JP2007025317A - 自発光表示装置、発光条件最適化装置、発光条件最適化方法及びプログラム - Google Patents

自発光表示装置、発光条件最適化装置、発光条件最適化方法及びプログラム Download PDF

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Abstract

【課題】高画質を維持したまま最大消費電力を抑制する。
【解決手段】面単位の平均輝度レベルが大きいほど短い発光期間を対応付ける際、基準値より大きい平均輝度レベルに対しては、平均輝度レベルが大きいほど発光期間を非線形に短縮する。このように対応付けられた発光期間で、アクティブマトリクス型の自発光表示装置の発光を制御する。
【選択図】図19

Description

発明の一つの形態は、自発光素子をマトリクス状に配列した自発光表示装置に関する。
また、発明の一つの形態は、自発光表示装置に搭載する発光条件最適化装置及び発光条件最適化方法に関する。また、発明の一つの形態は、自発光表示装置に搭載した演算装置(コンピュータ)に実行させる発光条件最適化用のプログラムに関する。
自発光素子には、例えばEL(Electro Luminescence)素子、LED(Light
Emitting Diode)素子、PDP(Plasma Display Panel)素子、FED(Field Emission Display)素子がある。
有機EL素子は、10V以下の電圧で数100nitの輝度を得ることができる発光効率に優れた発光素子である。また、有機EL素子は、コントラスト性能が良好で低階調表示における表示特性が優れている。このため、次世代のフラットパネルディスプレイとして有望視されている。
一方で、発光輝度、コントラスト、消費電力は、発光素子である有機EL素子の特性に依存する。
特開2003−228331号公報
ところで、昨今のディスプレイデバイスには、さらなる高輝度化が求められている。これに伴い、有機EL素子の駆動電圧又は駆動電流は高くなる傾向がある。
しかし、高電圧又は高電流の継続的な印加は、有機EL素子を劣化させて寿命を早める問題がある。同時に、高電圧又は高電流の継続的な印加は、消費電力を増大させる問題がある。
発明者らは以上の技術課題に着目し、各画素の発光条件を最適化する技術として、以下の処理機能を有するものを提案する。
(a1)全画素の表示データに基づいて面単位の平均輝度レベルを求める平均輝度検出部
(a2)面単位の平均輝度レベルが大きいほど短い発光期間を対応付けるルックアップテーブルであって、基準値より大きい平均輝度レベルに対しては、平均輝度レベルが大きいほど発光期間を非線形に短縮する対応関係を記録したルックアップテーブル
(a3)平均輝度検出部で検出された平均輝度レベルに対応する発光期間をルックアップテーブルから読み出し、当該発光期間で各画素が発光するように制御する制御信号を駆動回路に出力する発光期間制御部
また、発明者らは、同等の機能を演算処理を通じて実現できる技術として、以下の処理機能を有するものを提案する。
(b1)全画素の表示データに基づいて面単位の平均輝度レベルを求める平均輝度検出部
(b2)面単位の平均輝度レベルが大きいほど短い発光期間を対応付ける発光期間算出部であって、基準値より大きい平均輝度レベルに対しては、平均輝度レベルが大きいほど発光期間を非線形に短縮する対応関係を有する関数に従って発光期間を算出する発光期間算出部
(b3)発光期間算出部で算出された発光期間で各画素が発光するように制御する制御信号を駆動回路に出力する発光期間制御部
これらの技術の採用により、発光期間を面単位の平均輝度レベルに応じて最適化することができる。すなわち、面単位の平均輝度レベルが基準値より大きい画像に対しては、平均輝度レベルが大きいほど発光期間が非線形に短縮される。これにより、表示データを加工しなくても、最大消費電力を一定範囲内に抑制できる。
以下、発明に係る技術を搭載した有機EL表示装置について説明する。
なお、本明細書で特に図示又は記載されない部分には、当該技術分野の周知又は公知技術を適用する。
また以下に説明する形態例は、発明の一つの形態例であって、これらに限定されるものではない。
(A)発光期間の可変制御による基本的な効果の説明
まず、発光期間を可変制御することにより得られる基本的な効果を説明する。
図1に、有機EL素子に流れる駆動電流Ielと発光輝度Lelとの対応関係を示す。図1に示ように、駆動電流Ielと発光輝度Lelには比例関係が認められる。
ところで、一般的なディスプレイの階調表示特性には、人間工学的見地から2.2乗の入出力特性が求められる。すなわち、表示データ(入力データ)と発光輝度との間に2.2乗の入出力特性が求められる。この非線形の入出力特性をガンマ特性という。
図2に、階調表示特性を示す。なお、横軸は、階調値の最大値を100%として表している。例えば、8ビットの表示データ(入力データ)の場合、階調値の“255”を100%として示す。また、縦軸は、階調値の“255”に対応する輝度を100%として示す。
勿論、アクティブマトリクス型の有機ELディスプレイにもこの階調表示特性が求められる。
この階調表示特性は、以下のいずれかの手法により実現される。
(1)表示データ(入力データ)を駆動トランジスタの電圧値に変換するデジタル/アナログ変換回路に2.2乗の特性を持たせる手法
(2)駆動トランジスタのゲート電圧に対するドレイン電流の出力特性に2.2乗の特性を持たせる手法
この階調表示特性により、有機ELディスプレイ全体としての消費電力Welは、個々の有機EL素子に流れる駆動電流Ielの総和に電源電圧を乗算した値として算出される。すなわち、Wel=ΣIel・(電源電圧)として算出される。
このことは、消費電力が画面全体の明るさ、言い換えれば1フレーム内のデータ量に比例することを意味する。
従って、発光期間を可変制御(変調)しない場合の消費電力は、平均入力データレベルとの関係において図3に示すようになる。
ここでの平均入力データレベルは、1フレーム(画面)単位の平均輝度レベル(APL:Average Picture Level)を意味する。なお、図3の横軸は、全面白(全画素が100%輝度)を「100」とした100分率で示している。また、図3の横軸は、全面白の消費電力を「1」として、平均入力データレベルAPLの消費電力の値を示している。
このように、1フレームの全期間を発光期間とすると、画面全体の消費電力は、平均入力データレベルAPLの2.2乗で与えられる特性曲線に沿って増加する。
この特性は、発光期間を1フレーム期間の一部に制限する場合にも同様である。図4に、発光期間を1フレーム期間の25%、50%、75%に固定した場合の平均入力データレベルと消費電力との関係を示す。
なお、図4の横軸は、1フレーム期間を100%とし、発光している期間の割合をパーセント表示したものである。なお、発光期間以外では、有機ELディスプレイは消灯しているものとする。
また、図4の縦軸は、発光期間を1フレーム期間の75%とする場合に全面白を表示する場合の消費電力を「100」として表している。
当然ながら、消費電力は、同じ平均入力データレベルでも発光期間が長いほど大きくなっている。
以上より、消費電力の低減には、発光期間の短縮が効果的であることが分かる。
しかし、単純に発光期間を短縮したのでは、十分な発光輝度を得ることができない。すなわち、画質の再現性に問題がある。
そこで、平均入力データレベル(面単位の平均輝度レベル)APLに応じて発光期間を能動的に可変制御する。図5に、平均入力データレベルAPLに対する発光期間の対応付け例を示す。
図5は、平均入力データレベルAPLの0%〜100%に対し、発光期間を1フレーム期間の25%〜75%の範囲で可変する例について示す。すなわち、平均輝度が小さいほど発光期間を長くし(75%)、平均輝度が大きいほど発光期間を短くする(25%)例について示す。平均輝度が小さい場合の発光期間を長くするのは、低輝度画面でのコントラスト差を十分に確保するためである。例えば小面積の高輝度領域に対して十分な輝度を確保するためである。
図6に、発光期間を平均入力データレベルに応じて可変制御する場合の消費電力を示す。なお、図6には、発光期間をフレーム期間の25%又は75%に固定した場合の消費電力(図4)も重ねて示す。
発光期間を可変制御する場合、×印や▲印を結んだ曲線で示すように、消費電力は発光期間をフレーム期間の75%に固定する場合の40%以下になる。
なお、図中×印を結んだ曲線は、1フレーム全体が同じデータ値で均一に表示する場合に対応する。このような表示を「フラットフィールド表示」という。図7(A)に表示例を示す。
すなわち、▲印を結ぶ実線は、フラットフィールド表示において、平均入力データレベルが0〜100%のとき、平均入力データレベルに応じて発光期間を75%〜25%まで可変させた場合の消費電力の変化を示している。
このフラットフィールド表示での最大消費電力は、次式で計算される。
最大消費電力=(消費電力/単位発光期間)・発光期間・(ガンマ値・入力データレベル)
ここで、発光期間は、1フレームの全期間を「1」とする値である。
一方、図中×印を結んだ曲線は、黒レベルを背景とする明るさ100%の白ウィンドウを、全表示面積に対して0〜100%の範囲で可変する場合に対応する。このような表示を「ウィンドウ表示」という。図7(B)に表示例を示す。
すなわち、×印を結ぶ実線は、ウィンドウ表示において、ウィンドウ面積が0〜100%に応じて、白ウィンドウの発光期間を75%〜25%まで可変させた場合の消費電力の変化を示している。
この白ウィンドウ表示での最大消費電力は、次式で計算される。
最大消費電力=(消費電力/単位発光期間)・発光期間・入力ウィンドウサイズ
以上のように、各画素についての入力データレベルとは独立に面単位での発光期間を制御する手法を採用することにより、有機ELディスプレイのスペックとして最大輝度を低下させることなく、消費電力を抑制することができる。
例えば、発光期間を固定のまま使用する場合の最大消費電力が100Wの場合、発光期間を25%〜75%の範囲(ダイナミックレンジは3倍)で変化させることにより、最大消費電力を33Wまで抑制することができる。
(B)発光条件の最適化処理
前述したように、面単位の平均輝度レベルに対して発光期間を線形に低減することで消費電力を大幅に削減できる。
しかし、面単位の平均輝度レベルは同じでも、白ウィンドウ表示の消費電力は、フラットフィールド表示の消費電力よりも大きくなる。例えば、図8(A)に示す白ウィンドウ表示と図8(B)に示すフラットフィールド表示は共に平均輝度レベルが50%であるが、白ウィンドウ表示はウィンドウ内の輝度が高いため2.2乗のガンマ特性(図3)の影響が大きくなる。
このため、図6に示す白ウィンドウ表示の消費電力曲線(×印を結ぶ実線)は上に凸の形状となり、平均入力データレベルの最大値(100%)よりも小さい値で消費電力が最大になる。すなわち、平均入力データレベルの最大値(100%)(発光期間は最小値(25%))について設定した消費電力を越える場合が発生する。
従って、どのような表示態様であったとしても、画質を維持したままで最大消費電力を満たすように発光条件を最適化することが求められる。実際、一般的な表示画像は、フラットフィールド表示と白ウィンドウ表示の中間態様となる。
発明者らは、以上の観点から以下の制御手法を提案する。
(B−1)形態例1
ここでは、消費電力に影響する2.2乗のガンマ特性を打ち消すように発光期間を制御する手法を説明する。
(a)最適化条件
(1)最大輝度
ここでは、有機ELディスプレイとして表示する最大輝度を、平均入力データレベルAPLが最小かつ発光期間が最大の場合に設定する。
なお、一般的な画像の場合、平均入力データレベルAPLが0%(全黒)から10%の間は、発光期間が可変範囲の最大値に飽和しても、消費電力を低い状態に保つことができるし、視覚的な違和感も生じない。
また、高コントラストを得る意味においても、平均入力データレベルAPLの0%から10%の範囲を最大値に設定する。
もっとも、発光期間を可変範囲の最大値に設定する範囲の上限は平均入力データレベルAPLの10%に限る必要はなく、目的や表示画像の内容によっては20%程度に設定しても良い。
(2)最大消費電力
ここでは、有機ELディスプレイとして共用できる最大消費電力を、平均入力データレベルAPLが最大かつ発光期間が最小の場合に設定する。
この値は、フラットフィールド表示か白ウィンドウ表示かを問わない。すなわち、白ウィンドウ表示でも、平均入力データレベルAPLが最大かつ発光時間が最小の場合が消費電力の最大値を与えるものとする。
(3)発光期間
平均入力データレベル(平均輝度レベル)APLの可変範囲に対応付ける発光期間の可変範囲の条件を以下のように設定する。
まず、可変範囲の上限について説明する。
発光期間の最大値を100%に設定すると、動画再生時に人間の視覚特性により残像が見える可能性がある。このため、有機ELディジプレイは、実際には応答速度が速いにもかかわらず、応答速度が悪いように見える。
そこで、発明者らは、発光期間の最大値は50%未満が最適であると考える。
ただし、発光期間の可変範囲(ダイナミックレンジ)を広く採る観点から、可変範囲の上限は、1フレーム期間(最大可変期間)の80%未満に設定することを推奨する。
すなわち、発明者らは、発光期間の最大値を、目的に応じて1フレーム期間の50%から80%程度の範囲に設定することを推奨する。
次に、可変範囲の下限について説明する。
発光期間を極端に0%に近づけた場合、短い発光期間で所定の輝度を得るためには、有機EL素子の電流密度を高くする必要がある。
しかし、電流密度を上げて高輝度を得ることは、同時に輝度劣化を加速する要因となる。また、発光期間が短いと、アクティブマトリクス型の自発光表示(すなわち、線順次発光)でありながら、陰極線管表示のようなインパルス駆動に近い状態となり、結果として垂直走査周波数(フレームレート)が60Hzの場合に画面のちらつき(フリッカー)が見えて画質を損なう原因になる。
そこで、発明者らは、発光期間の最小値を25%以上が最適であると考える。
ただし、発光期間の可変範囲(ダイナミックレンジ)を広く採る観点から、可変範囲の下限は、1フレーム期間(最大可変期間)の10%から30%程度の間に設定することを推奨する。
すなわち、発光期間の可変範囲を1フレーム期間(最大可変期間)の10%程度〜80%程度に設定する。なお、好ましくは、1フレーム期間(最大可変期間)の25%程度〜75%程度に設定する。さらに好ましくは、1フレーム期間(最大可変期間)の30%程度〜50%程度に設定する。
(4)ガンマ特性の打ち消し
前述したように、平均入力データレベルAPLの0%(全黒)から10%の間は、発光期間が可変範囲の最大値を割り当てる一方で、平均入力データレベルAPLが10%以上の区間は、面単位の平均入力データレベルAPLが大きいほど短い発光期間を対応付ける。
ただし、平均入力データレベルに対して発光期間を線形に割り当てたのでは、前述の最大消費電力を満たすことができない。
そこで、発明者らは、基準値(例えば50%)より大きい平均入力データレベルに対しては、平均入力データレベルが大きいほど発光期間を非線形に短縮する。すなわち、平均入力データレベルAPLの50%から100%の間は、ガンマ特性(2.2乗)を打ち消すような非線形カーブで発光期間を短縮する。なお、このように発光期間を短縮しても、1フレームの画像は2.2乗のガンマ特性を持っているため、画質を損なうことは全くない。
なお、入力データレベルAPLの10%から50%の間は、平均入力データレベルが大きいほど発光期間を線形に短縮しても非線形に短縮しても良い。
図9に、以上の発光条件を満たす平均入力データレベルAPLと発光期間との対応関係を示す。
図中、実線で示す曲線が最適化された対応関係である。なお、図中の破線で示す直線が図5で説明した対応関係に対応する。
直線と破線を比較して分かるように、平均入力データレベルAPLの0%〜50%の間は、破線よりも発光期間が長い。一方、平均入力データレベルAPLの50%〜100%の間は、破線よりも発光期間が短くなる。
図10に、最適化した発光期間(図9)で「フラットフィールド表示」と「白ウィンドウ表示」を表示した場合の消費電力の推移を示す。
図中▲印を結んだ曲線が「フラットフィールド表示」に、図中×印を結んだ曲線が「白ウィンドウ表示」に対応する。
図10の場合、白ウィンドウ表示の消費電力曲線(×印を結ぶ実線)は、平均入力データレベルの50%付近から100%までほぼ平坦化されていることが分かる。
このように、平均入力データレベルの50%付近から100%までのガンマ特性(2.2乗)を打ち消すことができた結果、現実の全ての画像表示について最大消費電力を満たすように消費電力を抑制することができる。
すなわち、最大消費電力の抑制と高画質とを両立することが可能となる。
(b)表示装置及び発光条件最適化回路の構成
(1)表示装置の全体構成
ここでは、以上説明した発光条件を満たす制御動作を可能とする装置構成を説明する。
図11に、有機ELディスプレイ装置の概念構成例を示す。すなわち、図11は、マトリクス状に配列される画素回路のうちの1つのみを示し、その駆動回路の接続関係を示す。
なお、画素回路は、3トランジスタ構成について示す。
図中、駆動回路は、データ線駆動回路1、走査ライン選択用ゲート線駆動回路3、発光期間制御用ゲート駆動回路5の3つである。
これらの駆動回路の全部又は一部は、駆動ICとしてパネル基板に搭載する。もっとも、これら駆動回路の全部又は一部は、画素回路と共にパネル基板上に形成することも可能である。
画素回路7は、3つのトランジスタT1、T2、T3と、容量素子C1と、有機EL素子9とで構成される。これら3つのトランジスタT1、T2、T3はいずれも薄膜トランジスタ(TFT)で構成する。なお、この回路例の場合、トランジスタT1にNチャネル型トランジスタを、トランジスタT2、T3にPチャネル型トランジスタを用いる。
このうち、トランジスタT1は、データ信号(電圧値)の取り込み用である。トランジスタT1の制御端子は走査線に接続され、その開閉動作が走査ライン選択用ゲート線駆動回路3により制御される。トランジスタT1が閉状態のとき、データ線駆動回路1からデータ線を通じて与えられるデータ信号(電圧値)が容量素子C1に書き込まれ保持される。
トランジスタT2は、有機EL素子9への駆動電流の供給用である。トランジスタT2の制御端子は容量素子C1の一方の電極と接続されており、有機EL素子9に供給される駆動電流値を制御する。すなわち、電流密度を制御する。
トランジスタT3は、駆動電流の供給と停止(オンとオフ)の制御用である。トランジスタT3は、駆動電流の供給経路上に位置する。トランジスタT3の制御端子は発光期間制御用ゲート駆動回路5と接続されており、供給経路の開閉動作を制御する。この開閉動作に連動し、有機EL素子9が点灯又は消灯される。
発光期間の可変制御は、トランジスタT3の開閉動作を通じて実現される。
トランジスタT3の制御信号は、発光条件最適化回路11より与えられる。
発光条件最適化回路11は、データ線駆動回路1に入力される表示データから面単位の平均入力データレベル(平均輝度レベル)を求め、当該平均入力データレベルに適した発光期間を求める回路である。
この発光条件最適化回路11は、1フレーム期間の25%〜75%の範囲で発光期間を可変制御する。すなわち、図12に示すように、3倍のダイナミックレンジを保持する。
勿論、この発光期間の可変制御は、図9に示すように平均入力データレベルが高い領域では非線形に実行される。
(2)発光条件最適化回路
図13に、発光条件最適化回路11の内部構成例を示す。この発光条件最適化回路11は、輝度データ変換部21、平均輝度検出部23、発光期間用ルックアップテーブル25、発光期間制御部27で構成する。
このうち、輝度データ変換部21は、RGBデータを輝度データ(表示データ)に変換する信号処理部である。この変換処理により、RGBデータは明度情報のみを有する輝度データ(表示データ)に変換される。
平均輝度検出部23は、全画素の輝度データに基づいて面単位の平均輝度レベル(平均入力データレベル)APLを求める信号処理部である。
発光期間用ルックアップテーブル25は、図9に対応する対応関係を記憶する記憶領域である。すなわち、発光期間用ルックアップテーブル25は、面単位の平均入力データレベルAPLが0%から10%には75%の発光期間を対応付ける関係と、面単位の平均入力データレベルAPLが10%から50%には線形に発光期間が短くなる対応関係と、面単位の平均入力データレベルAPLが50%から100%には非線形に発光期間が短くなる対応関係とを記憶する。
発光期間制御部27は、平均輝度検出部23で検出された平均輝度レベル(平均入力データレベル)APLに対応する発光期間を発光期間用ルックアップテーブル27から読み出し、当該発光期間で各画素が発光するように制御する制御信号Scontを発光期間制御用ゲート駆動回路5に出力する信号処理部である。
発光期間制御部27は、例えば読み出された発光期間でパルス幅を変調する回路で構成する。
以上のように、平均入力データレベルAPLと発光期間との対応関係をルックアップテーブルに保存することで発光期間の設定を短時間で完了することができる。また、対応関係がどのような非線形曲線を描く場合にも対応できる。
参考までに、ある画面について検出された平均入力データレベルAPLに対応する発光期間が70%の場合に有機EL素子がどのように発光制御されるかを図14に示す。
図14(A)は、有機ELディスプレイを構成する個々の画素に対応するデータ信号(電圧値)である。図示したように、データ信号(電圧値)は、各画素に応じて任意の値を採る。
図14(B)は、発光条件最適化回路11が出力する制御信号Scontの信号波形である。この制御信号ScontがトランジスタT3に与えられ、1フレーム周期の70%がオン状態に制御される。
図14(C)は、各画素に対応する有機EL素子の点灯・消灯状態を示す信号波形である。トランジスタT3がオン状態の間、有機EL素子には表示データ(電圧値)に応じた駆動電流が流れて発光する。なお、1フレーム周期の残りの30%は駆動電流が遮断されるため消灯状態になる。
この点灯と消灯動作が有機ELディスプレイの画面全体について実行される。
(c)プログラム
前述の説明では、ルックアップテーブルを使用して対応関係を読み出す方式の発光条件最適化回路について説明した。
しかし、同等の制御は、コンピュータ上で実行されるプログラム処理を通じても実現可能である。もっとも、この構成は、有機ELディスプレイ上にコンピュータ(マイクロプロセッサ)が搭載されていること、演算に要する時間が画面の表示に対して十分短いことが要求される。
図15に、発光条件の最適化処理プログラムの概略を示す。
まず、プログラムは、表示データとしてのRGBデータを輝度データに変換する(S1)。
次に、プログラムは、全画素の輝度データに基づいて面単位の平均輝度レベル(平均入力データレベル)APLを算出する(S2)。
続いて、プログラムは、対応画面の表示に使用する発光期間を予め定めた関数を用いて算出する(S3)。ここでの関数は、図9の対応関係を与える関数である。すなわち、面単位の平均入力データレベルAPLが0%から10%には75%の発光期間を対応付ける関数と、面単位の平均入力データレベルAPLが10%から50%には線形に発光期間が短くなるように発光期間を対応付ける関数と、面単位の平均入力データレベルAPLが50%から100%には非線形に短くなるように発光期間を対応付ける関数である。非線形部分の関数は計算量の観点も考慮することが望ましい。
この後、プログラムは、得られた発光期間でパルス幅を変調し、制御信号Scontを生成する(S4)。
これら一連の処理を、ファームウェアその他の記憶領域から読み出してプログラムで実行させる方式は、製品出荷後の制御方式の調整や改善が可能な点でも効果的である。
(B−2)形態例2
続いて、消費電力に影響する2.2乗のガンマ特性を打ち消すように発光期間と発光レベルを制御する手法を説明する。すなわち、形態例2は、発光期間と発光レベルの組み合わせ制御である。この制御方法の場合、いずれか一方のみの制御よりもダイナミックレンジを大きくできる利点がある。
また、制御量のバランスを調整することで、表示画面に応じた画像品質を実現するのにも効果的である。
(a)最適化条件
図16に、この形態例で使用する発光期間と発光レベルの可変条件を示す。
この形態例の場合、発光期間は、平均入力データレベルに応じて1フレーム期間の25%から75%の範囲で可変制御する。もっとも、形態例1で説明したように、下限は10%程度に設定し、上限は80%程度に設定しても良い。この例の場合も発光期間の可変制御によって輝度レベルのピーク輝度を3倍のダイナミックレンジで可変制御できる。
一方、発光レベルは、平均入力データレベルに応じて発光レベルを発生可能な輝度レベルの50%から100%の範囲で可変制御する。この例の場合、発光レベルの可変制御によって輝度レベルのピーク輝度を2倍のダイナミックレンジで可変制御できる。
従って、この形態例では発光期間と発光レベルとの組み合わせ制御によって6倍のダイナミックレンジを実現できる。
このため、表示する画面の内容に応じて、より適切な発光条件を与えることが可能になる。
図17に、平均入力データレベルAPLに応じて可変制御する発光期間の対応関係を示す。この対応関係は基本的に図9と同じであるので説明は省略する。
図18に、平均入力データレベルAPLに応じて可変制御する発光レベルの対応関係を示す。発光レベルに関する対応関係もほぼ発光期間とほぼ同様である。
なお、低輝度画面での高輝度小面積部分の輝度を確保するため、平均入力データレベルAPLの0%付近には発光レベルの100%近辺を割り当てる。
また、平均入力データレベルAPLが0%から徐々に大きくなるのに従って発光レベルも低減し、平均入力データレベルAPLの50%付近で発光レベルを75%程度に、平均入力データレベルAPLの70%付近で発光レベルを60%程度になる。平均入力データレベルAPLの70%から100%の間は、発光レベルの変化が緩やかになるように非線形に低減する。
図19に、このような対応関係で有機EL素子の発光を制御した場合の消費電力の変化を示す。
図中▲印を結んだ曲線が「フラットフィールド表示」に、図中×印を結んだ曲線が「白ウィンドウ表示」に対応する。
図19の場合も、白ウィンドウ表示の消費電力曲線(×印を結ぶ実線)は、平均入力データレベルの50%付近から100%までほぼ平坦化されていることが分かる。
このように、平均入力データレベルの50%付近から100%までのガンマ特性(2.2乗)を打ち消すことができた結果、現実の全ての画像表示について最大消費電力を満たすように消費電力を抑制することができる。
すなわち、最大消費電力の抑制と高画質とを両立することが可能となる。
(b)表示装置及び発光条件最適化回路の構成
(1)表示装置の全体構成
以上説明した発光条件を満たす制御動作を可能とする装置構成を説明する。
図20に、有機ELディスプレイ装置の概念構成例を示す。図20には、図11との対応部分に同一符号を付して示している。
この有機ELディスプレイ装置は、データ線駆動回路31、走査ライン選択用ゲート線駆動回路3、発光期間制御用ゲート駆動回路5、画素回路7、発光条件最適化回路33で構成する。
この形態例に特有の構成部分は、データ線駆動回路31と発光条件最適化回路33の2つである。
図21に、データ線駆動回路31の内部構成例を示す。このデータ線駆動回路31は、データスイッチ41、デジタル/アナログ変換回路43、サンプルホールド回路45、バッファアンプ47で構成される。データスイッチ41は、デジタル信号形式で入力される表示データ(RGB信号に対応する)を画素配列に応じて対応するデータ線に振り分ける回路部である。
なお、データスイッチ41には、駆動速度を決定するクロックパルスCLKと駆動制御信号CTL等が周知の外部システムから与えられる。
デジタル/アナログ変換回路43は、表示データを電圧値に変換する回路である。この形態例では、最大基準電圧Vrefが発光条件最適化回路33から与えられる。
すなわち、最大基準電圧Vrefを基準電圧の50%から100%の範囲で可変制御する。最大基準電圧Vrefを増減すると、表示データで与えられる階調情報を保持したままで変換出力である電圧値を増減できる。
サンプルホールド回路45は、対応するデータ線に供給する電圧値を保持する回路である。実際には書き込みようと読み出し用の並列回路で構成される。
バッファアンプ47は、対応するデータ線に電圧値を供給する増幅回路である。
図22に、発光条件最適化回路33の内部構成例を示す。図22は、図13との対応部分に同一符号を付して示す。
この発光条件最適化回路33は、輝度データ変換部21、平均輝度検出部23、発光期間用ルックアップテーブル25、発光期間制御部27、発光レベル用LUT51、発光レベル制御部53で構成する。
このうち、形態例に特有の構成部分は、発光レベル用LUT51、発光レベル制御部53の2つである。
発光レベル用ルックアップテーブル51は、図18に対応する対応関係を記憶する記憶領域である。すなわち、発光レベル用ルックアップテーブル51は、面単位の平均入力データレベルAPLが大きくなるのに従って非線形に減少する対応関係を記憶する。
発光レベル制御部53は、平均輝度検出部23で検出された平均輝度レベル(平均入力データレベル)APLに対応する発光レベルを発光レベル用ルックアップテーブル51から読み出し、当該発光レベルで各画素が発光するように基準電圧Vrefを発生してデジタル/アナログ変換回路43に出力する信号処理部である。
すなわち、この形態例では、発光レベル制御部53の内部に電圧源が内蔵されているものとする。もっとも、基準電圧Vrefの発生自体は、外部に設けた電圧源で実行し、発光レベル制御部53は、当該電圧源に対する制御信号の出力のみを制御しても良い。
この場合も、平均入力データレベルAPLに対する発光期間と発光レベルの対応関係をルックアップテーブルに保存することで発光期間の設定を短時間で完了することができる。また、対応関係がどのような非線形曲線を描く場合にも対応できる。
参考までに、ある画面について検出された平均入力データレベルAPLに対応する発光期間が70%の場合に有機EL素子がどのように発光制御されるかを図23に示す。
図23(A)は、有機ELディスプレイを構成する個々の画素に対応するデータ信号(電圧値)である。図示したように、データ信号(電圧値)は、デジタル/アナログ変換回路43の基準電圧Vrefで定まる値を上限値として、各画素に応じて任意の値を採る。
図23(B)は、発光条件最適化回路33が出力する発光期間用の制御信号Scontの信号波形である。この制御信号ScontがトランジスタT3に与えられ、1フレーム周期の70%がオン状態に制御される。
図23(C)は、各画素に対応する有機EL素子の点灯・消灯状態を示す信号波形である。トランジスタT3がオン状態の間、有機EL素子には表示データ(電圧値)に応じた駆動電流が流れて発光する。なお、1フレーム周期の残りの30%は駆動電流が遮断されるため消灯状態になる。
この点灯と消灯動作が有機ELディスプレイの画面全体について実行される。
(c)プログラム
前述の説明では、ルックアップテーブルを使用して対応関係を読み出す方式の発光条件最適化回路について説明した。
しかし、同等の制御は、演算装置(コンピュータ)上で実行されるプログラム処理を通じても実現可能である。もっとも、この構成は、有機ELディスプレイモジュール上にコンピュータ(マイクロプロセッサ)が搭載されていること、演算に要する時間が画面の表示に対して十分短いことが要求される。
図24に、発光条件の最適化処理プログラムの概略を示す。なお、このプログラムでも、発光期間の制御に関する部分は、形態例1の場合(図15)と同じ処理が実行される。
まず、プログラムは、発光期間と発光レベルの制御に共通する処理として、RGBデータを輝度データに変換する(S11)。
次に、プログラムは、全画素の輝度データに基づいて面単位の平均輝度レベル(平均入力データレベル)APLを算出する(S12)。
この後、プログラムは、発光期間の制御(S13、S14)と発光レベルの制御(S15、S16)を並列に実行する。
まず、発光期間の制御として、プログラムは、対応画面の表示に使用する発光期間を予め定めた関数を用いて算出する(S13)。ここでの関数は、図17の対応関係を与える関数である。勿論、非線形部分の関数は計算量の観点も考慮することが望ましい。
この後、プログラムは、得られた発光期間でパルス幅を変調し、制御信号Scontを生成する(S14)。生成された制御信号Scontは、発光期間制御用ゲート駆動回路5に与えられる。
一方、発光レベルの制御として、プログラムは、対応画面の最大発光レベルを予め定めた関数を用いて算出する(S15)。この関数は、図18の対応関係を与える関数である。勿論、非線形部分の関数は計算量の観点も考慮することが望ましい。
この後、プログラムは、得られた最大発光レベルに対応する基準電圧を発生するように電圧源を制御する。
これら一連の処理を、ファームウェアその他の記憶領域から読み出してプログラムで実行させる方式は、製品出荷後の制御方式の調整や改善が可能な点でも効果的である。
(C)他の形態例
(a)前述の形態例では、平均入力データレベル(平均輝度レベル)APLの50%以上の範囲で発光期間を非線形に対応付ける場合について説明した。
しかし、非線形範囲の下限を与える50%は一例であり、より広い範囲を非線形範囲設定しても良い。例えば、平均入力データレベル(平均輝度レベル)APLの10%以上の範囲で発光期間を非線形に対応付けても良い。
(b)前述の形態例においては、図11に示す構造の画素回路を用いる場合について説明した。すなわち、トランジスタT3を電源電圧Vccの供給ラインとトランジスタT2の間に接続する場合について説明した。
しかし、有機EL素子の発光期間と消灯期間を表示データとは独立に制御可能な画素回路には他の回路構成も採用できる。
例えば、図25に示すように、トランジスタT3をカソード電源の供給ラインとトランジスタT2との間に接続しても良い。
(c)前述の形態例では、発光レベルを可変制御する際、デジタル/アナログ変換回路43の基準電圧Vrefを可変制御する場合について述べたが、電流源に流れる電流量を可変制御しても良い。
(d)前述の形態例では、有機ELディスプレイ単独での商品形態について説明した。
しかし、発明に係る技術は、有機ELディスプレイを搭載する各種の発光装置(電子機器)にも適用できる。
例えば、ビデオカメラ、デジタルカメラ、ヘッドマウントディスプレイ、ナビゲーションシステム、音響再生装置、ノート型のコンピュータ、ゲーム機器、携帯情報端末(携帯型のコンピュータ、携帯電話機、携帯型ゲーム機、電子書籍等)、時計、画像再生装置、モニタ、テレビジョン受像器にも適用できる。
いずれの発光装置の場合にも、筐体と、有機ELディスプレイと、信号処理回路と、入力ポートを有する。例えば、テレビジョン受像器であれば、前述の構成に加え、スピーカやチューナが搭載される。また、ノート型のコンピュータや携帯情報端末は、前述の構成に加え、操作キーや操作ボタンを有する。
また、ビデオカメラやデジタルカメラであれば、前述の構成に加え、撮像カメラや撮像された映像データを記憶媒体に保存するための書き込み回路を有する。また、携帯電話機その他の通信機能を有する電子機器であれば、前述の構成に加え、送受信回路や必要に応じてアンテナを有する。
(e)前述の形態例で説明したプログラムは、記憶媒体に格納して配布しても良い。なお、記憶媒体は、磁気記憶媒体、光学式記憶媒体、半導体記憶媒体その他を含む。
(f)前述の形態例には、発明の趣旨の範囲内で様々な変形例が考えられる。また、本明細書の記載に基づいて創作される各種の変形例及び応用例も考えられる。
有機EL素子に流れる駆動電流Ielと発光輝度Lelとの対応関係を示す図である。 階調表示特性を示す図である。 発光期間を変調しない場合の平均入力データレベルと消費電力との関係を示す図である。 発光期間を固定的に短縮した場合の平均入力データレベルと消費電力との関係を示す図である。 平均入力データレベルAPLに対する発光期間の対応付け例を示す図である。 発光期間を平均入力データレベルに応じて可変制御する場合の消費電力を示す図である。 フラットフィールド表示と白ウィンドウ表示を説明する図である。 平均入力データレベルは同じでも消費電力の差が生じる表示例を示す図である。 平均入力データレベルに対する発光期間を最適化した対応関係の一例を示す図である。 最適化条件下での平均入力データレベルと消費電力との対応関係を示す図である。 有機ELディスプレイ装置の概念構成例を示す図である。 発光期間の可変制御による発光輝度のダイナミックレンジ例を説明する図である。 発光条件最適化回路の内部構成例を示す図である。 1フレーム期間内の各部の信号レベルと発光状態を説明する図である。 発光条件の最適化プログラムで実行する処理手順例を示す図である。 発光期間の可変制御と発光レベルの可変制御の組み合わせによる発光輝度のダイナミックレンジ例を説明する図である。 平均入力データレベルに対する発光期間を最適化した対応関係の一例を示す図である。 平均入力データレベルに対する発光レベルを最適化した対応関係の一例を示す図である。 最適化条件下での平均入力データレベルと消費電力との対応関係を示す図である。 有機ELディスプレイ装置の概念構成例を示す図である。 データ線駆動回路の内部構成例を示す図である。 発光条件最適化回路の内部構成例を示す図である。 1フレーム期間内の各部の信号レベルと発光状態を説明する図である。 発光条件の最適化プログラムで実行する処理手順例を示す図である。 有機ELディスプレイ装置の他の概念構成例を示す図である。
符号の説明
1、31 データ線駆動回路
3 走査ライン選択用ゲート線駆動回路
5 発光期間制御用ゲート線駆動回路
7 画素回路
11、33 発光条件最適化回路
21 輝度データ変換部
23 平均輝度検出部
25 発光期間用ルックアップテーブル
27 発光期間制御部
43 デジタル/アナログ変換回路
51 発光レベル用ルックアップテーブル
53 発光レベル制御部

Claims (14)

  1. 各画素の発光期間を制御する駆動回路を実装するアクティブマトリクス型の自発光表示装置において、
    全画素の表示データに基づいて面単位の平均輝度レベルを求める平均輝度検出部と、
    面単位の平均輝度レベルが大きいほど短い発光期間を対応付けるルックアップテーブルであって、基準値より大きい平均輝度レベルに対しては、平均輝度レベルが大きいほど発光期間を非線形に短縮する対応関係を記録したルックアップテーブルと、
    前記平均輝度検出部で検出された平均輝度レベルに対応する発光期間をルックアップテーブルから読み出し、当該発光期間で各画素が発光するように制御する制御信号を前記駆動回路に出力する発光期間制御部と
    を有することを特徴とする自発光表示装置。
  2. 各画素の発光期間を制御する駆動回路を実装するアクティブマトリクス型の自発光表示装置において、
    全画素の表示データに基づいて面単位の平均輝度レベルを求める平均輝度検出部と、
    面単位の平均輝度レベルが大きいほど短い発光期間を対応付ける発光期間算出部であって、基準値より大きい平均輝度レベルに対しては、平均輝度レベルが大きいほど発光期間を非線形に短縮する対応関係を有する関数に従って発光期間を算出する発光期間算出部と、
    前記発光期間算出部で算出された発光期間で各画素が発光するように制御する制御信号を前記駆動回路に出力する発光期間制御部と
    を有することを特徴とする自発光表示装置。
  3. 請求項1に記載の自発光表示装置であって、
    面単位の平均輝度レベルが100%輝度レベルの0〜数10%のとき、発光期間として割り当て可能な最大期間を対応付ける
    ことを特徴とする自発光表示装置。
  4. 請求項2に記載の自発光表示装置であって、
    面単位の平均輝度レベルが100%輝度レベルの0〜数10%のとき、発光期間として割り当て可能な最大期間を対応付ける
    ことを特徴とする自発光表示装置。
  5. 請求項1に記載の自発光表示装置であって、
    前記発光期間の可変制御範囲を、100%発光期間の10%から80%の間に設定する
    ことを特徴とする自発光表示装置。
  6. 請求項2に記載の自発光表示装置であって、
    前記発光期間の可変制御範囲を、100%発光期間の10%から80%の間に設定する
    ことを特徴とする自発光表示装置。
  7. 請求項1に記載の自発光表示装置であって、
    各画素の表示データに応じて発生される電圧値の面単位での最大値を、面単位で検出される平均輝度レベルが大きいほど非線形に低減するように制御する発光レベル制御部
    を有することを特徴とする自発光表示装置。
  8. 請求項2に記載の自発光表示装置であって、
    各画素の表示データに応じて発生される電圧値の面単位での最大値を、面単位で検出される平均輝度レベルが大きいほど非線形に低減するように制御する発光レベル制御部
    を有することを特徴とする自発光表示装置。
  9. 各画素の発光期間を制御する駆動回路を実装するアクティブマトリクス型の自発光表示装置を駆動する発光条件最適化装置において、
    全画素の表示データに基づいて面単位の平均輝度レベルを求める平均輝度検出部と、
    面単位の平均輝度レベルが大きいほど短い発光期間を対応付けるルックアップテーブルであって、基準値より大きい平均輝度レベルに対しては、平均輝度レベルが大きいほど発光期間を非線形に短縮する対応関係を記録したルックアップテーブルと、
    前記平均輝度検出部で検出された平均輝度レベルに対応する発光期間をルックアップテーブルから読み出し、当該発光期間で各画素が発光するように制御する制御信号を前記駆動回路に出力する発光期間制御部と
    を有することを特徴とする発光条件最適化装置。
  10. 各画素の発光期間を制御する駆動回路を実装するアクティブマトリクス型の自発光表示装置を駆動する発光条件最適化装置において、
    全画素の表示データに基づいて面単位の平均輝度レベルを求める平均輝度検出部と、
    面単位の平均輝度レベルが大きいほど短い発光期間を対応付ける発光期間算出部であって、基準値より大きい平均輝度レベルに対しては、平均輝度レベルが大きいほど発光期間を非線形に短縮する対応関係を有する関数に従って発光期間を算出する発光期間算出部と、
    前記発光期間算出部で算出された発光期間で各画素が発光するように制御する制御信号を前記駆動回路に出力する発光期間制御部と
    を有することを特徴とする発光条件最適化装置。
  11. 各画素の発光期間を制御する駆動回路を実装するアクティブマトリクス型の自発光表示装置における発光条件を最適化する方法において、
    全画素の表示データに基づいて面単位の平均輝度レベルを求める処理と、
    面単位の平均輝度レベルが大きいほど短い発光期間を対応付けるルックアップテーブルであって、基準値より大きい平均輝度レベルに対しては、平均輝度レベルが大きいほど発光期間を非線形に短縮する対応関係を記録したルックアップテーブルを参照し、検出された平均輝度レベルに対応する発光期間を読み出す処理と、
    読み出された発光期間で各画素が発光するように制御する制御信号を前記駆動回路に出力する処理と
    を有することを特徴とする発光条件最適化方法。
  12. 各画素の発光期間を制御する駆動回路を実装するアクティブマトリクス型の自発光表示装置における発光条件を最適化する方法において、
    全画素の表示データに基づいて面単位の平均輝度レベルを求める処理と、
    面単位の平均輝度レベルが大きいほど短い発光期間を対応付ける発光期間算出部であって、基準値より大きい平均輝度レベルに対しては、平均輝度レベルが大きいほど発光期間を非線形に短縮する対応関係を有する関数に従って発光期間を算出する処理と、
    算出された発光期間で各画素が発光するように制御する制御信号を前記駆動回路に出力する処理と
    を有することを特徴とする発光条件最適化方法。
  13. 各画素の発光期間を制御する駆動回路を実装するアクティブマトリクス型の自発光表示装置に搭載された演算装置に、
    全画素の表示データに基づいて面単位の平均輝度レベルを求める処理と、
    面単位の平均輝度レベルが大きいほど短い発光期間を対応付けるルックアップテーブルであって、基準値より大きい平均輝度レベルに対しては、平均輝度レベルが大きいほど発光期間を非線形に短縮する対応関係を記録したルックアップテーブルを参照し、検出された平均輝度レベルに対応する発光期間を読み出す処理と、
    読み出した発光期間で各画素が発光するように制御する制御信号を前記駆動回路に出力する処理と
    を実行させることを特徴とするプログラム。
  14. 各画素の発光期間を制御する駆動回路を実装するアクティブマトリクス型の自発光表示装置に搭載された演算装置に、
    全画素の表示データに基づいて面単位の平均輝度レベルを求める処理と、
    面単位の平均輝度レベルが大きいほど短い発光期間を対応付ける発光期間算出部であって、基準値より大きい平均輝度レベルに対しては、平均輝度レベルが大きいほど発光期間を非線形に短縮する対応関係を有する関数に従って発光期間を算出する処理と、
    算出された発光期間で各画素が発光するように制御する制御信号を前記駆動回路に出力する処理と
    を実行させることを特徴とするプログラム。
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