JP2004221609A - スパッタリングターゲット、その製造方法および銅配線膜 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】純度が99.999%以上の高純度銅基材から形成されるスパッタリングターゲットの製造方法であり、ターゲットの酸素含有量を10ppm以下とし、硫黄含有量を1ppm以下とし、鉄含有量を1ppm以下とすることを特徴とするスパッタリングターゲットの製造方法である。
【選択図】 なし
Description
純度99.9%の電気銅をゾーンメルト法により処理して純度が99.9995%の溶解インゴットを調製した。さらに、この溶解インゴットを10−6Torrの高真空中で真空溶解して不純物を除去し、高純度銅インゴットを得た。この高純度銅インゴットを加工率90%で圧延加工して平板状に形成した後に、温度200℃で加熱処理を実施し、さらに機械研削研磨加工を実施することにより、直径250mm×厚さ6mmの実施例1に係る高純度銅スパッタリングターゲットを製造した。
一方、純度99.9%の電気銅をゾーンメルト法により処理して純度が99.98%の溶解インゴットを調製した。さらに、この溶解インゴットを加工率90%で圧延加工して平板状に形成した後に、温度200℃で加熱処理を実施し、さらに機械研削研磨加工を実施することにより、直径250mm×厚さ6mmの比較例1に係る銅スパッタリングターゲットを製造した。
純度99.9%の電気銅をゾーンメルト法により処理して純度が99.9995%の溶解インゴットを調製した。さらに、この溶解インゴットに、表1に示すようなTi,Zr,V,Cr,Nb,Ta,Y,La,Scの元素を所定量添加し、10−6Torrの高真空中で真空溶解してそれぞれ銅インゴットを得た。これらの銅インゴットを加工率90%で圧延加工して平板状に形成した後に、温度200℃で加熱処理を実施し、さらに機械研削研磨加工を実施することにより、直径250mm×厚さ6mmの実施例2〜16に係る銅スパッタリングターゲットを製造した。
一方、比較例2として、ゾーンメルト法により純度が99.9995%の溶解インゴットを調製し、このインゴットを加工率70%で圧延加工して平板状に形成した後に200℃で熱処理を施し、さらに機械加工を施すことにより、直径250mm×厚6mmのスパッタリングターゲットを調製した。
Claims (11)
- 純度が99.999%以上の高純度銅基材から形成されるスパッタリングターゲットの製造方法であり、ターゲットの酸素含有量を10ppm以下とし、硫黄含有量を1ppm以下とし、鉄含有量を1ppm以下とすることを特徴とするスパッタリングターゲットの製造方法。
- 前記酸素含有量を5ppm以下とすることを特徴とする請求項1記載のスパッタリングターゲットの製造方法。
- 前記酸素含有量を3ppm以下とすることを特徴とする請求項1記載のスパッタリングターゲットの製造方法。
- 前記酸素含有量を0.9ppm以下とすることを特徴とする請求項1記載のスパッタリングターゲットの製造方法。
- 前記硫黄含有量および鉄含有量をそれぞれ0.5ppm以下とすることを特徴とする請求項1ないし請求項4のいずれか1項に記載のスパッタリングターゲットの製造方法。
- Ti,Zr,V,Cr,Nb,Ta,Y,LaおよびScから選択される少なくとも1種の元素を0.5〜250ppm含有する銅基材から成ることを特徴とするスパッタリングターゲット。
- 前記Ti,Zr,V,Cr,Nb,Ta,Y,LaおよびScから選択される少なくとも1種の元素を5〜100ppm含有することを特徴とする請求項6記載のスパッタリングターゲット。
- 前記銅基材中の銀(Ag)含有量が1ppm以下であることを特徴とする請求項6または請求項7記載のスパッタリングターゲット。
- 銀含有量が0.5ppm以下であることを特徴とする請求項8記載のスパッタリングターゲット。
- スパッタリングターゲットは、加熱リフロー方式により形成される配線パターンを構成する銅配線膜を形成する際に使用されることを特徴とする請求項6ないし請求項9のいずれか1項に記載のスパッタリングターゲット。
- Ti,Zr,V,Cr,Nb,Ta,Y,LaおよびScから選択される少なくとも1種の元素を0.5〜250ppm含有する銅基材から成るスパッタリングターゲットから放出された粒子を基板上に堆積せしめて形成した銅配線膜において、上記銅配線膜は、Ti,Zr,V,Cr,Nb,Ta,Y,LaおよびScから選択される少なくとも1種の元素を0.5〜250ppm含有することを特徴とする銅配線膜。
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