JP2007003334A - プローブ組立体およびこれを用いた電気的接続装置 - Google Patents

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Abstract

【課題】 従来に比較して安価なプローブ組立体を提供すること。
【解決手段】 一方の面にプローブが配置され、また他方の面に各プローブに電気的に接続された接続端子が配置されるセラミックス基板を複数の基板部分に分割して形成し、フレームを用いて、これら複数のセラミックス基板部分を一枚板のように一体的に保持することにより、所望の大きさのプローブ基板を得る。
【選択図】図1

Description

本発明は、電気回路の電気的検査のために、被検査体である例えば集積回路の電気回路とその電気的検査を行うテスタの電気回路との接続に用いられるプローブカードのような電気的接続装置、この電気的接続装置に用いられるプローブ組立体に関する。
この種の電気的接続装置の1つとして、セラミックス製のいわゆるプローブ基板と、プローブ基板の一方の面に配置された複数のプローブとを有するプローブ組立体を備えるものがある(特許文献1及び2)。
特開平6−140484号公報 特開平11−160356号公報
このような電気的接続装置のプローブ基板を構成するセラミックス板には、半導体ウエハ上に形成された多数の集積回路のそれぞれに設けられた多数の接続パッドに対応して、多数の微細なプローブが整列して配置される。正確な電気的測定の実現のために、これら全てのプローブの先端を所定の誤差内の均等な押圧力で対応する各接続パッドに当接させる必要がある。そこで、多数のプローブが設けられるセラミックス板には、高い平坦度が要求される。
ところが、このような高い平坦度の要求を満たす大型の一枚板のセラミックス板を形成する加工技術は容易ではない。このことから、この高い平坦度の要求を満たすセラミックス板のうち、市場で入手し得るセラミックス板の最大直径は、たかだか8インチ(約200mmφ)程度であり、これよりも大型の所望の平坦度を満たすセラミックス板は極めて高価となる。
そのため、従来では、8インチを越える直径のセラミックス板を安価に入手することができず、8インチを越える直径のセラミックス基板を備える大型のプローブ組立体を安価に製造することはできない。したがって、一括的に測定し得る最大直径の半導体ウエハは、実質的に、8インチ以下のものに限られていた。また、8インチを越える大型の半導体ウエハ上に形成された多数の集積回路の電気的測定では、半導体ウエハを複数の検査領域に分けて、検査領域毎で集積回路の測定が繰り返えされており、この繰り返しによる検査効率の低下を招いていた。
そこで、本発明の目的は、従来に比較して安価なプローブ組立体及びこれを用いた電気的接続装置を提供することにある。
また、本発明の他の目的は、従来に比較して安価な大型のプローブ組立体及びこれを用いた電気的接続装置を提供することにある。
本発明は、前記した課題の解決のために、セラミックス基板を複数の基板部分に分割して形成し、フレームを用いて、これら複数のセラミックス基板部分を並べて一枚板のように一体的に保持することにより、所望の大きさのプローブ基板を実現するという基本構想に立脚する。
すなわち、本発明に係るプローブ組立体は、複数のセラミックス基板部分であってそれぞれの一方の面に複数のプローブが配置され、またそれぞれの他方の面に、前記一方の面に配置された前記複数のプローブのそれぞれに電気的に接続された複数の接続端子が配置され、面上に並べられた複数のセラミックス基板部分と、該複数のセラミックス基板部分を一体的に保持するフレームとを備えることを特徴とする。
本発明によれば、面上に相互に並んで配置される複数のセラミックス基板部分の集合により、一枚板のようなセラミックス基板を形成することができ、個々のセラミックス基板部分の小面積化を図ることができる。この個々のセラミックス基板部分の小面積化により、それらの集合体で実現できると同一面積を有する単一のセラミックス基板の平坦化加工に比較して、それぞれのセラミックス基板部分の平坦化加工が容易になることから、8インチを越える大型のものをも含み、所望の大きさのセラミックス基板を有するプローブ組立体を従来に比較して容易かつ安価に提供することができる。
前記複数のセラミックス基板部分を前記他方の面が同一面上に整列するように保持することができ、これにより、多数のプローブを高密度に整列して配列することができる。
全体に環状の外枠部と、該外枠部で取り囲まれた内方領域内を区画する内枠部とを備えるフレームを用いることができ、この場合、前記複数のセラミックス基板部分は、前記区画された内方領域部分に対応してそれぞれ配置することができる。
前記外枠部を円環状に形成し、前記内枠部を十字状に形成し、前記各セラミックス基板部分を四半円の平面形状に形成することができる。
この場合、例えば8インチのセラミックス基板よりも小さな面積の平面形状を有する一辺が約150mmの正方形のセラミックス板から直径が9インチ(約304.8mmφ)の四半円の1枚のセラミックス基板部分を得ることができる。これら4枚の四半円のセラミックス基板部分を前記フレームにより円形に保持することにより、実質的に約9インチのセラミックス基板を得ることができるので、8インチを越える半導体ウエハ上に形成された多数の集積回路の一括的な電気的試験が可能となる。
前記フレームに位置決めピンを設け、前記各セラミックス基板部分に各位置決めピンを受け入れるピン穴を設けることができる。このピン及びピン穴の両者の嵌合により、前記フレームへの前記各セラミックス基板部分の組み付け作業を容易とすることができる。
前記各セラミックス基板部分は接着剤で前記フレームに固着することができる。
前記セラミックス基板部分と前記フレームとの熱膨張係数差を1ppm以下とすることにより、たとえ環境温度が上昇しても、両者の熱膨張差によるセラミックス基板のひずみの実質的な影響を排除することができる。そのために、例えばフレームに鋼の一種であるノビナイトSI-5(スーパーインバー、商品名 株式会社 榎本鋳工所製)を用い、セラミック基板部分にアルミナ積層基板(HTCC基板)を用いることができる。
前記セラミックス基板部分の前記一方の面に配線層を形成し、該配線層に各プローブが固着されるプローブランドを前記一方の面から遠ざかる方向へ突出して形成し、該各プローブランドの突出する端面に、前記各プローブを固着することができる。
各プローブランドに例えばフォトリソグラフィで形成されたカンチレバータイプのプローブを固着することにより、セラミックス基板部分に効率的にプローブを配置することができる。
また、前記各プローブランドの前記端面をほぼ同一面上に位置させることにより、各プローブランドに等しい高さ寸法のプローブを固着することで、プローブの先端をほぼ同一面上に揃えることができる。
本発明に係る電気的接続装置は、テスタと、該テスタによる電気的検査を受ける被検査体の電気接続端子とを接続する電気的接続装置であって、前記テスタに接続される配線回路が形成された配線基板と、前記被検査体の電気接続端子に先端が当接される複数のプローブを有するプローブ組立体と、前記配線基板および前記プローブ組立体間に配置され前記プローブを前記配線回路の対応する部位に電気的に接続する電気接続器とを備え、前記プローブ組立体は、それぞれに複数の前記プローブが形成され面上に並べられた複数のセラミックス基板部分と、該セラミックス基板を一体的に保持するフレームとを有することを特徴とする。
本発明に係る電気的接続装置によれば、そのプローブ組立体は、複数のセラミックス基板部分と、該セラミックス基板を一体的に保持するフレームとを有することから、複数のセラミックス基板部分の集合により、一枚板のようなセラミックス基板を形成することができる。したがって、従来に比較して安価に、所望の大きさのセラミックス基板を有するプローブ組立体を組み込んだ電気的接続装置を提供することができる。また、例えば8インチを越える半導体ウエハ上に形成された多数の集積回路の一括的な電気的検査が可能な安価な電気的接続装置を提供することができるので、電気的検査の作業効率が向上する。
本発明によれば、前記したように、複数のセラミックス基板部分をフレームによって一体的に保持することにより、所望の大きさのプローブ基板を実現することができるので、容易に安価なプローブ組立体を得ることができ、またこのプローブ組立体を用いた電気的接続装置を安価に提供することができる。
本発明に係るプローブ組立体10が、図1ないし図3に示されている。図1はプローブ組立体10を下方より見た斜視図であり、図2はプローブ組立体10の正面図であり、図3はプローブ組立体10の平面図である。
プローブ組立体10は、図1および図2に示すように、全体に円形環状のフレーム12と、該フレームに支持された4枚のセラミックス基板部分14aから成るセラミック板14と、該セラミック板の一方の面に配置された多数のプローブ16とを備える。
フレーム12は、例えばノビナイトSI-5のような熱膨張係数の小さな(0〜1×10-6/K、ここで、Kは293〜323K。)金属材料で形成されている。図3および図4に明確に示されているように、フレーム12は円形の環状部12aと、該環状部によりその内方に規定される円形領域を4分する十字状の内枠部12bとを備える。内枠部12bの各端部は環状部12aに連なる。図4に示すように、フレーム12の下面における環状部12aと内枠部12bとの一体化部分および内枠部12bの交差部分のそれぞれには、セラミックス基板部分14aのための位置決めピン18がフレーム12と一体に形成されている。
各セラミックス基板部分14aは、図1および図5に示すように、フレーム12の環状部12aのほぼ外径に等しい円形の四半円の平面形状を有する。このようなセラミックス基板部分14aは、例えば、正方形のセラミックス板の一隅を扇の要とし、この要から互いに90度の角度関係で伸びる2辺の先端を結ぶ直線を弦とする弧が形成されるように、正方形のセラミックス板を加工することにより、一枚の正方形のセラミックス板からその一辺を半径とする4半円の平面形状のセラミックス基板部分14aを得ることができる。
前記したような正方形のセラミックス板の加工により、例えば8インチのセラミックス基板よりも小さな面積の平面形状を有する、一辺が150mmの正方形のセラミックス板から直径が9インチ(約304.8mmφ)の四半円の1枚のセラミックス基板部分14aを得ることができる。このようなセラミックス板には、熱膨張係数が前記ノビナイトとほぼ同様な値を示すアルミナ積層基板(High Temperature Cofired Ceramic Substrate)を用いることが好ましい。
各セラミックス基板部分14aの一方の面には、図1および図2に示すように、従来よく知られた多層配線層20が形成されており、該配線層の表面には、プローブランド22(図7参照)が形成されている。プローブランド22はセラミックス基板部分14aの一方の面から突出して形成されており、各プローブランド22には、例えば従来よく知られたフォトリソグラフィを利用して形成されたカンチレバータイプの前記プローブ16の一端が固着されている。図2には、図面の簡素化のためにプローブランド22は省略されている。
各セラミックス基板部分14aの他方の面には、図5に示されているように、各プローブ16に対応して、すなわち各プローブランド22に対応して接続端子26が設けられている。セラミックス基板部分14a内には、従来のセラミック基板におけると同様に、板厚方向に貫通するスルーホールからなる導電路(図示せず)が設けられており、該各導電路を経てプローブランド22に接続されたプローブ16と、これに対応する接続端子26とが電気的に接続されている。
また、各セラミックス基板部分14aの上面すなわち前記他方の面には、接続端子26の配列領域を除く周辺部に、フレーム12への各セラミックス基板部分14aの適正な位置決めを容易とするために、フレーム12に設けられた位置決めピン18を受け入れるピン穴28がそれぞれ形成されている。さらに、図示の例では、セラミックス基板部分14aの前記上面における接続端子26間の隙間には、図2および図3に示すように、同一面上に頂面を整列させて配置された円柱状の複数のアンカー部30が形成されている。各アンカー部30は、プローブ組立体10の後述する電気的接続装置32の補強枠体40への結合に用いられる。各アンカー部30には、上端に開放する図3に示すような雌ねじ穴30aが形成されている。なお。図3では、図面の簡素化のために、接続端子26が省略されている。
各セラミックス基板部分14aは、上面をフレーム12の下面に対向させて、それぞれに設けられたピン穴28にフレーム12の位置決めピン18を受け入れるように、フレーム12の下面に配置される。このピン穴28と位置決めピン18との嵌合により、図3に示すように、各セラミックス基板部分14aの外縁がフレーム12の環状部12aおよび内枠部12bに接し、また環状部12aの内方領域が各セラミックス基板部分14aで閉鎖されるように、セラミックス基板部分14aがフレーム12に整列して配置される。このフレーム12へ整列した状態で、セラミックス基板部分14aの外縁がこれに接する環状部12aおよび内枠部12bに、例えば樹脂接着材、半田接合あるいはロウ付けのような接着手段を用いて、接着される。
セラミックス基板部分14aのフレーム12への接着により、セラミックス基板部分14aは、一枚板のセラミックス基板のように、各プローブ16の先端が同一面上に揃うように保持され、全体に円板状のプローブ組立体10が構成される。各セラミックス基板部分14aの相互に対向する縁部は、許容誤差を考慮して相互に間隔を置くことができるが、強度を高める上で、相互に接合させることが望ましく、そのために相互に接着剤で接着することができる。
本発明のプローブ組立体10によれば、前記したように、4枚の環状部セラミックス基板部分14aをフレーム12で一体的に保持させることにより、8インチを越える300mmφのセラミック基板14を形成することができる。
また、複数のセラミックス基板部分14aに分割されていることから、各セラミックス基板部分14aの平坦度を高精度で制御することができ、比較的容易かつ安価に大型のプローブ組立体を提供することができる。
また、セラミックス基板部分14aおよびフレーム12をほぼ同一の熱膨張係数を有する材料から選択することにより、例えば200℃の高温環境下においても、両者12、14aの熱膨張差によるセラミックス基板部分14aへの大きなひずみの発生を防止することができ、セラミック板14に設けられるプローブ16の先端位置の大きなばらつきを防止することができる。
前記したところでは、各セラミックス基板部分14aにプローブ16を固定した後、各セラミックス基板部分14aをフレーム12に固定した例を示した。これに代えて、図6に示すように、セラミックス基板部分14aにプローブ16を固定するに先立ち、各セラミックス基板部分14aをフレーム12に固定し、その後、セラミックス基板部分14aの多層配線層20に形成されたプローブランド22にプローブ16を固定することができる。
位置決めピン18およびピン穴28を不要とすることができる。しかしながら、セラミックス基板部分14aのフレーム12上への容易かつ正確な位置決めを可能とする上で、位置決めピン18およびピン穴28を設けることが望まし。
図7は、本発明に係るプローブ組立体10を組み込んだ電気的接続装置32の要部を示す断面図である。
電気的接続装置32は、半導体ウエハ34上に形成された多数の集積回路の電気接続検査を行うために、前記集積回路の接続パッド(図示せず)と、検査のためのテスタ36との間を電気的に接続する。
電気的接続装置32は、テスタ36に接続された円形の配線基板38の上面を支持する補強枠体40と、配線基板38に間隔をおいてその下方に配置されるプローブ組立体10と、該プローブ組立体10および配線基板38間に配置される電気接続器42とを備える。
配線基板38は、従来よく知られているように、合成樹脂基板内にテスタ36に接続される配線回路が組み込まれて形成されており、その下面には、前記配線回路に接続された接続パッド(図示せず)が形成されている。プローブ組立体10は、その接続端子26を対応する配線基板38の前記接続パッドに対向させて、配線基板38の下方に組み付けられる。
プローブ組立体10の組付けのために、プローブ組立体10のプローブ基板の縁部を挟持するベースリング44および固定リング46がボルト48で相互に結合されている。ベースリング44は、補強枠体40および配線基板38を貫通するボルト50に螺合し、該ボルトの締め付けより、スペーサ52を介して補強枠体40に締結されている。多層配線層20が形成されたセラミックス基板部分14aの集合体からなるセラミック板14およびセラミックス基板部分14aを一体的に保持するフレーム12からなるプローブ基板の縁部が、両リング44および46の内縁部で挟持される。
ベースリング44の内方には、配線基板38およびプローブ組立体10間に配置された電気接続器42が収容されている。電気接続器42は、プローブ組立体10の接続端子26と、これに対応する配線基板38の前記接続パッドとを電気的に接続する。図示の例では、電気接続器42にポゴピンタイプの電気接続器42が用いられている。電気接続器42の各圧縮コイルスプリング42aを間に挟む各一対のポゴピン42bを摺動可能に収容するポゴピンブロック42cは、補強枠体40に螺合するボルト54で補強枠体40に固定されている。
また、プローブ組立体10は、補強枠体40から配線基板38およびポゴピンブロック42cを貫通し、先端がセラミックス基板部分14aに設けられたアンカー部30の雌ねじ30aに螺合するボルト56により、補強枠体40に結合されている。ボルト56には、一端が補強枠体40の下面40aに当接し、他端がアンカー部30の頂面に当接するスペーサ部材58が嵌合する。
アンカー部30の頂面は、各セラミックス基板部分14aをフレーム12に固定した状態で同一面上に位置するように揃えることができる。これにより、図7に示すようにフレーム12に固定した状態でセラミックス基板部分14aにわずかなたわみが生じても、同一長のアンカー部材58を用いて、たわみを維持した状態でプローブ組立体10を組み込むことができる。したがって、アンカー部30は、スペーサ部材58と共に、スペーサとして機能する。
同様に、各セラミックス基板部分14aをフレーム12に固定した状態で、プローブランド22の下端が同一面上に位置するように該プローブランド22の下端面を揃えることができる。このように、フレーム12に固定した状態でセラミックス基板部分14aのたわみの有無に拘わらずプローブランド22の下端面を揃え、プローブランド22に同一長のプローブ16を固着することにより、たとえプローブ組立体10のセラミック板14にたわみが生じても、このたわみを矯正することなく、プローブ16の下端すなわち先端を同一面上に揃えることができるので、半導体ウエハ34上の多数の前記接続パッドと対応する多数のプローブ16との間の確実な電気的接触を得ることができる。
本発明に係る電気的接続装置32によれば、プローブ組立体として前記したプローブ組立体10が組み込まれており、このプローブ組立体10は、比較的容易かつ安価に例えば8インチを越える半導体ウエハ上に形成された多数の集積回路の一括的な電気的検査に適応し得る大きさに形成することができることから、半導体ウエハ34の前記集積回路についての電気的検査の作業効率が向上する。
本発明は、上記実施例に限定されず、その趣旨を逸脱しない限り、種々に変更することができる。たとえば、フレームは、前記したノビナイの他、プローブ組立体のセラミックス基板部分14aの熱膨張係数にほぼ等しい1ppm以下の値を示す金属あるいは非金属材料の種々の材料から適宜選択することができる。また、プローブとして、前記したカンチレバータイプの他、ピンタイプのような種々のプローブを適用することができる。
本発明に係るプローブ組立体を下方から見た斜視図である。 図1に示したプローブ組立体の正面図である。 図1に示したプローブ組立体の平面図である。 図1に示したフレームを下方から見た斜視図である。 図1に示したセラミックス基板部分を上方から見た斜視図である。 図1に示したプローブ組立体の製造工程の変形例をフレームを破断して示す図2と同様な図面である。 本発明に係るプローブ組立体を備える電気的接続装置の要部を示す横断面図である。
符号の説明
10 プローブ組立体
12 フレーム
12a フレームの環状部
12b フレームの内枠部
14 セラミック板
14a セラミックス基板部分
16 プローブ
18 位置決めピン
20 多層配線層
22 プローブランド
26 接続端子
28 ピン穴

Claims (11)

  1. 複数のセラミックス基板部分であってそれぞれの一方の面に複数のプローブが配置され、またそれぞれの他方の面に、前記一方の面に配置された前記複数のプローブのそれぞれに電気的に接続された複数の接続端子が配置され、面上に並べられた複数のセラミックス基板部分と、該複数のセラミックス基板部分を一体的に保持するフレームとを備えるプローブ組立体。
  2. 前記複数のセラミックス基板部分は前記他方の面が同一面上に整列して保持されている、請求項1に記載のプローブ組立体。
  3. 前記フレームは、全体に環状の外枠部と、該外枠部で取り囲まれた内方領域内を区画する内枠部とを備え、前記複数のセラミックス基板部分は、前記区画された領域部分に対応してそれぞれ配置されている、請求項2に記載のプローブ組立体。
  4. 前記外枠部は円環状を呈し、前記内枠部は十字状を呈し、前記各セラミックス基板部分は四半円の平面形状を有する、請求項3に記載のプローブ組立体。
  5. 前記フレームには位置決めピンが設けられ、前記各セラミックス基板部分には各位置決めピンを受け入れるピン穴が形成されている、請求項2に記載のプローブ組立体。
  6. 前記各セラミックス基板部分は接着剤で前記フレームに固着されている、請求項2に記載のプローブ組立体。
  7. 前記セラミックス基板部分と前記フレームとの熱膨張係数差は1ppm以下である、請求項2に記載のプローブ組立体。
  8. 前記セラミックス基板部分の前記一方の面には配線層が形成され、該配線層には各プローブが固着されるプローブランドが前記一方の面から遠ざかる方向へ突出して形成されており、該各プローブランドの突出する端面に、前記各プローブが固着されている請求項2に記載のプローブ組立体。
  9. 前記各プローブランドの前記端面はほぼ同一面上に位置する、請求項8に記載のプローブ組立体。
  10. テスタと、該テスタによる電気的検査を受ける被検査体の電気接続端子とを接続する電気的接続装置であって、
    前記テスタに接続される配線回路が形成された配線基板と、前記被検査体の電気接続端子に先端が当接される複数のプローブを有するプローブ組立体と、前記配線基板および前記プローブ組立体間に配置され前記プローブを前記配線回路の対応する部位に電気的に接続する電気接続器とを備え、
    前記プローブ組立体は、それぞれに複数の前記プローブが形成され面上に並べられた複数のセラミックス基板部分と、該複数のセラミックス基板を一体的に保持するフレームとを有する電気的接続装置。
  11. 複数のセラミックス基板部分のそれぞれの一方の面には複数の前記プローブが形成され、またそれぞれの他方の面に、前記一方の面に形成された前記複数のプローブのそれぞれに電気的に接続された複数の接続端子が形成されている、請求項10に記載の電気的接続装置。
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Cited By (23)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2007066622A1 (ja) * 2005-12-05 2007-06-14 Nhk Spring Co., Ltd. プローブカード
WO2008114464A1 (ja) * 2007-03-20 2008-09-25 Kabushiki Kaisha Nihon Micronics 電気的接続装置
WO2008126601A1 (ja) * 2007-03-14 2008-10-23 Nhk Spring Co., Ltd. プローブカード
KR100874601B1 (ko) 2007-07-03 2008-12-23 주식회사 파이컴 기판 구조물 및 이를 갖는 검사 장치
WO2009011365A1 (ja) * 2007-07-19 2009-01-22 Nhk Spring Co., Ltd. プローブカード
JP2009526992A (ja) * 2006-02-16 2009-07-23 パイコム コーポレイション スペーストランスフォーマと前記スペーストランスフォーマの製造方法及び前記スペーストランスフォーマを有するプローブカード
KR100926938B1 (ko) 2007-11-15 2009-11-17 (주)엠투엔 프로브 카드 조립체 및 그 제조 방법
WO2009147929A1 (ja) * 2008-06-02 2009-12-10 株式会社アドバンテスト プローブ、電子部品試験装置及びプローブの製造方法
KR100932990B1 (ko) 2007-11-15 2009-12-21 (주)엠투엔 프로브 카드 조립체
WO2010058912A2 (ko) * 2008-11-21 2010-05-27 화인인스트루먼트 (주) 프로브 카드 및 그 제조 방법
KR100979904B1 (ko) * 2008-11-21 2010-09-03 화인인스트루먼트 (주) 프로브 카드 및 그 제조 방법
JP2011033397A (ja) * 2009-07-30 2011-02-17 Japan Electronic Materials Corp プローブカード
JP2011089891A (ja) * 2009-10-22 2011-05-06 Micronics Japan Co Ltd 電気的接続装置及びこれを用いる試験装置
KR101058514B1 (ko) 2008-04-16 2011-08-23 윌테크놀러지(주) 프로브 카드용 공간 변형기
US8149006B2 (en) 2005-12-05 2012-04-03 Nhk Spring Co., Ltd. Probe card
JP2012164469A (ja) * 2011-02-04 2012-08-30 Three M Innovative Properties Co Icデバイス用ソケット
JP2013200314A (ja) * 2013-05-23 2013-10-03 Japan Electronic Materials Corp プローブカード
JP2014130125A (ja) * 2012-11-28 2014-07-10 Micronics Japan Co Ltd プローブカード及び検査装置
JP2014202580A (ja) * 2013-04-04 2014-10-27 株式会社日本マイクロニクス プローブ組立体及びプローブ基板
KR101559984B1 (ko) 2012-12-17 2015-10-13 가부시키가이샤 니혼 마이크로닉스 프로브 카드, 검사 장치 및 검사 방법
CN105467168A (zh) * 2015-12-21 2016-04-06 深圳市邦乐达科技有限公司 一种设有陶瓷针盘的测试座
CN110297109A (zh) * 2019-07-16 2019-10-01 苏州奥金斯电子有限公司 一种测试治具核心针板
CN116031172A (zh) * 2023-01-09 2023-04-28 上海泽丰半导体科技有限公司 大尺寸陶瓷基板制作方法及大尺寸陶瓷基板

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH09274055A (ja) * 1996-04-05 1997-10-21 Denso Corp 半導体試験装置並びに半導体試験装置用プローブユニット及びその製造方法
JPH11251383A (ja) * 1997-12-29 1999-09-17 Internatl Business Mach Corp <Ibm> テスト・ヘッド
JP2003207521A (ja) * 2002-01-10 2003-07-25 Yamaha Corp プローブユニットおよびその製造方法、通電検査装置
JP2004356467A (ja) * 2003-05-30 2004-12-16 Micronics Japan Co Ltd 通電試験用電気的接続装置
JP2005181284A (ja) * 2003-10-30 2005-07-07 Tokyo Electron Ltd カードホルダ及びプローブカードの固定機構

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH09274055A (ja) * 1996-04-05 1997-10-21 Denso Corp 半導体試験装置並びに半導体試験装置用プローブユニット及びその製造方法
JPH11251383A (ja) * 1997-12-29 1999-09-17 Internatl Business Mach Corp <Ibm> テスト・ヘッド
JP2003207521A (ja) * 2002-01-10 2003-07-25 Yamaha Corp プローブユニットおよびその製造方法、通電検査装置
JP2004356467A (ja) * 2003-05-30 2004-12-16 Micronics Japan Co Ltd 通電試験用電気的接続装置
JP2005181284A (ja) * 2003-10-30 2005-07-07 Tokyo Electron Ltd カードホルダ及びプローブカードの固定機構

Cited By (38)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US8018242B2 (en) 2005-12-05 2011-09-13 Nhk Spring Co., Ltd. Probe card
US8149006B2 (en) 2005-12-05 2012-04-03 Nhk Spring Co., Ltd. Probe card
WO2007066622A1 (ja) * 2005-12-05 2007-06-14 Nhk Spring Co., Ltd. プローブカード
JP2009526992A (ja) * 2006-02-16 2009-07-23 パイコム コーポレイション スペーストランスフォーマと前記スペーストランスフォーマの製造方法及び前記スペーストランスフォーマを有するプローブカード
US8456184B2 (en) 2007-03-14 2013-06-04 Nhk Spring Co., Ltd. Probe card for a semiconductor wafer
TWI383154B (zh) * 2007-03-14 2013-01-21 Nhk Spring Co Ltd 探針卡
WO2008126601A1 (ja) * 2007-03-14 2008-10-23 Nhk Spring Co., Ltd. プローブカード
US7859282B2 (en) 2007-03-20 2010-12-28 Kabushiki Kaisha Nihon Micronics Electrical connecting apparatus
WO2008114464A1 (ja) * 2007-03-20 2008-09-25 Kabushiki Kaisha Nihon Micronics 電気的接続装置
KR101029697B1 (ko) 2007-03-20 2011-04-18 가부시키가이샤 니혼 마이크로닉스 전기적 접속장치
KR100874601B1 (ko) 2007-07-03 2008-12-23 주식회사 파이컴 기판 구조물 및 이를 갖는 검사 장치
WO2009011365A1 (ja) * 2007-07-19 2009-01-22 Nhk Spring Co., Ltd. プローブカード
JP5714817B2 (ja) * 2007-07-19 2015-05-07 日本発條株式会社 プローブカード
TWI394953B (zh) * 2007-07-19 2013-05-01 Nhk Spring Co Ltd 探針卡
US8149008B2 (en) 2007-07-19 2012-04-03 Nhk Spring Co., Ltd. Probe card electrically connectable with a semiconductor wafer
KR100926938B1 (ko) 2007-11-15 2009-11-17 (주)엠투엔 프로브 카드 조립체 및 그 제조 방법
KR100932990B1 (ko) 2007-11-15 2009-12-21 (주)엠투엔 프로브 카드 조립체
KR101058514B1 (ko) 2008-04-16 2011-08-23 윌테크놀러지(주) 프로브 카드용 공간 변형기
JP2009293943A (ja) * 2008-06-02 2009-12-17 Advantest Corp プローブ、電子部品試験装置及びプローブの製造方法
WO2009147929A1 (ja) * 2008-06-02 2009-12-10 株式会社アドバンテスト プローブ、電子部品試験装置及びプローブの製造方法
JP4555362B2 (ja) * 2008-06-02 2010-09-29 株式会社アドバンテスト プローブ、電子部品試験装置及びプローブの製造方法
TWI418797B (zh) * 2008-06-02 2013-12-11 Advantest Corp A probe, an electronic component testing device, and a method of manufacturing the probe
US8598902B2 (en) 2008-06-02 2013-12-03 Advantest Corporation Probe, electronic device test apparatus, and method of producing the same
WO2010058912A3 (ko) * 2008-11-21 2010-07-29 화인인스트루먼트 (주) 프로브 카드 및 그 제조 방법
WO2010058912A2 (ko) * 2008-11-21 2010-05-27 화인인스트루먼트 (주) 프로브 카드 및 그 제조 방법
KR100979904B1 (ko) * 2008-11-21 2010-09-03 화인인스트루먼트 (주) 프로브 카드 및 그 제조 방법
JP2011033397A (ja) * 2009-07-30 2011-02-17 Japan Electronic Materials Corp プローブカード
JP2011089891A (ja) * 2009-10-22 2011-05-06 Micronics Japan Co Ltd 電気的接続装置及びこれを用いる試験装置
US8525539B2 (en) 2009-10-22 2013-09-03 Kabushiki Kaisha Nihon Micronics Electrical connecting apparatus and testing system using the same
JP2012164469A (ja) * 2011-02-04 2012-08-30 Three M Innovative Properties Co Icデバイス用ソケット
JP2014130125A (ja) * 2012-11-28 2014-07-10 Micronics Japan Co Ltd プローブカード及び検査装置
KR101559984B1 (ko) 2012-12-17 2015-10-13 가부시키가이샤 니혼 마이크로닉스 프로브 카드, 검사 장치 및 검사 방법
JP2014202580A (ja) * 2013-04-04 2014-10-27 株式会社日本マイクロニクス プローブ組立体及びプローブ基板
JP2013200314A (ja) * 2013-05-23 2013-10-03 Japan Electronic Materials Corp プローブカード
CN105467168A (zh) * 2015-12-21 2016-04-06 深圳市邦乐达科技有限公司 一种设有陶瓷针盘的测试座
CN110297109A (zh) * 2019-07-16 2019-10-01 苏州奥金斯电子有限公司 一种测试治具核心针板
CN116031172A (zh) * 2023-01-09 2023-04-28 上海泽丰半导体科技有限公司 大尺寸陶瓷基板制作方法及大尺寸陶瓷基板
CN116031172B (zh) * 2023-01-09 2024-02-13 上海泽丰半导体科技有限公司 大尺寸陶瓷基板制作方法及大尺寸陶瓷基板

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