JP4421335B2 - スパッタリングターゲットの製造方法および銅配線膜の製造方法 - Google Patents
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純度99.9%の電気銅をゾーンメルト法により処理して純度が99.9995%の溶解インゴットを調製した。さらに、この溶解インゴットを10−6Torrの高真空中で真空溶解して不純物を除去し、高純度銅インゴットを得た。この高純度銅インゴットを加工率90%で圧延加工して平板状に形成した後に、温度200℃で加熱処理を実施し、さらに機械研削研磨加工を実施することにより、直径250mm×厚さ6mmの実施例1に係る高純度銅スパッタリングターゲットを製造した。
一方、純度99.9%の電気銅をゾーンメルト法により処理して純度が99.98%の溶解インゴットを調製した。さらに、この溶解インゴットを加工率90%で圧延加工して平板状に形成した後に、温度200℃で加熱処理を実施し、さらに機械研削研磨加工を実施することにより、直径250mm×厚さ6mmの比較例1に係る銅スパッタリングターゲットを製造した。
純度99.9%の電気銅をゾーンメルト法により処理して純度が99.9995%の溶解インゴットを調製した。さらに、この溶解インゴットに、表1に示すようなTi,Zr,V,Cr,Nb,Ta,Y,La,Scの元素を所定量添加し、10−6Torrの高真空中で真空溶解してそれぞれ銅インゴットを得た。これらの銅インゴットを加工率90%で圧延加工して平板状に形成した後に、温度200℃で加熱処理を実施し、さらに機械研削研磨加工を実施することにより、直径250mm×厚さ6mmの実施例2〜16に係る銅スパッタリングターゲットを製造した。
一方、比較例2として、ゾーンメルト法により純度が99.9995%の溶解インゴットを調製し、このインゴットを加工率70%で圧延加工して平板状に形成した後に200℃で熱処理を施し、さらに機械加工を施すことにより、直径250mm×厚6mmのスパッタリングターゲットを調製した。
Claims (3)
- 加熱リフロー方式により形成される配線パターンを構成する銅配線膜を形成する際に使用されるスパッタリングターゲットの製造方法において、
電気銅をゾーンメルト法により精製して溶解インゴットを作成する工程と、
精製した溶解インゴットを真空溶解する工程と、
上記溶解インゴットを100〜300℃で熱処理することにより再結晶させる工程と、
熱処理した上記溶解インゴットに加工率90%の機械加工を施す工程とを具備することにより、
酸素含有量が3ppm以下であり、硫黄含有量が0.1ppm以下であり、鉄含有量が0.05ppm以下であり、純度が99.999%以上の高純度銅基材から成るスパッタリングターゲットを得ることを特徴とするスパッタリングターゲットの製造方法。 - 前記真空溶解を10−5〜10−6torrの高真空雰囲気で実施することを特徴とする請求項1記載のスパッタリングターゲットの製造方法。
- 請求項1記載のスパッタリングターゲットをスパッタすることにより銅配線膜を形成することを特徴とする銅配線膜の製造方法。
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