミュレートするステップと、
シミュレートされた前記テストウエハ画像を解析して、前記テストレチクルが不安定なウエハまたは欠陥ウエハになる可能性があるかを決定するステップと、
を含み、
前記リソグラフィモデルが、フォトリソグラフィプロセスをシミュレートするように構成されていることを特徴とする方法。 - 請求項4に記載の方法であって、前記リソグラフィモデルが較正レチクルのためのデザインデータベースから描画された画像で較正されることを特徴とする方法。
- 請求項4に記載の方法であって、前記リソグラフィモデルが較正レチクルから取得された画像で較正されることを特徴とする方法。
- 請求項4に記載の方法であって、前記リソグラフィモデルが、複数の異なるリソグラフィプロセス条件下で、前記テストレチクルに対して再現された前記レチクル近接場に適用されることと、シミュレートされた前記テストウエハ画像の解析が、異なるプロセス条件と同じレチクルエリアとに関連しているシミュレートされた前記テストウエハ画像の部分同士を比較することによって、前記テストレチクルが前記異なるリソグラフィプロセス条件下で不安定なウエハになる可能性があるかを決定することを含むこと、を特徴とする方法。
- フォトリソグラフィのレチクルを評価するイメージングシステムであって、
入射ビームを生成する光源と、
前記入射ビームをレチクル上へ向ける照明光学系モジュールと、
前記レチクルの各パターンエリアからの出力ビームを少なくとも1つのセンサへ向ける集光光学モジュールと、
前記出力ビームを検出し、前記出力ビームに基づいて画像または信号を生成する少なくとも1つのセンサと、
コントローラであって、以下の動作、すなわち、
テストレチクルの複数のパターンエリアの各々から、レチクルの画像をウエハ上へ投影する際に使用される開口数と同じ開口数であって、0.5未満の開口数を有するレンズを用いて複数の画像を取得させ、
リソグラフィモデルを前記複数の画像に基づいて再現されたレチクル近接場に適用して複数のテストウエハ画像をシミュレートし、互いに異なるプロセス条件下でシミュレートされた複数のテストウエハ画像を互いに比較して、ウエハパターンの差が閾値よりも大きい場合、当該ウエハパターンを欠陥とみなす、ことを実行するように構成されているコントローラと
を備えることを特徴とするシステム。 - 請求項8に記載のシステムであって、取得した前記画像が、異なるイメージング条件で取得される少なくとも3つの反射画像を含み、前記異なるイメージング条件が、異なる焦点設定と異なる結像系の瞳形状とを含むことを特徴とするシステム。
- 請求項8に記載のシステムであって、取得した前記画像が、異なるイメージング条件で取得される少なくとも3つの透過画像を含み、前記異なるイメージング条件が、異なる焦点設定と異なる結像系の瞳形状とを含むことを特徴とするシステム。
- 請求項8に記載のシステムであって、前記コントローラがさらに、
リソグラフィモデルを前記テストレチクルについての前記レチクル近接場に適用して、複数のテストウエハ画像をシミュレートし、
シミュレートされた前記テストウエハ画像を解析して、前記テストレチクルが不安定なウエハまたは欠陥ウエハになる可能性があるかを決定する、ように構成され、
前記リソグラフィモデルは、フォトリソグラフィプロセスをシミュレートするように構成されていることを特徴とするシステム。 - 請求項11に記載のシステムであって、前記リソグラフィモデルが較正レチクルのためのデザインデータベースから描画された画像で較正されることを特徴とするシステム。
- 請求項11に記載のシステムであって、前記リソグラフィモデルが較正レチクルから取得された画像で較正されることを特徴とするシステム。
- 請求項11に記載のシステムであって、前記リソグラフィモデルが、複数の異なるリソグラフィプロセス条件下で、前記テストレチクルに対して再現された前記レチクル近接場に適用されることと、シミュレートされた前記テストウエハ画像の解析が、異なるプロセス条件と同じレチクルエリアとに関連しているシミュレートされた前記テストウエハ画像の部分同士を比較することによって、前記テストレチクルが前記異なるリソグラフィプロセス条件下で不安定なウエハになる可能性があるかを決定することを含むこと、を特徴とするシステム。
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