JP2007184378A5 - - Google Patents

Download PDF

Info

Publication number
JP2007184378A5
JP2007184378A5 JP2006000957A JP2006000957A JP2007184378A5 JP 2007184378 A5 JP2007184378 A5 JP 2007184378A5 JP 2006000957 A JP2006000957 A JP 2006000957A JP 2006000957 A JP2006000957 A JP 2006000957A JP 2007184378 A5 JP2007184378 A5 JP 2007184378A5
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
substrate
exposure apparatus
exposure
information
focusing
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP2006000957A
Other languages
English (en)
Japanese (ja)
Other versions
JP2007184378A (ja
Filing date
Publication date
Application filed filed Critical
Priority to JP2006000957A priority Critical patent/JP2007184378A/ja
Priority claimed from JP2006000957A external-priority patent/JP2007184378A/ja
Publication of JP2007184378A publication Critical patent/JP2007184378A/ja
Publication of JP2007184378A5 publication Critical patent/JP2007184378A5/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

JP2006000957A 2006-01-05 2006-01-05 露光装置における露光量および／または焦点合わせのための基板の位置を求める方法および装置 Pending JP2007184378A (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2006000957A JP2007184378A (ja) 2006-01-05 2006-01-05 露光装置における露光量および／または焦点合わせのための基板の位置を求める方法および装置

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2006000957A JP2007184378A (ja) 2006-01-05 2006-01-05 露光装置における露光量および／または焦点合わせのための基板の位置を求める方法および装置

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2007184378A JP2007184378A (ja) 2007-07-19
JP2007184378A5 true JP2007184378A5 (enExample) 2009-02-26

Family

ID=38340214

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2006000957A Pending JP2007184378A (ja) 2006-01-05 2006-01-05 露光装置における露光量および／または焦点合わせのための基板の位置を求める方法および装置

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP2007184378A (enExample)

Families Citing this family (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP4898419B2 (ja) * 2006-01-05 2012-03-14 キヤノン株式会社 露光量のおよびフォーカス位置のオフセット量を求める方法、プログラムおよびデバイス製造方法
JP4956510B2 (ja) * 2008-08-25 2012-06-20 株式会社東芝 パターン計測装置、パターン計測方法およびプログラム
KR102238708B1 (ko) 2014-08-19 2021-04-12 삼성전자주식회사 리소그래피 공정의 초점 이동 체크 방법 및 이를 이용한 전사 패턴 오류 분석 방법
CN109212916B (zh) * 2017-06-30 2022-02-15 上海微电子装备（集团）股份有限公司 一种曝光显影装置及方法

Family Cites Families (19)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS62132318A (ja) * 1985-12-04 1987-06-15 Canon Inc 露光装置
JP3417051B2 (ja) * 1994-05-20 2003-06-16 東洋インキ製造株式会社 光源に依存しない特徴パラメータ値を用いた色情報処理方法および装置
JPH1032160A (ja) * 1996-07-17 1998-02-03 Toshiba Corp パターン露光方法及び露光装置
JPH1064801A (ja) * 1996-08-13 1998-03-06 Sony Corp 露光装置及び露光方法
JP2001034749A (ja) * 1999-07-26 2001-02-09 Toyo Ink Mfg Co Ltd 色再現装置
JP2002353104A (ja) * 2001-05-24 2002-12-06 Hitachi Ltd 半導体デバイスの露光方法、その露光システム及びそのプログラム
JP3997066B2 (ja) * 2001-08-20 2007-10-24 株式会社日立製作所 電子線を用いたプロセス変動監視システムおよび方法
JP3839306B2 (ja) * 2001-11-08 2006-11-01 株式会社ルネサステクノロジ 半導体装置の製造方法および製造システム
JP2003273009A (ja) * 2002-01-08 2003-09-26 Tokyo Electron Ltd 基板処理方法及び基板処理装置
JP4302965B2 (ja) * 2002-11-01 2009-07-29 株式会社日立ハイテクノロジーズ 半導体デバイスの製造方法及びその製造システム
JP3848332B2 (ja) * 2003-08-29 2006-11-22 キヤノン株式会社 露光方法及びデバイス製造方法
US6873938B1 (en) * 2003-09-17 2005-03-29 Asml Netherlands B.V. Adaptive lithographic critical dimension enhancement
US7010776B2 (en) * 2003-10-27 2006-03-07 International Business Machines Corporation Extending the range of lithographic simulation integrals
SG125970A1 (en) * 2003-12-19 2006-10-30 Asml Masktools Bv Feature optimization using interference mapping lithography
US7079223B2 (en) * 2004-02-20 2006-07-18 International Business Machines Corporation Fast model-based optical proximity correction
US7653890B2 (en) * 2004-04-02 2010-01-26 Cadence Design Systems, Inc. Modeling resolution enhancement processes in integrated circuit fabrication
US7126668B2 (en) * 2004-04-28 2006-10-24 Litel Instruments Apparatus and process for determination of dynamic scan field curvature
JP4745688B2 (ja) * 2005-03-17 2011-08-10 キヤノン株式会社 位置検出方法及びその装置
JP4898419B2 (ja) * 2006-01-05 2012-03-14 キヤノン株式会社 露光量のおよびフォーカス位置のオフセット量を求める方法、プログラムおよびデバイス製造方法

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP2007208245A5 (enExample)
CN108333865B (zh) 掩膜版图形的修正方法
JP2005181523A5 (enExample)
JP2009508161A5 (enExample)
JP2014240899A5 (enExample)
JP7477564B2 (ja) ホットスポット及びプロセスウィンドウ監視装置
JP2015502668A5 (enExample)
TWI552245B (zh) 結合晶圓實體測量結果與數位模擬資料以改善半導體元件之製程的方法
US7820346B2 (en) Method for collecting optical proximity correction parameter
TW200739276A (en) Method and program for calculating exposure dose and focus position in exposure apparatus, and device manufacturing method
EP1814143A4 (en) EXPOSURE CONDITIONING SETUP METHOD, SUBSTRATE PROCESSING DEVICE AND COMPUTER PROGRAM
WO2006023612A3 (en) Sub-nanometer overlay, critical dimension, and lithography tool projection optic metrology systems based on measurement of exposure induced changes in photoresist on wafers
JP2015034973A5 (enExample)
JP2015012258A5 (enExample)
US20120005635A1 (en) Method of forming photomask, computer-readable recording medium storing programmed instructions for executing the method, and mask imaging system
US9111067B2 (en) Grouping layout features for directed self assembly
JP2011237798A5 (enExample)
US20150268551A1 (en) Producing resist layers using fine segmentation
JP2009117491A5 (enExample)
JP2013120290A5 (enExample)
JP2005055878A5 (enExample)
JP2007184378A5 (enExample)
CN102087469B (zh) 光学临近效应修正的建模方法及测试图形的形成方法
JP4896898B2 (ja) パターン作成方法および半導体装置の製造方法
JP2005024903A (ja) パターン補正方法、パターン補正システム、マスク製造方法、半導体装置製造方法、パターン補正プログラム、及び設計パターン