JP2007023390A - スパッタリングターゲットの製造方法および銅配線膜の製造方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】電気銅からゾーンメルト法により溶解インゴットを作成する工程と、上記溶解インゴットを真空溶解することにより高純度銅インゴットを作成する工程と、上記高純度銅インゴットを100〜300℃で熱処理することにより再結晶させる工程と、熱処理した上記高純度銅インゴットに機械加工を施す工程とを具備することにより、酸素含有量が10ppm以下であり、硫黄含有量が1ppm以下であり、鉄含有量が1ppm以下であり、純度が99.999%以上の高純度銅基材から成るスパッタリングターゲットを得ることを特徴とするスパッタリングターゲットの製造方法である。
【選択図】 なし
Description
純度99.9%の電気銅をゾーンメルト法により処理して純度が99.9995%の溶解インゴットを調製した。さらに、この溶解インゴットを10−6Torrの高真空中で真空溶解して不純物を除去し、高純度銅インゴットを得た。この高純度銅インゴットを加工率90%で圧延加工して平板状に形成した後に、温度200℃で加熱処理を実施し、さらに機械研削研磨加工を実施することにより、直径250mm×厚さ6mmの実施例1に係る高純度銅スパッタリングターゲットを製造した。
一方、純度99.9%の電気銅をゾーンメルト法により処理して純度が99.98%の溶解インゴットを調製した。さらに、この溶解インゴットを加工率90%で圧延加工して平板状に形成した後に、温度200℃で加熱処理を実施し、さらに機械研削研磨加工を実施することにより、直径250mm×厚さ6mmの比較例1に係る銅スパッタリングターゲットを製造した。
純度99.9%の電気銅をゾーンメルト法により処理して純度が99.9995%の溶解インゴットを調製した。さらに、この溶解インゴットに、表1に示すようなTi,Zr,V,Cr,Nb,Ta,Y,La,Scの元素を所定量添加し、10−6Torrの高真空中で真空溶解してそれぞれ銅インゴットを得た。これらの銅インゴットを加工率90%で圧延加工して平板状に形成した後に、温度200℃で加熱処理を実施し、さらに機械研削研磨加工を実施することにより、直径250mm×厚さ6mmの実施例2〜16に係る銅スパッタリングターゲットを製造した。
一方、比較例2として、ゾーンメルト法により純度が99.9995%の溶解インゴットを調製し、このインゴットを加工率70%で圧延加工して平板状に形成した後に200℃で熱処理を施し、さらに機械加工を施すことにより、直径250mm×厚6mmのスパッタリングターゲットを調製した。
Claims (11)
- 電気銅からゾーンメルト法により溶解インゴットを作成する工程と、上記溶解インゴットを真空溶解することにより高純度銅インゴットを作成する工程と、上記高純度銅インゴットを100〜300℃で熱処理することにより再結晶させる工程と、熱処理した上記高純度銅インゴットに機械加工を施す工程とを具備することにより、酸素含有量が10ppm以下であり、硫黄含有量が1ppm以下であり、鉄含有量が1ppm以下であり、純度が99.999%以上の高純度銅基材から成るスパッタリングターゲットを得ることを特徴とするスパッタリングターゲットの製造方法。
- 前記真空溶解を10−5〜10−6Torrの高真空雰囲気で行うことを特徴とする請求項1記載のスパッタリングターゲットの製造方法。
- 前記高純度銅インゴットに加工率90%の圧延加工を施すことを特徴とする請求項1または請求項2記載のスパッタリングターゲットの製造方法。
- 前記酸素含有量が5ppm以下であることを特徴とする請求項1記載のスパッタリングターゲットの製造方法。
- 前記酸素含有量が3ppm以下であることを特徴とする請求項1記載のスパッタリングターゲットの製造方法。
- 前記酸素含有量が0.9ppm以下であることを特徴とする請求項1記載のスパッタリングターゲットの製造方法。
- 前記硫黄含有量および鉄含有量がそれぞれ0.5ppm以下であることを特徴とする請求項1ないし請求項6のいずれか1項に記載のスパッタリングターゲットの製造方法。
- 前記銅基材中の銀(Ag)含有量が1ppm以下であることを特徴とする請求項1ないし請求項7のいずれか1項に記載のスパッタリングターゲットの製造方法。
- 前記銀含有量が0.5ppm以下であることを特徴とする請求項1ないし請求項8のいずれか1項に記載のスパッタリングターゲットの製造方法。
- 前記スパッタリングターゲットは、加熱リフロー方式により形成される配線パターンを構成する銅配線膜を形成する際に使用されることを特徴とする請求項1ないし請求項9のいずれか1項に記載のスパッタリングターゲットの製造方法。
- 請求項1記載のターゲットをスパッタすることにより銅配線膜を形成することを特徴とする銅配線膜の製造方法。
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Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR20190042491A (ko) | 2016-08-26 | 2019-04-24 | 미츠비시 마테리알 가부시키가이샤 | 스퍼터링 타깃용 구리 소재 및 스퍼터링 타깃 |
JP2020105563A (ja) * | 2018-12-27 | 2020-07-09 | 三菱マテリアル株式会社 | スパッタリングターゲット用銅素材 |
Citations (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS60244054A (ja) * | 1984-05-18 | 1985-12-03 | Hitachi Cable Ltd | ボンデイングワイヤ用銅素材の製造方法 |
JPS62240785A (ja) * | 1986-04-10 | 1987-10-21 | Furukawa Electric Co Ltd:The | 高純度銅の製造法 |
JPH03223430A (ja) * | 1990-01-25 | 1991-10-02 | Hitachi Cable Ltd | オーディオ用銅導体およびオーディオ用銅線の製造方法 |
JPH05311424A (ja) * | 1992-05-12 | 1993-11-22 | Dowa Mining Co Ltd | 金属薄膜形成用スパッタリング・ターゲット並びにその製造方法 |
JPH06158300A (ja) * | 1992-11-19 | 1994-06-07 | Tokyo Tungsten Co Ltd | 高融点金属ターゲット材,及びその製造方法 |
JPH08250426A (ja) * | 1995-03-13 | 1996-09-27 | Central Glass Co Ltd | 半導体用タングステンターゲットの製造装置 |
JPH09115866A (ja) * | 1995-10-17 | 1997-05-02 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体装置の製造方法 |
JPH108244A (ja) * | 1996-06-21 | 1998-01-13 | Dowa Mining Co Ltd | 単結晶銅ターゲットおよびその製造法とそれを用いた半導体内部配線 |
JPH1060632A (ja) * | 1996-08-16 | 1998-03-03 | Dowa Mining Co Ltd | スパッタリングターゲット及びその製造方法ならびに半導体素子 |
-
2006
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Patent Citations (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS60244054A (ja) * | 1984-05-18 | 1985-12-03 | Hitachi Cable Ltd | ボンデイングワイヤ用銅素材の製造方法 |
JPS62240785A (ja) * | 1986-04-10 | 1987-10-21 | Furukawa Electric Co Ltd:The | 高純度銅の製造法 |
JPH03223430A (ja) * | 1990-01-25 | 1991-10-02 | Hitachi Cable Ltd | オーディオ用銅導体およびオーディオ用銅線の製造方法 |
JPH05311424A (ja) * | 1992-05-12 | 1993-11-22 | Dowa Mining Co Ltd | 金属薄膜形成用スパッタリング・ターゲット並びにその製造方法 |
JPH06158300A (ja) * | 1992-11-19 | 1994-06-07 | Tokyo Tungsten Co Ltd | 高融点金属ターゲット材,及びその製造方法 |
JPH08250426A (ja) * | 1995-03-13 | 1996-09-27 | Central Glass Co Ltd | 半導体用タングステンターゲットの製造装置 |
JPH09115866A (ja) * | 1995-10-17 | 1997-05-02 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体装置の製造方法 |
JPH108244A (ja) * | 1996-06-21 | 1998-01-13 | Dowa Mining Co Ltd | 単結晶銅ターゲットおよびその製造法とそれを用いた半導体内部配線 |
JPH1060632A (ja) * | 1996-08-16 | 1998-03-03 | Dowa Mining Co Ltd | スパッタリングターゲット及びその製造方法ならびに半導体素子 |
Non-Patent Citations (3)
Title |
---|
堂山昌男: "純金属の役割り", 金属, vol. 55, no. 9, JPN6009057782, September 1985 (1985-09-01), JP, pages 49 - 55, ISSN: 0001458204 * |
岩村卓郎: "高純度銅および無酸素銅の性質と不純物", 新素材, vol. 2, no. 5, JPN6009057807, May 1991 (1991-05-01), JP, pages 187 - 193, ISSN: 0001458205 * |
鈴木壽,菅野幹宏: "Ti,ZrまたはVの極微量添加による純銅の再結晶促進現象", 鉄と鋼, vol. 70, no. 15, JPN6009057784, November 1984 (1984-11-01), JP, pages 187 - 193, ISSN: 0001458206 * |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR20190042491A (ko) | 2016-08-26 | 2019-04-24 | 미츠비시 마테리알 가부시키가이샤 | 스퍼터링 타깃용 구리 소재 및 스퍼터링 타깃 |
JP2020105563A (ja) * | 2018-12-27 | 2020-07-09 | 三菱マテリアル株式会社 | スパッタリングターゲット用銅素材 |
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