JP2006529005A5

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Publication number: JP2006529005A5
Application number: JP2006532471A
Authority: JP
Filing date: 2004-04-27
Publication date: 2007-05-24

Claims

スルホン酸と、低濃度の低原子価硫黄（II）化合物および硫黄（IV）化合物並びに還元されやすい高原子価硫黄（VI）化合物とを含む、電気化学的方法において使用するための水溶液。
前記低原子価硫黄（II）化合物および硫黄（IV）化合物並びに高原子価硫黄（VI）化合物が、ジメチルジスルフィド、ジメチルスルフィド、ジメチルスルホン、トリクロロメチルメチルスルホン、ジクロロメチルメチルスルホン、メタンチオスルホン酸メチル、及びメタンスルホン酸メチルである請求項１の水溶液。
電着、電池、導電性ポリマー及びスケール除去方法における使用のための請求項１の水溶液。
還元された硫黄（IV）化合物の総量が５０ｍｇ／Ｌ未満である請求項１の水溶液。
還元された硫黄（II）化合物の濃度が５０ｍｇ／Ｌ未満である請求項１の水溶液。
前記スルホン酸が、アルキルモノスルホン酸、アルキルポリスルホン酸、アリールモノスルホン酸またはアリールポリスルホン酸から誘導された請求項１の水溶液。
前記スルホン酸が以下のものである請求項１の水溶液：

（ここで、ａ＋ｂ＋ｃ＋ｙ＝４であり、Ｒ、Ｒ’及びＲ”は、同一または異なるものであり、それぞれ独立して、水素、フェニル、Ｃｌ、Ｆ、Ｂｒ、Ｉ、ＣＦ₃または低級Ｃ_1-9アルキル基（これは非置換であってもよく、酸素、Ｃｌ、Ｆ、Ｂｒ、Ｉ、ＣＦ₃または−ＳＯ₂ＯＨにより置換されていてもよい）である。）。
前記スルホン酸が、メタンスルホン酸、エタンスルホン酸、プロパンスルホン酸、メタンジスルホン酸、モノクロロメタンジスルホン酸、ジクロロメタンジスルホン酸、１，１−エタンジスルホン酸、２−クロロ−１，１−エタンジスルホン酸、１，２−ジクロロ−１，１−エタンジスルホン酸、１，１−プロパンジスルホン酸、３−クロロ−１，１−プロパンジスルホン酸、１，２−エチレンジスルホン酸、１，３−プロピレンジスルホン酸、トリフルオルメタンスルホン酸、ブタンスルホン酸、ペルフルオロブタンスルホン酸、ペンタンスルホン酸、フェニルスルホン酸、フェノールスルホン酸、ｐ−トルエンスルホン酸、キシレンスルホン酸またはそれらの混合物である請求項７の水溶液。
前記スルホン酸が遊離アルカンスルホン酸であり、１〜１４８０ｇ／Ｌの濃度範囲を有する請求項７の水溶液。
前記遊離アルカンスルホン酸の濃度が、溶液１リットル当たり１０〜７００ｇである請求項９の水溶液。
前記遊離アルカンスルホン酸の濃度が、溶液１リットル当たり３０〜５００ｇである請求項９の水溶液。
ｐＨが−２〜１３である、請求項１の水溶液。
前記酸が、スルホン酸と、他の無機または有機酸との混合物である請求項１の水溶液。
スルホン酸金属塩または他の金属塩および遊離スルホン酸を含み、電着、電池、導電性ポリマーまたはスケール除去方法においての使用を目的とした請求項１の水溶液。
前記金属塩が、下記式のアルキルスルホン酸またはアリールスルホン酸として導入された請求項１４の水溶液：

（ここで、ａ＋ｂ＋ｃ＋ｙ＝４であり、Ｍは、周期表の１Ｂ、２Ｂ、３Ａ、３Ｂ、４Ａ、４Ｂ、５Ａ、５Ｂ、６Ｂ、７Ｂ、８Ｂ族、ランタノイドもしくはアクチノイド金属の中の金属、およびアンモニウムイオンまたはそれらの混合物から選択され、Ｒ、Ｒ’及びＲ”は、同一または異なるものであり、それぞれ独立して、水素、フェニル、Ｃｌ、Ｆ、Ｂｒ、Ｉ、ＣＦ₃またはＣ_1-23アルキル基（これは非置換であってもよく、酸素、Ｃｌ、Ｆ、Ｂｒ、Ｉ、ＣＦ₃または−ＳＯ₂ＯＨにより置換されていてもよい）である。）。
前記金属塩の陰イオン部分のスルホン酸および遊離スルホン酸が、下記式のアルキルスルホン酸として導入されたものである請求項１４の水溶液：

（ここで、ａ＋ｂ＋ｃ＋ｙ＝４であり、
Ｒ、Ｒ’及びＲ”は、同一または異なるものであり、それぞれ独立して、水素、フェニル、Ｃｌ、Ｆ、Ｂｒ、Ｉ、ＣＦ₃またはＣ_1-23アルキル基（これは非置換であってもよく、酸素、Ｃｌ、Ｆ、Ｂｒ、Ｉ、ＣＦ₃または−ＳＯ₂ＯＨにより置換されていてもよい）である。）。
前記金属塩が、水溶液１リットル当たり１〜６００ｇの濃度で使用される請求項１４の水溶液。
前記スルホン酸が、メタンスルホン酸、エタンスルホン酸、プロパンスルホン酸、トリフルオロメタンスルホン酸またはそれらの混合物である請求項１４の水溶液。
前記スルホン酸金属塩または他の金属塩の金属が、周期表の１Ｂ、２Ｂ、３Ａ、３Ｂ、４Ａ、４Ｂ、５Ａ、５Ｂ、６Ｂ、７Ｂ、８Ｂ族、ランタノイドもしくはアクチノイド金属の中の金属、およびアンモニウムイオンまたはそれらの混合物から選択される請求項１４の水溶液。
前記スルホン酸金属塩がメタンスルホン酸亜鉛である請求項１４の水溶液。
前記スルホン酸金属塩がメタンスルホン酸銅である請求項１４の水溶液。
前記スルホン酸金属塩がメタンスルホン酸ニッケルである請求項１４の水溶液。
前記スルホン酸金属塩がメタンスルホン酸鉄（II）である請求項１４の水溶液。
前記スルホン酸金属塩がアルカリ金属またはアルカリ土類金属塩である請求項１４の水溶液。
前記スルホン酸塩または他の金属塩が、周期表の１Ｂ、２Ｂ、３Ａ、３Ｂ、４Ａ、４Ｂ、５Ａ、５Ｂ、６Ｂ、７Ｂ、８Ｂ族、ランタノイドおよびアクチノイド金属の中の金属、ならびにアンモニウムイオンから選択される、金属のスルホン酸塩の混合物として提供される請求項１４の水溶液。
前記水溶液のｐＨ調整のために緩衝剤が加えられた請求項１の水溶液。
前記緩衝剤がホウ酸である請求項２６の水溶液。
アニリンまたは置換アニリンまたはピロールから選択される有機モノマーを含む請求項１の水溶液。
遊離のアルカンスルホン酸に、低原子価硫黄分子の原子価を高めるのに充分な酸化剤を添加し、
このスルホン酸を２５℃〜９５℃の範囲の温度において低原子価硫黄分子の原子価を高めるのに充分な時間混合し、
随意にこのアルカンスルホン酸を高温に加熱して残留酸化剤を除去し、
そして随意に活性炭粉末を添加して残留不純物を除去する
ことによって遊離のアルカンスルホン酸を処理して低原子価硫黄を除去する、高純度アルカンスルホン酸の調製方法。
前記酸化剤が、過酸化水素、硝酸、過マンガン酸塩、アノード電流、モノペルオキシ硫酸塩、塩素水溶液、カルボン酸溶液中のハロゲンから選択される請求項２９の方法。
請求項１に記載の水溶液中に１ｇ／Ｌ〜５００ｇ／Ｌの範囲の金属イオン濃度をもたらすのに充分な純金属、金属炭酸塩、金属酸化物またはその他の金属塩を溶解させることによる、スルホン酸金属塩溶液の製造方法。
基板上に金属または合金を電気めっきするため溶液中に電流を通すことを含む、請求項１４の水溶液からの金属析出方法。
前記基板が、半導体デバイス、プリント回路基板、不活性電極、鋼、銅もしくは銅−合金、ニッケルもしくはニッケル−合金、コバルトもしくはコバルト合金、耐火性金属もしくは酸化物、炭素または有機基材である請求項３２の方法。
前記スルホン酸がメタンスルホン酸である請求項３２の方法。
前記水溶液が、スルホン酸と、他の無機または有機酸との混合物を含む請求項３２の方法。
前記電流が、直流、パルス電流またはＰＲ電流である請求項３２の方法。
可溶性または不溶性もしくは不活性なアノードに使用される請求項３２の方法。
前記溶液の温度が、０℃〜９５℃である請求項３２の方法。
前記金属が、純金属または合金であり、１Ｂ、２Ｂ、３Ａ、３Ｂ、４Ａ、４Ｂ、５Ａ、５Ｂ、６Ｂ、７Ｂ、８Ｂ族、ランタノイドもしくはアクチノイド金属の中の金属またはそれらの合金から選択される請求項３２の方法。
スケール層を表面に有する前記金属部材を請求項６の水溶液中に浸積させ、スケール層を除去するため溶液中に電流を通すこと、を含む金属部材のスケール除去方法。
前記金属部材が、半導体デバイス、プリント回路基板、不活性電極、鋼、銅または銅−合金、ニッケルまたはニッケル−合金、コバルトまたはコバルト合金、耐火性金属または酸化物である請求項４０の方法。
前記酸がメタンスルホン酸である請求項４０の方法。
前記水溶液は、スルホン酸と、他の無機または有機酸の混合物とを含む請求項４０の方法。
前記電流が、直流、パルス電流またはＰＲ電流である請求項４０の方法。
可溶性また不溶性もしくは不活性な電極が使用される請求項４０の方法。