JP2020105563A - スパッタリングターゲット用銅素材 - Google Patents
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Abstract
Description
そこで、上述の配線膜の微細化および薄膜化にともない、Alよりも比抵抗の低い材料である銅(Cu)からなる配線膜が提供されている。特に、導電性が要求される用途においては、純度の高い純銅からなる配線膜が使用される。
スパッタリングターゲットを用いて成膜を行う場合、スパッタリングターゲット内の異物に起因して異常放電(アーキング)が発生することがあり、そのため均一な配線膜を形成できないことがある。ここで異常放電とは、正常なスパッタリング時と比較して極端に高い電流が突然急激に流れて、異常に大きな放電が急激に発生してしまう現象であり、このような異常放電が発生すれば、パーティクルの発生原因となったり、配線膜の膜厚が不均一となったりしてしまうおそれがある。したがって、成膜時の異常放電はできるだけ回避することが望まれる。
この特許文献1においては、再結晶組織として結晶粒を微細化するとともに歪量を低減することにより、粗大クラスタの発生を抑制し、さらに、銅粒子の方向性を揃えて銅配線を均一に成膜することを目的としている。
この特許文献2においては、成膜時における配線膜の流動性が良好であり、緻密で密着性が良好な配線膜を形成することが可能なスパッタリングターゲットを製造することを目的としている。
この特許文献3においては、加工性及び疲労特性に優れるともに、成膜時における異常放電の発生を抑制することを目的としている。
また、特許文献2に記載されたスパッタリングターゲットの製造方法においては、ゾーンメルト法によって純度が99.9995%の溶解インゴットを製造していることから、スパッタリングターゲットの生産効率が大幅に低下してしまうといった問題があった。また、Cuの純度が高くなると、結晶粒が粗大化しやすくなって混粒組織となり、異常放電の原因となるおそれがあった。
さらに、特許文献3に記載された熱延銅板においては、結晶組織を上述のように規定しているが、高電圧を負荷した場合には異常放電を十分に抑制できないおそれがあった。
そして、純銅材に、ガス成分と反応して化合物を生成する添加元素を適量添加することによって、ボイドの生成を抑制可能であるとの知見を得た。
また、ガス成分を除いたCuの純度が99.99mass%以上99.999mass%未満の範囲内とされているので、必要以上に高純度化されておらず、比較的低コストで製造することができる。
この場合、前記添加元素としてPを少なくとも2massppmを超えて含有することにより、ガス成分(O、H、N、S、Cl)とPとの化合物を十分に生成することができ、ボイドの生成をさらに確実に抑制することが可能となる。
この場合、ガス成分であるO、H、N、S、Clの含有量がそれぞれ上述のように制限されているので、上述の添加元素とガス成分(O、H、N、S、Cl)との化合物を生成させることによって、上述のガス成分を確実に固定でき、より的確にボイドの生成を抑制することが可能となる。
この場合、円相当径が5μm以上35μm以下のボイドの個数密度が1個/cm2未満に制限されているので、ボイドに起因した異常放電(アーキング)の発生を確実に抑制することが可能となる。
この場合、円相当径が5μm以上35μm以下の介在物の個数密度が1個/cm2未満に制限されているので、介在物に起因した異常放電(アーキング)の発生を確実に抑制することが可能となる。
本実施形態であるスパッタリングターゲット用銅素材は、半導体装置、液晶や有機ELパネルなどのフラットパネルディスプレイ、タッチパネル等において配線膜として使用される銅膜を基板上に成膜する際に用いられるスパッタリングターゲットの素材となるものである。なお、スパッタリングターゲット用銅素材としては、円筒形状、円板状、矩形平板状のものがある。
図1に示すスパッタリングターゲット用銅素材においては、軸線Oに沿って延在する円筒形状をなしており、例えば外径Dが140mm≦D≦200mmの範囲内、内径dが100mm≦d≦180mmの範囲内、軸線O方向長さLが80mm≦L≦350mmの範囲内とされている。
なお、本実施形態では、上述の添加元素として、Pを少なくとも2massppmを超えて含有することが好ましい。
さらに、本実施形態であるスパッタリングターゲット用銅素材においては、組織観察の結果、観察視野内の円相当径が5μm以上35μm以下のボイドの個数密度が1個/cm2未満であることが好ましい。
また、本実施形態であるスパッタリングターゲット用銅素材においては、組織観察の結果、観察視野内の円相当径が5μm以上35μm以下の介在物の個数密度が1個/cm2未満であることが好ましい。
配線膜等として使用される銅膜をスパッタにて成膜する際に、異常放電(アーキング)の発生を抑えるためには、不純物量を極力低減することが好ましい。ただし、Cuの純度を99.999mass%以上に高純度化するためには、製造工程が複雑となり、製造コストが大幅に上昇することになる。また、Cuの純度が高くなると、結晶粒が粗大化しやすくなり、混粒組織となり、かえって異常放電の原因となるおそれがある。
一方、配線膜等として使用される銅膜の特性を確保するためには、Cuの純度を99.99mass%以上とする必要がある。
そこで、本実施形態では、ガス成分を除いたCuの純度を99.99mass%以上99.999mass%未満の範囲内とすることにより、製造コストの低減を図るとともに、成膜された銅膜の特性を確保している。
なお、銅膜の特性をさらに確実に確保するためには、Cuの純度の下限を99.993mass%以上とすることが好ましく、99.995mass%以上とすることがさらに好ましい。
一方、製造コストのさらなる低減を図るためには、Cuの純度の上限を99.998mass%以下とすることが好ましく、99.997mass%以下とすることがさらに好ましい。
上述の添加元素は、ガス成分(O、H、N、S、Cl)と反応して化合物を生成し、ガス成分を固定する。これにより、ガス成分によるボイドの発生を抑制することが可能となる。
ここで、P,Mg,Ca,Ti,Zr,Sr,Be,Ra,Hfから選択される1種または2種以上の添加元素の合計含有量が2massppm以下では、ガス成分を十分に固定することができず、ガス成分によるボイドの発生を十分に抑制することができないおそれがある。
一方、P,Mg,Ca,Ti,Zr,Sr,Be,Ra,Hfから選択される1種または2種以上の添加元素の合計含有量が10massppm以上となると、添加元素とガス成分を含む化合物が数多く生成し、あるいは化合物が粗大化してしまい、この化合物を起因とした異常放電が発生するおそれがある。
なお、ガス成分によるボイドの発生をさらに抑制するためには、P,Mg,Ca,Ti,Zr,Sr,Be,Ra,Hfから選択される1種または2種以上の添加元素の合計含有量の下限を3massppm以上とすることが好ましい。
一方、添加元素とガス成分を含む化合物に起因した異常放電の発生をさらに抑制するためには、P,Mg,Ca,Ti,Zr,Sr,Be,Ra,Hfから選択される1種または2種以上の添加元素の合計含有量の上限を8massppm以下とすることが好ましい。
上述の添加元素の中でも、Pは、銅中への添加が容易であり、かつ、ガス成分と化合物を生成しやすく、ボイドの発生を抑制する効果が高い。
このため、上述の添加元素としてPを少なくとも2massppmを超えて含有することが好ましい。
なお、Pの含有量は3massppm以上とすることが好ましく、5massppm以上とすることがさらに好ましい。
ガス成分であるO、H,N,S,Clの含有量を低く抑えることにより、上述の添加元素によって、これらのガス成分を確実に固定でき、ガス成分によるボイドの発生をより効率的に抑制することが可能となる。
よって、本実施形態においては、ガス成分であるOの含有量を1massppm未満、Hの含有量を1massppm未満、Nの含有量を1massppm未満、Sの含有量を10massppm未満、Clの含有量を1massppm未満に、それぞれ制限することが好ましい。
Hの含有量は0.5massppm以下とすることが好ましい。
Nの含有量は0.5massppm以下とすることが好ましい。
Sの含有量は5massppm以下とすることが好ましい。
Clの含有量は0.5massppm以下とすることが好ましい。
本実施形態であるスパッタリングターゲット用素材において円相当径が5μm以上35μm以下のボイドの個数を少なくすることによって、このボイドに起因した異常放電の発生を十分に抑制することが可能となる。
そこで、本実施形態においては、組織観察の結果、観察視野内の円相当径が5μm以上35μm以下のボイドの個数密度を1個/cm2未満に制限している。
図1(a),(b)に示すように、軸線O方向の中央部において、それぞれ円周方向に等間隔(90°間隔)の(1)、(2)、(3)、(4)の位置からブロックを採取し、図1(c)に示すように、これらの4個のブロックを厚さ方向(径方向)に(α)、(β)、(γ)のブロックに3分割して、合計12個の観察試料を採取した。これらの観察試料を研磨して鏡面仕上げとし、光学顕微鏡を用いて組織観察を行い、観察視野内における上述のボイドの個数密度を測定し、これらの12個の観察試料の測定結果の平均値を算出した。
なお、本実施形態であるスパッタリングターゲット用銅素材においては、円相当径が35μmを超える粗大なボイドについては、上述の観察試料内において観察されないことが好ましい。
本実施形態であるスパッタリングターゲット用素材において円相当径が5μm以上35μm以下の介在物の個数を少なくすることによって、この介在物に起因した異常放電の発生を十分に抑制することが可能となる。
そこで、本実施形態においては、組織観察の結果、観察視野内の円相当径が5μm以上35μm以下の介在物の個数密度を1個/cm2未満に制限している。
ここで、介在物の個数密度の測定は、上述のボイドの個数密度と同様の方法で実施することが好ましい。
まず、ガス成分を除いた銅の純度が99.99mass%以上99.999mass%未満の銅原料を溶解し、銅溶湯を得る。このとき、銅溶湯をカーボン材と接触させるとともに、アルゴンガスによるガスバブリングを実施することにより、ガス成分(O,H,N,S,Cl)を低減させることが好ましい。
次いで、得られた銅溶湯に、所定の濃度となるようにP,Mg,Ca,Ti,Zr,Sr,Be,Ra,Hfから選択される1種または2種以上の添加元素を添加して、成分調製を行う。
そして、本実施形態では、連続鋳造装置を用いて所定の断面形状(本実施形態では、断面円形状)の鋳塊を製造する。
次に、所定の断面形状を有する鋳塊に対して熱間加工を行う。本実施形態では、熱間押出加工を実施し、円筒形状の熱間加工材を得る。
ここで、熱間加工工程S02における加工温度は、600℃以上900℃以下の範囲内とすることが好ましい。
また、熱間加工工程S02における総加工率は、70%以上99%以下の範囲内とすることが好ましい。
次に、上述のようにして得られた熱間加工材に対して、冷間加工を行う。本実施形態では、冷間引抜加工を実施し、円筒形状の冷間加工材を得る。
ここで、冷間加工工程S03における総加工率は、1%以上40%以下の範囲内とすることが好ましい。
次に、冷間加工材に対して、熱処理を実施する。なお、必要に応じて、冷間加工工程S03と熱処理工程S04を繰り返し実施してもよい。
ここで、最終の熱処理工程S04においては、熱処理温度を600℃以上700℃以下の範囲とし、熱処理温度での保持時間を1時間以上4時間以下の範囲内とすることが好ましい。
次に、熱処理後に機械加工を行い、表面の酸化膜を除去するとともに所定の形状に仕上げる。
以上のような工程により、本実施形態であるスパッタリングターゲット用銅素材が製造されることになる。
本実施形態では、配線膜として高純度銅膜を形成するスパッタリングターゲットを例に挙げて説明したが、これに限定されることはなく、他の用途で銅膜を用いる場合であっても適用することができる。
また、スパッタリングターゲット用銅素材が板形状をなす場合には、熱間加工工程として熱間圧延を実施し、冷間加工工程として冷間圧延を実施してもよい。
得られた鋳塊に対して熱間押出加工(温度:800℃、加工率88%)を実施し、その後、冷間引抜加工(加工率:20%)を実施し、さらに熱処理(温度:620℃、保持時間:2時間)を実施した。
その後、切削加工を行い、外径:171mm、内径:125mm、長さ:3000mmの円筒形状のスパッタリングターゲット用銅素材を得た。
実施形態において説明した位置から観察試料を採取し、研磨して鏡面仕上げとし、光学顕微鏡を用いて倍率1000倍で観察した。そして、円相当径が5μm以上35μm以下のボイドの個数密度、及び、円相当径が5μm以上35μm以下の介在物の個数密度を算出した。評価結果を表1,2に示す。
また、本発明例1の組織観察結果を図5に、比較例3の組織観察結果を図6に示す。
得られたスパッタリングターゲット用銅素材をバッキングプレートに接合し、以下の条件で銅の薄膜を成膜した。
スパッタ出力:600W
スパッタ圧:0.2Pa
スパッタ時間:8時間
到達真空度:4×10−5Pa
雰囲気ガス:Arガス/混合ガス(Ar:90vol%+O:10vol%)
上記成膜条件において成膜を行い、異常放電の発生回数をスパッタ電源装置に付属したアーキングカウンターにて自動的にその回数を計測した。異常放電発生回数が200回/時間以下の場合を「〇」、異常放電発生回数が200回/時間を超えて300回/時間以下の場合を「△」、異常放電発生回数が300回/時間を超えた場合を「×」とした。評価結果を表1,2に示す。
比較例2においては、Cuの純度が99.9999mass%と本発明の範囲よりも高く、かつ、添加元素を添加しておらず、異常放電回数が多くなった。結晶粒が粗大化し、根粒組織となったためと推測される。
比較例3においては、添加元素を添加しておらず、円相当径が5μm以上35μm以下のボイドの個数密度が1.6個/cm2となり、このボイドに起因して異常放電回数が多くなった。ガス成分を固定できなかったためと推測される。
比較例4においては、添加元素の合計量が本発明の範囲を超えており、円相当径が5μm以上35μm以下の介在物の個数密度が5個/cm2となり、この介在物に起因して異常放電回数が多くなった。
Claims (5)
- ガス成分を除いたCuの純度が99.99mass%以上99.999mass%未満の範囲内とされ、P,Mg,Ca,Ti,Zr,Sr,Be,Ra,Hfから選択される1種または2種以上の添加元素を合計で2massppm超え10massppm未満の範囲で含有することを特徴とするスパッタリングターゲット用銅素材。
- 前記添加元素として、Pを少なくとも2massppmを超えて含有することを特徴とする請求項1に記載のスパッタリングターゲット用銅素材。
- ガス成分であるOの含有量が1massppm未満、Hの含有量が1massppm未満、Nの含有量が1massppm未満、Sの含有量が10massppm未満、Clの含有量が1massppm未満とされていることを特徴とする請求項1又は請求項2に記載のスパッタリングターゲット用銅素材。
- 円相当径が5μm以上35μm以下のボイドの個数密度が1個/cm2未満であることを特徴とする請求項1から請求項3のいずれか一項に記載のスパッタリングターゲット用銅素材。
- 円相当径が5μm以上35μm以下の介在物の個数密度が1個/cm2未満であることを特徴とする請求項1から請求項4のいずれか一項に記載のスパッタリングターゲット用銅素材。
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